雙體二次光學(xué)led芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括底層成型體、頂層封裝體、LED晶片、正極金線、負(fù)極金線、正極焊層、負(fù)極焊層、第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡，第一光學(xué)透鏡置于頂層封裝體內(nèi)，且LED晶片全部容置在第一光學(xué)透鏡內(nèi)，所述第二光學(xué)透鏡置于頂層封裝體外，LED晶片的出光面經(jīng)第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡的二次光學(xué)作用產(chǎn)生清晰分明的切線。本案利用在頂層封裝體的內(nèi)外設(shè)置第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡，不僅提高本LED芯片的發(fā)光的定向性，而且出光切線更加規(guī)整，適用于對光線要求更加嚴(yán)苛的發(fā)光場所。另，本案采用層狀雙體結(jié)構(gòu)，利用利用層狀雙體的中部夾持住發(fā)光源，出光角度更大，出光效率更高。
【專利說明】 雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及綠色照明【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，貼片式LED—般采用封裝體，封裝體由于體積小，重量輕，散射角度大，發(fā)光均勻性好，可靠性高，抗振能力強(qiáng)，高頻性能好，易于實(shí)現(xiàn)自動化提高生產(chǎn)效率，所以廣泛應(yīng)用于照明、顯示器、背光等領(lǐng)域。
[0003]現(xiàn)有的LED燈封裝結(jié)構(gòu)中，支架體采用塑料材質(zhì)，封裝膠采用硅膠，出光的定向性不好，也有將硅膠制作成橢圓形形狀的，但是出光切線不規(guī)則，定向性很差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述技術(shù)中存在的不足之處，本實(shí)用新型提供一種出光切線規(guī)整且定向性好的雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括底層成型體、頂層封裝體、LED晶片、正極金線、負(fù)極金線、正極焊層、負(fù)極焊層、第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡，所述LED晶片、正極焊層和負(fù)極焊層置于底層成型體的一面上，所述LED晶片通過正極金線電連接正極焊層，且該LED晶片通過負(fù)極金線電連接負(fù)極焊層；所述頂層封裝體與底層成型體連接，且正極焊層和負(fù)極焊層有金屬連接端露出；所述第一光學(xué)透鏡置于頂層封裝體內(nèi)，且LED晶片全部容置在第一光學(xué)透鏡內(nèi)，所述第二光學(xué)透鏡置于頂層封裝體外，LED晶片的出光面經(jīng)第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡的二次光學(xué)作用產(chǎn)生清晰分明的切線。
[0006]其中，所述第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡均為半圓形透鏡，且LED晶片置于所述第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡的圓心處。
[0007]其中，底層成型體和頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)，所述頂層封裝體的表面設(shè)有Si02增透薄膜。
[0008]其中，所述底層成型體為聚乙烯材質(zhì)，所述頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)，所述頂層封裝體的表面設(shè)有Si02增透薄膜。
[0009]其中，所述底層成型體和頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體為透光結(jié)構(gòu)，所述底層成型體和頂層封裝體表面均設(shè)有Si02增透薄膜。
[0010]其中，所述底層成型體為聚乙烯材質(zhì)，所述頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體為透光結(jié)構(gòu)，所述底層成型體和頂層封裝體表面均設(shè)有Si02增透薄膜。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果是:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，利用在頂層封裝體的內(nèi)外設(shè)置第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡，不僅提高本LED芯片的發(fā)光的定向性，而且出光切線更加規(guī)整，適用于對光線要求更加嚴(yán)苛的發(fā)光場所。另，本案采用層狀雙體結(jié)構(gòu)，利用利用層狀雙體的中部夾持住發(fā)光源，使得發(fā)光源被抬高一段位移，這樣出光角度更大；又利用封裝的雙焊層結(jié)構(gòu)，并利用金線進(jìn)行焊接導(dǎo)電，可以顯著提高電連接的可靠性；又頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，光強(qiáng)損失小，出光效率更聞。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型的雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0013]主要元件符號說明如下:
[0014]10、底層成型體11、頂層封裝體
[0015]12、LED晶片13、正極金線
[0016]14、負(fù)極金線15、正極焊層
[0017]16、負(fù)極焊層17、第一光學(xué)透鏡
[0018]18、第二光學(xué)透鏡

【具體實(shí)施方式】
[0019]為了更清楚地表述本實(shí)用新型，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步地描述。
[0020]請參閱圖1，本實(shí)用新型的雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括底層成型體10、頂層封裝體11、LED晶片12、正極金線13、負(fù)極金線14、正極焊層15、負(fù)極焊層16、第一光學(xué)透鏡17和第二光學(xué)透鏡18，LED晶片12、正極焊層15和負(fù)極焊層16置于底層成型體10的一面上，LED晶片12通過正極金線13電連接正極焊層15，且該LED晶片12通過負(fù)極金線14電連接負(fù)極焊層16 ;頂層封裝體11與底層成型體10連接，且正極焊層15和負(fù)極焊層16有金屬連接端露出；第一光學(xué)透鏡17置于頂層封裝體11內(nèi)，且LED晶片12全部容置在第一光學(xué)透鏡17內(nèi)，第二光學(xué)透鏡18置于頂層封裝體11外,LED晶片12的出光面經(jīng)第一光學(xué)透鏡17和第二光學(xué)透鏡18的二次光學(xué)作用產(chǎn)生清晰分明的切線。
