薄膜晶體管及像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種薄膜晶體管，配置于基板的承載面上。薄膜晶體管包括柵極、第一絕緣層、信道、源極、第二絕緣層與漏極。柵極與信道在承載面的法線方向上相重疊。第一絕緣層配置于信道與柵極之間。源極覆蓋信道的一部份且與信道的一部份電性連接。在法線方向上信道位于源極與第一絕緣層之間。源極配置于第二絕緣層與信道之間。第二絕緣層具有暴露信道的另一部份的第一開口。漏極填入第一開口而與信道的另一部份電性連接。此外，一種像素結(jié)構(gòu)被提出。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型是有關(guān)于一種電子元件，且特別是有關(guān)于一種薄膜晶體管及像素結(jié) 構(gòu)。 薄膜晶體管及像素結(jié)構(gòu)

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示科技的發(fā)展，高分辨率的顯示面板已成為現(xiàn)今顯示產(chǎn)品的主流。為制 作出高分辨率的顯示面板，每一像素結(jié)構(gòu)所占的面積需縮小，且基于顯示面板透光度的考 量，每一像素結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管所占的面積越小越好，以提升顯示面板的開口率（aperture ratio)。在公知技術(shù)中，薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極以及信道。柵極與信道重疊。源 極、漏極屬于同一膜層且分別設(shè)置于信道的相對二側(cè)。然而，受限于制程能力，源極與漏極 之間的最小間距無法進一步縮減，而使得薄膜晶體管所占的面積不易更進一步縮小。 實用新型內(nèi)容
[0003] 本實用新型提供一種薄膜晶體管及像素結(jié)構(gòu)，其所占面積小。
[0004] 本實用新型的薄膜晶體管配置于基板的承載面上。薄膜晶體管包括柵極、信道、第 一絕緣層、源極、第二絕緣層以及漏極。柵極配置于基板的承載面上。承載面具有通過柵極 的法線方向。信道配置于基板的承載面上且在法線方向上與柵極重疊。第一絕緣層配置于 信道與柵極之間。源極覆蓋信道的一部份且與信道的一部份電性連接。在法線方向上信道 位于源極與第一絕緣層之間。源極配置于第二絕緣層與信道之間。第二絕緣層具有第一開 口。第一開口暴露信道的另一部份。漏極填入第二絕緣層的第一開口而與信道的另一部份 電性連接。第二絕緣層位于漏極與源極之間。
[0005] 本實用新型的像素結(jié)構(gòu)包括上述的薄膜晶體管以及與薄膜晶體管的漏極電性連 接的像素電極。
[0006] 在本實用新型的一實施例中，上述的信道位于源極與基板之間，而柵極位于信道 與基板之間。
[0007] 在本實用新型的一實施例中，上述的源極和漏極的集合與柵極分別位于信道的不 同二側(cè)，而柵極較源極和漏極的集合靠近基板。
[0008] 在本實用新型的一實施例中，上述的源極在承載面上的正投影與漏極在承載面上 的正投影實質(zhì)上接觸。
[0009] 在本實用新型的一實施例中，上述的信道的材質(zhì)包括非晶硅或金屬氧化物半導 體。
[0010] 在本實用新型的一實施例中，上述的像素結(jié)構(gòu)更包括一第三絕緣層。第三絕緣層 位于像素電極與漏極之間。第三絕緣層具有第二開口。像素電極填入第三絕緣層的第二開 口而與漏極電性連接。
[0011] 在本實用新型的一實施例中，上述的第一開口與第二開口實質(zhì)上對齊。
[0012] 在本實用新型的一實施例中，上述的第二絕緣層為單一個膜層，像素電極直接覆 蓋漏極以及第二絕緣層，且像素電極超出漏極的部份與第二絕緣層接觸。
[0013] 基于上述，在本實用新型一實施例的薄膜晶體管及像素結(jié)構(gòu)中，源極與漏極是配 置在信道的同一側(cè)且分屬二個不同的膜層，因此源極與漏極在水平方向上的最短距離能夠 不受制程能力限制。如此一來，源極與漏極在水平方向上的最短距離便能夠小于目前制程 能力所能達成的同一膜層內(nèi)的最小間距，從而薄膜晶體管的尺寸能夠明顯縮減，而有助于 像素結(jié)構(gòu)應用于高分辨率的顯示面板。
