本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種WOLED顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：
有源陣列有機發(fā)光二極體面板(AMOLED)因具有反應(yīng)速度快，對比度高，視角廣等特點被稱為下一代顯示技術(shù)。隨著高分辨率以及大尺寸面板的普及，使得并行排列方式的AMOLED在制程上的難度和發(fā)光材料的壽命問題得以凸顯，易造成面板色度不純和亮度的惡化。因此業(yè)界開始采用白色有機發(fā)光二極管(WOLED)加上彩色濾光片的方式來解決上述問題。WOLED通過紅色、綠色和藍色濾光片來實現(xiàn)紅色子像素、綠色子像素以及藍色子像素，因此無彩色濾光片的子像素便成為白色子像素。但現(xiàn)有的WOLED顯示裝置仍存在一些問題。圖1所示為一種現(xiàn)有的WOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，其中白色有機發(fā)光二級管的第一電極被分成位于該WOLED顯示裝置的白色子像素區(qū)的第一電極910以及位于該WOLED顯示裝置的紅/綠/藍色子像素區(qū)的第一電極920，白色子像素中不包含彩色濾光片，因此白色子像素的白色有機發(fā)光二級管形成層低于紅/綠/藍色子像素的形成層。此種情況下就會導(dǎo)致底層走線521和白色有機發(fā)光二極管的第一電極910之間的垂直距離d1較短，而紅/綠/藍色子像素所對應(yīng)的第一電極920與底層走線521之間的垂直距離d2較長，白色子像素和紅/綠/藍色子像素形成一個臺階差d2-d1，在實際WOLED面板的制程過程中，由于雜質(zhì)200的存在(如光刻殘膠，蝕刻殘膠，外部污染物等)會導(dǎo)致底層走線521和白色子像素的有機發(fā)光二極管的第一電極910之間發(fā)生短路或者過流現(xiàn)象。因此，有必要對現(xiàn)有WOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)進行改進，以解決上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種WOLED顯示裝置，其白光有機發(fā)光二極管中的第一電極與底層走線之間具有較大的間距，避免由于所述第一電極與底層走線之間存在雜質(zhì)而導(dǎo)致的短路、過流等不良現(xiàn)象。本發(fā)明的目的還在于提供一種WOLED顯示裝置的制造方法，制造方法簡單，易于操作，能夠防止白色子像素區(qū)的第一電極與底層走線之間發(fā)生短路或過流，并提高WOLED顯示裝置的制程良率。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種WOLED顯示裝置，其包括：紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)、藍色子像素區(qū)、及白色子像素區(qū)；其中，所述白色子像素區(qū)包括：第一基板、設(shè)于所述第一基板上的底層走線和薄膜晶體管、設(shè)于所述底層走線、薄膜晶體管和第一基板上的第二絕緣層、設(shè)于第二絕緣層上的第三絕緣層、設(shè)于第三絕緣層上的第一電極、設(shè)于所述第一電極上的有機層、設(shè)于所述有機層上的第二電極、及設(shè)于第二電極上的第二基板；所述白色子像素區(qū)中對應(yīng)于底層走線上方的該部分絕緣層的厚度大于白色子像素區(qū)中的其它部分絕緣層的厚度。所述白色子像素區(qū)中對應(yīng)于底層走線上方的該部分第三絕緣層的厚度大于白色子像素區(qū)中的其它部分第三絕緣層的厚度。所述第一電極與底層走線在水平方向上間隔一段距離。所述白色子像素區(qū)中對應(yīng)于底層走線上方的該部分第二絕緣層的厚度大于白色子像素區(qū)中的其它部分第二絕緣層的厚度。