薄膜晶體管基板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種薄膜晶體管基板，包括：一基板；以及多個薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括：一有源層，設(shè)置于該基板上且該有源層的材料為多晶硅；一絕緣層，設(shè)置于該有源層上；以及一源極及一漏極，設(shè)置于該絕緣層上；其中該絕緣層包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域?qū)?yīng)該有源層，該第二區(qū)域?qū)?yīng)該有源層以外的區(qū)域，且該第一區(qū)域的粗糙度大于該第二區(qū)域的粗糙度。
【專利說明】
薄膜晶體管基板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種薄膜晶體管基板，尤其是一種能達(dá)到同時增加像素的存儲電容且絕緣層的接觸面積的薄膜晶體管基板。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示器技術(shù)不斷進(jìn)步，所有的顯示設(shè)備均朝體積小、厚度薄、重量輕等趨勢發(fā)展，故目前市面上主流的顯示器裝置已由以往的陰極射線管發(fā)展成平面顯示器，如液晶顯示設(shè)備或有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備等。其中，液晶顯示設(shè)備或有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備可應(yīng)用的領(lǐng)域相當(dāng)多，舉凡日常生活中使用的手機(jī)、筆記本電腦、攝影機(jī)、照相機(jī)、音樂播放器、行動導(dǎo)航裝置、電視等顯示設(shè)備，大多數(shù)均使用所述顯示面板。
[0003]雖然液晶顯示設(shè)備或有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備已為市面上常見的顯示設(shè)備，特別是液晶顯示設(shè)備的技術(shù)更是相當(dāng)成熟，但隨著顯示設(shè)備不斷發(fā)展且消費(fèi)者對顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量要求日趨提高，各家廠商無不極力發(fā)展出具有更高顯示質(zhì)量的顯示設(shè)備。其中，薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)，也為影響顯示質(zhì)量的因素之一。
[0004]有鑒于此，即便目前液晶顯示設(shè)備或有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備已為市面上常見的顯示設(shè)備，但仍需針對薄膜晶體管基板提出改良以期能發(fā)展出具有更佳顯示質(zhì)量的顯示設(shè)備，以便符合消費(fèi)者需求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種薄膜晶體管基板，俾能達(dá)到同時增加像素的存儲電容且絕緣層的接觸面積的目的。
[0006]為達(dá)成上述目的，本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板，包括:一基板；以及多個薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括:一有源層，設(shè)置于該基板上且該有源層的材料為多晶硅；一絕緣層，設(shè)置于該有源層上；以及一源極及一漏極，設(shè)置于該絕緣層上；其中該絕緣層包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域?qū)?yīng)該有源層，該第二區(qū)域?qū)?yīng)該有源層以外的區(qū)域，且該第一區(qū)域的粗糙度大于該第二區(qū)域的粗糙度。
[0007]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，所述薄膜晶體管單元還分別包括一金屬層，設(shè)置于該絕緣層上，且該金屬層具有多個第一凸起。
[0008]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，該金屬層具有一第一厚度，所述第一凸起距離該金屬層的一平均表面的高度與該第一厚度比為10%?30%。
[0009]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，該絕緣層具有多個第二凸起。
[0010]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，該絕緣層具有一第二厚度，所述第二凸起距離該絕緣層的一平均表面的高度與該第二厚度比為30%?70%。
[0011]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，該絕緣層具有多個第二凸起，且至少部分所述第一凸起對應(yīng)所述第二凸起。
[0012]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，該有源層具有一側(cè)邊，該絕緣層對應(yīng)該側(cè)邊處的曲率小于該側(cè)邊的曲率。
[0013]此外，本實(shí)用新型還提供另一薄膜晶體管基板，包括:一基板；以及多個薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括:一有源層，設(shè)置于該基板上且該有源層的材料為多晶硅；一絕緣層，設(shè)置于該有源層上；以及一源極及一漏極，設(shè)置于該絕緣層上；其中，該絕緣層具有多個第二凸起。
