具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池及其制備方法本發(fā)明是申請(qǐng)?zhí)枮?01410246505.6，發(fā)明名稱(chēng)為“具有背保護(hù)層的柔性太陽(yáng)能電池及其制備方法”，申請(qǐng)日為2014年6月5日的發(fā)明專(zhuān)利的分案申請(qǐng)。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池及其制備方法。

背景技術(shù)：
隨著人類(lèi)能源消耗的不斷增加，不可再生的能源如化石燃料的耗盡已是亟待解決的問(wèn)題。化石能源消耗總量將于約2030年出現(xiàn)拐點(diǎn)，可再生能源的比重將不斷上升，其中，太陽(yáng)能在未來(lái)能源結(jié)構(gòu)中的比重將越來(lái)越大，保守估計(jì)這一比重于2100年會(huì)超過(guò)60％。太陽(yáng)能是眾多可再生能源中最為豐富的能源，全球太陽(yáng)光一小時(shí)的能量就相當(dāng)于地球一年的能耗，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于風(fēng)能、地?zé)?、水電、海洋能、生物能等能源。太?yáng)電池的重要發(fā)展方向是多用途的柔性襯底太陽(yáng)電池。與常規(guī)太陽(yáng)電池以剛性材料(玻璃等)作為基底的區(qū)別在于，柔性太陽(yáng)電池的基底材料是柔軟、可彎曲的金屬箔片或者有機(jī)高分子材料，例如不銹鋼箔、鋁箔、鈦箔、聚酰亞胺薄膜等。柔性太陽(yáng)電池是一種高端的光伏產(chǎn)品，它具有如下明顯優(yōu)勢(shì)：(1)電池組件可以彎曲，適用于非平面的安裝條件；(2)電池組件輕質(zhì)，質(zhì)量比功率高；(3)襯底材料消耗量小，成本低廉。柔性太陽(yáng)電池脫離了傳統(tǒng)的基底材料玻璃，使其具備輕質(zhì)可彎曲的特性，但同時(shí)也帶來(lái)了新的問(wèn)題。玻璃具有較高的強(qiáng)度和相對(duì)高溫(<600℃)氣氛下的穩(wěn)定性，因此在各種薄膜太陽(yáng)電池的生長(zhǎng)工藝中都能夠起到有效的支撐和保護(hù)作用。而對(duì)于金屬材料來(lái)說(shuō)，在高溫下將嚴(yán)重地受到含有硫、硒、氧、氯等元素的氣氛腐蝕，高分子材料在高溫下更是容易發(fā)生分解變性，均無(wú)法作為穩(wěn)定的襯底存在。因此，柔性太陽(yáng)電池技術(shù)的一個(gè)核心關(guān)鍵問(wèn)題是發(fā)展對(duì)襯底的保護(hù)方法，使其在保持柔性特征的同時(shí)能夠最大限度地保護(hù)襯底，抵御高溫腐蝕性氣氛和外部機(jī)械性損傷。同時(shí)由于柔性金屬襯底中大量存在的一些元素，比如Fe，容易在電池制備的高溫工藝中通過(guò)金屬電極向吸收層擴(kuò)散，造成吸收層深能級(jí)摻雜，極大地影響電池的光電性能。而這種影響對(duì)于鈉鈣玻璃襯底是幾乎可以忽略的。因此，柔性太陽(yáng)電池需要一層高度化學(xué)穩(wěn)定的阻擋層，以防止類(lèi)似于Fe的有害元素的擴(kuò)散。專(zhuān)利CN102386248A公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)和一種制造太陽(yáng)能電池的方法，太陽(yáng)能電池包括：半導(dǎo)體基底；鈍化膜，設(shè)置在所述半導(dǎo)體基底的一側(cè)上；保護(hù)層，設(shè)置在所述鈍化膜的與所述半導(dǎo)體基底相對(duì)的一側(cè)上；電極，設(shè)置在所述保護(hù)層的與所述鈍化膜相對(duì)的一側(cè)上。其中，保護(hù)層是吉布斯自由能的絕對(duì)值比所述玻璃料的每個(gè)組分的吉布斯自由能的絕對(duì)值小的材料，包含銅、鈀、銥、它們的合金、它們的氧化物或者它們的組合。這些材料中，含銅類(lèi)的材料活性較高保護(hù)性能有限，而鈀、銥類(lèi)材料屬于稀有貴金屬，成本高昂，不利于大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化開(kāi)發(fā)以及商業(yè)產(chǎn)品成本的控制。專(zhuān)利CN101268608A公開(kāi)了一種具有傳導(dǎo)性阻擋層和具有鋁箔基底的光生伏打器件。該專(zhuān)利公開(kāi)的阻擋層適用于鋁箔基底，而不適用于其他柔性基底，例如鉬箔基底、不銹鋼帶基底、導(dǎo)電銅帶等。原因在于，其他柔性基底的熱膨脹系數(shù)與鋁箔不同，因此適用于鋁箔的擴(kuò)散阻擋層不能適應(yīng)其他柔性基底，往往會(huì)導(dǎo)致擴(kuò)散阻擋層與柔性基底的結(jié)合力不夠。因此，有效保護(hù)柔性基底，并防止金屬基底的雜質(zhì)元素在高溫工藝中通過(guò)金屬電極向吸收層擴(kuò)散的同時(shí)，進(jìn)一步加強(qiáng)阻擋層與基底及第一電極層的結(jié)合力問(wèn)題，尚需要進(jìn)一步探索。