所述第一基板為透明基板；所述第一電極為陽極，其為透明電極；所述第二電極為陰極，其為反射電極。本發(fā)明還提供一種WOLED顯示裝置的制造方法，其包括如下步驟：步驟1、提供一第一基板，在所述第一基板制作薄膜晶體管和底層走線，然后在底層走線、薄膜晶體管和第一基板上形成第二絕緣層；步驟2、在紅色子像素區(qū)內(nèi)的第二絕緣層上方設(shè)置紅光濾光片，在綠色子像素區(qū)內(nèi)的第二絕緣層上方設(shè)置綠光濾光片，在藍色子像素區(qū)內(nèi)的第二絕緣層上方設(shè)置藍光濾光片；然后在第二絕緣層和所述紅光、綠光、及藍光濾光片上方形成第三絕緣層；步驟3、在所述紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)、藍色子像素區(qū)、及白色子像素區(qū)中的第三絕緣層的上方依次形成第一電極和有機層，同時在每相鄰的兩個子像素區(qū)之間的第三絕緣層的上方形成間隔物層；然后在有機層和間隔物層上方形成第二電極，并在第二電極上方設(shè)置第二基板。所述步驟1中，所述白色子像素區(qū)中對應(yīng)于底層走線上方的該部分第二絕緣層的厚度大于白色子像素區(qū)中的其它部分第二絕緣層的厚度。所述步驟2中，所述白色子像素區(qū)中對應(yīng)于底層走線上方的該部分第三絕緣層的厚度大于白色子像素區(qū)中的其它部分第三絕緣層的厚度。所述第一電極與底層走線在水平方向上間隔一段距離。所述第一基板為透明基板，所述第一電極為陽極，其為透明電極；所述第二電極為陰極，其為反射電極。本發(fā)明的有益效果：發(fā)明提供的一種WOLED顯示裝置，其白色子像素區(qū)中對應(yīng)于底層走線上方的該部分絕緣層的厚度大于白色子像素區(qū)中的其它部分絕緣層的厚度，使得白色子像素區(qū)中的第一電極到底層走線之間具有較大的垂直距離，同時白色子像素區(qū)中底層走線與第一電極在水平方向上間隔一段距離，使得所述第一電極與底層走線之間具有較大的間隔，從而避免了由于所述第一電極與底層走線之間存在雜質(zhì)而導(dǎo)致的短路、過流等不良現(xiàn)象，提升了WOLED顯示裝置的品質(zhì)。本發(fā)明提供的一種WOLED顯示裝置的制造方法，通過設(shè)置所述白色子像素區(qū)中對應(yīng)于底層走線上方的該部分絕緣層的厚度大于白色子像素區(qū)中的其它部分絕緣層的厚度，增加了白色子像素區(qū)中的第一電極到底層走線的垂直距離，同時設(shè)置白色子像素區(qū)中底層走線與第一電極在水平方向上間隔一段距離，以使所述第一電極與底層走線之間具有較大的間隔，從而避免了由于所述第一電極與底層走線之間存在雜質(zhì)而導(dǎo)致的短路、過流等不良現(xiàn)象，制程簡單，易于操作，且能夠防止白色子像素區(qū)的第一電極與底層走線之間發(fā)生短路或過流，提高WOLED顯示裝置的制程良率。附圖說明下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。附圖中，圖1為一種現(xiàn)有的WOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明WOLED顯示裝置的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明WOLED顯示裝置的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明的WOLED顯示裝置的制造方法的流程圖。具體實施方式為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。