[0014] 為讓本實用新型的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附 圖式作詳細說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1A至圖1G為本實用新型一實施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程的上視示意圖。
[0016] 圖2A至圖2G為分別對應于圖1A至圖1G的剖線A-A'所繪的像素結(jié)構(gòu)制造流程 的剖視示意圖。
[0017] 圖3A為本實用新型另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0018] 圖3B為對應于圖3A的剖線B-B'的像素結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0019]【主要組件符號說明】
[0020] 10 :基板
[0021] 10a :承載面
[0022] 100、100' ：像素結(jié)構(gòu)
[0023] A-A'、B-B' ：剖線
[0024] D :漏極
[0025] DL :數(shù)據(jù)線
[0026] dl :法線方向
[0027] d2:水平方向
[0028] G :柵極
[0029] GI1 :第一絕緣層
[0030] GI2 :第二絕緣層
[0031] GI3:第三絕緣層
[0032] H1:第一開口
[0033] H2:第二開口
[0034] L :距離
[0035] P :像素電極超出漏極的部份
[0036] PE、PE' ：像素電極
[0037] S :源極
[0038] SE-1 :信道的一部份
[0039] SE-2 :信道的另一部份
[0040] SE :信道
[0041] SL:掃描線
[0042] TFT :薄膜晶體管。

【具體實施方式】
[0043] 圖1A至圖1G為本實用新型一實施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程的上視示意圖。圖2A至 圖2G為分別對應于圖1A至圖1G的剖線A-A'所繪的像素結(jié)構(gòu)制造流程的剖視示意圖。需 說明的是，為清楚起見，圖1A至圖1G省略圖2A至圖2G的基板10的繪示。請參照圖1A及 圖2A，首先，提供基板10 (標示于圖2A)。就光學特性而言，基板10可為透光基板或不透光 /反射基板。透光基板的材質(zhì)可選自玻璃、石英、有機聚合物、其他適當材料或其組合。不透 光/反射基板的材質(zhì)可選自導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、其他適當材料或其組合。需說明的 是，若基板10選用導電材料時，則需在基板10搭載像素結(jié)構(gòu)的構(gòu)件之前，于基板10上形成 一絕緣層（未繪示），以避免基板10與像素結(jié)構(gòu)的構(gòu)件之間發(fā)生短路的問題。就機械特性 而言，基板10可為剛性基板或可撓性基板。剛性基板的材質(zhì)可選自玻璃、石英、導電材料、 金屬、晶圓、陶瓷、其他適當材料或其組合?？蓳闲曰宓牟馁|(zhì)可選自超薄玻璃、有機聚合物 (例如：塑膠）、其他適當材料或其組合。
[0044] 接者，在基板10上形成柵極G。如圖1B所示，在本實施例中，可利用掃描線SL的 一部分做為柵極G，但本實用新型不限于此，在其他實施例中，柵極G亦可呈其他適當樣態(tài)， 例如：由掃描線SL向外擴展的導電區(qū)塊。柵極G-般是使用金屬材料，但本實用新型不限 于此，在其他實施例中，柵極G亦可以使用其他導電材料（例如：合金、金屬材料的氮化物、 金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等）、或是金屬材料與其它導電材料的堆棧層。接 著，形成第一絕緣層GI1 (標示于圖2A)。第一絕緣層GI1的材質(zhì)可選自無機材料（例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆棧層）、有機材料、其 它合適的材料、或上述的組合。
