技術特征：
1.一種等離子體處理裝置，包含：反應腔室，其包括：用于載置待處理基片的基座，設于所述反應腔室內；可移動的組合式遮蔽環(huán)，圍繞所述基片的外周側設置，其包括內環(huán)和外環(huán)，所述外環(huán)的內徑大于所述內環(huán)的內徑；以及多個叉狀連桿，其上端分為內外兩個支桿，其中外側支桿的位置對應于所述外環(huán)，內側支桿的位置對應于所述內環(huán)；其中，每一所述支桿的頂端具有一支撐部，所述外側支桿的支撐部的高度大于所述內側支桿的支撐部的高度；驅動單元，與所述叉狀連桿的下端連接，用于驅動所述叉狀連桿在第一位置和第二位置之間垂直移動；其中當所述叉狀連桿位于所述第一位置時，所述兩個支桿的支撐部均不與所述組合式遮蔽環(huán)接觸；當所述叉狀連桿上升至所述第二位置時，所述外環(huán)抵貼所述外側支桿的支撐部、所述內環(huán)抵貼所述內側支桿的支撐部，以將所述外環(huán)與所述內環(huán)之間的高度差擴大為所述外側支桿和所述內側支桿的支撐部之間的高度差。2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述反應腔室還包括一定位組件，所述定位組件包括分別位于所述外環(huán)和內環(huán)中、供所述外側支桿和內側支桿的支撐部插入的凹陷部。3.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述反應腔室還包括一定位組件，所述定位組件包括分別自所述外側支桿和內側支桿的支撐部向上延伸的插針，以及分別位于所述外環(huán)和內環(huán)中、相應供所述外側支桿和內側支桿的插針插入的插槽；所述支撐部不可插入其對應的插槽。4.根據權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述插槽為貫通槽或盲槽，當所述插槽為盲槽時，可插入該盲槽的所述插針的長度小于等于所述盲槽的槽深。5.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，當所述叉狀連桿位于所述第一位置時，所述外環(huán)和內環(huán)相互貼合而使所述組合式遮蔽環(huán)成為一體。6.根據權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，當所述叉狀連桿位于所述第一位置時，所述組合式遮蔽環(huán)由所述基座或覆蓋所述基座的絕緣環(huán)支撐。7.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述外側支桿的支撐部的高度大于所述內側支桿的支撐部的高度3～200mm。8.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，當所述叉狀連桿位于所述第二位置時，所述內環(huán)的上表面位于所述基片的上表面上方-5～20mm。9.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述組合式遮蔽環(huán)和所述叉狀連桿為抗等離子體材料制成或表面具有抗等離子體涂層。10.一種等離子體分布的調節(jié)方法，應用于如權利要求1～9任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于，包括：將所述叉狀連桿由所述第一位置上升至所述第二位置，以將所述外環(huán)與內環(huán)的高度差調整為所述外側支桿與內側支桿的高度差；通過所述外環(huán)調節(jié)所述反應腔室內的工藝氣體及其等離子體的橫向分布以及通過所述內環(huán)遮擋晶圓邊緣的等離子體來調節(jié)所述基片邊緣的等離子體反應速率。