請參閱圖2，為本發(fā)明WOLED顯示裝置的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本發(fā)明提供一種WOLED顯示裝置，其包括紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)、藍色子像素區(qū)20、及白色子像素區(qū)40。其中，所述白色子像素區(qū)40包括：第一基板1、設(shè)于所述第一基板1上的底層走線2和薄膜晶體管3、設(shè)于所述底層走線2、薄膜晶體管3和第一基板1上的第二絕緣層4、設(shè)于第二絕緣層4上的第三絕緣層5，設(shè)于第三絕緣層5上的第一電極6、設(shè)于所述第一電極6上的有機層7、設(shè)于所述有機層7上的第二電極8、及設(shè)于第二電極8上的第二基板9；所述藍色子像素區(qū)20包括：第一基板1、設(shè)于所述第一基板1上的底層走線2和薄膜晶體管3、設(shè)于所述底層走線2、薄膜晶體管3和第一基板1上的第二絕緣層4、設(shè)于第二絕緣層4上的藍光濾光片25、設(shè)于藍光濾光片25上的第三絕緣層5、設(shè)于第三絕緣層5上的第一電極6、設(shè)于所述第一電極6上的有機層7、設(shè)于所述有機層7上的第二電極8、及設(shè)于第二電極8上的第二基板9；所述紅色子像素區(qū)(未圖示)包括：第一基板1、設(shè)于所述第一基板1上的底層走線2和薄膜晶體管3、設(shè)于所述底層走線2、薄膜晶體管3和第一基板1上的第二絕緣層4、設(shè)于第二絕緣層4上的紅光濾光片、設(shè)于紅光濾光片上的第三絕緣層5、設(shè)于第三絕緣層5上的第一電極6、設(shè)于所述第一電極6上的有機層7、設(shè)于所述有機層7上的第二電極8、及設(shè)于第二電極8上的第二基板9；所述綠色子像素區(qū)(未圖示)包括：第一基板1、設(shè)于所述第一基板1上的底層走線2和薄膜晶體管3、設(shè)于所述底層走線2、薄膜晶體管3和第一基板1上的第二絕緣層4、設(shè)于第二絕緣層4上的綠光濾光片、設(shè)于綠光濾光片上的第三絕緣層5、設(shè)于第三絕緣層5上的第一電極6、設(shè)于所述第一電極6上的有機層7、設(shè)于所述有機層7上的第二電極8、及設(shè)于第二電極8上的第二基板9。其中，所述白色子像素區(qū)40中對應(yīng)于底層走線2上方的該部分第三絕緣層5的厚度d5大于白色子像素區(qū)40中的其它部分第三絕緣層5的厚度；并且所述第一電極6與底層走線2在水平方向上間隔一段距離d3。通過將所述第一電極6與底層走線2之間的第三絕緣層8設(shè)成具有較大的厚度d5，并且將所述第一電極6與底層走線2設(shè)成在水平方向間隔一段距離d3，從而增大了所述第一電極6與底層走線2之間的間距，有效避免由于所述第一電極6與底層走線2之間存在雜質(zhì)而導(dǎo)致的短路、過流等不良。所述紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)、藍色子像素區(qū)20和白色子像素區(qū)40中任意兩個相鄰的子像素區(qū)之間設(shè)有間隔物層10，所述間隔物層10位于第三絕緣層5和第二電極8之間，并將相鄰的兩個子像素區(qū)內(nèi)的第一電極6和有機層7隔開。所述間隔物層10不僅可以起到將相鄰的子像素區(qū)隔開的作用，同時起到支撐第二基板9的作用。優(yōu)選的，所述間隔物層10由絕緣材料制備。具體的，所述底層走線2包括諸如數(shù)據(jù)線DL1-DLn和SL1-SLm之類的信號線，以及諸如高電位電力線EVDD和低電位電力線EVSS之類的電力線。如果子像素包括補償電路，那么底層走線還包括用于提供輔助電壓的輔助電力線、用于提供參考電壓的參考電力線、用于提供初始化電壓的初始化電力線等。具體的，所述第一基板1為透明基板，所述第一電極6為陽極，其為透明電極，采用ITO(氧化銦錫)等透明導(dǎo)電材料制備；所述第二電極8為陰極，其為反射電極，采用鋁、鎂、或銀等金屬材料制備。