[0014]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，該絕緣層具有一第二厚度，所述第二凸起距離該絕緣層的一平均表面的高度與該第二厚度比為30%?70%。
[0015]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，所述薄膜晶體管單元還分別包括一金屬層，設(shè)置于該絕緣層上，且該金屬層具有多個第一凸起。
[0016]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，該金屬層具有一第一厚度，所述第一凸起距離該金屬層的一平均表面的高度與該第一厚度比為10%?30%。
[0017]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，至少部分該金屬層的所述第一凸起對應(yīng)該絕緣層的所述第二凸起。
[0018]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，該絕緣層包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域?qū)?yīng)該有源層，該第二區(qū)域?qū)?yīng)該有源層以外的區(qū)域，其中該第一區(qū)域的粗糙度大于該第二區(qū)域的粗糙度。
[0019]在本實(shí)用新型的薄膜晶體管基板中，該有源層具有一側(cè)邊，該絕緣層對應(yīng)該側(cè)邊處的曲率小于該側(cè)邊的曲率。
[0020]在本實(shí)用新型前述的薄膜晶體管基板中，通過將絕緣層的表面設(shè)計(jì)成具有第二凸起的凹凸起伏形狀，而可增加與絕緣層接觸的其他層別的接觸面積，使得絕緣層與其他層別的附著力提升，而減少兩者間有剝離的情形發(fā)生。此外，在本實(shí)用新型前述的薄膜晶體管基板中，還通過將絕緣層上的金屬層設(shè)計(jì)成具有第一凸起的凹凸起伏形狀，而可增加金屬層的面積，而使得金屬層能具有較高的電容值，進(jìn)而增加像素的存儲電容。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備剖面示意圖。
[0022]圖2是本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的電路布線示意圖。
[0023]圖3是本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的薄膜晶體管基板的剖面示意圖。
[0024]圖4是本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的薄膜晶體管基板的部分剖面示意圖。
[0025]圖5是本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的薄膜晶體管基板的部分剖面示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記說明:
[0027]11 第一基板12 第二基板
[0028]101 緩沖層103 有源層
[0029]1032側(cè)邊104 第一絕緣層
[0030]105 第二絕緣層 111 第一金屬層
[0031]1111第一凸起112 第三絕緣層
[0032]114 第四絕緣層115 保護(hù)層
[0033]115a保護(hù)層開口116 第二金屬層
[0034]117 平坦層117a平坦層開口
[0035]13 封裝膠14 支撐元件
[0036]15 有機(jī)發(fā)光二極管單兀151 第一電極
[0037]152 有機(jī)發(fā)光層153 第二電極
[0038]16 像素界定層161 像素開口
[0039]1041，1051，1121，1141第二凸起
[0040]104a, 105a, 112a，114a, 11 la 平均表面
[0041]1042，1052，1122，1142斜面
[0042]A 顯示區(qū)B非顯示區(qū)
[0043]C 電容區(qū)Rl 第一區(qū)域
[0044]R2 第二區(qū)域Tl 第一厚度
[0045]T2, T3, T4, T5第二厚度
[0046]HI, H2, H3, H4, H5高度
[0047]TFTLTFT2薄膜晶體管元件區(qū)

【具體實(shí)施方式】
[0048]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0049]圖1是本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備剖面示意圖。在有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的制作過程中，先提供一第一基板11及一第二基板12。其中，第一基板11上設(shè)置有一有機(jī)發(fā)光二極管單兀15及一像素界定層16,其中每一像素界定層16設(shè)于兩相鄰的有機(jī)發(fā)光二極管單元15間。同時，第二基板12上則設(shè)置有多個支撐元件14，并在第二基板12的邊緣先形成有一封裝膠13 (在本實(shí)施例中，為一玻璃膠)，且封裝膠13通過點(diǎn)膠及加熱燒結(jié)工藝接合于第二基板12上。接著，將第一基板11及第二基板12進(jìn)行對組，其中第二基板12上的支撐元件14對應(yīng)于像素界定層16的未形成有像素開161的區(qū)域。而后，以雷射加熱的方式，使封裝膠13與第一基板11進(jìn)行接合，而制得本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備。
