一種微型耐壓高散熱的芯片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種微型耐壓高散熱的芯片，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝，在第一外延片的第一段的側(cè)部連接一外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型提出在第一外延片的第一段的側(cè)部連接一外殼，等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護(hù)外殼，比以前單獨(dú)的封裝體堅(jiān)固了很多，增加了使用壽命。
【專利說明】一種微型耐壓高散熱的芯片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種微型耐壓高散熱的芯片。

【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，現(xiàn)有的很多芯片的第一外延片22，第二外延片23二者是一體設(shè)置的，然后封裝體21封裝，這樣設(shè)置的目的是散熱，但是實(shí)際效果很差，由于第一外延片，第二外延片的散熱面積有限，導(dǎo)致散熱不暢，另外第一外延片，第二外延片二者是一體設(shè)置很容易造成短路?，F(xiàn)有的芯片對(duì)耐壓程度也不高，不能承受特殊環(huán)境狀態(tài)下使用。
[0003]所以現(xiàn)有技術(shù)有缺陷，需要改進(jìn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是:提供一種微型耐壓高散熱的芯片，能夠提高微型耐壓提聞聞散熱效果的芯片。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種微型耐壓高散熱的芯片，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝，在第一外延片的第一段的側(cè)部連接一外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。
[0007]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，第一外延片與外殼是一體設(shè)置。
[0008]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內(nèi)。
[0009]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的左側(cè)。
[0010]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的右側(cè)。
[0011]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的前端。
[0012]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的后端。
[0013]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，在封裝體內(nèi)設(shè)置一硅片，設(shè)置在硅片上面處理器模塊、加解密模塊，存儲(chǔ)模塊，電源檢測(cè)模塊和安全輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過安全芯片內(nèi)部的總線相互連接，管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間，在硅片背面依次設(shè)置的鈦層、鎳層、銀層，在硅片背面位于硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0.01?1.5 μ m，微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈波紋不平狀。
[0014]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型提出在第一外延片的第一段的側(cè)部連接一外殼，等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護(hù)外殼，比以前單獨(dú)的封裝體堅(jiān)固了很多，
[0015]微型耐壓高散熱的芯片，通過將微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁設(shè)計(jì)成凹凸不平狀，從而可以提高微型耐壓高散熱的芯片的出光效率。優(yōu)點(diǎn)是:通過在硅片背面設(shè)高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬復(fù)合結(jié)構(gòu)，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應(yīng)力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導(dǎo)通壓降，進(jìn)而降低通態(tài)功耗，使可控硅芯片發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有芯片的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0017]圖2為本實(shí)用微型耐壓高散熱的芯片的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0018]圖3為本實(shí)用微型耐壓高散熱的芯片的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0019]圖4為本實(shí)用微型耐壓高散熱的芯片的結(jié)構(gòu)示意圖之三。

【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例。
[0021]實(shí)施例一
[0022]請(qǐng)參閱圖2、圖3所示，本實(shí)用新型揭示了一種微型耐壓高散熱的芯片，包括一第一外延片26,—第二外延片25,第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體21封裝，在第一外延片的第一段的側(cè)部連接一外殼27，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。本實(shí)用新型最大的創(chuàng)意就是把第一外延片26，一第二外延片25分離開，避免產(chǎn)生短路現(xiàn)象，把第一外延片26與外殼27 —體設(shè)置,第一外延片與外殼是一體設(shè)置。第一外延片26在芯片內(nèi)部產(chǎn)生的熱量通過第一外延片26直接擴(kuò)散到外殼上,能夠很好散熱；第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內(nèi)。這樣外殼就形成一個(gè)保護(hù)外殼，增加了本芯片的堅(jiān)固性。
[0023]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的左側(cè)。
[0024]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的右側(cè)。
[0025]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的前端。
[0026]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，外殼設(shè)置在第一外延片第一端的后端。
[0027]所述的微型耐壓高散熱的芯片，其中，在封裝體內(nèi)設(shè)置一硅片，設(shè)置在硅片上面處理器模塊、加解密模塊，存儲(chǔ)模塊，電源檢測(cè)模塊和安全輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過安全芯片內(nèi)部的總線相互連接，管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間，在硅片背面依次設(shè)置的鈦層、鎳層、銀層，在硅片背面位于硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0.01?1.5 μ m，微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈波紋不平狀。