所述有機發(fā)光層7發(fā)白光，具體的，所述有機層7包括：設(shè)于第一電極6上的空穴傳輸層、設(shè)于所述空穴傳輸層上的白光發(fā)光層、及設(shè)于所述白光發(fā)光層上的電子傳輸層；當(dāng)在第一電極6與第二電極8之間施加一定的驅(qū)動電壓后，電子和空穴分別從第二電極8和第一電極6注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在白光發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出白光。光線經(jīng)過透明的第一電極6直接射出或者經(jīng)過反射型的第二電極8反射后從透明的第一電極6射出。具體的，所述薄膜晶體管3包括設(shè)于第一基板1上的柵極層、設(shè)于柵極層上的第一絕緣層11、設(shè)于第一絕緣層11上的半導(dǎo)體層、及設(shè)于半導(dǎo)體層上的源/漏極層。所述第一電極6通過貫穿第二絕緣層4與第三絕緣層5的過孔31與薄膜晶體管3的漏極電性連接。請參閱圖3，為本發(fā)明WOLED顯示裝置的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，本發(fā)明提供一種WOLED顯示裝置，其包括紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)、藍色子像素區(qū)20、及白色子像素區(qū)40。所述白色子像素區(qū)40包括：第一基板1、設(shè)于所述第一基板1上的底層走線2和薄膜晶體管3、設(shè)于所述底層走線2、薄膜晶體管3和第一基板1上的第二絕緣層4、設(shè)于第二絕緣層4上的第三絕緣層5，設(shè)于第三絕緣層5上的第一電極6、設(shè)于所述第一電極6上的有機層7、設(shè)于所述有機層7上的第二電極8、及設(shè)于第二電極8上的第二基板9；其中，所述白色子像素區(qū)40中對應(yīng)于底層走線2上方的該部分第二絕緣層4的厚度d4大于白色子像素區(qū)40中的其它部分第二絕緣層4的厚度。通過將所述第一電極6與底層走線2之間的第二絕緣層4設(shè)成具有較大的厚度d4，從而增大了所述第一電極6與底層走線2之間的間距，有效避免由于所述第一電極6與底層走線2之間存在雜質(zhì)而導(dǎo)致的短路、過流等不良。請參閱圖4，本發(fā)明還提供了一種制備上述第一實施例的WOLED顯示裝置的方法，包括如下步驟：步驟1、提供一第一基板1，在所述第一基板1制作薄膜晶體管3和底層走線2，然后在底層走線2、薄膜晶體管3和第一基板1上形成第二絕緣層4。所述底層走線2包括諸如數(shù)據(jù)線DL1-DLn和SL1-SLm之類的信號線，以及諸如高電位電力線EVDD和低電位電力線EVSS之類的電力線。如果子像素包括補償電路，那么底層走線還包括用于提供輔助電壓的輔助電力線、用于提供參考電壓的參考電力線、用于提供初始化電壓的初始化電力線等。具體的，所述薄膜晶體管3的制作步驟為：在第一基板1上依次沉積柵極層、設(shè)于柵極層上的第一絕緣層11、設(shè)于第一絕緣層11上的半導(dǎo)體層、及設(shè)于半導(dǎo)體層上的源/漏極層。步驟2、在紅色子像素區(qū)內(nèi)的第二絕緣層4上方設(shè)置紅光濾光片，在綠色子像素區(qū)內(nèi)的第二絕緣層4上方設(shè)置綠光濾光片，在藍色子像素區(qū)內(nèi)的第二絕緣層4上方設(shè)置藍光濾光片；然后在第二絕緣層4和所述紅光、綠光、及藍光濾光片上方形成第三絕緣層5。其中，所述白色子像素區(qū)40中對應(yīng)于底層走線2上方的該部分第三絕緣層5的厚度d5大于白色子像素區(qū)40中的其它部分第三絕緣層5的厚度。