[0050]在本實(shí)施例中，第一基板11及第二基板12均為玻璃基板。此外，本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板包括一顯示區(qū)A及一非顯示區(qū)B，而所謂的非顯示區(qū)B即走線分布的區(qū)域。再者，在本實(shí)施例中，每一有機(jī)發(fā)光二極管單元15可分別發(fā)出紅光、綠光及藍(lán)光，但其他實(shí)施例并不僅限于此；舉例來說，有機(jī)發(fā)光二極管單元15可為一白光有機(jī)發(fā)光二極管單元，在此情形下，第一基板11或第二基板12的其中一側(cè)還需設(shè)置一彩色濾光元件(圖未示)O
[0051]圖2是本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的一像素單元的電路布線示意圖。如圖2所示，在本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備中，每一像素單元分別包括:一掃描線、一數(shù)據(jù)線、一電容線、一電源供給線、一開關(guān)薄膜晶體管元件(如圖2的開關(guān)TFT所示)、一驅(qū)動薄膜晶體管元件(如圖2的驅(qū)動TFT所示)、一存儲電容、及一分別與第一電極及第二電極極連接的有機(jī)發(fā)光二極管元件(如圖2的OLED所示)。
[0052]圖3是本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的薄膜晶體管基板的剖面示意圖。請同時參照圖1及圖3,本實(shí)施例的薄膜晶體管基板包括:一第一基板11及一與第一基板11相對設(shè)置的第二基板12。在本實(shí)施例中，薄膜晶體管基板上的薄膜晶體管元件為低溫多晶硅薄膜晶體管。如圖3所示，在圖1的顯示區(qū)A中，首先，提供一第一基板11，其上方依序設(shè)置有一緩沖層101，而在緩沖層101還形成有一有源層103，其是由非晶硅雷射退火后所形成的多晶娃層。接著，在第一基板11上依序形成一第一絕緣層104、一第二絕緣層105、一第一金屬層111、一第三絕緣層112、及一第四絕緣層114。其中，位于薄膜晶體管元件區(qū)TFTl, TFT2中的第一金屬層111作為一柵極；而第一絕緣層104及第二絕緣層105分別作為一柵極絕緣層，其材料為本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的絕緣層材料，如氧化硅、氮化硅等；同樣的，第三絕緣層112及第四絕緣層114以可使用前述本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的絕緣層材料。而后，再在第四絕緣層114上形成一第二金屬層116。其中，位于薄膜晶體管元件區(qū)TFT1，TFT2中的第二金屬層116還貫穿第三絕緣層112及第四絕緣層114，且選擇性的貫穿第一絕緣層104及第二絕緣層10，而做為源極及漏極，以與有源層103電性連接。如此，則完成本實(shí)施例的薄膜晶體管基板。在本實(shí)施例中，薄膜晶體管基板包含有兩個薄膜晶體管元件區(qū)TFT1，TFT2，其中薄膜晶體管元件區(qū)TFTl對應(yīng)于圖2的開關(guān)TFT，薄膜晶體管元件區(qū)TFT2則對應(yīng)于圖2的驅(qū)動TFT。此外，在本實(shí)施例中，除了薄膜晶體管元件區(qū)TFT1，TFT2外，還同時形成一電容區(qū)C，其對應(yīng)于圖2的存儲電容。
[0053]請同時參考圖1及圖3，在完成薄膜晶體管基板后，再依序形成保護(hù)層115、平坦層117、一第一電極151及像素界定層16，其中第一電極151除了設(shè)置于平坦層117上還設(shè)置于平坦層117的平坦層開口 117a及保護(hù)層115的保護(hù)層開口 115a中以與第二金屬層116電性連接，且像素界定層16還設(shè)有一像素開口 161。而后，在像素界定層16與第一電極151上及像素開口 161中依序?qū)盈B一有機(jī)發(fā)光層152及一第二電極153,則完成本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光單元15。據(jù)此，如圖1及圖3所示，本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光單元15包括依序?qū)盈B的一第一電極151、一有機(jī)發(fā)光層152及一第二電極153,且第一電極151與第二金屬層116電性連接。此外，像素界定層16設(shè)于第一電極151與有機(jī)發(fā)光層152間，且通過像素界定層16的像素開口 161以定義出光區(qū)域。
[0054]在此，第一金屬層111及第二金屬層116作為線路用。例如，如圖3所示，第一金屬層111在此作為薄膜晶體管開關(guān)元件的柵極；而第二金屬層116在此作為薄膜晶體管開關(guān)元件的源極及漏極；且同由第一金屬層111所形成的柵極及掃描線(圖未示)彼此電性連接，而同由第二金屬層116所形成的源極與漏極及數(shù)據(jù)線(圖未示)彼此亦電性連接。此夕卜，在本實(shí)施例中，第一金屬層111、第二金屬層116的材料可使用本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的導(dǎo)電材料，如金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮氧化物、或其他本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的電極材料；且優(yōu)選為金屬材料。在本實(shí)施例中，第一金屬層111為鑰，而第二金屬層116為從第一基板11上依序?qū)盈B有Ti層、Al層及Ti層的復(fù)合金屬層。此外，保護(hù)層115的材料可為本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的絕緣層材料，如氧化硅、氮化硅等。