[0045] 請參照圖1B及圖2B，接著，在第一絕緣層GI1上形成信道SE。詳言之，在本實 施例中，可先在第一絕緣層GI1上形成一預信道（未繪示），然后再對此預信道進行回火 (annealing)制程，以形成信道SE。藉由回火制程，信道SE的電氣特性，例如：載子遷移 率（mobility)，可大幅提升。信道SE可為單層或多層結(jié)構(gòu)，其材質(zhì)可選自非晶硅、多晶 娃、微晶娃、單晶娃、金屬氧化物半導體材料[例如：氧化銦鎵鋅（Indium-Gallium-Zinc Oxide, IGZ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化錫（SnO)、氧化銦鋅（Indium-Zinc Oxide, ΙΖ0)、氧化鎵 鋒（Gallium-Zinc Oxide, GZ0)、氧化鋒錫（Zinc-Tin Oxide, ΖΤ0)、氧化銦錫（Indium-Tin Oxide, ΙΤ0)等]、其它合適的材料、或上述的組合。
[0046] 請參照圖1C及圖2C，接著，在信道SE上形成源極S。源極S覆蓋信道SE的一部份 SE-1(標示于圖2C)且與信道SE的一部份SE-1電性連接。在本實施例中，如圖1C所示，可 利用數(shù)據(jù)線DL的一部分做為源極S，但本實用新型不限于此，在其他實施例中，源極S亦可 呈其他適當樣態(tài)，例如：由數(shù)據(jù)線DL向信道SE延伸的導電區(qū)塊。源極S-般是使用金屬材 料，然而，本實用新型不限于此，在其他實施例中，源極S亦可以使用其他導電材料（例如： 合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等）、或是金屬材料與其 它導電材料的堆棧層。
[0047] 請參照圖1D及圖2D，接著，在源極S上形成第二絕緣層GI2(標示于圖2D)。第二 絕緣層GI2覆蓋源極S、信道SE的一部份SE-1以及第一絕緣層GI1，且具有暴露出信道SE 的另一部份SE-2的第一開口 H1。第二絕緣層GI2的材質(zhì)可選自無機材料（例如：氧化硅、 氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆棧層）、有機材料、其它合適 的材料、或上述的組合。
[0048] 請參照圖1E及圖2E，接著，在第二絕緣層GI2(標示于圖2D)上形成漏極D。漏極 D填入第二絕緣層GI2的第一開口 H1，而與信道SE的另一部份SE-2電性連接。于此便完 成本實施例的薄膜晶體管TFT (標示于圖2D)。漏極D -般是使用金屬材料，但本實用新型 不限于此，在其他實施例中，漏極D亦可以使用其他導電材料（例如：合金、金屬材料的氮化 物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等）、或是金屬材料與其它導電材料的堆棧層。
[0049] 請參照圖1F及圖2F,接著,在本實施例中，可選擇性地在漏極D上形成第三絕緣 層GI3(標示于圖2F)。第三絕緣層GI3覆蓋部分的漏極D以及第二絕緣層GI2。第三絕緣 層GI3具有一第二開口 H2。第二開口 H2暴露另一部分的漏極D。第三絕緣層GI3的材質(zhì) 可選自無機材料（例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述至少二種材料 的堆棧層）、有機材料、其它合適的材料、或上述的組合。
[0050] 請參照圖1G及圖2G，接著，在漏極D上形成像素電極PE。在本實施例中，像素電 極PE可填入第三絕緣層GI3的第二開口 H2而與漏極D電性連接。于此便完成了本實施例 的像素結(jié)構(gòu)100。像素電極PE可依實際需求設(shè)計為穿透式像素電極、反射式像素電極或是 半穿透半反射式像素電極。穿透式像素電極的材質(zhì)包括金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦 鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二 者的堆棧層。反射式像素電極的材質(zhì)包括具有高反射率的導電材料，例如：金屬等。半穿透 半反射式像素電極的材質(zhì)包括高反射率導電材料與高透光率導電材料的組合。
