一種led電極結(jié)構(gòu)及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的第一目的在于提供一種LED電極結(jié)構(gòu)，由GaN層的表層向外依次包括第一Ni層、Al層、Cr層、第二Ni層以及Au層，第一Ni層上開(kāi)設(shè)有通孔。Al層緊挨第一Ni層設(shè)計(jì)，能將傳輸?shù)絇、N電極的光反射回芯片內(nèi)部，被反射回的光從芯片內(nèi)部再射出來(lái)，從而提高了LED芯片的外量子效率；Cr不但能夠起到黏附作用，還能夠防止Al金屬原子向電極上面Ni層和Au層擴(kuò)散，提高電極的穩(wěn)定性；通孔的設(shè)計(jì)能夠減少第一Ni層對(duì)光的吸收，最大化提高發(fā)光效率，又能夠保證Al層與GaN表面的良好接觸。本發(fā)明的第二目的在于提供一種LED電極結(jié)構(gòu)的制作方法，制作方法精簡(jiǎn)，適合大批量生產(chǎn)，且膜層之間粘附性很好，整個(gè)電極穩(wěn)定性好。
【專利說(shuō)明】一種LED電極結(jié)構(gòu)及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及光電子器件領(lǐng)域，特別地，涉及一種LED電極結(jié)構(gòu)及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002] LED是一種固體光源，它是利用半導(dǎo)體P-N結(jié)制成的發(fā)光器件。在正向?qū)〞r(shí)，半 導(dǎo)體中的少數(shù)載流子和多數(shù)載流子復(fù)合，釋放出的能量以光子或部分以光子的形式發(fā)射出 來(lái)。半導(dǎo)體LED照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長(zhǎng)、等顯著優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于路燈、 顯示屏、室內(nèi)照明、汽車燈等各個(gè)領(lǐng)域。如何提高發(fā)光效率是LED需要解決的主要問(wèn)題。
[0003]目前傳統(tǒng)的P、N電極一般采用Ni/Au結(jié)構(gòu)或者Cr/Pt/Au結(jié)構(gòu)，這兩種金屬電極結(jié) 構(gòu)的穩(wěn)定性較好，但是從芯片內(nèi)部發(fā)光區(qū)發(fā)出的光有很大一部分會(huì)被電極吸收，從而降低 了LED的發(fā)光效率。也有采用金屬Ag或者A1作為電極的反射層，Ag的反射率較高，并且 可以直接沉積在p-GaN形成很好的歐姆接觸，但是其粘附性較差，且Ag的電化學(xué)特性不穩(wěn) 定，對(duì)制備過(guò)程比較敏感，在空氣中易氧化，遇高溫會(huì)產(chǎn)生凝聚現(xiàn)象。A1可以在n-GaN上形 成粘附性強(qiáng)并且穩(wěn)定的歐姆接觸，但是A1不能在p-GaN上形成良好的歐姆接觸。為了解決 歐姆接觸和粘附性問(wèn)題，通常在AL與GaN之間設(shè)計(jì)了一層薄膜，但是薄膜會(huì)對(duì)光產(chǎn)生吸收， 從而影響了LED的發(fā)光效率。
[0004] 申請(qǐng)?zhí)枮?00410058035. 7的專利《適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鎳/金歐姆 接觸系統(tǒng)》公開(kāi)了一種鋁/鈦/鋁/鎳/金電極，在該電極結(jié)構(gòu)中A1層直接與GaN表面接 觸，雖然可以保證LED的發(fā)光效率，但是存在兩個(gè)問(wèn)題：一是整個(gè)電極與GaN的粘附性會(huì)很 差，在后續(xù)的焊線、打線過(guò)程中，電極容易脫落；二是電壓會(huì)升高。
[0005] 由此，開(kāi)發(fā)一種對(duì)光吸收較小、電極與GaN層粘附性好、電壓低以及能提高LED發(fā) 光效率等效果的電極結(jié)構(gòu)具有重大意義。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的第一目的在于提供一種電極與GaN層粘附性好、能提高LED發(fā)光效率的 LED電極結(jié)構(gòu)，具體技術(shù)方案如下：
[0007] -種LED電極結(jié)構(gòu)，由GaN層的表層向外依次包括第一Ni層、A1層、Cr層、第二 Ni層以及Au層；