步驟3、在所述白色子像素區(qū)40、紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)、及藍色子像素區(qū)20中的第三絕緣層5的上方依次形成第一電極6和有機層7，同時在每相鄰的兩個子像素區(qū)之間的第三絕緣層5的上方形成間隔物層10，然后在有機層7和間隔物層10上方形成第二電極8，并在第二電極8上方設(shè)置第二基板9。其中，所述第一電極6與底層走線2在水平方向上間隔一段距離d3。其中，所述間隔物層10不僅可以將相鄰的子像素區(qū)隔開，同時能夠起到支撐第二基板9的作用，并且所述間隔物層10由絕緣材料構(gòu)成。所述步驟3還可以包括如下步驟：在第二絕緣層4與第三絕緣層5上形成過孔31，所述第一電極6通過貫穿第二絕緣層4與第三絕緣層5的過孔31與薄膜晶體管3的漏極電性連接。上述WOLED顯示裝置的制備方法通過將所述第一電極6與底層走線2之間的第三絕緣層8設(shè)成具有較大的厚度d5，并且將所述第一電極6與底層走線2設(shè)成在水平方向間隔一段距離d3，從而增大了所述第一電極6與底層走線2之間的間距，有效避免由于所述第一電極6與底層走線2之間存在雜質(zhì)而導(dǎo)致的短路、過流等不良。請參閱圖4，本發(fā)明還提供一種制備上述第二實施例的WOLED顯示裝置的方法，包括如下步驟：步驟1、提供一第一基板1，在所述第一基板1制作薄膜晶體管3和底層走線2，然后在底層走線2、薄膜晶體管3和第一基板1上形成第二絕緣層4。其中，所述白色子像素區(qū)40中對應(yīng)于底層走線2上方的該部分第二絕緣層4的厚度大于白色子像素區(qū)40中的其它部分第二絕緣層4的厚度。步驟2、在紅色子像素區(qū)內(nèi)的第二絕緣層4上方設(shè)置紅光濾光片，在綠色子像素區(qū)內(nèi)的第二絕緣層4上方設(shè)置綠光濾光片，在藍色子像素區(qū)內(nèi)的第二絕緣層4上方設(shè)置藍光濾光片；然后在第二絕緣層4和所述紅光、綠光、及藍光濾光片上方形成第三絕緣層5。步驟3、在所述白色子像素區(qū)40、紅色子像素區(qū)、綠色子像素區(qū)、及藍色子像素區(qū)20中的第三絕緣層5的上方依次形成第一電極6和有機層7，同時在每相鄰的兩個子像素區(qū)之間的第三絕緣層5的上方形成間隔物層10，然后在有機層7和間隔物層10上方形成第二電極8，并在第二電極8上方設(shè)置第二基板9。上述WOLED顯示裝置的制備方法通過將所述第一電極6與底層走線2之間的第二絕緣層4設(shè)成具有較大的厚度d4，從而增大了所述第一電極6與底層走線2之間的間距，有效避免由于所述第一電極6與底層走線2之間存在雜質(zhì)而導(dǎo)致的短路、過流等不良。綜上所述，發(fā)明提供的一種WOLED顯示裝置，其白色子像素區(qū)中對應(yīng)于底層走線上方的該部分絕緣層的厚度大于白色子像素區(qū)中的其它部分絕緣層的厚度，使得白色子像素區(qū)中的第一電極到底層走線之間具有較大的垂直距離，同時白色子像素區(qū)中底層走線與第一電極在水平方向上間隔一段距離，使得所述第一電極與底層走線之間具有較大的間隔，從而避免了由于所述第一電極與底層走線之間存在雜質(zhì)而導(dǎo)致的短路、過流等不良現(xiàn)象，提升了WOLED顯示裝置的品質(zhì)。本發(fā)明提供的一種WOLED顯示裝置的制造方法，通過設(shè)置所述白色子像素區(qū)中對應(yīng)于底層走線上方的該部分絕緣層的厚度大于白色子像素區(qū)中的其它部分絕緣層的厚度，增加了白色子像素區(qū)中的第一電極到底層走線的垂直距離，同時設(shè)置白色子像素區(qū)中底層走線與第一電極在水平方向上間隔一段距離，以使所述第一電極與底層走線之間具有較大的間隔，從而避免了由于所述第一電極與底層走線之間存在雜質(zhì)而導(dǎo)致的短路、過流等不良現(xiàn)象，制程簡單，易于操作，且能夠防止白色子像素區(qū)的第一電極與底層走線之間發(fā)生短路或過流，提高WOLED顯示裝置的制程良率。以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。