一種繼電器驅(qū)動電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種繼電器驅(qū)動電路，其特征在于：包括一開關(guān)管，所述開關(guān)管的一端連接一第一電阻的一端，所述開關(guān)管的控制端連接一第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端連接一二極管的陰極和繼電器控制線圈的一端，所述二極管的陽極連接所述第一電阻的另一端、所述繼電器控制線圈的另一端、一電容的一端和一穩(wěn)壓管的陰極，所述開關(guān)管的另一端、電容的另一端和穩(wěn)壓管的陽極接地。本實用新型的繼電器驅(qū)動電路為高壓導(dǎo)通，低壓保持的特點，控制簡單、損耗小、效率高。
【專利說明】—種繼電器驅(qū)動電路【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及繼電器領(lǐng)域，尤其是一種繼電器驅(qū)動電路。
【背景技術(shù)】 [0002]繼電器是一種可以用低壓\小電流來控制高壓大電流的開關(guān)器件。電磁繼電器內(nèi)部的驅(qū)動部分是電磁鐵，一旦動作完成，那么由于器內(nèi)部磁材料的導(dǎo)磁性能遠比空氣好，因此磁路中的磁阻會大幅下降，這是即使控制線圈中的電流較小，磁鐵也不會立即返回，只有當電流足夠小(大多數(shù)繼電器減小到額定值10%以下)時，磁鐵才能復(fù)原，繼電器主功率接觸系統(tǒng)才能斷開，這就是繼電器的繼電特性。電磁繼電器的動作特性通常有“動作電壓VCC_H”、“保持電壓VCC_M”、“釋放電壓”，其中“保持電壓”反映繼電器的繼電特性，它是繼電器的一個重要的電性能指標，它的值一般為“動作電壓”的一半左右。
[0003]現(xiàn)有的技術(shù)通常有如下圖1和圖2兩種。
[0004]圖1中的方案應(yīng)用為動作電壓和保持電壓都為“動作電壓”這個值，這方案簡單，僅需控制一個動作電壓VCC_H，繼電器需要開通時，驅(qū)動信號VCC_H1輸入為高電平的“動作電壓VCC_H”的，繼電器需要關(guān)斷是控制信號輸入為小于“釋放電壓”的低電平，但由于繼電器需要開通期間(即保持期間)仍然使用較高的“動作電壓VCC_H”，這樣繼電器的控制損耗Loss = VCC^IRcoil,繼電器控制線圈的損耗大。
[0005]圖2中的方案應(yīng)用為動作電壓和保持電壓分別使用兩套控制電平信號，繼電器開通過程中，驅(qū)動信號VCC_H21輸入為高電平的“動作電壓VCC_H”，繼電器吸合后進入保持階段，此時控制，驅(qū)動信號VCC_H22置為“保持電壓VCC_M”，驅(qū)動信號VCC_H21輸入為低電平(如零電平)，這樣就用較低的電平來保持繼電器的吸合狀態(tài)，損耗減小，但這控制需要有兩套控制電路和兩個控制電源電平，控制電路復(fù)雜。
實用新型內(nèi)容
[0006]有鑒于此，本實用新型的目的是提供一種僅有I路控制系統(tǒng)，具備高壓導(dǎo)通，低壓保持的繼電器驅(qū)動電路。
[0007]本實用新型采用以下方案實現(xiàn):一種繼電器驅(qū)動電路，其特征在于:包括一開關(guān)管，所述開關(guān)管的一端連接一第一電阻的一端，所述開關(guān)管的控制端連接一第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端連接一二極管的陰極和繼電器控制線圈的一端，所述二極管的陽極連接所述第一電阻的另一端、所述繼電器控制線圈的另一端、一電容的一端和一穩(wěn)壓管的陰極，所述開關(guān)管的另一端、電容的另一端和穩(wěn)壓管的陽極接地。
[0008]在本實用新型一實施例中，所述的開關(guān)管為PNP三極管，所述PNP三極管的基極作為所述開關(guān)管的控制端，所述PNP三極管的發(fā)射極作為所述開關(guān)管的一端，所述PNP三極管的集電極作為所述開關(guān)管的另一端。
[0009]在本實用新型一實施例中，所述的開關(guān)管為P型M0SFET，所述P型MOSFET的柵極作為所述開關(guān)管的控制端，所述P型MOSFET的源極作為所述開關(guān)管的一端，所述P型MOSFET的漏極作為所述開關(guān)管的另一端。
[0010]在本實用新型一實施例中，所述的開關(guān)管為IGBT，所述IGBT的門極作為所述開關(guān)管的控制端，所述IGBT的源極作為所述開關(guān)管的一端，所述IGBT的漏極作為所述開關(guān)管的
另一端。
[0011]在本實用新型一實施例中，所述的穩(wěn)壓管為帶有穩(wěn)壓功能的二端器件。
[0012]本實用新型的繼電器驅(qū)動電路為高壓導(dǎo)通，低壓保持的特點，具備控制簡單、損耗小、效率聞。
[0013]為使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下將通過具體實施例和相關(guān)附圖，對本實用新型作進一步詳細說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中帶有一驅(qū)動支路的繼電器驅(qū)動電路圖。[0015]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中帶有兩驅(qū)動支路的繼電器驅(qū)動電路圖。
