具有金屬襯底的tl431芯片及其共晶結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種具有金屬襯底的TL431芯片及其共晶結(jié)構(gòu)，包括：一TL431芯片本體及一金屬襯底，所述TL431芯片本體具有一下表面，所述金屬襯底設(shè)于該下表面處，所述金屬襯底在高溫條件下形成液相。本實用新型通過在TL431芯片本體的下表面設(shè)設(shè)置一金屬襯底，通過高溫熔化該金屬襯底以將TL431芯片焊接于框架上，焊接牢固，達(dá)到更好的機(jī)械性能及熱傳導(dǎo)性，形成良好的歐姆接觸特性；同時可以減少TL431芯片與框架之間的空洞，接地效果好。
【專利說明】具有金屬襯底的TL431芯片及其共晶結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及可控精密穩(wěn)壓源，尤其涉及一種具有金屬襯底的TL431芯片及其共晶結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]TL431是可控精密穩(wěn)壓源，具體是一種并聯(lián)穩(wěn)壓集成電路。因其性能好、價格低，因此廣泛應(yīng)用在各種電源電路中。它的輸出電壓用兩個電阻就可以任意的設(shè)置到從Verf(2.5V)到36V范圍內(nèi)的任何值，低壓輸出范圍較寬。請參閱圖1及圖2，現(xiàn)有的封裝工藝是利用銀膠100通過點(diǎn)膠工藝將TL431芯片200固定于框架300上，一般的銀膠100電阻率大，導(dǎo)熱系數(shù)小，會造成微波損耗大，封裝后器件管芯熱阻大，結(jié)溫高，影響功率輸出和可靠性；并且，TL431芯片100與框架300接觸不全面，會有空洞產(chǎn)生，該些空洞會降低器件的可靠性，增大電子元件(IC)斷裂的可能，并會增加器件的工作溫度、削弱管芯的粘貼能力；該些空洞還會影響電子元件的接地效果及其它電氣性能。
[0003]因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，需要改進(jìn)。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型的目的在于提供一種具有金屬襯底的TL431芯片，以解決現(xiàn)有技術(shù)中通過銀膠來固定TL431芯片，造成導(dǎo)熱性能不好以及形成電子元件電氣性能的問題。
[0005]本實用新型的另一目的在于提供一種TL431芯片的共晶結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中通過銀膠來固定TL431芯片，造成導(dǎo)熱性能不好以及形成電子元件電氣性能的問題。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種具有金屬襯底的TL431芯片，包括:一TL431芯片本體及一金屬襯底,所述TL431芯片本體具有一下表面,所述金屬襯底設(shè)于該下表面處，所述金屬襯底在高溫條件下形成液相。
[0007]所述TL431芯片本體還具有一上表面以及四個側(cè)面，所述上表面上設(shè)有三個電極。
[0008]所述三個電極分別為陽極、陰極以及參考端。
[0009]所述金屬襯底由金娃合金制成。
[0010]本實用新型還提供一種TL431芯片的共晶結(jié)構(gòu)，包括:一框架及設(shè)于框架上的TL431芯片，所述框架具有一鍍銀層，所述TL431芯片包括TL431芯片本體以及設(shè)于TL431芯片本體下表面的金屬襯底，所述金屬襯底在高溫條件下形成液相，所述TL431芯片通過所述金屬襯底焊接于所述鍍銀層上。
[0011]所述TL431芯片本體還具有一上表面以及四個側(cè)面，所述上表面上設(shè)有三個電極，所述三個電極分別為陽極、陰極以及參考端。
[0012]所述鍍銀層包括陽極鍍銀層、陰極鍍銀層以及參考端鍍銀層，所述TL431芯片本體的陽極通過金線與所述陽極鍍銀層電性連接，所述TL431芯片本體的陰極通過金線與所述陰極鍍銀層電性連接，所述TL431芯片本體的參考端通過金線與所述參考端鍍銀層電性連接。
[0013]所述TL431芯片通過所述金屬襯底焊接于所述陽極鍍銀層上。
[0014]所述金屬襯底由金娃合金制成。
[0015]本實用新型的有益效果:本實用新型的具有金屬襯底的TL431芯片及其共晶結(jié)構(gòu)，通過在TL431芯片本體的下表面設(shè)設(shè)置一金屬襯底，通過高溫熔化該金屬襯底以將TL431芯片焊接于框架上，焊接牢固，達(dá)到更好的機(jī)械性能及熱傳導(dǎo)性，形成良好的歐姆接觸特性；同時可以減少TL431芯片與框架之間的空洞，接地效果好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TL431芯片焊接于框架上的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中TL431芯片焊接于框架上的截面圖。
[0018]圖3為本實用新型具有金屬襯底的TL431芯片的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0019]圖4為本實用新型TL431芯片共晶結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖5為本實用新型TL431芯片共晶結(jié)構(gòu)的截面圖。
【具體實施方式】
