專利名稱：一種晶體硅太陽(yáng)能電池鋁硼漿的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電漿料的制備方法，該漿料用于制備晶體硅(P型)太陽(yáng)能電池的背表面場(chǎng)和背電極，也可用于η型晶體硅制備ρη結(jié)，屬于晶體硅太陽(yáng)能電池制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能分布廣泛，是一種用之不竭的清潔能源，太陽(yáng)能電池將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能。 目前，全球超過(guò)80%的太陽(yáng)能電池為晶體硅太陽(yáng)能電池，進(jìn)一步提高晶體硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率具有巨大的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。晶體硅太陽(yáng)能電池的發(fā)電機(jī)制主要依賴于ρη結(jié)，ρ型和η型硅主要通過(guò)摻雜工藝實(shí)現(xiàn)，摻雜工藝是制備具有高光電轉(zhuǎn)換效率太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵工藝之一。P型晶體硅的主要摻雜元素為第三主族元素如硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)等，η型晶體硅的摻雜元素為第五主族元素如磷(P)、砷(As)、銻(Sb)等，生產(chǎn)上一般以磷元素?fù)诫s為主。目前用于晶體硅太陽(yáng)能電池的晶體硅片一般是摻B元素的ρ型晶體硅片，其中B 的摻雜濃度通常低于1 χ IO16 atoms/cm3 (每立方厘米的原子個(gè)數(shù))，晶體硅片的前表面(向光面)通過(guò)在850°C的溫度下進(jìn)行磷擴(kuò)散形成η+型，而在晶體硅片的背表面則通過(guò)鋁摻雜形成P+型背表面場(chǎng)(也稱背場(chǎng))，因此P型晶體硅太陽(yáng)能電池實(shí)際上就是η+ρρ+型結(jié)構(gòu)。在晶體硅太陽(yáng)能電池的背表面場(chǎng)制備工藝中，鋁對(duì)晶體硅的摻雜工藝通常是在晶體硅的表面絲網(wǎng)印刷一層具有一定厚度的鋁膜，然后進(jìn)行燒結(jié)，當(dāng)加熱到鋁-硅共熔點(diǎn)溫度(577°C)以上時(shí)，鋁和硅之間開(kāi)始形成鋁-硅共熔體，溫度、熱處理時(shí)間、鋁膜厚度等因素確定生成鋁-硅共熔體的量，而溫度確定鋁的摻雜濃度。鋁-硅共熔體在冷卻過(guò)程中，硅從鋁-硅共熔體中析出，并在未熔解的晶體硅表面結(jié)晶生長(zhǎng)，同時(shí)一部分鋁留在析出的晶體硅晶格中實(shí)現(xiàn)鋁摻雜，從而得到P+型晶體硅，鋁的摻雜濃度由鋁在晶體硅中的固溶度決定。在冷卻過(guò)程中隨著溫度的進(jìn)一步降低，更多地硅從鋁硅共熔體中析出結(jié)晶。在當(dāng)今工業(yè)上普遍使用的熱處理溫度(750°C 820°C)下，在晶體硅中可以獲得的鋁摻雜濃度為2. 8 χ IO18 atoms/cm3以下，要想得到更高的鋁摻雜濃度，則需要更高的熱處理溫度，而高處理溫度對(duì)晶體硅的物理性能有破壞作用，同時(shí)也消耗更多的能源，因此在工業(yè)上不被采用。硼在晶體硅中的理論最大固溶度為6X 102°atOmS/Cm3，而鋁在晶體硅中的理論最大固溶度為2X1019atomS/Cm_3，顯然，硼在晶體硅中的固溶度比鋁在晶體硅中的固溶度大得多。一般來(lái)說(shuō)，固溶度越高的元素在晶體硅中所能達(dá)到的摻雜濃度也將越高。如果在上述制備晶體硅太陽(yáng)能電池背表面場(chǎng)的過(guò)程中能夠加入硼元素的摻雜，那么就能夠在相似的熱處理溫度下使得晶體硅中的P性摻雜濃度得到顯著的提高。但是，在晶體硅中摻雜硼往往需要很高的溫度，一般在1000°C左右進(jìn)行，因此非常耗能，同時(shí)在這樣的高溫下晶體硅的電性能也容易被破壞。