技術(shù)編號(hào):7063560
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù),特別涉及一種MOS柵控晶閘管及其制造方法。本發(fā)明將器件陰極改進(jìn)為P型半導(dǎo)體基區(qū)和N型半導(dǎo)體源區(qū)組成的P-N結(jié)兩層結(jié)構(gòu),相對(duì)于常規(guī)MGT陰極P-N-P三層結(jié)構(gòu),本發(fā)明的陰極P-N結(jié)兩層結(jié)構(gòu)使用兩重?cái)U(kuò)散工藝,制作簡(jiǎn)單,兼容于IGBT制造工藝;器件柵下溝道為具有常關(guān)特性的N型溝道,關(guān)斷時(shí)不需要額外加負(fù)電壓,降低了系統(tǒng)復(fù)雜性,增加了系統(tǒng)的可靠性。本發(fā)明尤其適用于MOS柵控晶閘管及其制造。專利說(shuō)明—種時(shí)03柵控晶閘管及其制造方法 [000...
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