一種mos柵控晶閘管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及一種MOS柵控晶閘管及其制造方法。本發(fā)明將器件陰極改進(jìn)為P型半導(dǎo)體基區(qū)和N型半導(dǎo)體源區(qū)組成的P-N結(jié)兩層結(jié)構(gòu)，相對于常規(guī)MGT陰極P-N-P三層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的陰極P-N結(jié)兩層結(jié)構(gòu)使用兩重擴(kuò)散工藝，制作簡單，兼容于IGBT制造工藝；器件柵下溝道為具有常關(guān)特性的N型溝道，關(guān)斷時不需要額外加負(fù)電壓，降低了系統(tǒng)復(fù)雜性，增加了系統(tǒng)的可靠性。本發(fā)明尤其適用于MOS柵控晶閘管及其制造。
【專利說明】—種時03柵控晶閘管及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及一種103柵控晶閘管及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]功率半導(dǎo)體器件作為開關(guān)器件，可以應(yīng)用于電力電子和功率脈沖領(lǐng)域。103柵控晶閘管，簡稱是功率半導(dǎo)體器件中的一個新興家族，它兼有晶閘管低導(dǎo)通壓降、電壓容量大和103器件的高輸入阻抗及關(guān)斷方便等優(yōu)點，具有大電流密度、低開態(tài)損耗和大開關(guān)速度等優(yōu)良性能，非常適合應(yīng)用在功率脈沖領(lǐng)域。自161問世以來，其相關(guān)產(chǎn)品在功率脈沖領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。然而器件也存在著一些缺點，以典型的結(jié)構(gòu)，103控制晶閘管(103-0)11廿01 1115^1001'，簡稱101)為例:此1為常開型器件，在器件關(guān)斷時需要在柵上提供負(fù)壓，這增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性，也降低了系統(tǒng)可靠性；另外器件的三重擴(kuò)散的制作工藝增加了制作難度，降低了成品率，增加了成本。器件常開特性和復(fù)雜的制造工藝極大的限制了其在脈沖功率領(lǐng)域的商業(yè)化。
[0003]絕緣柵雙極型晶體管(111811131:6(16^1:6 811)0181- 11^118181:01'，簡稱:1681)是廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的器件，這是一種常關(guān)型器件，結(jié)構(gòu)簡單，制造工藝成熟可靠。但是1681存在開關(guān)速度和導(dǎo)通壓降的折中關(guān)系(為了避免過高的開關(guān)損耗限制少子注入)，這就導(dǎo)致了大電流密度下器件具有過高的正向壓降限制了大電流能力。另外叩81在大電流下具有電流飽和能力，限制了其峰值電流的大小。雖然1681制造工藝成熟，但是由于其電流飽和特性使得它在功率脈沖領(lǐng)域應(yīng)用有限。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的，就是針對目前常規(guī)制作工藝復(fù)雜和常開型器件特性導(dǎo)致的系統(tǒng)可靠性下降的問題，提出一種顯3柵控晶閘管及其制造方法。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案:一種103柵控晶閘管，其元胞結(jié)構(gòu)包括由陽極9和位于陽極9頂部的陽極區(qū)5構(gòu)成的陽極結(jié)構(gòu)、位于陽極結(jié)構(gòu)頂部的漂移區(qū)4和分別位于漂移區(qū)4頂部兩側(cè)的柵極結(jié)構(gòu)與陰極結(jié)構(gòu)；柵極結(jié)構(gòu)由位于漂移區(qū)4頂部一側(cè)的柵氧化層6和位于柵氧化層6頂部的柵極7構(gòu)成；其特征在于，所述陰極結(jié)構(gòu)包括具有凸起結(jié)構(gòu)的？型半導(dǎo)體基區(qū)3、~型半導(dǎo)體源區(qū)1和陰極金屬8 ；所述？型半導(dǎo)體基區(qū)3設(shè)置在漂移區(qū)4頂部的另一側(cè)；所述~型半導(dǎo)體源區(qū)1設(shè)置在？型半導(dǎo)體基區(qū)3上，其上表面與陰極金屬8連接；所述？型半導(dǎo)體基區(qū)3的凸起結(jié)構(gòu)穿過~型半導(dǎo)體源區(qū)1與陰極金屬8連接。
