熱保護(hù)型壓敏電阻及其生產(chǎn)工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種熱保護(hù)型壓敏電阻，陶瓷基座與壓敏芯片大面積緊貼，空芯含助熔劑的熔斷絲與陶瓷底座緊貼，有效感知芯片溫度，及時報警熔斷；陶瓷基座起到有效保證熔絲斷裂后錫水與壓敏芯片隔離，避免拉弧度；同時基座上設(shè)置開槽為熔斷絲斷裂，留取足夠熔斷空間，保證有效斷開；熔絲表面涂熱熔膠，避免空腔可能導(dǎo)致的后續(xù)涂裝作業(yè)出現(xiàn)的針孔、氣泡外觀不良，同時保證熔斷絲斷裂前，熱熔膠處于流體狀，避免影響熔絲斷裂；成品最外層使用傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂包裹，起到防潮、絕緣等作用。
【專利說明】熱保護(hù)型壓敏電阻及其生產(chǎn)工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及壓敏電阻領(lǐng)域，尤其是一種熱保護(hù)型壓敏電阻及其生產(chǎn)工藝。

【背景技術(shù)】
[0002]壓敏電阻器依其優(yōu)越的伏安特性曲線、低廉的生產(chǎn)成本，在電子線路過壓、浪涌保護(hù)方面得到廣泛用于，但線路因電子線路中過多的過壓異常，導(dǎo)致壓敏電阻器頻發(fā)動作，出現(xiàn)性能降低、失效、嚴(yán)重時出現(xiàn)壓敏電阻器自身擊穿、燃燒現(xiàn)象，導(dǎo)致周邊其他電阻組件燃燒，造成更大損失；
[0003]現(xiàn)有市場上一般采用傳統(tǒng)的成品保險絲與壓敏電阻串聯(lián)結(jié)構(gòu)，如主要存在以下幾種不足:
[0004]1、熔絲熔斷，預(yù)留空間較小，無法保證保險絲熔化后有效斷開；
[0005]2、熔絲本體與芯片接觸面積較小，不利于熱量傳遞至熔絲；
[0006]3、產(chǎn)品部件組裝復(fù)雜，不利于自動化、規(guī)模生產(chǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提出一種熱保護(hù)型壓敏電阻及其生產(chǎn)工藝，不僅產(chǎn)品結(jié)構(gòu)緊湊、熔斷絲反應(yīng)速度快、外觀形規(guī)則；并且適于自動化、規(guī)模生產(chǎn)，熔斷絲可以根據(jù)壓敏電阻需要，選擇不同規(guī)格熔絲，適合場合廣泛。
[0008]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:一種熱保護(hù)型壓敏電阻，包括基座、設(shè)置在基座上的壓敏芯片以及與外部電子元器件相連接的導(dǎo)線電極，所述的基座表面開設(shè)有向下的凹槽；所述的凹槽內(nèi)放置熱熔絲；所述的熱熔絲表面涂覆熱熔膠；所述的熱熔膠填滿整個凹槽內(nèi)腔；所述凹槽的一側(cè)設(shè)置有通孔；所述的熱熔絲的一端直接連接導(dǎo)線電極；熱熔絲的另一端經(jīng)過通孔與壓敏芯片連接；所述的壓敏芯片連接另一個導(dǎo)線電極。
[0009]進(jìn)一步的說，本發(fā)明所述的熱熔絲直接與導(dǎo)線電極連接處的連接點(diǎn)作為第一焊點(diǎn)；熱熔絲與壓敏芯片連接處的連接點(diǎn)為第二焊點(diǎn)；所述的壓敏芯片與另一個導(dǎo)線電極連接處的連接點(diǎn)為第三焊點(diǎn)；所述的第一焊點(diǎn)被熱熔膠包裹在凹槽內(nèi)；所述的第二焊點(diǎn)處還焊接設(shè)置有信號引腳。
[0010]再進(jìn)一步的說，為了能夠及時熔斷，本發(fā)明所述的熱熔絲為空心結(jié)構(gòu)且空心內(nèi)腔具有助熔劑。
[0011]為了能夠有效感知芯片溫度，本發(fā)明所述的基座為高鋁瓷基座；所述的壓敏芯片的一面與導(dǎo)線電極焊接；另一面與基座緊貼粘接。
[0012]為了便于加工定位，本發(fā)明所述的基座的一側(cè)邊沿處設(shè)置有限位止口。
[0013]同時，本發(fā)明還提供了一種熱保護(hù)型壓敏電阻的生產(chǎn)工藝，包括以下步驟:
[0014]I)將陶瓷基座與壓敏芯片通過膠粘組裝粘合；
[0015]2)在陶瓷基座表面開設(shè)凹槽，在凹槽內(nèi)緊貼陶瓷基座放置熱熔絲；
[0016]3)將熱熔絲的一端直接連接導(dǎo)線電極；熱熔絲的另一端經(jīng)過通孔與壓敏芯片連接；壓敏芯片連接另一個導(dǎo)線電極；