荷蘭研究人員Lolgen等人1994年在刊名為Applied Physics Letters的國(guó)際專業(yè)期刊上公開(kāi)發(fā)表的研究論文(P. Lolgen等，Boron doping of silicon using coalloywith aluminium, Applied Physics Letters，1994 年第 65 卷、第 22 期、第 2792-2794 頁(yè)) 中報(bào)道了在已配制好的商用鋁漿料中添加1%的單質(zhì)硼粉，混合均勻后，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)在單晶硅表面印刷一層這種添加單質(zhì)硼粉的鋁漿料，在850°C的退火溫度下，經(jīng)電容-電壓方法(C-V)測(cè)試，發(fā)現(xiàn)單晶硅表面附近硼的摻雜濃度達(dá)到3X1019atomS/Cm_3，而在同樣條件下采用未添加硼的商用鋁漿所得到的鋁摻雜濃度為3X10watOmS/CnT3，雖然兩者均對(duì)晶體硅實(shí)現(xiàn)了 P型摻雜的效果，但顯然前者得到的P型摻雜濃度是后者的10倍。該研究結(jié)果表明可以在相對(duì)較低的溫度下(如Lolgen等人采用的850°C )通過(guò)鋁硅共熔體為載體實(shí)現(xiàn)硼對(duì)晶體硅的摻雜，這一研究結(jié)果成為后來(lái)太陽(yáng)能光伏技術(shù)領(lǐng)域工程技術(shù)人員研制用于晶體硅太陽(yáng)能電池的鋁硼漿料的最重要的技術(shù)參考資料。美國(guó)!^erro公司2006年在美國(guó)申請(qǐng)的公開(kāi)號(hào)為US2007/0215202A1專利和該公司同年在中國(guó)境內(nèi)申請(qǐng)的公開(kāi)號(hào)為101401189專利中提到鋁硼漿料，這兩個(gè)專利主要指出其鋁硼漿料中的硼源為硼粉、硼合金、硼鹽、硼酸、有機(jī)金屬硼、硼氧化物以及含硼玻璃。上述引用的美國(guó)公開(kāi)號(hào)為US2007/0215202A1的專利也提到可以采用鋁硼合金粉末為原料來(lái)制備鋁硼漿料，但該專利并未透露或闡述制備鋁硼合金粉末的任何技術(shù)路線或工藝方法。國(guó)內(nèi)2011年公開(kāi)的公開(kāi)號(hào)為101937947A與101944555A的專利中提及的鋁硼漿料，其鋁硼漿料是通過(guò)在已配制好的常規(guī)鋁漿中直接添加硼源(硼酸、氧化硼、單質(zhì)硼及其它含硼化合物等)，然后混合而得。這些專利的實(shí)施例方法是首先從國(guó)內(nèi)外鋁漿生產(chǎn)廠家購(gòu)買已配制好的鋁漿，然后添加氧化硼、單質(zhì)硼、或硼酸鉀，經(jīng)攪拌混合制得鋁硼漿。這些方法可能使得晶體硅太陽(yáng)能電池的背表面場(chǎng)中P型摻雜濃度得到一定程度的提高，但由于在該鋁硼漿料中鋁源和硼源是完全分離的，這樣的硼源在電池?zé)Y(jié)過(guò)程中通常游離于鋁-硅共熔體之外，不易摻入到鋁硅共熔體中形成有效的摻雜，顯然這屬于間接的硼摻雜方式，其摻雜效果較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種鋁硼合金粉及晶體硅太陽(yáng)能電池鋁硼漿的制備方法，與本發(fā)明文件背景技術(shù)中闡述的現(xiàn)已公開(kāi)的鋁硼漿相比，本發(fā)明制備的鋁硼漿料中的硼與金屬鋁以原子級(jí)均勻混合的形態(tài)共存于鋁硼合金粉中，當(dāng)鋁硼合金粉中的鋁與硅形成鋁硅共熔體時(shí)，鋁硼合金粉中的硼亦自然地、直接地存在于該鋁硅共熔體中，因此在本專利技術(shù)中，硼在晶體硅中的摻雜屬于直接摻雜，能夠在背表面場(chǎng)中獲得更高濃度的P型摻雜濃度，從而提高晶體硅背表面的鈍化效果，同時(shí)能夠提高其導(dǎo)電率、有效降低接觸電阻，另外還可以較好地降低在燒結(jié)電極過(guò)程中硅片的彎曲度，最終改善了晶體硅太陽(yáng)能電池的可靠性和光電性能。該晶體硅太陽(yáng)能電池鋁硼漿的制備方法，大的步驟包括首先制備鋁硼(Al-B)合金粉末，然后將該鋁硼合金粉或者該鋁硼合金粉與鋁粉的混合粉末、玻璃粉、有機(jī)粘結(jié)劑、 添加劑均勻混合得到鋁硼漿。本發(fā)明的工藝步驟為