[0055]此外，在本實(shí)施例中，第一電極151可選用本實(shí)用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】已知的反射電極材料，而第二電極153可選用本實(shí)用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】已知的透明電極或半透明電極。其中，反射電極材料可為Ag、Ge、Al、Cu、Mo、T1、Sn、AINd、ACX, APC等；透明電極可為透明氧化物電極(TCO電極)，如ITO電極或IZO電極；而半透明電極可為一金屬薄膜電極，如鎂銀合金薄膜電極、金薄膜電極、鉬薄膜電極、鋁薄膜電極等。此外，若需要，本實(shí)用新型第二電極153可選用透明電極與半透明電極的復(fù)合電極，如:TC0電極與鉬薄膜電極的復(fù)合電極。在此，僅以包含有第一電極151、有機(jī)發(fā)光層152及第二電極153的有機(jī)發(fā)光二極管兀件作為舉例，但本實(shí)用新型并不限于此；其他本【技術(shù)領(lǐng)域】常用的有機(jī)發(fā)光二極管元件均可應(yīng)用于本實(shí)用新型的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中，例如:包括電子傳輸層、電子注入層、電洞傳輸層、電洞注入層、及其他可幫助電子電洞傳輸結(jié)合的層的有機(jī)發(fā)光二極管元件均可應(yīng)用于本實(shí)用新型中。
[0056]圖4及圖5是本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的薄膜晶體管基板的部分剖面示意圖，其中圖4及圖5分別為圖3中薄膜晶體管元件區(qū)TFT1，TFT2的部分放大示意圖。如圖4及圖5所示，在形成有源層103后，在分別形成第一絕緣層104、一第二絕緣層105、第一金屬層111、第三絕緣層112、及第四絕緣層114的工藝中，可以本【技術(shù)領(lǐng)域】已知的沉積法形成一層后，利用圖案化光罩，以分別蝕刻該層，使所形成的第一絕緣層104、第二絕緣層105、第一金屬層111、第三絕緣層112、及第四絕緣層114分別具有凹凸起伏的表面。
[0057]更詳細(xì)而言，如圖4及圖5所示，第一絕緣層104、第二絕緣層105、第三絕緣層112、及第四絕緣層114分別包括一第一區(qū)域Rl及一第二區(qū)域R2，其中第一區(qū)域Rl對應(yīng)有源層103，第二區(qū)域R2對應(yīng)有源層103以外的區(qū)域，且第一區(qū)域Rl的粗糙度大于第二區(qū)域R2的粗糙度。
[0058]此外，如圖4及圖5所示，其中，第一絕緣層104、第二絕緣層105、第三絕緣層112、及第四絕緣層114分別具有多個第二凸起1041，1051，1121，1141。其中，每一第二凸起1041距離第一絕緣層104的一平均表面104a的高度分別介于500nm?1500nm ;每一第二凸起1051距離第二絕緣層105的一平均表面105a的高度分別介于500nm?1500nm ;每一第二凸起1121距離第三絕緣層112的一平均表面112a的高度分別介于500nm?1500nm ;而每一第二凸起1141距離第四絕緣層114的一平均表面114a的高度分別介于500nm?1500nm。
[0059]再者，如圖4及圖5所示，第一絕緣層104具有一第二厚度T2，第二凸起1041距離第一絕緣層104的一平均表面104a的高度H2與第二厚度T2比為30%?70% ;第二絕緣層105具有一第二厚度T3，第二凸起1051距離第二絕緣層105的一平均表面105a的高度H3與第二厚度T3比為20%?50%;第三絕緣層112具有一第二厚度T4，第二凸起1121距離第三絕緣層112的一平均表面112a的高度H4與第二厚度T4比為10%?40% ;而第四絕緣層114具有一第二厚度T5，第二凸起1141距離第四絕緣層114的一平均表面114a的高度H5與第二厚度T5比為5 %?30 %。
[0060]如前所述，在本實(shí)施例的薄膜晶體管基板中，第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層及第四絕緣層的表面分別設(shè)計(jì)成具有第二凸起的凹凸起伏形狀，而可增加與絕緣層接觸的其他層別的接觸面積，使得絕緣層與其他層別的附著力提升，而減少兩者間有剝離的情形發(fā)生。
[0061]此外，如圖4及圖5所示，在本實(shí)施例的薄膜晶體管基板中，第一金屬層111亦具有凹凸起伏的表面。此外，第一金屬層111還可具有多個第一凸起1111，其中每一第一凸起1111距離第一金屬層111的一平均表面Illa的高度Hl分別介于500nm?1500nm。再者，第一金屬層111具有一第一厚度Tl，第一凸起1111距離第一金屬層111的一平均表面的高度Hl與第一厚度Tl比為10%?30%。
[0062]如前所述，在本實(shí)施例的薄膜晶體管基板中，金屬層設(shè)計(jì)成具有第一凸起的凹凸起伏形狀，而可增加金屬層的面積，而使得金屬層能具有較高的電容值，進(jìn)而增加像素的存儲電容。
