一種led芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種LED芯片結(jié)構(gòu)，包括依次堆疊之第一型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二型半導(dǎo)體層，該第二型半導(dǎo)體層中具有暴露區(qū)，該暴露區(qū)暴露出部份第一型半導(dǎo)體層；該暴露區(qū)之第一型半導(dǎo)體層上具有第一電極延伸層；該第二型半導(dǎo)體層上具有第二電極延伸層；該第二型半導(dǎo)體層上連接一透明絕緣層，且該透明絕緣層填入該暴露區(qū)；透明絕緣層的端面上具有第一型電極和第二型電極；第一型電極和第二型電極分別通過第一電極連接層和第二電極連接層經(jīng)該透明絕緣層上設(shè)置的第一通孔和第二通孔連接該第一電極延伸層和該第二電極延伸層；本實(shí)用新型優(yōu)化了電極的設(shè)置，降低了芯片工作電壓，增大了芯片有效發(fā)光面積，提高了芯片的發(fā)光效率。
【專利說明】一種LED芯片結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED芯片結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]LED發(fā)光二極管具有耗能少，使用壽命長的特點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。近期，隨著發(fā)光二極管照明性能指標(biāo)的大幅度提高，LED發(fā)光二極管在照明領(lǐng)域得到快速的應(yīng)用和發(fā)展。
[0003]但是傳統(tǒng)氮化鎵基發(fā)光二極管通常生長在藍(lán)寶石襯底上，在制作電極過程中，特別是制作N型電極時，需要蝕刻一部分的P型半導(dǎo)體層和發(fā)光層，然后再把N型電極連接在N型半導(dǎo)體層上，這種傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)主要存在問題是P型電極和N型電極不等高，不利于芯片的倒裝和貼裝，P型電極和N型電極設(shè)置較為呆板，不利于芯片結(jié)構(gòu)的多樣化設(shè)計(jì)，同時其在制作N型電極時，需蝕刻掉較多面積的發(fā)光層，這樣會損失較多發(fā)光面積，發(fā)光效率較低。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其優(yōu)化了電極的設(shè)置，降低了芯片工作電壓，且可增大有效發(fā)光面積，有效提高芯片的發(fā)光效率。
[0005]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種LED芯片結(jié)構(gòu)，包括依次堆疊之第一型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二型半導(dǎo)體層，該第二型半導(dǎo)體層中具有暴露區(qū)，該暴露區(qū)暴露出部份第一型半導(dǎo)體層；
[0006]該暴露區(qū)之第一型半導(dǎo)體層上具有第一電極延伸層；
[0007]該第二型半導(dǎo)體層上具有第二電極延伸層；
[0008]該第二型半導(dǎo)體層上連接一透明絕緣層，且該透明絕緣層填入該暴露區(qū)；
[0009]在該透明絕緣層上具有第一通孔和第二通孔，該第一通孔位于該暴露區(qū)之透明絕緣層中且連通至該第一電極延伸層，第二通孔連通至該第二電極延伸層；
[0010]在該透明絕緣層遠(yuǎn)離第二型半導(dǎo)體層的端面上具有第一型電極和第二型電極；
[0011]該第一通孔中設(shè)有第一電極連接層，第一電極連接層連接該第一型電極延伸層與該第一型電極；該第二通孔中設(shè)有第二電極連接層，第二電極連接層連接該第二電極延伸層與該第二型電極。
[0012]優(yōu)選該第一型半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層，該第二型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層。