[0006]本發(fā)明的主要方案，？型半導(dǎo)體基區(qū)具有穿過~性半導(dǎo)體源區(qū)與陰極金屬連接的凸起結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)與陰極金屬局部接觸形成陰極短路結(jié)構(gòu)，讓器件進(jìn)入晶閘管模式獲得大電流能力和高的電流上升率。
[0007]其中，所述凸起結(jié)構(gòu)與？型半導(dǎo)體基區(qū)3可設(shè)置為相互獨立的；所述凸起結(jié)構(gòu)為？型半導(dǎo)體區(qū)2，其底部與？型半導(dǎo)體基區(qū)3連接。
[0008]本方案所提出的凸起結(jié)構(gòu)為注入的？型半導(dǎo)體與？型半導(dǎo)體基區(qū)連接后形成，可根據(jù)實際需要改變注入劑量和位置，具有較大的靈活性。
[0009]一種103柵控晶閘管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟:
[0010]第一步:采用襯底硅片制作結(jié)終端，形成~型半導(dǎo)體漂移區(qū)4 ；
[0011]第二步:在~型半導(dǎo)體漂移區(qū)4上表面的一端通過熱氧生成柵氧化層6，在柵氧化層6表面淀積多晶硅/柵金屬再刻蝕形成柵極7 ；
[0012]第三步:在~型半導(dǎo)體漂移區(qū)4上表面的另一端注入？型雜質(zhì)并推結(jié)形成？型半導(dǎo)體基區(qū)3 ；
[0013]第四步:在？型半導(dǎo)體基區(qū)3中注入~型雜質(zhì)形成~型半導(dǎo)體源區(qū)1 ；在？型半導(dǎo)體基區(qū)3上制作穿過~型半導(dǎo)體源區(qū)1的？型半導(dǎo)體凸起結(jié)構(gòu)；
[0014]第五步:在器件上表面淀積8？%絕緣介質(zhì)層，刻蝕歐姆接觸孔；
[0015]第六步:在~型半導(dǎo)體源區(qū)1上表面淀積金屬，形成陰極金屬8 ；陰極金屬8的底部與？型半導(dǎo)體基區(qū)3上的凸起結(jié)構(gòu)連接；
[0016]第七步:淀積鈍化層；
[0017]第八步:對~型半導(dǎo)體漂移區(qū)4下表面進(jìn)行減薄、拋光處理，注入？型雜質(zhì)并進(jìn)行離子激活，形成陽極區(qū)5；
[0018]第九步:背金，在陽極區(qū)5底部形成陽極9。
[0019]具體的，第四步中所述在？型半導(dǎo)體基區(qū)3上制作穿過~型半導(dǎo)體源區(qū)1的？型半導(dǎo)體凸起結(jié)構(gòu)的方法為:
[0020]在？型半導(dǎo)體基區(qū)3中注入~型雜質(zhì)形成~型半導(dǎo)體源區(qū)1時采用的掩膜板具有遮蔽區(qū)域，使被遮蔽部分的？型半導(dǎo)體基區(qū)3未被~型雜質(zhì)注入，形成具有凸起結(jié)構(gòu)的？型半導(dǎo)體基區(qū)3。
[0021]本方案提出了將？型半導(dǎo)體基區(qū)制作為具有凸起結(jié)構(gòu)的方法。
[0022]具體的，第四步中所述在？型半導(dǎo)體基區(qū)3上制作穿過~型半導(dǎo)體源區(qū)1的？型半導(dǎo)體凸起結(jié)構(gòu)的方法為:
[0023]在？型半導(dǎo)體基區(qū)3中注入~型雜質(zhì)形成~型半導(dǎo)體源區(qū)1后，繼續(xù)在~型半導(dǎo)體源區(qū)1中注入？型雜質(zhì)形成？型半導(dǎo)體區(qū)2 ；所述？型半導(dǎo)體區(qū)2的底部與？型半導(dǎo)體基區(qū)3連接，形成凸起結(jié)構(gòu)。