[0008] 所述第一Ni層沿LED電極的中心軸線方向上開(kāi)設(shè)有通孔。
[0009] 以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，在垂直于所述LED電極的中心軸線的平面上，所述通孔 的橫截面為圓形、三角形、橢圓形或者四邊形。
[0010] 以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，所述通孔的直徑為3?4微米，相鄰兩個(gè)所述通孔的中心 軸線之間的水平距離為4?5微米。
[0011] 以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，所述通孔的數(shù)量為37個(gè)，以所述LED電極的中心軸線為 中心由內(nèi)到外分第一排、第二排、第三排以及第四排均勻排列，所述第一排的數(shù)量為1個(gè)， 所述第二排的數(shù)量為6個(gè)，所述第三排的數(shù)量為12個(gè)，所述第四排的數(shù)量為18個(gè)。
[0012] 以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，所述第一Ni層的厚度為5?10埃；所述A1層的厚度為 1300?1600埃；所述Cr層的厚度為450?550埃；所述第二Ni層的厚度為150?300埃； 所述Au層的厚度為10000?12000埃。
[0013] 應(yīng)用本發(fā)明的LED電極結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果：
[0014] (1)本發(fā)明LED電極結(jié)構(gòu)由GaN層的表層向外依次包括第一Ni層、A1層、Cr層、第 二Ni層以及Au層，A1層緊挨第一Ni層設(shè)計(jì)，能將傳輸?shù)絇、N電極的光反射回芯片內(nèi)部， 被反射回的光從芯片內(nèi)部再射出來(lái)，從而提高了LED芯片的外量子效率；Cr不但能夠起到 黏附作用，還能夠防止A1金屬原子向電極上面Ni層和Au層擴(kuò)散，從而提高了電極的穩(wěn)定 性；所述第一Ni層沿LED電極的中心軸線方向上開(kāi)設(shè)有通孔，通孔的設(shè)計(jì)能夠減少第一Ni 層對(duì)光的吸收，最大化提高發(fā)光效率，又能夠保證A1層與GaN表面的良好接觸。
[0015] (2)本發(fā)明中在垂直于所述中心軸線的平面上，所述通孔的橫截面為圓形、三角 形、橢圓形或者四邊形，根據(jù)不同的需求設(shè)計(jì)不同形狀的通孔，從而獲得不同亮度和電壓的 LED電極，實(shí)用性強(qiáng)。
[0016] (3)本發(fā)明中所述通孔的直徑為3?4微米，相鄰兩個(gè)所述通孔的中心軸線之間的 水平距離為4?5微米，最好是：所述通孔的數(shù)量為37個(gè)，以所述LED電極的中心軸線為中 心由內(nèi)到外分第一排、第二排、第三排以及第四排均勻排列，所述第一排的數(shù)量為1個(gè)，所 述第二排的數(shù)量為6個(gè)，所述第三排的數(shù)量為12個(gè)，所述第四排的數(shù)量為18個(gè)，使得LED 的亮度達(dá)到228mw，電壓為3. 20V，即具有高亮度和低電壓，實(shí)用性強(qiáng)。
[0017] (4)本發(fā)明中第一Ni層的厚度為5?10埃，A1層的厚度為1300?1600 ±矣，Cr層 的厚度為450?550埃，第二Ni層的厚度為150?300埃，Au層的厚度為10000?12000 埃，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，且第一Ni層的厚度僅有幾個(gè)埃，幾乎不會(huì)對(duì)芯片內(nèi)部發(fā)出的光產(chǎn)生吸 收，降低整體電極對(duì)光的吸收率，既能保證高亮度又能保證電極與GaN有好的粘附力和低 電壓；鋁層（A1層）的厚度能保證LED高的發(fā)光效率又能確保電極在打線時(shí)的穩(wěn)定性；鉻層 (Cr層）的厚度能防止鋁的擴(kuò)散和球聚又能起到好的黏附作用；第二鎳層（第二Ni層）的 厚度可以很好地防止鉻層（Cr層）向金層（Au層）擴(kuò)散同時(shí)使整個(gè)電極的電阻最??；金層 (Au層）的厚度可以保證正常焊線和低的成本。
[0018] 本發(fā)明的第二目的在于提供一種上述LED電極的制作方法，包括以下步驟：
[0019] 步驟一：制作電極圖形，通過(guò)DNR-L300-D1負(fù)性光刻膠做出電極圖形；