[0013]進(jìn)一步改進(jìn)結(jié)構(gòu)，在該第二型半導(dǎo)體層與該透明絕緣層之間設(shè)置一透明電流擴(kuò)散層，且把該第二電極延伸層連接在透明電流擴(kuò)散層上。其可有效提高電流的擴(kuò)展性能。
[0014]進(jìn)一步改進(jìn)結(jié)構(gòu)，該第一型電極下方之該透明絕緣層中及/或該第二型電極下方之該透明絕緣層中具有一反射層?？梢暂^好把發(fā)光層發(fā)出的光反射到外部，減少第一型電極和第二型電極對光的阻擋。
[0015]優(yōu)選該第一通孔至少有兩個及/或該第二通孔至少有兩個。
[0016]優(yōu)選該第一電極延伸層及/或該第二電極延伸層上視為圓形、長條形或環(huán)形。
[0017]優(yōu)選一種該第一電極延伸層與該第二電極延伸層的布置方式，該第一電極延伸層與該第二電極延伸層上視為交錯排列。
[0018]優(yōu)選另一種該第一電極延伸層與該第二電極延伸層的布置方式，該第一電極延伸層上視為環(huán)繞該第二電極延伸層。
[0019]優(yōu)選該透明絕緣層的厚度大于1.2um。通過增大該透明絕緣層的厚度可以增大光線的出射角度，減少電極部分的阻擋，進(jìn)一步提高光效。
[0020]優(yōu)選該第一型電極和該第二型電極的高度大致相同。有利于倒裝和貼裝。
[0021]優(yōu)選該第一型電極及/或該第二型電極包括一打線部及一延伸部。以方便制造。
[0022]本實(shí)用新型具有以下有益效果:
[0023]1、本實(shí)用新型把第一型電極和第二型電極設(shè)置在在透明絕緣層遠(yuǎn)離第二型半導(dǎo)體層的端面上，然后第一型電極通過第一電極連接層和第一電極延伸層連接第一型半導(dǎo)體層，第二型電極通過第二電極連接層和第二電極延伸層連接第二型半導(dǎo)體層，這樣就可以方便實(shí)現(xiàn)電極的跨接及第一型電極和第二型電極的等高，電極的設(shè)置位置非常靈活，第一型電極和第二型電極的設(shè)置大為優(yōu)化；同時其可以減少第二型半導(dǎo)體層和發(fā)光層的蝕刻面積，盡可能多的保留發(fā)光面積，提高了芯片的發(fā)光效率。
[0024]2、通過透明絕緣層，把單一平面化的電極設(shè)置，變成多層立體化電極設(shè)置，改進(jìn)電流分布的導(dǎo)線設(shè)計(jì)，也能增加有效發(fā)光面積，提高芯片的發(fā)光效率。
[0025]3、在受限制的芯片面積下和蝕刻同樣面積半導(dǎo)體層情況下，由于可以跨接和立體化的電極設(shè)置，就可以置入更多金屬導(dǎo)線，增加電流擴(kuò)散面積，達(dá)到最大電流擴(kuò)散效果，利于降低芯片工作電壓，增大工作電流，也能提高芯片的發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是本實(shí)用新型第一種實(shí)施例立體圖；
[0027]圖2是圖1的俯視圖；
[0028]圖3是圖2的A-A剖視圖；
[0029]圖4是本實(shí)用新型第一種實(shí)施例隱藏第一電極連接層、第一型電極、第二電極連接層及第二型電極立體圖；
[0030]圖5是本實(shí)用新型第一種實(shí)施例隱藏透明絕緣層立體圖；
[0031]圖6是圖5的俯視圖；
[0032]圖7是本實(shí)用新型第一種實(shí)施例隱藏透明絕緣層且不設(shè)置反射層的立體圖；
[0033]圖8是本實(shí)用新型第二種實(shí)施例立體圖；
[0034]圖9是本實(shí)用新型第二種實(shí)施例隱藏透明絕緣層立體圖；
[0035]圖10是圖9的俯視圖；
[0036]圖11是本實(shí)用新型第二種實(shí)施例隱藏透明絕緣層且不設(shè)置反射層立體圖；
[0037]圖12是本實(shí)用新型第三種實(shí)施例立體圖；
[0038]圖13是本實(shí)用新型第三種實(shí)施例隱藏透明絕緣層立體圖；
[0039]圖14是圖13的俯視圖；
[0040]圖15是本實(shí)用新型第三種實(shí)施例隱藏透明絕緣層且不設(shè)置反射層立體圖。

【具體實(shí)施方式】