[0051] 像素結(jié)構(gòu)100配置于基板10的承載面l〇a (標示于圖2G)上。像素結(jié)構(gòu)100包括 薄膜晶體管TFT以及與薄膜晶體管TFT的漏極D電性連接的像素電極PE。薄膜晶體管TFT 包括柵極G、第一絕緣層GI1、信道SE、源極S、第二絕緣層GI2以及漏極D?；?0的承載 面10a具有通過柵極G的法線方向dl。詳言之，若承載面10a為平面，則法線方向dl是指 與承載面10a垂直的方向。若承載面10a為曲面，則法線方向dl是指與一參考切平面（未 繪示）垂直的一方向，其中參考切平面與承載面l〇a相切且通過柵極G所在處。
[0052] 柵極G與信道SE皆配置在基板10的承載面10a上。信道SE與柵極G在法線方 向dl上重疊。第一絕緣層GI1 (標示于圖2G)配置于信道SE與柵極G之間。在本實施例 中，第一絕緣層GI1可全面性覆蓋柵極G以及基板10,而呈現(xiàn)一完整的絕緣圖形。然而，本 實用新型不限于此，第一絕緣層GI1的圖形可視實際的需求做其他適當設(shè)計。
[0053] 源極S覆蓋信道SE的一部份SE-1且與信道SE的一部份SE-1電性連接。在法線 方向dl上信道SE位于源極S與第一絕緣層GI1之間。在本實施例中，源極S可直接覆蓋 信道SE的一部份SE-1，而與信道SE的一部份SE-1電性接觸。然而，本實用新型不限于此， 在其他實施例中，源極S亦可透過一歐姆接觸層（未繪示）或其他適當方式與信道SE的一 部份SE-1電性連接。
[0054] 第二絕緣層GI2覆蓋源極S與信道SE的一部分SE-1。源極S配置于第二絕緣層 GI2與信道SE之間。第二絕緣層GI2具有第一開口 H1。第一開口 H1暴露信道SE的另一 部份SE-2。漏極D填入第二絕緣層GI2的第一開口 H1而與信道SE的另一部份SE-2電性 連接。在本實施例中，部分的漏極D可直接覆蓋信道SE的另一部份SE-2,而與信道SE的另 一部份SE-2電性接觸。然而，本實用新型不限于此，在其他實施例中，漏極D亦可透過一歐 姆接觸層（未繪示）或其他適當方式與信道SE的另一部份SE-2電性連接。
[0055] 在本實施例中，信道SE可選擇性地位于源極S與基板10之間，且柵極G可選擇性 地位于信道SE與基板10之間。源極S和與漏極D的集合與柵極G分別位于信道SE的不 同二側(cè)，而柵極G可選擇性地較源極S和漏極D的集合靠近基板10。換言之，本實施例的薄 膜晶體管TFT可選擇性地設(shè)計為底部柵極（Bottom gate)型薄膜晶體管。然而，本實用新型 不限于此，在其他實施中，薄膜晶體管亦可設(shè)計為頂部柵極（Top gate)型或其他適當形式。
[0056] 在本實施例中，像素結(jié)構(gòu)100可選擇性包括第三絕緣層GI3。第三絕緣層GI3位于 像素電極PE與漏極D之間。第三絕緣層GI3具有第二開口 H2。像素電極PE填入第二開 口 H2而與漏極D電性連接。值得一提的是，在本實施例中，第一開口 H1與第二開口 H2實 質(zhì)上可對齊。換言之，第一開口 H1與第二開口 H2可配置在基板10的同一區(qū)塊的上方，而 不需配置在二個不同位置，從而薄膜晶體管TFT的尺寸能夠更進一步地縮減。
[0057] 值得注意的是，在像素結(jié)構(gòu)100及薄膜晶體管TFT中，源極S配置于第二絕緣層 GI2與信道SE之間，且第二絕緣層GI2配置于漏極D與源極S之間。換言之，源極S與漏極 D是位在信道SE的同一側(cè)且分屬二個不同的膜層，因此源極S與漏極D在垂直于法線方向 dl的水平方向d2上的最短距離L能夠不受目前制程能力所能達到的同一膜層內(nèi)最小間隙 的限制。此時，源極S與漏極D在水平方向d2上的最短距離L能夠明顯地小于目前制程能 力所能達成的同一膜層內(nèi)最小間距，從而薄膜晶體管TFT所占的面積能夠顯著地縮減，而 有助于像素結(jié)構(gòu)100應用于高分辨率的顯示面板中。
