一種oled陣列基板及顯示器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板及顯示器，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，可降低電極的電阻率，并避免增加構(gòu)圖工藝；該OLED陣列基板包括：包括有效像素顯示區(qū)和外圍布線區(qū)；所述有效像素顯示區(qū)包括設(shè)置在襯底基板上的薄膜晶體管、依次設(shè)置在所述薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的第一電極、有機(jī)材料功能層、以及透明的第二電極；所述陣列基板還包括：設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間且位于同一層的多根金屬線；其中，所述多根金屬線均位于所述有效像素顯示區(qū)和所述外圍布線區(qū)，且在所述外圍布線區(qū)，所述多根金屬線與所述第二電極連接。用于需要降低電極電阻率的OLED陣列基板、顯示器的制造。
【專利說(shuō)明】—種OLED陣列基板及顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種OLED陣列基板及顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱0LED)是一種有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件，其具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光效率高、易形成柔性結(jié)構(gòu)、視角寬等優(yōu)點(diǎn)；因此，利用有機(jī)發(fā)光二極管的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。
[0003]目前，OLED顯示裝置根據(jù)發(fā)光方向的不同，可以分為頂發(fā)射型、底發(fā)射型、雙面發(fā)射型。然而不管是哪種類型，通常情況下需保證陰極和陽(yáng)極中的其中一個(gè)電極采用透明材料，這樣光才能從透明材料的電極一側(cè)射出。
[0004]例如對(duì)于頂發(fā)射型OLED的陣列基板，其陰極采用高電阻率的銦錫氧化物(IndiumTin Oxide,簡(jiǎn)稱ITO)材料，即該頂發(fā)射型OLED的陣列基板包括金屬材料的陽(yáng)極、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,簡(jiǎn)稱ITO)材料的陰極、位于陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)材料功能層等結(jié)構(gòu)，其中，有機(jī)材料功能層發(fā)出的光自透明的陰極一側(cè)射出。
[0005]其中，由于透明的ITO材料電阻率較高，容易使陰極電壓下降，從而影響OLED顯示裝置的性能。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)在OLED顯示裝置的封裝基板上形成圖案化的金屬層，并形成與金屬層接觸的ITO層，然后與OLED陣列基板的ITO材料的陰極接觸，來(lái)改善陰極的電阻率，然而該方法制備工藝較為復(fù)雜，會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)成本的增加，以及產(chǎn)能的降低。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種OLED陣列基板及顯示器，可降低電極的電阻率，并簡(jiǎn)化工藝過(guò)程。
[0008]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案；
[0009]一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板，包括有效像素顯示區(qū)和外圍布線區(qū)；所述有效像素顯示區(qū)包括設(shè)置在襯底基板上的薄膜晶體管、依次設(shè)置在所述薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的第一電極、有機(jī)材料功能層、以及透明的第二電極；
[0010]所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間且位于同一層的多根金屬線；
[0011]其中，所述多根金屬線均位于所述有效像素顯示區(qū)和所述外圍布線區(qū)，且在所述外圍布線區(qū)，所述多根金屬線與所述第二電極連接。
[0012]優(yōu)選的，所述薄膜晶體管包括第一柵極，且相對(duì)所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述第一柵極靠近所述第一電極設(shè)置；所述第一柵極與所述多根金屬線同層設(shè)置且相互絕緣。
[0013]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述第一柵極與所述第一電極之間的有機(jī)絕緣層。[0014]優(yōu)選的，所述薄膜晶體管還包括與所述第一柵極垂直對(duì)應(yīng)的第二柵極，且相對(duì)所述源極和所述漏極，所述第二柵極靠近所述襯底基板設(shè)置。
[0015]進(jìn)一步的，所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述第一柵極和所述第二柵極之間的金屬氧化物半導(dǎo)體有源層。
[0016]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述金屬氧化物半導(dǎo)體有源層包括第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層和第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層；