[0041]下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0042]本實(shí)用新型實(shí)施例一，繪示如圖1至圖6所示。圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施例之LED芯片結(jié)構(gòu)立體圖，圖2為圖1的俯視圖。一種LED芯片結(jié)構(gòu)，包括襯底10，以及在襯底10上以外延工藝形成之半導(dǎo)體迭層。半導(dǎo)體迭層包括依次堆疊之第一型半導(dǎo)體層1、發(fā)光層2和第二型半導(dǎo)體層3，襯底10可為藍(lán)寶石(Sapphire)基板、娃(Silicon)基板、碳化娃(SiC)基板、氮化鎵(GaN)基板、或砷化鎵(GaAs)基板。半導(dǎo)體迭層中第一型半導(dǎo)體層1、發(fā)光層2和第二型半導(dǎo)體層3之材料系包含至少一種元素選自于由鋁(A1)、鎵(Ga)、銦(In)、氮⑶、磷(P)、砷(As)及硅(Si) 所構(gòu)成之群組，例如為AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN等之半導(dǎo)體化合物。發(fā)光層2之結(jié)構(gòu)可為單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(single heterostructure ；SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double heterostructure ； DH)、雙面雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double-side doubleheterostructure ； DDH)或多重量子井結(jié)構(gòu)(mult1-quantum well structure ； MQW)。第一型半導(dǎo)體層1與第二型半導(dǎo)體層3之電性相異，于本實(shí)施例中，該第一型半導(dǎo)體層1為N型半導(dǎo)體層，該第二型半導(dǎo)體層3為P型半導(dǎo)體層。圖3為圖2沿A-A截面之剖視圖，在圖3中，半導(dǎo)體迭層中具有暴露區(qū)30，該暴露區(qū)30系由移除部分第二型半導(dǎo)體層3、發(fā)光層2及第一型半導(dǎo)體層1以暴露出部份第一型半導(dǎo)體層1所形成；
[0043]第二型半導(dǎo)體層3上方可選擇性地形成一透明電流擴(kuò)散層7，透明電流擴(kuò)散層7對于發(fā)光層2所發(fā)之光為透明，并可增加電流傳導(dǎo)與擴(kuò)散。其材料可為導(dǎo)電材料，包含但不限于氧化銦錫(IT0)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CT0)、氧化銻錫(ΑΤΟ)、氧化鋁鋅(ΑΖ0)、氧化鋅錫(ΖΤ0)、氧化鎵鋅(GZ0)、氧化鋅(ΖηΟ)、氧化鎂(MgO)、石墨稀(graphene)或氧化銦鋅(IZ0);或其材料為半導(dǎo)體材料，包含但不限于砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)或磷化鎵(GaP)。
[0044]該暴露區(qū)30之第一型半導(dǎo)體層1上具有第一電極延伸層11 ;該第二型半導(dǎo)體層3上具有第二電極延伸層31 ;為了清楚說明本實(shí)施例之結(jié)構(gòu)，圖5為將圖1之透明絕緣層隱藏之立體圖，圖6為圖5之俯視圖。參照圖3及圖6，于本實(shí)施例中，暴露區(qū)30與該第一電極延伸層11上視為圓形且有兩個，暴露區(qū)30與該第一電極延伸層11之?dāng)?shù)量可視情況增加為多個，該第二電極延伸層31上視為長條形且有兩條，亦可根據(jù)電流分散目的增加為多條。也可把該第二電極延伸層31設(shè)置為圓形或環(huán)形。第一電極延伸層11與第二電極延伸層31之材質(zhì)較佳例如可以是金屬，如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋁(A1)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、錫(Sn)等，其合金或其迭層組合。
