半導(dǎo)體器件制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件制造方法，將硅片深阱注入層版圖與零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記版圖集成在同一塊光罩上，干法刻蝕后同時(shí)形成深阱注入?yún)^(qū)和零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，然后進(jìn)行深阱離子注入，完成摻雜工藝，再去除光刻膠，后繼進(jìn)行深阱推進(jìn)。對(duì)于沒有深阱注入層，但有先于有源區(qū)形成的N阱(或P阱)層的，可以集成零層刻蝕和N阱(或P阱)層注入工藝，零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和N阱(或P阱)注入摻雜同時(shí)完成。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法，將形成有源區(qū)之前的兩次光刻合并為一次，消減了流程，節(jié)省了一道光刻及去膠工藝成本。
【專利說明】半導(dǎo)體器件制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及一種半導(dǎo)體器件制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于高壓器件或者具有多阱工程的半導(dǎo)體制造工藝，深阱或阱工程需要在有源區(qū)形成前完成。
[0003]深阱、阱工程及有源區(qū)的圖形套準(zhǔn)均通過零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)進(jìn)行，零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)在第一道光刻和刻蝕形成。
[0004]通常的半導(dǎo)體器件制造工藝流程，包括以下步驟:
[0005](I).零層氧化，在硅襯底上形成氧化層，如圖1所示；
[0006](2).零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記光刻，如圖2所示；
[0007](3).零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記刻蝕，形成零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)，如圖3所示；
[0008]⑷.零層去膠，如圖4所示；
[0009](5).深阱光刻(套準(zhǔn)零層)，如圖5所示；
[0010](6).深阱離子注入，如圖6所示；
[0011](7).深阱去膠，如圖7所示；
[0012](8).深阱推進(jìn)，如圖8所示；
[0013](9).N/P阱光刻(套準(zhǔn)零層)，N/P阱離子注入，去膠，推進(jìn)；
[0014](10).去除氧化層，襯墊(pad)氧化，氮化硅生長(zhǎng)；
[0015](11).有源區(qū)光刻(套準(zhǔn)零層)，刻蝕，去膠。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供半導(dǎo)體器件制造方法，能減少形成有源區(qū)之前的光刻次數(shù)，消減流程，節(jié)省光刻及去膠工藝成本。
[0017]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括以下步驟:
[0018]一.零層氧化，在硅襯底上形成氧化層；
[0019]二.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱光刻；
[0020]三.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱刻蝕，形成零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及深阱注入?yún)^(qū)；
[0021]四.深阱離子注入；
[0022]五.去除光刻膠；
[0023]六.深阱推進(jìn)；
[0024]七.進(jìn)行后續(xù)工藝。
[0025]較佳的，所述零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱刻蝕，采用干法刻蝕。
[0026]較佳的，零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱刻蝕的刻蝕深度，為500到1000埃。
[0027]較佳的，所述后續(xù)工藝，包括以下步驟:
[0028]7.1 N/P阱光刻，N/P阱離子注入，去膠，推進(jìn)；
[0029]7.2.去除氧化層，襯墊氧化，氮化硅生長(zhǎng)；
[0030]7.3.有源區(qū)光刻，刻蝕，去膠。
[0031]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的另一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括以下步驟:
[0032]一.零層氧化，在硅襯底上形成氧化層；
[0033]二.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與N阱(或P阱)光刻；
[0034]三.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與N阱(或P阱)刻蝕，形成零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及N阱(或P阱)注入?yún)^(qū)；
[0035]四.N阱(或P阱)離子注入；
[0036]五.去除光刻膠；
[0037]六.N阱(或P阱)推進(jìn)；
[0038]七.進(jìn)行后續(xù)工藝。
[0039]較佳的，所述零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與N阱(或P阱)刻蝕，采用干法刻蝕。
[0040]較佳的，所述后續(xù)工藝，包括以下步驟:
[0041]7.1 P阱(或N阱)光刻，P阱(或N阱)離子注入，去膠，推進(jìn)；
[0042]7.2.去除氧化層，襯墊氧化，氮化硅生長(zhǎng)；
[0043]7.3.有源區(qū)光刻，刻蝕，去膠。
