技術(shù)編號(hào)：7088930
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開了一種薄膜晶體管基板，包括一基板；以及多個(gè)薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括一有源層，設(shè)置于該基板上且該有源層的材料為多晶硅；一絕緣層，設(shè)置于該有源層上；以及一源極及一漏極，設(shè)置于該絕緣層上；其中該絕緣層包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域?qū)?yīng)該有源層，該第二區(qū)域?qū)?yīng)該有源層以外的區(qū)域，且該第一區(qū)域的粗糙度大于該第二區(qū)域的粗糙度。專利說明 薄膜晶體管基板 [0001]本實(shí)用新型涉及一種薄膜晶體管基板，尤其是一種能達(dá)到同時(shí)增加...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。