[0028]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型提出在第一外延片的第一段的側(cè)部連接一外殼，等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護(hù)外殼，比以前單獨(dú)的封裝體堅(jiān)固了很多，
[0029]微型耐壓高散熱的芯片，通過將微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁設(shè)計(jì)成凹凸不平狀，從而可以提高微型耐壓高散熱的芯片的出光效率。優(yōu)點(diǎn)是:通過在硅片背面設(shè)高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬復(fù)合結(jié)構(gòu)，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應(yīng)力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導(dǎo)通壓降，進(jìn)而降低通態(tài)功耗，使可控硅芯片發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長。
[0030]參考圖4所示，一種微型耐壓高散熱的芯片，包括硅片，設(shè)置在硅片上面處理器模塊、加解密模塊9，存儲(chǔ)模塊10，電源檢測(cè)模塊和安全輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過安全芯片內(nèi)部的總線相互連接，管腳控制模塊8連接于處理器模塊6和管腳模塊7之間，在硅片背面依次設(shè)置的鈦層、鎳層、銀層，在硅片背面位于硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0.1?2.5μπι，微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈凹凸不平狀。
[0031]在硅片背面依次設(shè)置的鈦層3、鎳層4、銀層5，在硅片I背面位于硅片I和鈦層3之間設(shè)有高純鋁層2，所述的高純鋁層2的厚度為0.1?2.5 μ m，微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈凹凸不平狀。作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈波紋狀。優(yōu)選地，ICP刻蝕后的微型耐壓高散熱的芯片周圍的所有側(cè)壁呈波紋狀。
[0032]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈鋸齒狀。優(yōu)選地，所述微型耐壓高散熱的芯片的所有側(cè)壁呈鋸齒狀。
[0033]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型提出的微型耐壓高散熱的芯片，通過將微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁設(shè)計(jì)成凹凸不平狀，從而可以提高微型耐壓高散熱的芯片的出光效率。優(yōu)點(diǎn)是:通過在硅片背面設(shè)高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬復(fù)合結(jié)構(gòu)，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應(yīng)力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導(dǎo)通壓降，進(jìn)而降低通態(tài)功耗，使可控硅芯片發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長。
[0034]實(shí)施例二
[0035]本實(shí)施例中，所述微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈鋸齒狀。優(yōu)選地，所述微型耐壓高散熱的芯片的所有側(cè)壁呈鋸齒狀。
[0036]本實(shí)施例中微型耐壓高散熱的芯片的這種側(cè)壁結(jié)構(gòu)也可以增加側(cè)向光源的出光面積，使芯片獲得更多的出光。
[0037]此外，微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁還可以呈現(xiàn)其他凹凸不平狀，如不規(guī)則的凹凸不平狀，只要可以增加芯片側(cè)面的出光面積即可。
[0038]這里本實(shí)用新型的描述和應(yīng)用是說明性的，并非想將本實(shí)用新型的范圍限制在上述實(shí)施例中。這里所披露的實(shí)施例的變形和改變是可能的，對(duì)于那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說實(shí)施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，在不脫離本實(shí)用新型的精神或本質(zhì)特征的情況下，本實(shí)用新型可以以其它形式、結(jié)構(gòu)、布置、比例，以及用其它組件、材料和部件來實(shí)現(xiàn)。在不脫離本實(shí)用新型范圍和精神的情況下，可以對(duì)這里所披露的實(shí)施例進(jìn)行其它變形和改變。在硅片背面設(shè)高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬復(fù)合結(jié)構(gòu)，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應(yīng)力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導(dǎo)通壓降，進(jìn)而降低通態(tài)功耗，使可控硅芯片發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長。
【權(quán)利要求】
1.一種微型耐壓高散熱的芯片，其特征在于，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝，在第一外延片的第一段的側(cè)部連接一外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的芯片，其特征在于:第一外延片與外殼是一體設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的芯片，其特征在于:第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的芯片，其特征在于:外殼設(shè)置在第一外延片第一端的左側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的芯片，其特征在于:外殼設(shè)置在第一外延片第一端的右側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的芯片，其特征在于:外殼設(shè)置在第一外延片第一端的前端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的芯片，其特征在于:外殼設(shè)置在第一外延片弟一端的后端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型耐壓高散熱的芯片，其特征在于:在封裝體內(nèi)設(shè)置一硅片，設(shè)置在娃片上面處理器模塊、加解密模塊，存儲(chǔ)模塊，電源檢測(cè)模塊和安全輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過安全芯片內(nèi)部的總線相互連接，管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間，在硅片背面依次設(shè)置的鈦層、鎳層、銀層，在硅片背面位于硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為0.0l?1.5 μ m，微型耐壓高散熱的芯片的部分側(cè)壁或全部側(cè)壁呈波紋不平狀。
【文檔編號(hào)】H01L23/04GK204130518SQ201420586140
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月11日
【發(fā)明者】孔妍 申請(qǐng)人:孔妍