[0045]該第二型半導(dǎo)體層3上連接一透明絕緣層4，且該透明絕緣層4填入該暴露區(qū)30 ;優(yōu)選該透明絕緣層4可為聚亞酰胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、丙稀酸樹脂(Acrylic Resin)、環(huán)稀徑聚合物(C0C)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化銷(A1203)、氧化硅(S1x)、氧化鈦(Ti02)、氧化鉭(Ta205)、氮化硅(SiNx)、旋涂玻璃(S0G)、四乙氧基硅烷(TE0S)、氟化鎂(MgF2)或上述材料之組合。透明絕緣層4亦可為上述材料組成之單層或多層結(jié)構(gòu)；透明絕緣層4上方配置有第一型電極5與第二型電極6，用以作為與外部電源及電路組件進(jìn)行電性連結(jié)，第一型電極5與第二型電極6可各分別包含打線部與延伸自打線部之延伸部55、66。
[0046]為了清楚說明本實(shí)施例之結(jié)構(gòu)，圖4為將圖1之第一型電極5及第二型電極6隱藏之立體圖。在圖4中，透明絕緣層4上具有兩個第一通孔41和兩個第二通孔42，該第一通孔41位于該暴露區(qū)30之透明絕緣層4中且延伸連通至該第一電極延伸層11，第二通孔42穿過透明絕緣層4并連通至該第二電極延伸層31。亦即，該第一通孔41及該第二通孔42是由透明絕緣層4定義而成，其周圍都是透明絕緣層4。第一通孔41及/或第二通孔42的直徑可介于3um?20um。優(yōu)選該透明絕緣層4的厚度大于1.2um，以減少該第一型電極5和該第二型電極6對光的阻擋角度，把盡量多的光射到外部。
[0047]優(yōu)選該第一型電極5和該第二型電極6的高度大致相同，以利于LED芯片倒裝和貼裝；
[0048]參照圖3，該第一通孔41中設(shè)有第一電極連接層51，第一電極連接層51連接該第一型電極延伸層11與該第一型電極5 ;該第二通孔42中設(shè)有第二電極連接層61，第二電極連接層61連接該第二電極延伸層31與該第二型電極6 ;于本實(shí)施例中，第一電極連接層51是連接該第一型電極5之延伸部55，第二電極連接層61是連接該第二型電極6之延伸部66 ;第一通孔41與其對應(yīng)之第一電極連接層51或第二通孔42與其對應(yīng)之第二電極連接層61之?dāng)?shù)量并不限于兩個，可透過多個通孔及電極連接層之配置，達(dá)到較佳的電流傳遞與電流分散效果。
[0049]進(jìn)一步優(yōu)化結(jié)構(gòu)，在該第一型電極5下方之該透明絕緣層4中具有一反射層52，反射層52的形狀對應(yīng)該第一型電極5且面積不大于第一型電極5，反射層52可連接在透明電流擴(kuò)散層7，亦可將第一型電極5下方對應(yīng)位置之透明電流擴(kuò)散層7移除，使反射層52連接在第二型半導(dǎo)體層3上；同樣地，在該第二型電極6下方之該透明絕緣層中具有一反射層62，反射層62的形狀對應(yīng)該第二型電極6且面積不大于第一型電極6，反射層62可連接在透明電流擴(kuò)散層7，亦可將第二型電極6下方對應(yīng)位置之透明電流擴(kuò)散層7移除，使反射層62連接在第二型半導(dǎo)體層3上；這樣可以避免第二型半導(dǎo)體層3與透明電流擴(kuò)散層7之間折射率差異造成的全反射，把盡量多的光反射到外部。
[0050]當(dāng)然在該第一型電極5和該第二型電極6的下部也可不設(shè)置反射層，如圖7所示，圖7亦為將圖1之透明絕緣層4隱藏之立體圖。
[0051]本實(shí)用新型之實(shí)施例二，如圖8至圖10所示。為了清楚說明本實(shí)施例之結(jié)構(gòu)，圖9為將圖8之透明絕緣層4隱藏之立體圖，圖10為圖9之俯視圖。其與實(shí)施例一之差別在于電極延伸層與通孔之配置。暴露區(qū)30上視為長條形，且在暴露區(qū)30中之第一半導(dǎo)體層1上的第一電極延伸層11上視也為長條形，透過第一通孔中的第一電極連接層51與第一型電極5之延伸部55電性連接；該第一電極延伸層11與該第二電極延伸層31上視為交錯間隔排列，如此一來可增進(jìn)電流擴(kuò)散，使LED芯片之發(fā)光效能提升。