[0017]其中，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層靠近所述第一柵極設(shè)置，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層靠近所述第二柵極設(shè)置，且所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層通過(guò)源極和漏極之間的間隙接觸。
[0018]基于上述，優(yōu)選的，所述第一電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0019]進(jìn)一步的，所述第一電極至少包括金屬導(dǎo)電層。
[0020]另一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種OLED顯示器，包括上述的OLED陣列基板，以及封裝層。
[0021]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板及顯示器，該OLED陣列基板包括有效像素顯示區(qū)和外圍布線區(qū)；所述有效像素顯示區(qū)包括設(shè)置在襯底基板上的薄膜晶體管、依次設(shè)置在所述薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的第一電極、有機(jī)材料功能層、以及透明的第二電極；所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間且位于同一層的多根金屬線；其中，所述多根金屬線均位于所述有效像素顯示區(qū)和所述外圍布線區(qū)，且在所述外圍布線區(qū)，所述多根金屬線與所述第二電極連接。通過(guò)設(shè)置所述金屬線，可以同時(shí)將并聯(lián)的金屬線和第二電極作為該陣列基板的一個(gè)電極，從而可以減小該電極的電阻率。在此基礎(chǔ)上，由于只需形成位于同層的多根金屬線，其金屬線只在外圍布線區(qū)與第二電極連接，相比現(xiàn)有技術(shù)，其工藝過(guò)程相對(duì)更為簡(jiǎn)單。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0024]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0025]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種OLED陣列基板中金屬線和第一柵極同層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種包括有機(jī)絕緣層的OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種包括粘附層和有機(jī)絕緣層的OLED陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0028]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種OLED陣列基板中的薄膜晶體管為雙柵型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種OLED陣列基板中的薄膜晶體管包括兩層金屬氧化物半導(dǎo)體有源層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種OLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種制備OLED陣列基板的流程示意圖。
[0032]附圖標(biāo)記:
[0033]01-有效像素顯示區(qū)；02_外圍布線區(qū)；10_襯底基板；20_薄膜晶體管；201_第一柵極；202-第一絕緣層；203_半導(dǎo)體有源層；203a-第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層；203b-第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層；204_源極；205_漏極；206_第二絕緣層；207_第二柵極；30_第一電極；40_有機(jī)材料功能層；50_第二電極；60_金屬線；70_有機(jī)絕緣層；80_粘附層；90-封裝層。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0035]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板，如圖1和圖2所示，該陣列基板包括有效像素顯示區(qū)01和外圍布線區(qū)02 ;所述有效像素顯示區(qū)01包括:設(shè)置在襯底基板10上的薄膜晶體管20、依次設(shè)置在所述薄膜晶體管20遠(yuǎn)離所述襯底基板10 —側(cè)的第一電極30、有機(jī)材料功能層40、以及透明的第二電極50 ;進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述襯底基板10和所述第一電極30之間且位于同一層的多根金屬線60。
[0036]其中，所述多根金屬線60均位于所述有效像素顯示區(qū)01和所述外圍布線區(qū)02，且在所述外圍布線區(qū)02，所述多根金屬線60與所述第二電極50連接。
[0037]所述薄膜晶體管20至少包括第一柵極201、第一絕緣層202、半導(dǎo)體有源層203、源極204和漏極205。
[0038]需要說(shuō)明的是，第一，本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述第一電極30可以為陰極，在此情況下，所述第二電極50與其電連接的所述金屬線60共同構(gòu)成陽(yáng)極；當(dāng)然，所述第一電極30也可以為陽(yáng)極，在此情況下，所述第二電極50與其電連接的所述金屬線60共同構(gòu)成陰極。