1、采用機(jī)械球磨法或氣體霧化法制備鋁硼合金粉
(1)機(jī)械球磨法采用攪拌式高能球磨機(jī)，圖1為設(shè)備示意圖。將99. 99%的高純鋁粉與99. 99%的高純硼粉經(jīng)過(guò)清洗、干燥以后，按照以下質(zhì)量百分?jǐn)?shù)硼粉0. 5%-10%wt，其余為鋁，將其裝入在攪拌式高能球磨機(jī)中球磨，高純氫氣氛保護(hù)，球磨時(shí)間為2-8h，實(shí)現(xiàn)Al-B的機(jī)械球磨合金化，Al-B合金粉末的粒徑控制在1-10 μ m ；
(2)氣體霧化法采用高真空中頻感應(yīng)熔煉霧化裝置制備Al-B合金粉末，圖2為設(shè)備示意圖。將99. 99%的高純鋁粉與99. 99%的高純硼粉經(jīng)過(guò)清洗、干燥以后，按照以下質(zhì)量百分比硼粉0. 5%-10%wt，其余為鋁，將其裝入坩堝中，在中頻感應(yīng)電爐中加熱熔煉，熔煉過(guò)程中用惰性氣體保護(hù)；鋁硼合金熔融液的霧化在霧化室中進(jìn)行，霧化溫度為800-1200°C， 液體金屬由保溫爐中漏嘴流入噴嘴，在霧化塔中純度> 99. 99%的高壓高速氬氣經(jīng)噴嘴沖擊液流，液流被撞擊成霧狀液滴，液滴在降落過(guò)程中冷卻并凝固成粒徑1-10 μ m鋁硼合金粉末；
2、將質(zhì)量百分比分別為68-82%、1-10%、18-28%,1-5%的鋁硼合金粉末或鋁硼合金粉與鋁粉的混合粉末、無(wú)機(jī)玻璃粘結(jié)劑、有機(jī)粘結(jié)劑和添加劑四種物質(zhì)混合，混合后用三輥軋機(jī)輥扎成細(xì)度彡15 μ m，粘度為25000-35000mPa · s的導(dǎo)電鋁硼漿料；當(dāng)采用鋁硼合金粉與鋁粉的混合粉末時(shí)，該混合粉末按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)組成為鋁粉0. 1%_50%，其余為鋁硼合金粉末； 其中鋁粉從國(guó)內(nèi)鋁粉生產(chǎn)廠家購(gòu)買，其平均粒徑為1-10 μ m ；
3、無(wú)機(jī)玻璃粘結(jié)劑為無(wú)鉛玻璃粉，其各組份的含量按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)如下=Bi2O3的含量為 60-70%、SiO2的含量為10-20%、B2O3的含量為5-7%, ZnO2的含量為10-20%，CaO的含量為 0-2%, K2O的含量為1-2%, V2O5的含量為0. 5-1%、CaF的含量為0. 5-1% ；
所述無(wú)機(jī)玻璃粘結(jié)劑的制作方法為按上述質(zhì)量百分?jǐn)?shù)稱量各氧化物后混合均勻，裝入坩堝中，放入高溫爐中，升溫至1100-1300°C，熔煉1-2小時(shí)，將熔化后的玻璃淬火后裝入球磨罐，球磨72個(gè)小時(shí)后，得到粒度5-15 μ m的玻璃粉；
4、有機(jī)粘結(jié)劑按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)組成為乙基纖維素2-5%、醋丁纖維素1-6%、松油醇 30-42%、二乙二醇丁醚20-40%、乙二醇乙醚10-20%、濕潤(rùn)分散劑0. 2_2%、消泡劑1-3% ；
所述的有機(jī)粘結(jié)劑的制備方法為按上述質(zhì)量百分?jǐn)?shù)稱量各組分投入反應(yīng)釜中，在攪拌速度80-120轉(zhuǎn)/分的狀態(tài)下攪拌使得混合物完全溶解得到透明溶液；然后升溫至 80-120°C并恒溫1-3小時(shí)；反應(yīng)釜內(nèi)的上述成分得到均勻混合及充分反應(yīng)，反應(yīng)物冷卻之后用絲網(wǎng)過(guò)濾，即得到硅基太陽(yáng)能電池用有機(jī)粘結(jié)劑；
