技術(shù)編號：12891613
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工設(shè)備及方法，特別涉及一種等離子體處理裝置及應(yīng)用該處理裝置的調(diào)節(jié)等離子體分布的方法。背景技術(shù)等離子體處理裝置被廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體制造工藝，例如沉積工藝(如化學(xué)氣相沉積)、刻蝕工藝(如干法刻蝕)等。以等離子體刻蝕工藝為例，圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的一種電感耦合等離子體刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。反應(yīng)腔室10頂部具有絕緣蓋板11，反應(yīng)腔室10底部設(shè)置有用于夾持待處理基片W的靜電夾盤14，進氣單元12設(shè)置于反應(yīng)腔室10的側(cè)壁絕緣蓋板11下方。絕緣蓋板11上設(shè)置電感耦合線圈13，線圈通過匹配器(圖...
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