[0020] 步驟二：蒸鍍電極，采用電子束蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)進(jìn)行蒸鍍電極，具體為：在電子束 蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)的腔體內(nèi)先鍍上第一Ni層，完成后利用光刻做出所需要通孔，然后再用化 學(xué)溶液腐蝕掉不必要的第一Ni層，接著去光阻；再用真空鍍膜機(jī)依次蒸鍍A1層、Cr層、第 二Ni層以及Au層；其中，所述第一Ni層的鍍膜速率為0. 1?0.6埃/秒，功率為其輸出功 率的0. 16?0. 19倍；所述A1層的鍍膜速率為4. 5?6. 5埃/秒，功率為0. 30?0. 45倍； 所述Cr層的鍍膜速率為0. 9?1. 1埃/秒，功率為其輸出功率的0. 035?0. 045倍；所述 第二Ni層的鍍膜速率為0. 9?1. 2埃/秒，功率為其輸出功率的0. 16?0. 19倍；所述Au 層的鍍膜速率為9. 9?10. 1埃/秒，功率為其輸出功率的0. 23?0. 28倍；
[0021] 步驟三：剝離與去膠，采用藍(lán)膜對(duì)金屬進(jìn)行剝離，待金屬剝離干凈后再將電極放入 去膠劑中進(jìn)行超聲浸泡；
[0022] 步驟四：退火，在空氣以及溫度為450?500攝氏度的氛圍中對(duì)電極進(jìn)行退火處 理。
[0023] 以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，所述步驟一中的制作電極圖形的過(guò)程具體為：依次包括 勻膠、軟烤、曝光、硬烤、顯影以及甩干過(guò)程，所述勻膠過(guò)程具體為：控制光刻膠的厚度為 2. 8微米?2. 9微米；所述軟烤過(guò)程具體為：采用熱板進(jìn)行軟烤，軟烤的溫度為100?105 攝氏度，軟烤的時(shí)間90秒?120秒；所述曝光過(guò)程中曝光能量為80?90mj/cm2 ;所述硬烤 過(guò)程具體為：采用熱板進(jìn)行硬烤，硬烤的溫度為108?112攝氏度，硬烤的時(shí)間為60秒? 90秒；所述顯影過(guò)程具體為：把裝好芯片的卡塞放入盛有正膠顯影液的燒杯中；順時(shí)針轉(zhuǎn) 動(dòng)三圈再逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)三圈，再上下抖動(dòng)三次，靜置15秒；循環(huán)重復(fù)以上轉(zhuǎn)動(dòng)、抖動(dòng)以及靜置 過(guò)程，顯影的時(shí)間為70秒?90秒；所述甩干過(guò)程為先將芯片沖水5分鐘再放入甩干機(jī)中進(jìn) 行甩干。
[0024]以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，所述第二步中電子束蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)的腔體壓力保持為 1. OXl(T6T〇rr，溫度保持為0攝氏度；所述步驟二中的化學(xué)溶液為硝酸、硫酸和水的混合溶 液，其中，硝酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35%?40%，硫酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為42%?46%，腐蝕時(shí)混合溶液 的溫度為55?60攝氏度；所述步驟三中的去膠劑包括質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99. 5?99. 8%的N-甲 基吡咯烷酮以及質(zhì)量分?jǐn)?shù)為〇. 2?0. 5%的水；所述步驟四中空氣的氣流量為5?7升/分 鐘，退火的時(shí)間為8?11分鐘。
[0025] 為了達(dá)到更好的技術(shù)效果，所述步驟一與所述步驟二之間還包括芯片去膠處理， 具體為用等離子去膠機(jī)對(duì)芯片進(jìn)行去膠處理，所述芯片去膠處理過(guò)程中氧氣的流量為20 暈升/分鐘，射頻的時(shí)間為60秒。
[0026] 使用本發(fā)明的制作方法，具有以下技術(shù)效果：
[0027] (1)采用DNR-L300-D1負(fù)性光刻膠，剝離后電極側(cè)壁幾乎不會(huì)存在殘膠，大大提高 后續(xù)的鍍膜的效率；采用電子束真空蒸發(fā)的鍍膜方式蒸鍍電極，該鍍膜方法膜層質(zhì)量好，且 鍍膜速率快、效率高，適合大批量生產(chǎn)；采用高溫450?500攝氏度進(jìn)行退火，退火過(guò)程中可 以形成AlxNiy等金屬合金，界面處產(chǎn)生的N空位形成的重?fù)诫s區(qū)，使得隧穿電流成為電流輸 運(yùn)中主要機(jī)制，有利于提高歐姆接觸的熱穩(wěn)定性和可靠性，且退火后的比接觸電阻率可達(dá) 2. 4X10 5Q?cm2。