[0058] 舉例而言，在本實施例中，源極S在承載面10a上的正投影與漏極D在承載面10a 上的正投影實質(zhì)上可接觸。更進一步地說，如圖1G所示，在本實施例中，源極S在承載面 l〇a上的正投影與漏極D在承載面10a上的正投影可剛好相接而不重疊。意即，源極S與漏 極D在水平方向d2上的最短距離L可縮減至0。需說明的是，本實用新型并不限制源極S 在承載面10a上的正投影與漏極D在承載面10a上的正投影一定要剛好相接，在其他實施 例中，源極S在承載面10a上的正投影與漏極D在承載面10a上的正投影亦可分離或相重 疊。凡其源極與漏極是位在信道的同一側(cè)且分屬二個不同的膜層而使源極與漏極在水平方 向上的最短距離能夠縮減的薄膜晶體管及像素結(jié)構(gòu)均在本實用新型所欲保護的范疇內(nèi)。
[0059] 此外，更值得一提的是，如圖2B至圖2E所示，在本實用新型一實施例中，源極S與 漏極D是在信道SE制作完成后才形成，因此當預信道（未繪示）進行回火制程以形成信道 SE時，源極S與漏極D并不會受到回火制程中的高溫影響，而產(chǎn)生氧化問題，從而本實施例 的薄膜晶體管TFT及像素結(jié)構(gòu)100更具有質(zhì)量優(yōu)良穩(wěn)定的優(yōu)點。
[0060] 圖3A為本實用新型另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。圖3B為對應于圖3A 的剖線B-B'的像素結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。需說明的是，為清楚起見，圖3A省略圖3B的基板 10的繪示。請參照圖3A及圖3B，圖3A及圖3B的像素結(jié)構(gòu)100'與圖1G及圖2G的像素結(jié) 構(gòu)100類似，因此相同或相對應的元件以相同或相對應的標號表示。像素結(jié)構(gòu)100'與像素 結(jié)構(gòu)100主要的差異在于：像素結(jié)構(gòu)100'較像素結(jié)構(gòu)100少了第三絕緣層GI3。以下主要 就此差異處做說明，二者相同之處便不再重述。
[0061] 請參照圖3A及圖3B，像素結(jié)構(gòu)100'配置于基板10的承載面10a上。像素結(jié)構(gòu) 100'包括薄膜晶體管TFT以及與薄膜晶體管TFT漏極D電性連接的像素電極PE'。薄膜晶 體管TFT包括柵極G、第一絕緣層GI1、信道SE、源極S、第二絕緣層GI2以及漏極D。柵極G 配置于基板10的承載面l〇a上。承載面10a具有通過柵極G的法線方向dl。信道SE配 置于基板10的承載面l〇a上且在承載面10a的法線方向dl上與柵極G重疊。第一絕緣層 GI1配置于信道SE與柵極G之間。源極S覆蓋信道SE的一部份SE-1且與信道SE的一部 份SE-1電性連接。在法線方向dl上信道SE位于源極S與第一絕緣層GI1之間。源極S 配置于第二絕緣層GI2與信道SE之間。第二絕緣層GI2具有第一開口 H1。第一開口 H1暴 露信道SE的另一部份SE-2。在圖3B的實施例中，第二絕緣層GI2例如為單一個膜層，但本 實用新型不以此為限，在其他實施例中，第二絕緣層亦可由多個絕緣膜層堆棧而成。漏極D 填入第二絕緣層GI2的第一開口 H1而與信道SE的另一部份SE-2電性連接。第二絕緣層 GI2位于漏極D與源極S之間。與像素結(jié)構(gòu)100不同是，像素結(jié)構(gòu)100'可不包括第三絕緣 層GI3,而像素電極PE'可直接覆蓋漏極D以及第二絕緣層GI2。更進一步地說，像素電極 PE'超出漏極D的部份P (標示于圖3B)可與第二絕緣層GI2接觸。
[0062] 像素結(jié)構(gòu)100'除了具有與像素結(jié)構(gòu)100相同的優(yōu)點之外，由于像素結(jié)構(gòu)100'可 省略第三絕緣層GI3,因此像素結(jié)構(gòu)100'制程所需的光罩數(shù)量較像素結(jié)構(gòu)100制程所需的 光罩數(shù)量減少一個，從而像素結(jié)構(gòu)100'更具有低制造成本的優(yōu)勢。