[0044]本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法，將硅片深阱注入層版圖與零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記版圖集成在同一塊光罩上，干法刻蝕后同時(shí)形成深阱注入?yún)^(qū)和零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，然后進(jìn)行深阱離子注入，完成摻雜工藝，再去除光刻膠，后繼進(jìn)行深阱推進(jìn)。對(duì)于沒有深阱注入層，但有先于有源區(qū)形成的N阱(或P阱)層的，可以集成零層刻蝕和N阱(或P阱)層注入工藝，零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和N阱(或P阱)注入摻雜同時(shí)完成。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法，將形成有源區(qū)之前的兩次光刻(一次零層與一次阱)合并為一次，消減了流程，節(jié)省了一道光刻及去膠工藝成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面對(duì)本發(fā)明所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0046]圖1是通常的半導(dǎo)體器件制造工藝流程零層氧化完成示意圖；
[0047]圖2是通常的半導(dǎo)體器件制造工藝流程零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記光刻完成示意圖；
[0048]圖3是通常的半導(dǎo)體器件制造工藝流程零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記刻蝕完成示意圖；
[0049]圖4是通常的半導(dǎo)體器件制造工藝流程零層去膠完成示意圖；
[0050]圖5是通常的半導(dǎo)體器件制造工藝流程深阱光刻完成示意圖；
[0051]圖6是通常的半導(dǎo)體器件制造工藝流程深阱離子注入完成示意圖；
[0052]圖7是通常的半導(dǎo)體器件制造工藝流程深阱去膠完成示意圖；
[0053]圖8是通常的半導(dǎo)體器件制造工藝流程深阱推進(jìn)完成示意圖；
[0054]圖9是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造工藝流程一實(shí)施例零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱光刻完成示意圖；
[0055]圖10是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造工藝流程一實(shí)施例零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱刻蝕完成示意圖；
[0056]圖11是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造工藝流程一實(shí)施例深阱離子注入完成示意圖；
[0057]圖12是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造工藝流程一實(shí)施例去除光刻膠完成示意圖；
[0058]圖13是本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造工藝流程一實(shí)施例深阱推進(jìn)完成示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0059]下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0060]實(shí)施例一
[0061]半導(dǎo)體器件制造方法，包括以下步驟:
[0062]一.零層氧化，在硅襯底上形成氧化層，如圖1所示；
[0063]二.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱光刻，如圖9所示；
[0064]三.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱刻蝕，形成零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)及深阱注入?yún)^(qū)，如圖10所示；
[0065]四.深阱離子注入，如圖11所示；
[0066]五.去除光刻膠，如圖12所示；
[0067]六.深阱推進(jìn)，如圖13所示；
[0068]七.進(jìn)行后續(xù)工藝。
[0069]較佳的，零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱刻蝕，采用干法刻蝕。
[0070]較佳的，零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱刻蝕的刻蝕深度(從氧化層底面往下的深度)為500到1000埃。
[0071]較佳的，所述后續(xù)工藝，包括以下步驟:
[0072]7.1 N/P阱光刻(套準(zhǔn)零層)，N/P阱離子注入，去膠，推進(jìn)；
[0073]7.2.去除氧化層，襯墊(pad)氧化，氮化硅生長(zhǎng)；
[0074]7.3.有源區(qū)光刻(套準(zhǔn)零層)，刻蝕，去膠。
[0075]實(shí)施例一的半導(dǎo)體器件制造方法，將硅片(chip)深阱注入層版圖(layout)與零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)版圖集成在同一塊光罩(MASK)上，零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)置于硅片(chip)的切割槽(Scribe Line)內(nèi)，干法刻蝕后同時(shí)形成深阱注入?yún)^(qū)和零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，然后進(jìn)行深阱離子注入，完成摻雜工藝，再去除光刻膠，后繼進(jìn)行深阱推進(jìn)。后繼的N/P阱注入及有源區(qū)光刻可利用上述在形成深阱注入?yún)^(qū)的同時(shí)形成的零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)進(jìn)行套準(zhǔn)。
[0076]實(shí)施例一的半導(dǎo)體器件制造方法，集成了零層刻蝕和深阱注入工藝，將形成有源區(qū)之前的兩次光刻(一次零層與一次深阱)合并為一次，零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)和深阱注入摻雜同時(shí)完成，消減了流程，節(jié)省了一道光刻及去膠工藝成本。