[0028] (2)本發(fā)明中DNR-L300-D1負(fù)性光刻膠的工藝以及工藝參數(shù)容易控制，適合批量 生產(chǎn)；采用的顯影方式具有如下兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)：a、成本低且效率高，采用自動(dòng)設(shè)備的成本是本 發(fā)明顯影方式成本的四到五倍，目前的自動(dòng)顯影設(shè)備一次只能顯影3片，而本發(fā)明的顯影 方式一次性可以顯影一卡塞，即25片；b、本發(fā)明顯影方式顯影更充分，自動(dòng)設(shè)備緩慢旋轉(zhuǎn) (轉(zhuǎn)速一般為10?20轉(zhuǎn)/分鐘）的顯影方式容易出現(xiàn)顯影不干凈的問(wèn)題，而本發(fā)明通過(guò)循 環(huán)重復(fù)以上轉(zhuǎn)動(dòng)、抖動(dòng)方式和靜置動(dòng)作，使得顯影足夠充分。
[0029] (3)本發(fā)明中步驟二中的化學(xué)溶液為硝酸、硫酸和水的混合溶液，其中，硝酸的質(zhì) 量分?jǐn)?shù)為35%?40%，硫酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為42%?46%，腐蝕時(shí)混合溶液的溫度為55?60 攝氏度，其化學(xué)反應(yīng)式為：2Ni+2H2S04+2HN03 = 2NiS04+N02+N0+3H20,腐蝕效率高且質(zhì)量符合 要求；去膠劑包括質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99. 5?99. 8%的N-甲基吡咯烷酮以及質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0. 2? 0. 5%的水，其pH值控制在6. 5?7. 5,不會(huì)與電極中的A1層發(fā)生反應(yīng)，提高電極的穩(wěn)定性， 同時(shí)，此去膠劑的價(jià)格低于一般的去膠劑，節(jié)約成本；退火過(guò)程中空氣的氣流量以及退火的 時(shí)間的合理控制，使得AlxNiy等金屬合金形成更充分,進(jìn)一步提高歐姆接觸的熱穩(wěn)定性和 可靠性。
[0030] (4)本發(fā)明中制作電極圖形與蒸鍍電極之間還包括芯片去膠處理過(guò)程，能夠去除 DNR-L300-D1負(fù)性光刻時(shí)殘留下來(lái)的負(fù)膠底膜，能夠提高P電極與透明導(dǎo)電層以及N電極與GaN層的粘附性而降低電極脫落的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)對(duì)降低芯片的電壓有很好的效果。
[0031] 除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。 下面將參照?qǐng)D，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0032] 構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí) 施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：
[0033] 圖1是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例1的LED電極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034] 圖2是圖1中第一Ni層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035] 00-GaN層，01-第一排，02-第二排，03-第三排，04-第四排，11-第一Ni層，111-通 孑L，12_A1 層，13_Cr層，14_ 弟_Ni層，15_Au層。

【具體實(shí)施方式】
[0036] 以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是本發(fā)明可以根據(jù)權(quán)利要求限 定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。