[0063]此外，如圖4及圖5所示，第一絕緣層104的第二凸起1041、第二絕緣層105的第二凸起1051、第三絕緣層112的第二凸起1121、第四絕緣層114的第二凸起1141、及第一金屬層111的第一凸起1111彼此間的位置可相互對應(yīng)或不對應(yīng)，最終得看設(shè)計(jì)的需求。
[0064]再者，如圖4及圖5所示，有源層103具有一側(cè)邊1032，第一絕緣層104的斜面1042、第二絕緣層105的斜面1052、第三絕緣層112的斜面1122、及第四絕緣層114的斜面1142的至少一者對應(yīng)有源層103側(cè)邊1032處的曲率小于有源層103側(cè)邊1032的曲率。
[0065]在本實(shí)用新型中，所謂的“平均表面”是指樣本的最適表面，其可為用以計(jì)算整個樣本長度方向上中心線距離外型偏差算術(shù)平均或幾何平均的表面。
[0066]本實(shí)用新型前述實(shí)施例所制得的薄膜晶體管基板，除了可應(yīng)用于有機(jī)二極管顯示設(shè)備外，還可應(yīng)用于液晶顯示設(shè)備上。此外，本實(shí)用新型前述實(shí)施例所制得的顯示設(shè)備，可應(yīng)用于本【技術(shù)領(lǐng)域】已知的任何需要顯示屏幕的電子裝置上，如顯示器、手機(jī)、筆記本電腦、攝影機(jī)、照相機(jī)、音樂播放器、行動導(dǎo)航裝置、電視等。
[0067]以上所述的具體實(shí)施例，對本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管基板，包括: 一基板；以及 多個薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括: 一有源層，設(shè)置于該基板上且該有源層的材料為多晶硅； 一絕緣層，設(shè)置于該有源層上；以及 一源極及一漏極，設(shè)置于該絕緣層上； 其中該絕緣層包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域?qū)?yīng)該有源層，該第二區(qū)域?qū)?yīng)該有源層以外的區(qū)域，且該第一區(qū)域的粗糙度大于該第二區(qū)域的粗糙度。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管單元還分別包括一金屬層，設(shè)置于該絕緣層上，且該金屬層具有多個第一凸起。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該金屬層具有一第一厚度，所述第一凸起距離該金屬層的一平均表面的高度與該第一厚度比為10%?30%。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該絕緣層具有多個第二凸起。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該絕緣層具有一第二厚度，所述第二凸起距離該絕緣層的一平均表面的高度與該第二厚度比為30%?70%。
6.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該絕緣層具有多個第二凸起，且至少部分所述第一凸起對應(yīng)所述第二凸起。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中該有源層具有一側(cè)邊，其特征在于，該絕緣層對應(yīng)該側(cè)邊處的曲率小于該側(cè)邊的曲率。
8.一種薄膜晶體管基板，包括: 一基板；以及 多個薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括: 一有源層，設(shè)置于該基板上且該有源層的材料為多晶硅； 一絕緣層，設(shè)置于該有源層上；以及 一源極及一漏極，設(shè)置于該絕緣層上； 其中，該絕緣層具有多個第二凸起。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該絕緣層具有一第二厚度，所述第二凸起距離該絕緣層的一平均表面的高度與該第二厚度比為30%?70%。
10.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管單元還分別包括一金屬層，設(shè)置于該絕緣層上，且該金屬層具有多個第一凸起。
11.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該金屬層具有一第一厚度，所述第一凸起距離該金屬層的一平均表面的高度與該第一厚度比為10%?30%。
12.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，至少部分該金屬層的所述第一凸起對應(yīng)該絕緣層的所述第二凸起。
13.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該絕緣層包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域?qū)?yīng)該有源層，該第二區(qū)域?qū)?yīng)該有源層以外的區(qū)域，其中該第一區(qū)域的粗糙度大于該第二區(qū)域的粗糙度。
14.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該有源層具有一側(cè)邊，該絕緣層對應(yīng)該側(cè)邊處的曲率小于該側(cè)邊的曲率。
【文檔編號】H01L27/12GK204179081SQ201420516720
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月10日
【發(fā)明者】趙光品, 朱夏青, 孫銘謙 申請人:群創(chuàng)光電股份有限公司