[0024]本方案提出了通過注入？型半導(dǎo)體雜質(zhì)與？型半導(dǎo)體基區(qū)連接形成凸起結(jié)構(gòu)的方法。
[0025]本發(fā)明的有益效果為，提供了一種兼容于叩81制造工藝的具有高的峰值電流和電流上升率的常關(guān)型皿)3柵控晶閘管，解決了抓I制造工藝?yán)щy，生產(chǎn)成本過高的問題；改變了常規(guī)常開型器件特性，解決了常開型器件關(guān)斷時提供負(fù)壓導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)雜，可靠性下降的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是常規(guī)元胞結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2是常規(guī)1(^81元胞結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3是本發(fā)明的103柵控晶閘管平面型柵元胞結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4是本發(fā)明的103柵控晶閘管溝槽型柵元胞結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖5是本發(fā)明的另一種顯3柵控晶閘管平面型柵元胞結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖6是本發(fā)明的另一種顯3柵控晶閘管溝槽型柵元胞結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖7是本發(fā)明103柵控晶閘管制作~型半導(dǎo)體源區(qū)1示意圖；
[0033]圖8是本發(fā)明等效電路示意圖；
[0034]圖9是常規(guī)1(^81、常規(guī)此了和本發(fā)明103柵控晶閘管阻斷特性曲線示意圖；
[0035]圖10例103柵控晶閘管開啟前空穴運動矢量圖；
[0036]圖11例103柵控晶閘管開啟后空穴運動矢量圖；
[0037]圖12本發(fā)明103柵控晶閘管(不同電流通路長度下)、常規(guī)1部1及導(dǎo)通特性曲線示意圖；
[0038]圖13測試本例皿)3柵控晶閘管電容放電特性曲線的測試電路圖；
[0039]圖14本例103柵控晶閘管和常規(guī)1(^81電容放電特性曲線示意圖；
[0040]圖15本發(fā)明103柵控晶閘管一種長條形元胞版圖示意圖；
[0041]圖16本發(fā)明103柵控晶閘管一種方形元胞版圖示意圖；
[0042]圖17本發(fā)明103柵控晶閘管一種六角形元胞版圖示意圖；
[0043]圖18沿圖11/12/13剖面線1的剖面示意圖；
[0044]圖19沿圖11/12/13剖面線2的剖面示意圖。

【具體實施方式】
[0045]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述
[0046]本發(fā)明提供的顯3柵控晶閘管，其特點是柵極結(jié)構(gòu)和陽極結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有叩81各種柵極和陽極結(jié)構(gòu)類似，平面型柵結(jié)構(gòu)元胞如圖3和圖5所示，溝槽型柵結(jié)構(gòu)元胞如圖4和圖6所示型基區(qū)3上具有穿過~型半導(dǎo)體源區(qū)1的凸起結(jié)構(gòu)與陰極金屬8局部接觸形成陰極短路結(jié)構(gòu)。常規(guī)％81，如圖2所示，？型基區(qū)3通過區(qū)域10和陰極金屬8全部接觸，在叩81導(dǎo)通時直接抽取漂移區(qū)空穴以抑制寄生晶閘管開啟，保證叩81工作于晶體管模式。本發(fā)明的局部接觸陰極短路結(jié)構(gòu)能讓器件進(jìn)入晶閘管模式獲得大電流能力和高的電流上升率；在制作~型半導(dǎo)體源區(qū)1時，可通過版圖形成穿過~型半導(dǎo)體源區(qū)1的部分？型半導(dǎo)體基區(qū)3，制作過程如圖7所示，不透光區(qū)域下的？型半導(dǎo)體基區(qū)3未被注入~型半導(dǎo)體雜質(zhì)，從而形成穿過~型半導(dǎo)體源區(qū)1的凸起結(jié)構(gòu)，與陰極金屬8連接。