[0017]4)在熱熔絲表面連續(xù)注塑覆蓋熱熔膠；使熱熔膠完全覆蓋熱熔絲表面并且填滿整個凹槽；
[0018]5)在產(chǎn)品表面表面覆蓋環(huán)氧樹脂包裹。
[0019]本發(fā)明的有益效果是:陶瓷基座與壓敏芯片大面積緊貼，空芯含助熔劑的熔斷絲與陶瓷底座緊貼，有效感知芯片溫度，及時報警熔斷；陶瓷基座起到有效保證熔絲斷裂后錫水與壓敏芯片隔離，避免拉弧度；同時基座上設(shè)置開槽為熔斷絲斷裂，留取足夠熔斷空間，保證有效斷開；熔絲表面涂熱熔膠，避免空腔可能導(dǎo)致的后續(xù)涂裝作業(yè)出現(xiàn)的針孔、氣泡外觀不良，同時保證熔斷絲斷裂前，熱熔膠處于流體狀，避免影響熔絲斷裂；成品最外層使用傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂包裹，起到防潮、絕緣等作用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0021]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是圖1的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0023]圖3是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4是圖3的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0025]圖5是本發(fā)明帶信號引腳的結(jié)構(gòu)示意圖
[0026]圖6是圖5的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0027]圖中:1、基座；2、壓敏芯片；3、導(dǎo)線電極；4、凹槽；5、熱熔絲；6、限位止口 ；7、熱熔膠；8、通孔。

【具體實(shí)施方式】
[0028]現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。
[0029]圖1-2所示的現(xiàn)有技術(shù)的熱敏電阻；其不足之處如【背景技術(shù)】中所述，此處不再重復(fù)敘述。
[0030]圖3-4是本發(fā)明的一個實(shí)施例，一種熱保護(hù)型壓敏電阻，包括基座、設(shè)置在基座上的壓敏芯片以及與外部電子元器件相連接的導(dǎo)線電極，基座表面開設(shè)有向下的凹槽；凹槽內(nèi)放置熱熔絲；為了便于加工定位，基座的一側(cè)邊沿處設(shè)置有限位止口。
[0031]熱熔絲表面涂覆熱熔膠；熱熔膠填滿整個凹槽內(nèi)腔；凹槽的一側(cè)設(shè)置有通孔；熱熔絲的一端直接連接導(dǎo)線電極；熱熔絲的另一端經(jīng)過通孔與壓敏芯片連接；壓敏芯片連接另一個導(dǎo)線電極。
[0032]熱熔絲直接與導(dǎo)線電極連接處的連接點(diǎn)作為第一焊點(diǎn)；熱熔絲與壓敏芯片連接處的連接點(diǎn)為第二焊點(diǎn)；壓敏芯片與另一個導(dǎo)線電極連接處的連接點(diǎn)為第三焊點(diǎn)；第一焊點(diǎn)被熱熔膠包裹在凹槽內(nèi)；為了增加實(shí)用性，在第二焊點(diǎn)處還可以焊接設(shè)置信號引腳；如圖5-6所示。
[0033]基座為高鋁瓷基座；壓敏芯片的一面與導(dǎo)線電極焊接；另一面與基座緊貼粘接。陶瓷基座與壓敏芯片大面積緊貼，空芯含助熔劑的熔斷絲與陶瓷底座緊貼，有效感知芯片溫度，及時報警熔斷。陶瓷基座起到有效保證熔絲斷裂后錫水與壓敏芯片隔離，避免拉弧度，同時基座上設(shè)置開槽為熔斷絲斷裂，留取足夠熔斷空間，保證有效斷開；為了能夠及時熔斷，熱熔絲為空心結(jié)構(gòu)且空心內(nèi)腔具有助熔劑。
[0034]熔絲表面涂熱熔膠，避免空腔可能導(dǎo)致的后續(xù)涂裝作業(yè)出現(xiàn)的針孔、氣泡外觀不良，同時保證熔斷絲斷裂前，熱熔膠處于流體狀，避免影響熔絲斷裂；成品最層使用傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂包裹，起到防潮、絕緣等作用。
[0035]制作工藝為:底座與芯片組合后，采用自動化導(dǎo)線、熔絲焊接作業(yè)、連續(xù)注塑熱熔膠成型、涂裝環(huán)氧樹脂自動化作業(yè)，在性能保證同時極大提高自動、規(guī)?；a(chǎn)作業(yè)，具體步驟如下:
[0036]I)將陶瓷基座與壓敏芯片通過膠粘組裝粘合；