[0052]同樣道理，圖9進(jìn)一步所示，在該第一型電極5下方之該透明絕緣層4中可設(shè)置一反射層52，反射層52的形狀對應(yīng)該第一型電極5且面積不大于第一型電極5，反射層52連接在透明電流擴(kuò)散層7上，亦可將第一型電極5下方對應(yīng)位置之透明電流擴(kuò)散層7移除，使反射層52連接在第二型半導(dǎo)體層3上；在該第二型電極6下方之該透明絕緣層中具有一反射層62，反射層62的形狀對應(yīng)該第二型電極6且面積不大于第一型電極6，反射層62連接在透明電流擴(kuò)散層7，亦可將第二型電極6下方對應(yīng)位置之透明電流擴(kuò)散層7移除，使反射層62連接在第二型半導(dǎo)體層3上；當(dāng)然也可不設(shè)置反射層，如圖11所示。
[0053]本實(shí)用新型之實(shí)施例三如圖12至圖14所示，為了清楚說明本實(shí)施例之結(jié)構(gòu)，圖13為將圖12之透明絕緣層4隱藏之立體圖，圖14為圖13之俯視圖。其與實(shí)施例一不同的是，該暴露區(qū)30上視為還形，該第一電極延伸層11上視也為環(huán)形并透過第一通孔與上方第一型電極5電性連接，第二半導(dǎo)體層上方具有多個第二電極延伸層31，透過多個第二通孔與上方第二型電極6之多個延伸部66電性連接，該第一電極延伸層11上視為環(huán)繞其中一條第二電極延伸層31設(shè)置。同樣地，在本實(shí)施例中之最外圍之兩第二電極延伸層31亦可沿著LED芯片外圍延伸至相互連接，使得第二電極延伸層31上視為環(huán)繞第一電極延伸層11。
[0054]同樣道理，圖13進(jìn)一步所示，在該第一型電極5下方之該透明絕緣層4中可設(shè)置一反射層52，反射層52的形狀對應(yīng)該第一型電極5且面積不大于第一型電極5，反射層52連接在透明電流擴(kuò)散層7，亦可將第一型電極5下方對應(yīng)位置之透明電流擴(kuò)散層7移除，使反射層52連接在第二型半導(dǎo)體層3上；在該第二型電極6下方之該透明絕緣層中具有一反射層62，反射層62的形狀對應(yīng)該第二型電極6且面積不大于第一型電極6，反射層62連接在透明電流擴(kuò)散層7，亦可將第二型電極6下方對應(yīng)位置之透明電流擴(kuò)散層7移除，使反射層62連接在第二型半導(dǎo)體層3上；當(dāng)然也可不設(shè)置反射層，如圖15所示。
[0055]在上述實(shí)施例中，第一電極延伸層11可配置為圓形、長條形或環(huán)形，在不違背本實(shí)用新型的技術(shù)原理及精神的情況下，同樣地，可對上述實(shí)施例進(jìn)行修改及變化，使第二電極延伸層31配置為圓形、長條形或環(huán)形。
[0056]上述實(shí)施例的制造方法如下:包括以下步驟:
[0057]在襯底10上依次以外延方式生長第一型半導(dǎo)體層1、發(fā)光層2和第二型半導(dǎo)體層3 ；
[0058]自第二型半導(dǎo)體層3向下進(jìn)行蝕刻，移除部分第二型半導(dǎo)體層3、發(fā)光層2和第一型半導(dǎo)體層1，以暴露出部分第一型半導(dǎo)體層1并形成一暴露區(qū)30 ;
[0059]選擇性地在第二型半導(dǎo)體層3上以蒸鍍、濺鍍等方式沉積透明電流擴(kuò)散層7，然后在該透明電流擴(kuò)散層7對應(yīng)該暴露區(qū)30的位置移除沉積在該暴露區(qū)30上的透明電流擴(kuò)散層7 ；
[0060]在暴露區(qū)30之該第一半導(dǎo)體層1上生成第一電極延伸層11 ;同時在該透明電流擴(kuò)散層7上按預(yù)先設(shè)計(jì)的位置和形狀生成第二電極延伸層31 ;此時如需設(shè)置反射層，也可在生成第一電極延伸層11和第二電極延伸層31前，在第二型半導(dǎo)體層3或該透明電流擴(kuò)散層7上生成反射層52和反射層62 ;
[0061]也可同時在該透明電流擴(kuò)散層7上生成反射層52和反射層62 ；
[0062]接著，在該透明電流擴(kuò)散層7以及該暴露區(qū)30內(nèi)生成透明絕緣層4 ；
[0063]在透明絕緣層4遠(yuǎn)離第二型半導(dǎo)體層3的端面上按預(yù)先設(shè)計(jì)位置蝕刻形成第一通孔41以及第二通孔42，第一通孔41使第一電極延伸層11暴露于外部，第二通孔42使第二電極延伸層31暴露于外部；