[0039]第二，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，所述第一電極30和第二電極50中的其中一個(gè)電極應(yīng)該與薄膜晶體管20的漏極205電連接，具體根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，在此不做限定。
[0040]第三、不對(duì)第一電極30的材料進(jìn)行限定，其可以采用透明材料，也可以采用不透明材料。
[0041]其中，相對(duì)襯底基板10，當(dāng)所述第一電極30采用不透明材料，第二電極50采用透明材料時(shí)，所述OLED陣列基板為頂發(fā)射型OLED陣列基板；當(dāng)所述第一電極30采用透明材料，第二電極50采用透明材料時(shí)，所述OLED陣列基板為雙面發(fā)光型OLED陣列基板。
[0042]第四，不對(duì)所述金屬線60的條數(shù)進(jìn)行限定；所述多根金屬線60可以相互平行設(shè)置。
[0043]此外，所述多根金屬線60可以是電連接也可以是不電連接的，在此不做限定。
[0044]第五，不對(duì)所述薄膜晶體管20的類型進(jìn)行限定，其可以是底柵型，也可以是頂柵型，也可以雙柵型。[0045]第六，對(duì)于所述有機(jī)材料功能層40，其可以至少包括電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層，為了能夠提高所述電子和所述空穴注入發(fā)光層的效率，優(yōu)選的，所述有機(jī)材料功能層40還可以包括設(shè)置在所述第二電極50與所述電子傳輸層之間的電子注入層，以及在所述第一電極30與所述空穴傳輸層之間的空穴注入層。
[0046]第七，本實(shí)用新型所有實(shí)施例的附圖均示意性的繪示出與實(shí)用新型點(diǎn)有關(guān)的圖案層，對(duì)于與實(shí)用新型點(diǎn)無(wú)關(guān)的圖案層不進(jìn)行繪示或僅繪示出部分。
[0047]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板，包括有效像素顯示區(qū)01和外圍布線區(qū)02 ;所述有效像素顯示區(qū)01包括設(shè)置在襯底基板10上的薄膜晶體管20、依次設(shè)置在所述薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的第一電極30、有機(jī)材料功能層40、以及透明的第二電極50 ;所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述襯底基板10和所述第一電極30之間且位于同一層的多根金屬線60 ;其中，所述多根金屬線60均位于所述有效像素顯示區(qū)01和所述外圍布線區(qū)02，且在所述外圍布線區(qū)02，所述多根金屬線60與所述第二電極50連接。通過(guò)設(shè)置所述金屬線60，可以同時(shí)將并聯(lián)的金屬線60和第二電極50作為該陣列基板的一個(gè)電極，從而可以減小該電極的電阻率。在此基礎(chǔ)上，由于只需形成位于同層的多根金屬線60，其金屬線60只在外圍布線區(qū)02與第二電極50連接，相比現(xiàn)有技術(shù)，其工藝過(guò)程相對(duì)更為簡(jiǎn)單。
[0048]可選的，參考圖1所示，考慮到OLED中有機(jī)材料功能層40材料的特殊性，目前與漏極205電連接的電極很難跨越所述有機(jī)材料功能層40與所述漏極205電連接，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例中，優(yōu)選為所述第一電極30與所述薄膜晶體管的漏極205電連接。
[0049]其中，若第一電極30為陽(yáng)極，則由第二電極50和金屬線構(gòu)成的陰極的電壓為恒定；若第一電極30為陰極，則由第二電極50和金屬線構(gòu)成的陽(yáng)極的電壓為恒定。
[0050]進(jìn)一步的，可以將所述第一電極30設(shè)置為包括金屬導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)，例如第一電極30包括鋁釹(AlNd)導(dǎo)電層、鑰鈮(MoNb)導(dǎo)電層兩層結(jié)構(gòu)。這樣，從有機(jī)材料功能層40發(fā)出的光便可以直接從第二電極50 —側(cè)出射(頂發(fā)射型)，而無(wú)需考慮金屬線60的厚度是否對(duì)出射光產(chǎn)生影響，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例優(yōu)選所述陣列基板為頂發(fā)射型OLED陣列基板。
[0051]當(dāng)然，所述第一電極30也可以是包括銦錫氧化物(ITO)層、銀(Ag)導(dǎo)電層、銦錫氧化物(ITO)層三層結(jié)構(gòu)。
[0052]基于上述描述，優(yōu)選的，如圖3所示，相對(duì)所述薄膜晶體管20的源極204和漏極205，所述薄膜晶體管20的第一柵極201靠近所述第一電極30設(shè)置；所述第一柵極201與所述多根金屬線60同層設(shè)置且相互絕緣。
[0053]這樣，由于所述第一柵極201和所述金屬線60同層設(shè)置，可以采用同一次構(gòu)圖工藝形成，避免了構(gòu)圖工藝的增加。
[0054]進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖4所示，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述第一柵極201和金屬線60與所述第一電極30之間的有機(jī)絕緣層70。
[0055]由于所述有機(jī)絕緣層70可以做的相對(duì)較厚，因此，可以通過(guò)合理設(shè)置所述有機(jī)絕緣層70的厚度，以盡量小的避免第一柵極201的掃描信號(hào)對(duì)所述第一電極30電壓的影響。