[0037] 實(shí)施例1:
[0038] 一種LED電極結(jié)構(gòu)，詳見(jiàn)圖1，包括第一Ni層11、A1層12、Cr層13、第二Ni層14 以及Au層15,所述第一Ni層11鍍?cè)诎╪-GaN或/和p-GaN的GaN層00的表層上，所述 A1層12鍍?cè)谒龅谝籒i層11上，所述Cr層13鍍?cè)谒鯝1層12上，所述第二Ni層14 度在所述Cr層13上，所述Au層15位于最外層，且鍍?cè)谒龅诙﨨i層14上。
[0039] 所述第一Ni層11沿LED電極的中心軸線L方向上開(kāi)設(shè)有通孔111 ;在垂直于所 述LED電極的中心軸線L的平面上，所述通孔111的橫截面為圓形；所述通孔111的數(shù)量為 37個(gè)，以所述LED電極的中心軸線L為中心由內(nèi)到外分第一排01、第二排02、第三排03以 及第四排04均勻排列，所述第一排的數(shù)量為1個(gè)，所述第二排的數(shù)量為6個(gè)，所述第三排的 數(shù)量為12個(gè)，所述第四排的數(shù)量為18個(gè)，詳見(jiàn)圖2。
[0040] 除此之外，通孔111的橫截面還可以做成三角形、橢圓形或者四邊形等常規(guī)形狀， 本發(fā)明LED電極結(jié)構(gòu)中其通孔的橫截面做成常見(jiàn)的幾種形狀（圓形、三角形、橢圓形以及四 邊形）與現(xiàn)有技術(shù)的LED(其電極的結(jié)構(gòu)如【背景技術(shù)】部分所述，且其上未設(shè)通孔）的亮度及 電壓的比較詳見(jiàn)表1 :
[0041] 表1本發(fā)明LED(通孔的橫截面分別為圓形、三角形、橢圓形以及四邊形）與現(xiàn)有 LED的亮度以及電壓的比較

【權(quán)利要求】
1. 一種LED電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：由GaN層的表層向外依次包括第一 Ni層（11)、A1 層（12)、Cr 層（13)、弟_ Ni 層（14)以及 Au 層（15); 所述第一 Ni層（11)沿LED電極的中心軸線（L)方向上開(kāi)設(shè)有通孔（111)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：在垂直于所述LED電極的中心 軸線（L)的平面上，所述通孔（111)的橫截面為圓形、三角形、橢圓形或者四邊形。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述通孔（111)的直徑為3?4 微米，相鄰兩個(gè)所述通孔（111)的中心軸線（L1)之間的水平距離為4?5微米。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述通孔（111)的數(shù)量為37個(gè)， 以所述LED電極的中心軸線（L)為中心由內(nèi)到外分第一排、第二排、第三排以及第四排均勻 排列，所述第一排的數(shù)量為1個(gè)，所述第二排的數(shù)量為6個(gè)，所述第三排的數(shù)量為12個(gè)，所 述第四排的數(shù)量為18個(gè)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED電極結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一 Ni層（11)的厚度為 5?10埃；所述A1層（12)的厚度為1300?1600埃；所述Cr層（13)的厚度為450?550 埃；所述第二Ni層（14)的厚度為150?300埃；所述Au層（15)的厚度為10000?12000 埃。
6. -種如權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的LED電極結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：包括 以下步驟： 步驟一：制作電極圖形，通過(guò)DNR-L300-D 1負(fù)性光刻膠做出電極圖形； 步驟二：蒸鍍電極，采用電子束蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)進(jìn)行蒸鍍電極，具體為：在電子束蒸發(fā) 真空鍍膜機(jī)的腔體內(nèi)先鍍上第一 Ni層（11)，完成后利用光刻做出所需要通孔（111)，然后 再用化學(xué)溶液腐蝕掉不必要的第一 Ni層（11)，接著去光阻；再用真空鍍膜機(jī)依次蒸鍍A1 層（12)、Cr層（13)、第二Ni層（14)以及Au層（15);其中，所述第一 Ni層（11)的鍍膜速 率為0. 