技術特征：
1.一種MoS2/Sip-n結太陽能電池器件的制備方法，其特征在于，該器件包括MoS2薄膜層、作為MoS2薄膜層載體的Si襯底、金屬Pd電極及金屬In電極，MoS2薄膜層采用直流磁控濺射技術沉積在Si襯底一面，金屬Pd電極采用直流磁控濺射技術沉積在MoS2薄膜層表面，金屬In電極設置在Si襯底另一面，金屬Pd電極與金屬In電極分別連接金屬Cu導線；所述MoS2薄膜層厚度為70-80nm；所述Si襯底為p型Si單晶襯底，電阻率為1.2～1.8Ω·cm；所述金屬Pd電極的厚度為30-40nm，所述金屬In電極的厚度為0.2mm，所述Cu導線的直徑為0.1mm；制備方法包括以下步驟：(1)選取Si襯底，對其進行第一次清洗，然后采用化學腐蝕方法去除清洗后Si襯底表面氧化層，再對去除表面氧化層的Si襯底進行第二次清洗，清洗完成后對Si襯底進行干燥；(2)將干燥后的Si襯底裝入托盤并放入真空腔，在Ar氣氣體環(huán)境下，采用直流磁控濺射技術，利用電離出的離子轟擊MoS2靶材，在Si襯底表面沉積MoS2薄膜層；(3)再在真空腔及Ar氣氣體環(huán)境下，采用直流磁控濺射技術，利用電離出的離子轟擊Pd靶材，在MoS2薄膜層表面沉積金屬Pd電極；(4)采用熱壓方式，在Si襯底背面完成金屬In電極的壓制；(5)分別在金屬Pd電極與金屬In電極上引出金屬Cu導線，完成MoS2/Sip-n結太陽能電池器件的制備；步驟(1)中，所述Si襯底為p型Si單晶襯底，尺寸為10×10mm，電阻率為1.2～1.8Ω·cm；所述第一次清洗過程如下：將帶有氧化層的Si襯底在高純酒精中超聲清洗600s；所述Si襯底表面氧化層的去除過程如下：將帶有氧化層的Si襯底放入體積分數(shù)為4％的氫氟酸溶液中，并超聲清洗60s；所述第二次清洗過程如下：將Si襯底依次在高純酒精和丙酮溶液中交替超聲清洗3次，每次清洗的時間長度為180s；所述Si襯底干燥過程是用干燥氮氣將Si襯底吹干，氮氣純度為99.95％；步驟(2)中，所述MoS2靶材為MoS2陶瓷靶，靶材純度為99.9％，所述Ar氣氣壓維持0.3Pa不變，靶基距為50mm，薄膜層的沉積溫度為380℃，薄膜層厚度為70-80nm；步驟(3)中，所述Pd靶材為Pd金屬靶，靶材純度為99.99％，所述Ar氣氣壓維持3Pa不變，靶基距為50mm，薄膜層的沉積溫度為20-25℃，金屬Pd電極厚度為30-40nm；步驟(4)中，所述金屬In電極的厚度為0.2mm。2.根據(jù)權利要求1所述的一種MoS2/Sip-n結太陽能電池器件的制備方法，其特征在于：步驟(2)與步驟(3)中，所述真空腔的背底真空度均為5×10-4Pa，真空條件是由機械泵和分子泵雙級真空泵共同制得。