[0056]進(jìn)一步的，考慮到有機(jī)絕緣層70與下方的金屬材料的第一柵極201和金屬線60的結(jié)合強(qiáng)度不是很理想，因此，如圖5所示，本實(shí)用新型實(shí)施例中在所述有機(jī)絕緣層70與第一柵極201和金屬線60之間還設(shè)置有粘附層80，所述粘附層80用于增強(qiáng)所述有機(jī)絕緣層70和金屬材料的第一柵極201和金屬線60的結(jié)合強(qiáng)度。
[0057]可選的，如圖6所示，所述薄膜晶體管20還可以包括與所述第一柵極201垂直對(duì)應(yīng)的第二柵極207，且相對(duì)所述源極204和所述漏極205，所述第二柵極207靠近所述襯底基板10設(shè)置。
[0058]此處,通過(guò)采用雙柵TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)，可以提高TFT的開(kāi)態(tài)電流、降低TFT的關(guān)態(tài)電流、增加TFT的閾值電壓穩(wěn)定性。
[0059]進(jìn)一步的，考慮到金屬氧化物半導(dǎo)體具有電子遷移率高、均一性好等特點(diǎn)，優(yōu)選的，將設(shè)置在所述第一柵極201和所述第二柵極207之間的所述半導(dǎo)體有源層設(shè)為金屬氧化物半導(dǎo)體有源層。
[0060]其中，所述金屬氧化物半導(dǎo)體有源層的材料可以為:氧化鋅(ZnO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、或銦鋅氧化物(InZnO)、或(鋅錫氧化物)ZnSnO等。
[0061]當(dāng)金屬氧化物半導(dǎo)體有源層設(shè)置在源極204和漏極205下方時(shí)，為了避免刻蝕形成源漏電極時(shí)對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體有源層的過(guò)刻，可在所述金屬氧化物半導(dǎo)體有源層上方形成刻蝕阻擋層。
[0062]此外，本實(shí)用新型實(shí)施例中，還可以通過(guò)形成另外一層金屬氧化物半導(dǎo)體有源層來(lái)解決刻蝕形成源漏電極時(shí)對(duì)位于其下方的金屬氧化物半導(dǎo)體有源層的過(guò)刻的問(wèn)題。即:如圖7所示，形成兩層金屬氧化物半導(dǎo)體有源層，其中，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203a靠近所述第一柵極201設(shè)置，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203b靠近所述第二柵極207設(shè)置，且所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203a和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203b通過(guò)源極204和漏極205之間的間隙接觸。
[0063]這樣，即使在形成所述源極204和漏極205時(shí)對(duì)下方的第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203a造成過(guò)刻，由于還形成位于所述源極204和漏極205上方的第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203b，只要能使第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203b和第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203a接觸，便不會(huì)對(duì)薄膜晶體管的性能產(chǎn)生影響。
[0064]當(dāng)然，對(duì)于所述薄膜晶體管20，在第一柵極201和所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203a之間還設(shè)置有第一絕緣層202，在第二柵極207和第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203b之間還設(shè)置有第二絕緣層206。
[0065]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種OLED顯示器，如圖8所示，該顯示器件包括上述的OLED陣列基板和封裝層90。
[0066]其中，所述封裝層90可以是封裝薄膜，也可以是封裝基板。
[0067]所述OLED顯示器可以為:0LED電視、OLED顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0068]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種制備OLED陣列基板的方法，參考圖1和圖2所示，該方法包括:在襯底基板10的有效像素顯示區(qū)01形成薄膜晶體管20 ;在形成有所述薄膜晶體管20的基板上依次形成第一電極30、有機(jī)材料功能層40、以及透明的第二電極50 ；進(jìn)一步所述方法還包括:在所述襯底基板10和所述第一電極30之間形成位于同一層的多根金屬線60。
[0069]其中，所述多根金屬線60均位于所述有效像素顯示區(qū)01和所述外圍布線區(qū)02，且在所述外圍布線區(qū)02，所述多根金屬線60與所述第二電極60連接。
[0070]對(duì)于所述薄膜晶體管20，其至少包括第一柵極201、第一絕緣層202、半導(dǎo)體有源層203、源極204和漏極205。
[0071]需要說(shuō)明的是，第一，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，所述第一電極30和第二電極50中的其中一個(gè)電極應(yīng)該與薄膜晶體管20的漏極205電連接，具體根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，在此不做限定。
[0072]第二，不對(duì)所述薄膜晶體管20的類型進(jìn)行限定，其可以是底柵型，也可以是頂柵型，也可以雙柵型。
[0073]第三，所述多根金屬線60可以是電連接也可以是不電連接的，在此不做限定。