[0021]以下結(jié)合附圖和具體實施例，對本實用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0022]請參閱圖3，本實用新型提供了一種具有金屬襯底的TL431芯片，包括:一 TL431芯片本體10及一金屬襯底30,所述TL431芯片本體10具有一下表面12,所述金屬襯底30設(shè)于該下表面12處，所述金屬襯底30在高溫條件下形成液相，之后經(jīng)過冷卻以將該TL431芯片焊接至所需的位置。在本實施例中，所述金屬襯底30由金硅合金制成。
[0023]所述TL431芯片本體10還具有一上表面以及四個側(cè)面(未標(biāo)示)，所述上表面上設(shè)有三個電極。所述三個電極分別為陽極、陰極以及參考端。
[0024]請參閱圖4及圖5，本實用新型還提供一種TL431芯片的共晶結(jié)構(gòu)，包括:一框架2及設(shè)于框架2上的TL431芯片(未標(biāo)示)，所述框架2具有一鍍銀層20，所述TL431芯片包括TL431芯片本體10以及設(shè)于TL431芯片本體10下表面的金屬襯底30，所述金屬襯底20在高溫條件下形成液相，之后經(jīng)過冷卻，就可以將所述TL431芯片焊接于所述鍍銀層20上。在本實施例中，所述金屬襯底30由金娃合金制成。
[0025]所述TL431芯片本體10還具有一上表面以及四個側(cè)面(未標(biāo)示)，所述上表面上設(shè)有三個電極12，所述三個電極12分別為陽極、陰極以及參考端。
[0026]所述鍍銀層20包括陽極鍍銀層22、陰極鍍銀層26以及參考端鍍銀層24，所述TL431芯片本體10的陽極通過金線14與所述陽極鍍銀層22電性連接，所述TL431芯片本體10的陰極通過金線14與所述陰極鍍銀層26電性連接，所述TL431芯片本體10的參考端通過金線14與所述參考端鍍銀層24電性連接。所述TL431芯片通過所述金屬襯底30焊接于所述陽極鍍銀層30上。
[0027]綜上所述，本實用新型提供一種具有金屬襯底的TL431芯片及其共晶結(jié)構(gòu)，通過在TL431芯片本體的下表面設(shè)設(shè)置一金屬襯底，通過高溫熔化該金屬襯底以將TL431芯片焊接于框架上，焊接牢固，達(dá)到更好的機(jī)械性能及熱傳導(dǎo)性，形成良好的歐姆接觸特性；同時可以減少TL431芯片與框架之間的空洞，接地效果好。[0028] 以上僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用于限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有金屬襯底的TL431芯片，其特征在于,包括:一 TL431芯片本體及一金屬襯底，所述TL431芯片本體具有一下表面，所述金屬襯底設(shè)于該下表面處，所述金屬襯底在高溫條件下形成液相。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有金屬襯底的TL431芯片，其特征在于，所述TL431芯片本體還具有一上表面以及四個側(cè)面，所述上表面上設(shè)有三個電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有金屬襯底的TL431芯片，其特征在于，所述三個電極分別為陽極、陰極以及參考端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有金屬襯底的TL431芯片，其特征在于，所述金屬襯底由金娃合金制成。
5.—種TL431芯片的共晶結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:一框架及設(shè)于框架上的TL431芯片，所述框架具有一鍍銀層，所述TL431芯片包括TL431芯片本體以及設(shè)于TL431芯片本體下表面的金屬襯底，所述金屬襯底在高溫條件下形成液相，所述TL431芯片通過所述金屬襯底焊接于所述鍍銀層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TL431芯片的共晶結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TL431芯片本體還具有一上表面以及四個側(cè)面，所述上表面上設(shè)有三個電極，所述三個電極分別為陽極、陰極以及參考端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TL431芯片的共晶結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鍍銀層包括陽極鍍銀層、陰極鍍銀層以及參考端鍍銀層，所述TL431芯片本體的陽極通過金線與所述陽極鍍銀層電性連接，所述TL431芯片本體的陰極通過金線與所述陰極鍍銀層電性連接，所述TL431芯片本體的參考端通過金線與所述參考端鍍銀層電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TL431芯片的共晶結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TL431芯片通過所述金屬襯底焊接于所述陽極鍍銀層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TL431芯片的共晶結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬襯底由金硅合金制成。
【文檔編號】H01L23/488GK203707111SQ201420088663
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月28日
【發(fā)明者】林河北, 黎雙亮 申請人:深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體有限公司