技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種等離子體處理裝置，其包含反應(yīng)腔室和驅(qū)動單元。反應(yīng)腔室包括用于載置待處理基片的基座；圍繞基片外周設(shè)置的組合式遮蔽環(huán)，其包括內(nèi)環(huán)和外環(huán)；以及多個叉狀連桿，其上端分為內(nèi)外兩個支桿，其中外側(cè)支桿對應(yīng)于外環(huán)，內(nèi)側(cè)支桿對應(yīng)于內(nèi)環(huán)。每個支桿頂端具有支撐部，外側(cè)支桿的支撐部的高度大于內(nèi)側(cè)支桿的支撐部的高度。驅(qū)動單元驅(qū)動叉狀連桿在第一位置和第二位置之間垂直移動，當叉狀連桿位于第一位置時，兩個支桿的支撐部均不與組合式遮蔽環(huán)接觸；當叉狀連桿上升至第二位置時，外環(huán)抵貼外側(cè)支桿的支撐部、內(nèi)環(huán)抵貼內(nèi)側(cè)支桿的支撐部。本發(fā)明能夠提高基片表面等離子體分布的均勻性。

技術(shù)研發(fā)人員：李俊良
受保護的技術(shù)使用者：中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
文檔號碼：201410836727
技術(shù)研發(fā)日：2014.12.24
技術(shù)公布日：2017.11.10