[0037]2)在陶瓷基座表面開設(shè)凹槽，在凹槽內(nèi)緊貼陶瓷基座放置熱熔絲；
[0038]3)將熱熔絲的一端直接連接導(dǎo)線電極；熱熔絲的另一端經(jīng)過通孔與壓敏芯片連接；壓敏芯片連接另一個導(dǎo)線電極；
[0039]4)在熱熔絲表面連續(xù)注塑覆蓋熱熔膠；使熱熔膠完全覆蓋熱熔絲表面并且填滿整個凹槽；
[0040]5)在產(chǎn)品表面表面覆蓋環(huán)氧樹脂包裹。
[0041]本發(fā)明可以根據(jù)客戶需求，選擇不同溫度、直徑熱熔絲，廣泛用于各種溫度、過壓保護(hù)場合性。
[0042]以上說明書中描述的只是本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，各種舉例說明不對本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對以前所述的【具體實(shí)施方式】做修改或變形，而不背離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種熱保護(hù)型壓敏電阻，包括基座、設(shè)置在基座上的壓敏芯片以及與外部電子元器件相連接的導(dǎo)線電極，其特征在于:所述的基座表面開設(shè)有向下的凹槽；所述的凹槽內(nèi)放置熱熔絲；所述的熱熔絲表面涂覆熱熔膠；所述的熱熔膠填滿整個凹槽內(nèi)腔；所述凹槽的一側(cè)設(shè)置有通孔；所述的熱熔絲的一端直接連接導(dǎo)線電極；熱熔絲的另一端經(jīng)過通孔與壓敏芯片連接；所述的壓敏芯片連接另一個導(dǎo)線電極。
2.如權(quán)利要求1所述的熱保護(hù)型壓敏電阻，其特征在于:所述的熱熔絲直接與導(dǎo)線電極連接處的連接點(diǎn)作為第一焊點(diǎn)；熱熔絲與壓敏芯片連接處的連接點(diǎn)為第二焊點(diǎn)；所述的壓敏芯片與另一個導(dǎo)線電極連接處的連接點(diǎn)為第三焊點(diǎn)；所述的第一焊點(diǎn)被熱熔膠包裹在凹槽內(nèi)；所述的第二焊點(diǎn)處還焊接設(shè)置有信號引腳。
3.如權(quán)利要求1所述的熱保護(hù)型壓敏電阻，其特征在于:所述的熱熔絲為空心結(jié)構(gòu)且空心內(nèi)腔具有助熔劑。
4.如權(quán)利要求1所述的熱保護(hù)型壓敏電阻，其特征在于:所述的基座為高鋁瓷基座；所述的壓敏芯片的一面與導(dǎo)線電極焊接；另一面與基座緊貼粘接。
5.如權(quán)利要求1所述的熱保護(hù)型壓敏電阻，其特征在于:所述的基座的一側(cè)邊沿處設(shè)置有限位止口。
6.一種如權(quán)利要求1所述的熱保護(hù)型壓敏電阻的生產(chǎn)工藝，其特征在于包括以下步驟: 1)將陶瓷基座與壓敏芯片通過膠粘組裝粘合； 2)在陶瓷基座表面開設(shè)凹槽，在凹槽內(nèi)緊貼陶瓷基座放置熱熔絲； 3)將熱熔絲的一端直接連接導(dǎo)線電極；熱熔絲的另一端經(jīng)過通孔與壓敏芯片連接；壓敏芯片連接另一個導(dǎo)線電極； 4)在熱熔絲表面連續(xù)注塑覆蓋熱熔膠；使熱熔膠完全覆蓋熱熔絲表面并且填滿整個凹槽； 5)在產(chǎn)品表面表面覆蓋環(huán)氧樹脂包裹。
7.如權(quán)利要求6所述的熱保護(hù)型壓敏電阻的生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述的步驟3)中，熱熔絲直接與導(dǎo)線電極連接處的連接點(diǎn)作為第一焊點(diǎn)；熱熔絲與壓敏芯片連接處的連接點(diǎn)為第二焊點(diǎn)；所述的壓敏芯片與另一個導(dǎo)線電極連接處的連接點(diǎn)為第三焊點(diǎn)；所述的第一焊點(diǎn)被熱熔膠包裹在凹槽內(nèi)；所述的第二焊點(diǎn)處還焊接設(shè)置有信號引腳。
8.如權(quán)利要求6所述的熱保護(hù)型壓敏電阻的生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述的熱熔絲為空心結(jié)構(gòu)且空心內(nèi)腔具有助熔劑。
【文檔編號】H01C17/00GK104517694SQ201410787212
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年12月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月17日
【發(fā)明者】黃任亨 申請人:興勤（常州）電子有限公司