[0047]本發(fā)明提供的103柵控晶閘管，其工作原理如下:
[0048]在圖3中所示的元胞結(jié)構(gòu)中，當(dāng)陽極加正電壓，陰極和柵極接零電位時，漂移區(qū)4和？型基區(qū)3之間的結(jié)反偏，產(chǎn)生的結(jié)反向漏電流流經(jīng)？型基區(qū)3被？型區(qū)域2抽取，并在？型基區(qū)3上產(chǎn)生一個橫向壓降，此結(jié)反向漏電流很小，在？型基區(qū)3上產(chǎn)生的橫向壓降遠(yuǎn)小于奸源區(qū)1和？型基區(qū)3構(gòu)成的結(jié)勢壘電壓，不足以開啟？冊~晶閘管結(jié)構(gòu)。此時器件耐壓效果和常規(guī)叩81相當(dāng)，如圖7所示。
[0049]將圖3中的柵極7加正電位使柵下溝道導(dǎo)通，陰極加零電位，陽極加正壓。此時=+源區(qū)1產(chǎn)生的電子經(jīng)柵下溝道流入漂移區(qū)4為由？型基區(qū)3、漂移區(qū)4和陽極5構(gòu)成的？冊晶體管提供基極驅(qū)動電流，？冊晶體管開啟。此晶體管集電極電流(空穴電流)流經(jīng)？型基區(qū)3而被？型區(qū)域2抽取，如圖8所示。？型基區(qū)3通過？型區(qū)域2與陰極金屬8局部接觸，空穴電流在？型基區(qū)3內(nèi)形成電流通路并產(chǎn)生一個橫向壓降。常規(guī)叩81的？型基區(qū)3通過區(qū)域10與陰極金屬8全部接觸，晶體管空穴電流直接被陰極抽走，在？型基區(qū)3內(nèi)不形成橫向電流通路，晶閘管不能開啟。隨著陽極電壓升高，電流通路上產(chǎn)生的橫向壓降增大，當(dāng)橫向壓降高于=+源區(qū)1和？型基區(qū)3構(gòu)成的結(jié)勢壘電壓時，結(jié)部分被開啟，使得電流急劇增大，？^結(jié)區(qū)域逐漸被開啟，器件進(jìn)入晶閘管模式，獲得大電流能力和高的電流上升率，如圖9所示。不同電流通路長度I對晶閘管開啟電壓影響可由圖10表示。
[0050]本發(fā)明提供的皿)3柵控晶閘管，以圖3所示的平面型柵元胞結(jié)構(gòu)為例，其制造步驟如下:
[0051]第一步:采用襯底硅片制作結(jié)終端，形成~型半導(dǎo)體漂移區(qū)4 ；
[0052]第二步:在~型半導(dǎo)體漂移區(qū)4上表面的一端通過熱氧生成柵氧化層6，在柵氧化層6表面淀積多晶硅/柵金屬再刻蝕形成柵極7 ；
[0053]第三步:在~型半導(dǎo)體漂移區(qū)4上表面的另一端注入？型雜質(zhì)并推結(jié)形成？型半導(dǎo)體基區(qū)3 ；
[0054]第四步:在？型半導(dǎo)體基區(qū)3中注入~型雜質(zhì)形成~型半導(dǎo)體源區(qū)1，在注入~型雜質(zhì)時在？型基區(qū)3上光刻有遮蔽區(qū)域，遮蔽區(qū)域的？型基區(qū)3未被注入~型雜質(zhì)，在形成~型半導(dǎo)體源區(qū)1的同時使？型半導(dǎo)體基區(qū)形成凸起結(jié)構(gòu)；
[0055]第五步:在器件上表面淀積8？%絕緣介質(zhì)層，刻蝕歐姆接觸孔；
[0056]第六步:在~型半導(dǎo)體源區(qū)1上表面淀積金屬，形成陰極金屬8 ；？型半導(dǎo)體區(qū)域2的頂部與陰極金屬8的底部連接；
[0057]第七步:淀積鈍化層；
[0058]第八步:對~型半導(dǎo)體漂移區(qū)4下表面進(jìn)行減薄、拋光處理，注入？型雜質(zhì)并進(jìn)行離子激活，形成陽極區(qū)5；
[0059]第九步:背金，在陽極區(qū)5底部形成陽極9。