[0074]此外，不對(duì)所述金屬線60的形成位置進(jìn)行限定，只要能在所述外圍布線區(qū)02使金屬線60與所述第二電極60連接，且工藝相對(duì)簡(jiǎn)單即可。
[0075]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種制備OLED陣列基板的方法，包括:在襯底基板10的有效像素顯示區(qū)01形成薄膜晶體管20 ;在形成有所述薄膜晶體管20的基板上依次形成第一電極30、有機(jī)材料功能層40、以及透明的第二電極50 ;進(jìn)一步所述方法還包括:在所述襯底基板10和所述第一電極30之間形成位于同一層的多根金屬線60。其中，所述多根金屬線60均位于所述有效像素顯示區(qū)01和所述外圍布線區(qū)02，且在所述外圍布線區(qū)02，所述多根金屬線60與所述第二電極60連接。通過(guò)在襯底基板10和第一電極30之間形成所述金屬線60，可以同時(shí)將并聯(lián)的金屬線60和第二電極50作為該陣列基板的一個(gè)電極，從而可以減小該電極的電阻率。在此基礎(chǔ)上，由于只需形成位于同層的多根金屬線60，其金屬線60只在外圍布線區(qū)02與第二電極50連接，相比現(xiàn)有技術(shù)，其工藝過(guò)程相對(duì)更為簡(jiǎn)單。
[0076]可選的，參考I所示，考慮到OLED中有機(jī)材料功能層40材料的特殊性，目前與漏極205電連接的電極很難跨越所述有機(jī)材料功能層40與所述漏極205電連接，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例中，優(yōu)選為所述第一電極30與所述薄膜晶體管的漏極205電連接。
[0077]基于上述描述，優(yōu)選的，參考圖3所示，相對(duì)所述薄膜晶體管的源極204和漏極205，所述薄膜晶體管20的所述第一柵極201靠近所述第一電極30 ;在此基礎(chǔ)上，所述形成位于同一層的多根金屬線60，具體包括:
[0078]在形成所述第一柵極201的同時(shí)形成所述多根金屬線60，所述第一柵極201與所述多根金屬線60相互絕緣。
[0079]這樣，由于所述第一柵極201和所述金屬線60可以采用同一次構(gòu)圖工藝形成，避免了構(gòu)圖工藝的增加。
[0080]進(jìn)一步優(yōu)選的，參考圖4所示，在形成所述第一柵極201、與所述第一柵極201同層的所述多根金屬線60之后，形成所述第一電極30之前，所述方法還包括形成有機(jī)絕緣層70。
[0081]由于所述有機(jī)絕緣層70可以做的相對(duì)較厚，因此，可以通過(guò)合理設(shè)置所述有機(jī)絕緣層70的厚度，以盡量小的避免第一柵極201的掃描信號(hào)對(duì)所述第一電極30電壓的影響。
[0082]進(jìn)一步的，考慮到有機(jī)絕緣層70與下方的金屬材料的第一柵極201和金屬線60的結(jié)合強(qiáng)度不是很理想，因此，參考圖5所示，本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述方法還包括在所述有機(jī)絕緣層70與第一柵極201和金屬線60之間形成粘附層80，所述粘附層80用于增強(qiáng)所述有機(jī)絕緣層70和金屬材料的第一柵極201和金屬線60的結(jié)合強(qiáng)度。[0083]優(yōu)選的，參考圖6所示，所述薄膜晶體管20還可以包括與所述第一柵極201垂直對(duì)應(yīng)的第二柵極207，且相對(duì)所述源極204和所述漏極205，所述第二柵極207靠近所述襯底基板10。
[0084]此處，通過(guò)采用雙柵TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)，可以提高TFT的開(kāi)態(tài)電流、降低TFT的關(guān)態(tài)電流、增加TFT的閾值電壓穩(wěn)定性。
[0085]基于上述描述，考慮到金屬氧化物半導(dǎo)體具有電子遷移率高、均一性好等特點(diǎn)，且當(dāng)金屬氧化物半導(dǎo)體有源層設(shè)置在源極204和漏極205下方時(shí)，為了避免刻蝕形成源漏電極時(shí)對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體有源層的過(guò)刻，本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)形成兩層金屬氧化物半導(dǎo)體有源層來(lái)解決刻蝕形成源漏電極時(shí)對(duì)位于其下方的金屬氧化物半導(dǎo)體有源層的過(guò)刻的問(wèn)題。
[0086]S卩，參考圖7所示，在襯底基板10上形成薄膜晶體管20，包括:
[0087]在所述襯底基板10上依次形成第二柵極207、第二絕緣層206、第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203b、源極204和漏極205、第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203a、第一絕緣層202、以及第一柵極201 ;其中，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203a通過(guò)所述源極204和所述漏極205之間的間隙與所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203b接觸。
[0088]下面提供一具體的實(shí)施例來(lái)詳細(xì)的說(shuō)明圖7所示的OLED陣列基板的制備方法，如圖9所示，該方法包括如下步驟:
[0089]SlOl、在襯底基板10上依次形成第二柵極207、第二絕緣層206、第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203b、源極204和漏極205、第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203a、以及第一絕緣層202 ;其中，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203a通過(guò)所述源極204和所述漏極205之間的間隙與所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203b接觸。