5、添加劑按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)組成為流平劑9-10%、潤(rùn)濕劑62-68%、成膜助劑21_27%。上述鋁硼漿在晶體硅太陽(yáng)能電池上的使用效果按下列方法測(cè)試，將制得的鋁硼漿料通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式均勻的涂覆在晶體硅電池背表面，烘干后，在750-850°C快速燒結(jié)， 時(shí)間不超過(guò)3min，制備晶體硅太陽(yáng)能電池的背電場(chǎng)，具有良好的光電性能。本發(fā)明的有益效果是與現(xiàn)有太陽(yáng)能電池用的鋁漿料相比，本發(fā)明所制備的鋁硼漿料具有以下顯著的技術(shù)效果
(1)采用本發(fā)明得到的鋁硼漿料制備的晶體硅太陽(yáng)能電池背表面場(chǎng)，ρ型摻雜的濃度比相同溫度下常規(guī)鋁漿制備的背表面場(chǎng)的ρ型摻雜濃度要高一個(gè)數(shù)量級(jí)或更多，從而可以對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池的背表面有更優(yōu)異的鈍化效果，同時(shí)降低了電池的串聯(lián)電阻，達(dá)到提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的目標(biāo)；
(2)由于本發(fā)明所制備的鋁硼漿料可以達(dá)到比常規(guī)鋁漿更高的背表面場(chǎng)摻雜濃度，因此在同等條件下每片電池的漿料使用量可以明顯減少，因此可以有效地降低晶體硅太陽(yáng)能電池的翹曲度，從而減小電池的破碎率，降低太陽(yáng)能電池的總體生產(chǎn)和使用成本，進(jìn)一步擴(kuò)大其應(yīng)用規(guī)模；(3)本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單，其生產(chǎn)成本與常規(guī)鋁漿相當(dāng)，因此具有較大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用前景。


附圖1為攪拌式高能球磨機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖中1-入料口，2-攪拌筒體，3-攪拌棒，4-高壓氫氣瓶，5-球磨粉末，6-球磨介質(zhì)， 7-出料口閥門，8-出料口，9-支撐座，10-電機(jī)。附圖2為中頻感應(yīng)真空熔煉霧化設(shè)備示意圖中1-加料器，2-加熱線圈，3-真空熔煉室，4-高真空泵，5-加熱電源，6-霧化噴嘴， 7-真空霧化塔，8-高壓氬氣瓶，9-粉末收集器。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1
1)將99.99%的高純鋁粉與99. 99%的高純硼粉經(jīng)過(guò)清洗、干燥以后，按照一定質(zhì)量分?jǐn)?shù)其中硼粉的含量為0. 5% (wt)，其余為鋁，均勻混合后將其裝入坩堝中，通過(guò)氣體霧化法或機(jī)械球磨法制備粒徑1-10 μ m鋁硼合金粉末；
2)將質(zhì)量百分比分別為68-擬％、1-10%、18-觀％、1-5%的鋁硼合金粉末、無(wú)機(jī)玻璃粘結(jié)劑、有機(jī)粘結(jié)劑和添加劑四種物質(zhì)混合，混合后用三輥軋機(jī)輥扎成細(xì)度< 15 μ m，粘度為 25000-35000mPa · s的導(dǎo)電鋁硼漿料；
3)硅片清洗、酸去損傷層、pn結(jié)制作、邊緣刻蝕、氮化硅膜沉積、背表面場(chǎng)和正反電極的印刷與燒結(jié)，其中背表面場(chǎng)的制備方法是，采用本發(fā)明制得的鋁硼漿料與常規(guī)鋁漿(福祿公司AL840導(dǎo)電鋁漿)通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式分別均勻的涂覆在晶體硅電池背表面，烘干后，分別在800°C燒結(jié)，時(shí)間不超過(guò):3min。表1中得出所測(cè)得的太陽(yáng)能電池的各項(xiàng)性能參數(shù)。 表1本發(fā)明鋁硼漿料燒成后電池效率與常規(guī)鋁漿燒成后的效率比較