[0060]值得說明的是，當(dāng)制作如圖5所示的注入？型雜質(zhì)在？型半導(dǎo)體基區(qū)上形成凸起結(jié)構(gòu)的平面型元胞結(jié)構(gòu)器件時，上述制造步驟第四步中在？型基區(qū)整個表面注入~型雜質(zhì)形成~型半導(dǎo)體源區(qū)1，然后在~型半導(dǎo)體源區(qū)1中注入？型雜質(zhì)形成？型半導(dǎo)體區(qū)2，？型半導(dǎo)體區(qū)2與？型基區(qū)連接，從而使？型基區(qū)形成凸起結(jié)構(gòu)。
[0061]以耐壓140(^的此了和本例103柵控晶閘管進(jìn)行仿真比較，表現(xiàn)出本發(fā)明相對于廣泛使用于功率脈沖領(lǐng)域的常規(guī)此!'器件的性能改進(jìn)。如圖7所示，在柵壓等于07時，本例常關(guān)型103柵晶閘管具有15007以上的耐壓。而常規(guī)在柵壓等于時，只有0.^左右的耐壓。只有當(dāng)在柵上加-107的電壓時，常規(guī)才與本例常關(guān)型103柵控晶閘管的阻斷特性相當(dāng)，如圖7所示。而在開啟器件時，如圖10所示，本例103柵控晶閘管在陽極電壓逐漸增加的過程中有一段負(fù)阻區(qū)，這是由于？型基區(qū)3和奸源區(qū)1構(gòu)成的結(jié)逐漸開啟導(dǎo)致的，而常規(guī)無此效應(yīng)。本發(fā)明常開型皿)3柵晶閘管在通過負(fù)阻區(qū)后與常規(guī)此丁有著相似的導(dǎo)通特性。
[0062]以耐壓14007的常規(guī)和本發(fā)明的103柵控晶閘管為例進(jìn)行仿真比較，展現(xiàn)本發(fā)明相對于常規(guī)1681在功率脈沖領(lǐng)域的性能優(yōu)勢。本發(fā)明常關(guān)型103柵控晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下處于晶閘管模式，其峰值電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于常規(guī)1681。測試電路圖如圖11所示，電源電壓為10007，電容為0.2 ^ 電感[為5沾，柵電阻取為4.7 0。在器件有源區(qū)面積為1挪2時，可以看到，本發(fā)明常關(guān)型皿)3柵控晶閘管的峰值電流為4500八，電流上升率為1.1X1054/^8。常規(guī)1詘1其峰值電流只有300八上下，電流上升率為2.1X1034/0 8?？梢钥吹奖景l(fā)明皿)3柵控晶閘管峰值電流為常規(guī)的十幾倍，電流上升率為常規(guī)1(?丁的幾十倍，如圖12所示。大的峰值電流以及高的電流上升率(((11)/(10都能更好地滿足脈沖功率應(yīng)用領(lǐng)域的需求。
[0063]本發(fā)明103柵控晶閘管元胞版圖示意圖如圖13、圖4和圖15所示，其中圖13為長條形元胞版圖，圖14為正方形元胞版圖，圖15為六角形元胞版圖。圖16為按圖13/14/15剖面線1的剖面示意圖，圖17為按圖13/14/15剖面線2的剖面示意圖。其中，？~^11邊界是指考慮橫向擴(kuò)散以后的實際邊界，？~1611窗口則與11+窗口相同。
【權(quán)利要求】
1.一種MOS柵控晶閘管，其元胞結(jié)構(gòu)包括由陽極(9)和位于陽極(9)頂部的陽極區(qū)(5)構(gòu)成的陽極結(jié)構(gòu)、位于陽極結(jié)構(gòu)頂部的漂移區(qū)⑷和分別位于漂移區(qū)⑷頂部兩側(cè)的柵極結(jié)構(gòu)與陰極結(jié)構(gòu)；柵極結(jié)構(gòu)由位于漂移區(qū)(4)頂部一側(cè)的柵氧化層(6)和位于柵氧化層(6)頂部的柵極(7)構(gòu)成；其特征在于，所述陰極結(jié)構(gòu)包括N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)、陰極金屬(8)和具有凸起結(jié)構(gòu)的P型半導(dǎo)體基區(qū)(3);所述P型半導(dǎo)體基區(qū)(3)設(shè)置在漂移區(qū)(4)頂部的另一側(cè)；所述N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)設(shè)置在P型半導(dǎo)體基區(qū)(3)上，其上表面與陰極金屬(8)連接；所述P型半導(dǎo)體基區(qū)(3)的凸起結(jié)構(gòu)穿過N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)與陰極金屬(8)連接。