[0064]在第一通孔41中以及第二通孔42中以蒸鍍、濺鍍、化鍍或電鍍之方式分別生成第一電極連接層51及第二電極連接層61，第一電極連接層51連接在第一電極延伸層11上，第二電極連接層61連接在第二電極延伸層31上；
[0065]在透明絕緣層4上生成第一型電極5及第二型電極6，使該第一型電極5及該第二型電極6分別電性連接于該第一電極連接層51及該第二電極連接層61。
[0066]以上僅是本實(shí)用新型幾個較佳的實(shí)施例，本實(shí)用新型不限于這幾個實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員按權(quán)利要求作等同的改變都落入本案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種LED芯片結(jié)構(gòu)，包括依次堆疊之第一型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二型半導(dǎo)體層，其特征在于:該第二型半導(dǎo)體層中具有暴露區(qū)，該暴露區(qū)暴露出部份第一型半導(dǎo)體層； 該暴露區(qū)之第一型半導(dǎo)體層上具有第一電極延伸層； 該第二型半導(dǎo)體層上具有第二電極延伸層； 該第二型半導(dǎo)體層上連接一透明絕緣層，且該透明絕緣層填入該暴露區(qū)； 在該透明絕緣層上具有第一通孔和第二通孔，該第一通孔位于該暴露區(qū)之透明絕緣層中且連通至該第一電極延伸層，第二通孔連通至該第二電極延伸層； 在該透明絕緣層遠(yuǎn)離第二型半導(dǎo)體層的端面上具有第一型電極和第二型電極； 該第一通孔中設(shè)有第一電極連接層，第一電極連接層連接該第一型電極延伸層與該第一型電極；該第二通孔中設(shè)有第二電極連接層，第二電極連接層連接該第二電極延伸層與該第二型電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:該第一型半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層，該第二型半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:該第二型半導(dǎo)體層與該透明絕緣層之間具有一透明電流擴(kuò)散層，該第二電極延伸層連接在透明電流擴(kuò)散層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:該第一型電極下方之該透明絕緣層中及/或該第二型電極下方之該透明絕緣層中具有一反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:該第一通孔至少有兩個及/或該第二通孔至少有兩個。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:該第一電極延伸層及/或該第二電極延伸層上視為圓形、長條形或環(huán)形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:該第一電極延伸層與該第二電極延伸層上視為交錯排列。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:該第一電極延伸層上視為環(huán)繞該第二電極延伸層或該第二電極延伸層上視為環(huán)繞該第一電極延伸層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:該透明絕緣層的厚度大于1.2um0
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:該第一型電極和該第二型電極的高度大致相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:該第一型電極及/或該第二型電極包括一打線部及一延伸部。
【文檔編號】H01L33/48GK204257700SQ201420793847
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月16日
【發(fā)明者】吳哲雄, 呂瞻暘, 曾曉強(qiáng), 林聰輝, 劉建科, 白梅英 申請人:晶宇光電（廈門）有限公司