1?0.6埃/秒，功率為其輸出功率的0. 16?0. 19倍；所述A1層（12)的鍍膜速率 為4. 5?6. 5埃/秒，功率為0. 30?0. 45倍；所述Cr層（13)的鍍膜速率為0. 9?1. 1埃 /秒，功率為其輸出功率的0. 035?0. 045倍；所述第二Ni層（14)的鍍膜速率為0. 9?1. 2 埃/秒，功率為其輸出功率的〇. 16?0. 19倍；所述Au層（15)的鍍膜速率為9. 9?10. 1 埃/秒，功率為其輸出功率的〇. 23?0. 28倍； 步驟三：剝離與去膠，采用藍(lán)膜對(duì)金屬進(jìn)行剝離，待金屬剝離干凈后再將電極放入去膠 劑中進(jìn)行超聲浸泡； 步驟四：退火，在空氣以及溫度為450?500攝氏度的氛圍中對(duì)電極進(jìn)行退火處理。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED電極結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟一中的制 作電極圖形的過(guò)程具體為：依次包括勻膠、軟烤、曝光、硬烤、顯影以及甩干過(guò)程，所述勻膠 過(guò)程具體為：控制光刻膠的厚度為2. 8微米?2. 9微米；所述軟烤過(guò)程具體為：采用熱板進(jìn) 行軟烤，軟烤的溫度為100?105攝氏度，軟烤的時(shí)間90秒?120秒；所述曝光過(guò)程中曝光 能量為80?90mj/cm2 ;所述硬烤過(guò)程具體為：采用熱板進(jìn)行硬烤，硬烤的溫度為108?112 攝氏度，硬烤的時(shí)間為60秒?90秒；所述顯影過(guò)程具體為：把裝好芯片的卡塞放入盛有正 膠顯影液的燒杯中；順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)三圈再逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)三圈，再上下抖動(dòng)三次，靜置15秒；循環(huán) 重復(fù)以上轉(zhuǎn)動(dòng)、抖動(dòng)以及靜置過(guò)程，顯影的時(shí)間為70秒?90秒；所述甩干過(guò)程為先將芯片 沖水5分鐘再放入甩干機(jī)中進(jìn)行甩干。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED電極結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述第二步中電子 束蒸發(fā)真空鍍膜機(jī)的腔體壓力保持為1. OX l(T6T〇rr，溫度保持為0攝氏度；所述步驟二中 的化學(xué)溶液為硝酸、硫酸和水的混合溶液，其中，硝酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35%?40%，硫酸的質(zhì) 量分?jǐn)?shù)為42%?46%，腐蝕時(shí)混合溶液的溫度為55?60攝氏度；所述步驟三中的去膠劑 包括質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99. 5?99. 8 %的N-甲基吡咯烷酮以及質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0. 2?0. 5 %的水；所 述步驟四中空氣的氣流量為5?7升/分鐘，退火的時(shí)間為8?11分鐘。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED電極結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述步驟一與所述 步驟二之間還包括芯片去膠處理，具體為用等離子去膠機(jī)對(duì)芯片進(jìn)行去膠處理，所述芯片 去膠處理過(guò)程中氧氣的流量為20毫升/分鐘，射頻的時(shí)間為60秒。
【文檔編號(hào)】H01L33/40GK104362239SQ201410663429
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2014年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月19日
【發(fā)明者】徐平, 王遠(yuǎn)紅, 談健, 夏晟 申請(qǐng)人:湘能華磊光電股份有限公司