[0016]圖3是本實施例中一種繼電器驅(qū)動電路圖。
【具體實施方式】
[0017]如圖3所示，本實用新型提供一種繼電器驅(qū)動電路，包括一開關(guān)管Ql，所述開關(guān)管Ql的一端連接一第一電阻Rl的一端，所述開關(guān)管Ql的控制端連接一第二電阻R2的一端，所述第二電阻R2的另一端連接一二極管Dl的陰極和繼電器控制線圈J的一端，所述二極管Dl的陽極連接所述第一電阻Rl的另一端、所述繼電器控制線圈J的另一端、一電容Cl的一端和一穩(wěn)壓管DZl的陰極，所述開關(guān)管Ql的另一端、電容Cl的另一端和穩(wěn)壓管DZl的陽極接地。優(yōu)選的，所述的穩(wěn)壓管為帶有穩(wěn)壓功能的二端器件。
[0018]在本實用新型一實施例中，所述的開關(guān)管可以為PNP三極管，所述PNP三極管的基極作為所述開關(guān)管的控制端，所述PNP三極管的發(fā)射極作為所述開關(guān)管的一端，所述PNP三極管的集電極作為所述開關(guān)管的另一端。
[0019]在本實用新型另一實施例中，所述的開關(guān)管可以為P型M0SFET，所述P型MOSFET的柵極作為所述開關(guān)管的控制端，所述P型MOSFET的源極作為所述開關(guān)管的一端，所述P型MOSFET的漏極作為所述開關(guān)管的另一端。
[0020]在本實用新型再一實施例中，所述的開關(guān)管可以為IGBT，所述IGBT的門極作為所述開關(guān)管的控制端，所述IGBT的源極作為所述開關(guān)管的一端，所述IGBT的漏極作為所述開
關(guān)管的另一端。
[0021]為了讓本領(lǐng)域一般技術(shù)人員更好的理解本實用新型，下面結(jié)合本實用新型的硬件結(jié)構(gòu)說明繼電器驅(qū)動電路的工作原理:
[0022](I)繼電器的開通:
[0023]驅(qū)動信號VCC_H3送入“動作電壓VCC_H”，由于電容Cl電壓不能突變?nèi)匀槐３譃?，繼電器控制線圈承受的電壓為“動作電壓VCC_H”，繼電器動作吸合，此過程驅(qū)動信號通過繼電器控制線圈繞組不斷給電容Cl充電，直到電壓等于穩(wěn)壓二極管DZl的穩(wěn)壓值Vdzl (—般取值等于“保持電壓"VCC_M=0.5VCC_H)，穩(wěn)壓二極管DZl動作維持Vdzl ;此時繼電器控制線圈繞組電壓為VCC_H-Vdzl ^ 0.5VCC_H=VCC_M，這樣繼電器在比較低的“保持電壓”下保持導(dǎo)通吸合狀態(tài)，其控制損耗為
【權(quán)利要求】
1.一種繼電器驅(qū)動電路，其特征在于:包括一開關(guān)管，所述開關(guān)管的一端連接一第一電阻的一端，所述開關(guān)管的控制端連接一第二電阻的一端，所述第二電阻的另一端連接一二極管的陰極和繼電器控制線圈的一端，所述二極管的陽極連接所述第一電阻的另一端、所述繼電器控制線圈的另一端、一電容的一端和一穩(wěn)壓管的陰極，所述開關(guān)管的另一端、電容的另一端和穩(wěn)壓管的陽極接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種繼電器驅(qū)動電路，其特征在于:所述的開關(guān)管為PNP三極管，所述PNP三極管的基極作為所述開關(guān)管的控制端，所述PNP三極管的發(fā)射極作為所述開關(guān)管的一端，所述PNP三極管的集電極作為所述開關(guān)管的另一端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種繼電器驅(qū)動電路，其特征在于:所述的開關(guān)管為P型MOSFET,所述P型MOSFET的柵極作為所述開關(guān)管的控制端，所述P型MOSFET的源極作為所述開關(guān)管的一端，所述P型MOSFET的漏極作為所述開關(guān)管的另一端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種繼電器驅(qū)動電路，其特征在于:所述的開關(guān)管為IGBT，所述IGBT的門極作為所述開關(guān)管的控制端，所述IGBT的源極作為所述開關(guān)管的一端，所述IGBT的漏極作為所述開關(guān)管的另一端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種繼電器驅(qū)動電路，其特征在于:所述的穩(wěn)壓管為帶有穩(wěn)壓功能的二端器件。
【文檔編號】H01H47/02GK203721638SQ201420123871
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月19日
【發(fā)明者】劉浩興, 王志軍, 王剛, 黃國偉, 陳子凱, 柯帥 申請人:廈門科華恒盛股份有限公司