[0063] 綜上所述，在本實用新型一實施例的薄膜晶體管及像素結(jié)構(gòu)中，源極與漏極是配 置在信道的同一側(cè)且分屬二個不同的膜層，因此源極與漏極在水平方向上的最短距離能夠 不受制程能力限制。如此一來，源極與漏極在水平方向上的最短距離便能夠小于目前制程 能力所能達成的同一膜層內(nèi)的最小間距，從而薄膜晶體管的所占的面積能夠明顯縮減，而 有助于像素結(jié)構(gòu)應用于高分辨率的顯示面板。
[0064] 雖然本實用新型已以實施例公開如上，然其并非用以限定本實用新型，任何所屬 【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與 潤飾，故本實用新型的保護范圍當視前述的申請專利范圍所界定者為準。
【權(quán)利要求】
1. 一種薄膜晶體管，配置于一基板的一承載面上，該薄膜晶體管包括： 一柵極，配置于該基板的該承載面上，該承載面具有通過該柵極的一法線方向； 一信道，配置于該基板的該承載面上且在該法線方向上與該柵極重疊； 一第一絕緣層，配置于該信道與該柵極之間； 一源極，覆蓋該信道的一部份且與該信道的該部份電性連接，在該法線方向上該信道 位于該源極與該第一絕緣層之間； 一第二絕緣層，該源極配置于該第二絕緣層與該信道之間，該第二絕緣層具有一第一 開口，該第一開口暴露該信道的另一部份；以及 一漏極，填入該第二絕緣層的該第一開口而與該信道的該另一部份電性連接，該第二 絕緣層位于該漏極與該源極之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該信道位于該源極與該基板之間，而 該柵極位于該信道與該基板之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該源極和該漏極的集合與該柵極分 別位于該信道的不同二側(cè)，而該柵極較該源極和該漏極的集合靠近該基板。
4. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該源極在該承載面上的正投影與該 漏極在該承載面上的正投影實質(zhì)上接觸。
5. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該信道的材質(zhì)包括非晶硅或金屬氧 化物半導體。
6. -種像素結(jié)構(gòu)，配置于一基板的一承載面上，該像素結(jié)構(gòu)包括： 一薄膜晶體管，包括： 一柵極，配置于該基板的該承載面上，該承載面具有通過該柵極的一法線方向； 一信道，配置于該基板的該承載面上且在該承載面的一法線方向上與該柵極重疊； 一第一絕緣層，配置于該信道與該柵極之間； 一源極，覆蓋該信道的一部份且與該信道的該部份電性連接，在該法線方向上該信道 位于該源極與該第一絕緣層之間； 一第二絕緣層，該源極配置于該第二絕緣層與該信道之間，該第二絕緣層具有一第一 開口，該第一開口暴露該信道的另一部份；以及 一漏極，填入該第二絕緣層的該第一開口而與該信道的該另一部份電性連接，該第二 絕緣層位于該漏極與該源極之間；以及 一像素電極，與該薄膜晶體管的該漏極電性連接。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括： 一第三絕緣層，位于該像素電極與該漏極之間，該第三絕緣層具有一第二開口，該像素 電極填入該第三絕緣層的該第二開口而與該漏極電性連接。
8. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一開口與該第二開口實質(zhì)上對齊。
9. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二絕緣層為單一個膜層，該像素電 極直接覆蓋該漏極以及該第二絕緣層，且該像素電極超出該漏極的部份與該第二絕緣層接 觸。
10. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極和該漏極的集合與該柵極分別 位于該信道的不同二側(cè)，而該柵極較該源極和該漏極的集合靠近該基板。
【文檔編號】H01L27/12GK203850306SQ201420242445
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月13日
【發(fā)明者】劉恩池, 陳盈惠, 黃彥余 申請人:華映視訊（吳江）有限公司, 中華映管股份有限公司