2.—種MOS柵控晶閘管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 第一步:采用襯底硅片制作結(jié)終端，形成N型半導(dǎo)體漂移區(qū)(4)； 第二步:在N型半導(dǎo)體漂移區(qū)(4)上表面的一端通過熱氧生成柵氧化層￠)，在柵氧化層(6)表面淀積多晶硅/柵金屬再刻蝕形成柵極(7)； 第三步:在N型半導(dǎo)體漂移區(qū)(4)上表面的另一端注入P型雜質(zhì)并推結(jié)形成P型半導(dǎo)體基區(qū)(3); 第四步:在P型半導(dǎo)體基區(qū)(3)中注入N型雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體源區(qū)(I);在？型半導(dǎo)體基區(qū)(3)上制作穿過N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)的P型半導(dǎo)體凸起結(jié)構(gòu)； 第五步:在器件上表面淀積BPSG絕緣介質(zhì)層，刻蝕歐姆接觸孔； 第六步:在N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)上表面淀積金屬，形成陰極金屬(8);陰極金屬(8)的底部與N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)和凸起結(jié)構(gòu)連接； 第七步:淀積鈍化層； 第八步:對N型半導(dǎo)體漂移區(qū)(4)下表面進(jìn)行減薄、拋光處理，注入P型雜質(zhì)并進(jìn)行離子激活，形成陽極區(qū)(5)； 第九步:背金，在陽極區(qū)(5)底部形成陽極(9)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種MOS柵控晶閘管的制造方法，其特征在于，第四步中所述在P型半導(dǎo)體基區(qū)(3)上制作穿過N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)的P型半導(dǎo)體凸起結(jié)構(gòu)的方法為: 在P型半導(dǎo)體基區(qū)(3)中注入N型雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)時采用的掩膜板具有遮蔽區(qū)域，所述遮蔽區(qū)域遮蔽的P型半導(dǎo)體基區(qū)(3)部分未被N型雜質(zhì)注入，形成穿過N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)的凸起結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種MOS柵控晶閘管的制造方法，其特征在于，第四步中所述在P型半導(dǎo)體基區(qū)(3)上制作穿過N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)的P型半導(dǎo)體凸起結(jié)構(gòu)的方法為: 在P型半導(dǎo)體基區(qū)(3)中注入N型雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)后，繼續(xù)在N型半導(dǎo)體源區(qū)(I)中注入P型雜質(zhì)形成P型半導(dǎo)體區(qū)(2);所述P型半導(dǎo)體區(qū)(2)的底部與P型半導(dǎo)體基區(qū)(3)連接，形成凸起結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L29/423GK104393034SQ201410685885
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月25日
【發(fā)明者】陳萬軍, 劉超, 古云飛, 程武, 李震洋, 肖琨, 楊騁, 張波 申請人:電子科技大學(xué)