[0021]相較于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實(shí)用新型提供的雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，利用在頂層封裝體的內(nèi)外設(shè)置第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡，不僅提高本LED芯片的發(fā)光的定向性，而且出光切線更加規(guī)整，適用于對光線要求更加嚴(yán)苛的發(fā)光場所。另，本案采用層狀雙體結(jié)構(gòu)，利用利用層狀雙體的中部夾持住發(fā)光源，使得發(fā)光源被抬高一段位移，這樣出光角度更大；又利用封裝的雙焊層結(jié)構(gòu)，并利用金線進(jìn)行焊接導(dǎo)電，可以顯著提高電連接的可靠性；又頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，光強(qiáng)損失小，出光效率更高。
[0022]在本實(shí)施例中，上述第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡均為半圓形透鏡，且LED晶片置于所述第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡的圓心處。內(nèi)外透鏡均采用半圓形透鏡，光線的切線規(guī)整，當(dāng)然，更具需要，本案可以對透鏡的形狀進(jìn)行更改，適應(yīng)不同場合的需求。
[0023]本實(shí)用新型的優(yōu)勢在于，通孔銅柱直通散熱LED芯片封裝結(jié)構(gòu)可以有多種變形:
[0024]第一種為上下均為環(huán)氧樹脂的反射結(jié)構(gòu)，底層成型體10和頂層封裝體11為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體10為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)。這樣的布置可以提高定向發(fā)光強(qiáng)度，發(fā)光切線好，無需反光杯即可實(shí)現(xiàn)高反射光。
[0025]第二種為上環(huán)氧樹脂下聚乙烯的反射結(jié)構(gòu)，底層成型體10為聚乙烯材質(zhì)，頂層封裝體11為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)。這樣的布置可以提高定向發(fā)光強(qiáng)度，發(fā)光切線好，無需反光杯即可實(shí)現(xiàn)高反射光。
[0026]第三種為上下均為環(huán)氧樹脂的透明結(jié)構(gòu)，底層成型體10和頂層封裝體11為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體10為透光結(jié)構(gòu)，其表面設(shè)有Si02增透薄膜。這樣的布置可以最大限度地拓展出光角度，使得發(fā)光源360度全發(fā)光。
[0027]第四種為上環(huán)氧樹脂下聚乙烯的透光結(jié)構(gòu)，底層成型體10為聚乙烯材質(zhì)，頂層封裝體11為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體10為透光結(jié)構(gòu)，其表面設(shè)有Si02增透薄膜。利用聚乙烯材質(zhì)的特性，安裝在不同規(guī)格的散熱基板上，成型體具有較高的耐高溫特性。
[0028]以上公開的僅為本實(shí)用新型的幾個具體實(shí)施例，但是本實(shí)用新型并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括底層成型體、頂層封裝體、LED晶片、正極金線、負(fù)極金線、正極焊層、負(fù)極焊層、第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡，所述LED晶片、正極焊層和負(fù)極焊層置于底層成型體的一面上，所述LED晶片通過正極金線電連接正極焊層，且該LED晶片通過負(fù)極金線電連接負(fù)極焊層；所述頂層封裝體與底層成型體連接，且正極焊層和負(fù)極焊層有金屬連接端露出；所述第一光學(xué)透鏡置于頂層封裝體內(nèi)，且LED晶片全部容置在第一光學(xué)透鏡內(nèi)，所述第二光學(xué)透鏡置于頂層封裝體外，LED晶片的出光面經(jīng)第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡的二次光學(xué)作用產(chǎn)生清晰分明的切線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡均為半圓形透鏡，且LED晶片置于所述第一光學(xué)透鏡和第二光學(xué)透鏡的圓心處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，底層成型體和頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)，所述頂層封裝體的表面設(shè)有Si02增透薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層成型體為聚乙烯材質(zhì)，所述頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)，所述頂層封裝體的表面設(shè)有Si02增透薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層成型體和頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體為透光結(jié)構(gòu)，所述底層成型體和頂層封裝體表面均設(shè)有Si02增透薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙體二次光學(xué)LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層成型體為聚乙烯材質(zhì)，所述頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體為透光結(jié)構(gòu)，所述底層成型體和頂層封裝體表面均設(shè)有Si02增透薄膜。
【文檔編號】H01L33/62GK204067422SQ201420416469
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月28日
【發(fā)明者】許海鵬 申請人:深圳市新光臺電子科技有限公司