漿料Voc (mV)Jsc (mA/cm2)FF (%)‘效率(％)摻雜濃度(atoms/cm3)鋁硼漿料(本發(fā)明)61035. 375. 216. 21. 9 X IO19常規(guī)漿料60334. 874. 915. 72. IXlO18
(在表1中，表示Vre在0輸出電流時(shí)測(cè)量的開(kāi)路電壓，Jsc表示電流密度，F(xiàn)F表示填充因子，Eff表示電池光電轉(zhuǎn)換效率) 實(shí)施例2
1)將99.99%的高純鋁粉與99. 99%的高純硼粉經(jīng)過(guò)清洗、干燥以后，按照一定質(zhì)量分?jǐn)?shù)其中硼粉的含量為1% (wt)，其余為鋁，均勻混合后將其裝入坩堝中，通過(guò)氣體霧化法或機(jī)械球磨法制備粒徑1-10 μ m鋁硼合金粉末；
2)將質(zhì)量百分比分別為68-擬％、1-10%、18-觀％、1-5%的鋁硼合金粉末、無(wú)機(jī)玻璃粘結(jié)劑、有機(jī)粘結(jié)劑和添加劑四種物質(zhì)混合，混合后用三輥軋機(jī)輥扎成細(xì)度< 15 μ m，粘度為 25000-35000mPa · s的導(dǎo)電鋁硼漿料；
3)硅片清洗、酸去損傷層、pn結(jié)制作、邊緣刻蝕、氮化硅膜沉積、背場(chǎng)和正反電極的印刷與燒結(jié)，其中背表面場(chǎng)的制備方法是，采用本發(fā)明制得的鋁硼漿料與常規(guī)鋁漿(福祿公司AL840導(dǎo)電鋁漿)通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式分別均勻的涂覆在晶體硅電池背表面，烘干后，分別在800°C燒結(jié)，時(shí)間不超過(guò):3min。表2中得出所測(cè)得的太陽(yáng)能電池的各項(xiàng)性能參數(shù)。表2本發(fā)明鋁硼漿料燒成后電池效率與常規(guī)鋁漿燒成后的效率比較
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池鋁硼漿的制備方法，其特征是(1)采用機(jī)械球磨法或氣體霧化法制備鋁硼合金粉機(jī)械球磨法將99. 99%的高純鋁粉與99. 99%的高純硼粉經(jīng)過(guò)清洗、干燥以后，按照以下質(zhì)量百分?jǐn)?shù)硼粉0. 5%-10%wt,其余為鋁，將其裝入在攪拌式高能球磨機(jī)中球磨，高純氫氣氛保護(hù)，球磨時(shí)間為2-8h，實(shí)現(xiàn)Al-B的機(jī)械球磨合金化，Al-B合金粉末的粒徑控制在 I-IOym ；氣體霧化法采用高真空中頻感應(yīng)熔煉霧化裝置制備Al-B合金粉末，將99. 99%的高純鋁粉與99. 99%的高純硼粉經(jīng)過(guò)清洗、干燥以后，按照以下質(zhì)量百分比硼粉0. 5%-10%wt，其余為鋁，將其裝入坩堝中，在中頻感應(yīng)電爐中加熱熔煉，熔煉過(guò)程中用惰性氣體保護(hù)；鋁硼合金熔融液的霧化在霧化室中進(jìn)行，霧化溫度為800-1200°C，液體金屬由保溫爐中漏嘴流入噴嘴，在霧化塔中純度> 99. 99%的高壓高速氬氣經(jīng)噴嘴沖擊液流，液流被撞擊成霧狀液滴，液滴在降落過(guò)程中冷卻并凝固成粒徑1-10 μ m鋁硼合金粉末；(2)、將質(zhì)量百分比分別為68-82%、1-10%、18-28%,1-5%的鋁硼合金粉末或鋁硼合金粉與鋁粉的混合粉末、無(wú)機(jī)玻璃粘結(jié)劑、有機(jī)粘結(jié)劑和添加劑四種物質(zhì)混合，混合后用三輥軋機(jī)輥扎成細(xì)度彡15 μ m，粘度為25000-35000mPa 的導(dǎo)電鋁硼漿料；當(dāng)采用鋁硼合金粉與鋁粉的混合粉末時(shí)，該混合粉末按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)組成為鋁粉0. 1%_50%，其余為鋁硼合金粉末；鋁粉的平均粒徑為1-10 μ m。