[0090]所述第二柵極207、第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203b、源極204和漏極205、以及第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層203a均位于有效像素顯示區(qū)01，所述第一絕緣層202和第二絕緣層206即位于有效像素顯示區(qū)01也位于外圍布線區(qū)02。
[0091]S102、在完成SlOl的基板上，形成位于有效像素顯示區(qū)01的第一柵極201，并同時(shí)形成多根相互平行的金屬線60 ;其中，所述金屬線60與第一柵極201相互絕緣；任一根所述金屬線60從所述有效像素顯示區(qū)01延伸到外圍布線區(qū)02。
[0092]S103、在完成S102的基板上，依次形成位于有效像素顯示區(qū)01和外圍布線區(qū)02的粘附層80和有機(jī)絕緣層70。
[0093]S104、在完成S103的基板上，依次形成位于有效像素顯示區(qū)01的第一電極30和有機(jī)材料功能層40 ;其中，所述第一電極30通過(guò)位于所述有機(jī)絕緣層70、粘附層80和第一絕緣層202的過(guò)孔與所述漏極205電連接。
[0094]S105、在完成S104的基板上，形成位于有效像素顯示區(qū)01和外圍布線區(qū)02的第二電極50 ;其中，位于外圍布線區(qū)02的所述第二電極50通過(guò)有機(jī)絕緣層70和粘附層80上的位于外圍布線區(qū)02的過(guò)孔與每根金屬線60電連接。
[0095]這樣，第二電極50和金屬線60作為陰極，并通過(guò)在外圍布線區(qū)02將所述第二電極50和金屬線60電連接，可以實(shí)現(xiàn)有效像素顯示區(qū)01內(nèi)，第二電極50和金屬線60的連接，從而可以降低電極的電阻率。在此基礎(chǔ)上，由于所述第二柵極207和所述金屬線60同層設(shè)置，可以采用同一次構(gòu)圖工藝形成，避免了構(gòu)圖工藝的增加。[0096]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種OLED陣列基板，包括有效像素顯示區(qū)和外圍布線區(qū)；其特征在于，所述有效像素顯示區(qū)包括設(shè)置在襯底基板上的薄膜晶體管、依次設(shè)置在所述薄膜晶體管遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的第一電極、有機(jī)材料功能層、以及透明的第二電極； 所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間且位于同一層的多根金屬線； 其中，所述多根金屬線均位于所述有效像素顯示區(qū)和所述外圍布線區(qū)，且在所述外圍布線區(qū)，所述多根金屬線與所述第二電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括第一柵極，且相對(duì)所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述第一柵極靠近所述第一電極設(shè)置； 所述第一柵極與所述多根金屬線同層設(shè)置且相互絕緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述第一柵極與所述第一電極之間的有機(jī)絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括與所述第一柵極垂直對(duì)應(yīng)的第二柵極，且相對(duì)所述源極和所述漏極，所述第二柵極靠近所述襯底基板設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述第一柵極和所述第二柵極之間的金屬氧化物半導(dǎo)體有源層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體有源層包括第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層和第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層； 其中，所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層靠近所述第一柵極設(shè)置，所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層靠近所述第二柵極設(shè)置，且所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體有源層和所述第二金屬氧化物半導(dǎo)體有源層通過(guò)源極和漏極之間的間隙接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極至少包括金屬導(dǎo)電層。
9.一種OLED顯示器，其特征在于，包括權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的OLED陣列基板，以及封裝層。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK203721731SQ201420107401
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年3月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月11日
【發(fā)明者】張玉婷, 吳俊緯 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司