[0077]實(shí)施例一的半導(dǎo)體器件制造方法，雖然會(huì)造成深阱注入?yún)^(qū)與阱外有一臺(tái)階形貌(臺(tái)階高度500-1000A)，但深阱內(nèi)器件處于同一水平上，因此對(duì)阱內(nèi)器件沒有影響；深阱與阱外交界處后繼通常有LOCOS (Local Oxidat1n of Silicon，硅的局部氧化)或者STI (淺溝槽隔離結(jié)構(gòu))進(jìn)行器件隔離，另外后繼熱氧化及腐蝕工藝也會(huì)消減臺(tái)階差異，因此對(duì)整個(gè)芯片器件沒有不良影響。
[0078]實(shí)施例二
[0079]半導(dǎo)體器件制造方法，包括以下步驟:
[0080]一.零層氧化，在硅襯底上形成氧化層；
[0081 ] 二.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與N阱(或P阱)光刻；
[0082]三.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與N阱(或P阱)刻蝕，形成零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)及N阱(或P阱)注入?yún)^(qū)；
[0083]四.N阱(或P阱)離子注入；
[0084]五.去除光刻膠；
[0085]六.N阱(或P阱)推進(jìn)；
[0086]七.進(jìn)行后續(xù)工藝。
[0087]較佳的，所述零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與N阱(或P阱)刻蝕，采用干法刻蝕。
[0088]較佳的，所述后續(xù)工藝，包括以下步驟:
[0089]7.1 P阱(或N阱)光刻(套準(zhǔn)零層)，P阱(或N阱)離子注入，去膠，推進(jìn)；
[0090]7.2.去除氧化層，襯墊(pad)氧化，氮化硅生長(zhǎng)；
[0091]7.3.有源區(qū)光刻(套準(zhǔn)零層)，刻蝕，去膠。
[0092]實(shí)施例二的半導(dǎo)體器件制造方法，將半導(dǎo)體器件(Chip)N阱(或P阱)層版圖(layout)與零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)版圖集成在同一塊光罩(MASK)上，零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)置于硅片(chip)的切割槽(Scribe Line)內(nèi)，干法刻蝕后同時(shí)形成N阱(或P阱)層和零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，然后進(jìn)行N阱(或P阱)離子注入，再去除光刻膠。后繼的P阱(或N阱)光刻與有源區(qū)光刻可利用上述在形成N阱(或P阱)層的同時(shí)形成的零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)進(jìn)行套準(zhǔn)。
[0093]實(shí)施例二的半導(dǎo)體器件制造方法，集成了零層刻蝕和N阱(或P阱)層注入工藝，將形成有源區(qū)之前的兩次光刻合并為一次，零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(MARK)和N阱(或P阱)注入摻雜同時(shí)完成，適用于雖沒有深阱注入層，但有先于有源區(qū)形成的N阱(或P阱)層的工藝，消減了流程，節(jié)省了一道光刻及去膠工藝成本。
[0094]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 一.零層氧化，在硅襯底上形成氧化層； 二.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱光刻； 三.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱刻蝕，形成零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及深阱注入?yún)^(qū)； 四.深阱離子注入； 五.去除光刻膠； 六.深阱推進(jìn)； 七.進(jìn)行后續(xù)工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 所述零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱刻蝕，采用干法刻蝕。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與深阱刻蝕的刻蝕深度，為500到1000埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 所述后續(xù)工藝，包括以下步驟: 7.1N/P阱光刻，N/P阱離子注入，去膠，推進(jìn)； 7.2.去除氧化層，襯墊氧化，氮化硅生長(zhǎng)； 7.3.有源區(qū)光刻，刻蝕，去膠。
5.一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 一.零層氧化，在硅襯底上形成氧化層； 二.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與N阱(或P阱)光刻； 三.零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與N阱(或P阱)刻蝕，形成零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及N阱(或P阱)注入?yún)^(qū)； 四.N阱(或P阱)離子注入； 五.去除光刻膠； 六.N阱(或P阱)推進(jìn)； 七.進(jìn)行后續(xù)工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 所述零層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與N阱(或P阱)刻蝕，采用干法刻蝕。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于， 所述后續(xù)工藝，包括以下步驟: 7.1P阱(或N阱)光刻，P阱(或N阱)離子注入，去膠，推進(jìn)； 7.2.去除氧化層，襯墊氧化，氮化硅生長(zhǎng)； 7.3.有源區(qū)光刻，刻蝕，去膠。
【文檔編號(hào)】H01L21/027GK104409327SQ201410663095
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月19日
【發(fā)明者】劉華明, 熊淑萍, 黃棟棟 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司