2.根據(jù)權(quán)利1所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池鋁硼漿的制備方法，其特征是所述無(wú)機(jī)玻璃粘結(jié)劑為無(wú)鉛玻璃粉，其各組份的含量按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)如下=Bi2O3的含量為60-70%、 SiO2的含量為10-20%、B2O3的含量為5-7%、ZnO2的含量為10-20%，CaO的含量為0-2%, K2O 的含量為1_2%，V2O5的含量為0. 5-1%、CaF的含量為0. 5-1% ；所述無(wú)機(jī)玻璃粘結(jié)劑的制作方法為按上述質(zhì)量百分?jǐn)?shù)稱量各氧化物后混合均勻，裝入坩堝中，放入高溫爐中，升溫至1100-1300°C，熔煉1-2小時(shí)，將熔化后的玻璃淬火后裝入球磨罐，球磨72個(gè)小時(shí)后，得到粒度5-15 μ m的玻璃粉。
3.根據(jù)權(quán)利1所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池鋁硼漿的制備方法，其特征是所述有機(jī)粘結(jié)劑按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)組成為乙基纖維素2-5%、醋丁纖維素1-6%、松油醇30-似％、二乙二醇丁醚20-40%、乙二醇乙醚10-20%、濕潤(rùn)分散劑0. 2-2%、消泡劑1_3% ；所述的有機(jī)粘結(jié)劑的制備方法為按上述質(zhì)量百分?jǐn)?shù)稱量各組分投入反應(yīng)釜中，在攪拌速度80-120轉(zhuǎn)/分的狀態(tài)下攪拌使得混合物完全溶解得到透明溶液；然后升溫至 80-120°C并恒溫1-3小時(shí)；反應(yīng)釜內(nèi)的上述成分得到均勻混合及充分反應(yīng)，反應(yīng)物冷卻之后用絲網(wǎng)過(guò)濾，即得到硅基太陽(yáng)能電池用有機(jī)粘結(jié)劑。
4.根據(jù)權(quán)利1所述的一種晶體硅太陽(yáng)能電池鋁硼漿的制備方法，其特征是所述添加劑按質(zhì)量百分?jǐn)?shù)組成為流平劑9-10%、潤(rùn)濕劑62-68%、成膜助劑21-27%。
全文摘要
一種晶體硅太陽(yáng)能電池鋁硼漿的制備方法，是采用機(jī)械球磨法或氣體霧化制備鋁硼合金粉末；將質(zhì)量分?jǐn)?shù)為68-82%的鋁硼合金粉末或者鋁硼合金粉與鋁粉的混合粉末、1-10%的無(wú)機(jī)玻璃粘結(jié)劑、18-28%的有機(jī)粘結(jié)劑和1-5%的添加劑混合制成鋁硼漿料。在相同的燒結(jié)條件下，采用本發(fā)明得到的鋁硼漿料制備的晶體硅太陽(yáng)能電池背表面場(chǎng)中的p型摻雜濃度比采用常規(guī)鋁漿制備的背表面場(chǎng)中p型摻雜濃度要高一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，從而可以對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池的背表面有更優(yōu)異的鈍化效果，同時(shí)降低了電池的串聯(lián)電阻，達(dá)到提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的目標(biāo)。
文檔編號(hào)H01B1/22GK102522156SQ20111040002
公開(kāi)日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2011年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月6日
發(fā)明者杜國(guó)平, 陳斌, 陳楠 申請(qǐng)人:南昌大學(xué)