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的主要目的是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的鈦箔太陽(yáng)能電池的基底易受腐蝕、在高溫下容易發(fā)生分解變性，擴(kuò)散阻擋層的阻擋效果和結(jié)合力不理想的問(wèn)題，提供一種具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池及其制備方法。為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，包括鈦箔基底和在鈦箔基底上依次形成的擴(kuò)散阻擋層、第一電極層、吸收層、緩沖層、第二電極層、減反層和表面電極層，所述鈦箔基底的太陽(yáng)能接收側(cè)的相對(duì)側(cè)形成有背保護(hù)層，所述背保護(hù)層為單層，所述背保護(hù)層任選由以下組制成：a組：鋁、鉬、鈦、鎳、銅、鋯、鈮、鉻、釕、銠、鈀、鉭、鎢、銥、鋨、鉑、金或銀，或它們的合金；或b組：硅的氮化物、氧化物或碳化物；或c組：氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢或氮化鋯；所述背保護(hù)層厚度為10nm～3000nm；所述擴(kuò)散阻擋層為三層或三層以上結(jié)構(gòu)，所述擴(kuò)散阻擋層的每一層任選由以下組制成：A組：鋁、鉬、鈦、鎳、銅、鋯、鈮、鉻、釕、銠、鈀、鉭、鎢、銥、鋨、鉑、金或銀，或它們的合金；或B組：硅的氮化物、氧化物或碳化物；或C組：氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢或氮化鋯；所述擴(kuò)散阻擋層的厚度為10nm～3000nm。本發(fā)明的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，通過(guò)在鈦箔基底的太陽(yáng)能接收側(cè)的對(duì)側(cè)形成背保護(hù)層，并篩選背保護(hù)層的組成，同時(shí)選擇多層結(jié)構(gòu)的擴(kuò)散阻擋層，并甄選擴(kuò)散阻擋層的組成，本發(fā)明獲得的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，背保護(hù)層能有效防止高溫腐蝕性氣氛工藝過(guò)程中對(duì)基底的損害，擴(kuò)散阻擋層不僅能有效防止鈦箔基底的雜質(zhì)元素進(jìn)入吸收層，還能有效改善阻擋層與鈦箔基底和第一電極層的結(jié)合力。作為優(yōu)選，前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，所述第一電極層為鉬薄膜層。作為優(yōu)選，前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，所述背保護(hù)層由氮化硅、氧化硅、碳化硅、氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢或氮化鋯制成。通過(guò)篩選前述化合物，能有效避免高溫腐蝕性氣氛工藝過(guò)程中對(duì)鈦箔基底的損害，且不會(huì)給鈦箔基底帶來(lái)更多雜質(zhì)，且獲取方法簡(jiǎn)單、生產(chǎn)成本低。作為優(yōu)選，前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，所述擴(kuò)散阻擋層為三層結(jié)構(gòu)，包括靠近基底層、中間層和靠近第一電極層。本發(fā)明的鈦箔太陽(yáng)能電池，擴(kuò)散阻擋層通過(guò)優(yōu)選三層結(jié)構(gòu)，不僅能有效防止鈦箔的雜質(zhì)元素進(jìn)入吸收層，且與此同時(shí)，能夠有效提高擴(kuò)散阻擋層與鈦箔基底和第一電極層的結(jié)合力。作為優(yōu)選，前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，所述擴(kuò)散阻擋層的中間層由氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢或氮化鋯的任一種制成。通過(guò)優(yōu)選中間層的前述組成，可以有效阻止鈦箔的雜質(zhì)元素在銅銦鎵硒電池的高溫制備過(guò)程中擴(kuò)散至吸收層，影響電池的性能。作為優(yōu)選，前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，所述擴(kuò)散阻擋層的靠近基底層由鈦制成。優(yōu)選鈦制成薄膜為本發(fā)明的擴(kuò)散阻擋層的靠近基底層，不僅因?yàn)殁伵c鈦箔的結(jié)合力為最佳，而且鈦在太陽(yáng)能電池的高溫制備過(guò)程中不與硒發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，不會(huì)影響電池的性能以及膜層的結(jié)合力。作為優(yōu)選，前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，所述擴(kuò)散阻擋層的靠近第一電極層由鈦、鉻或氮化鈦制成。本發(fā)明通過(guò)優(yōu)選靠近第一電極層，因鈦、鉻及氮化鈦在制備過(guò)程中都生長(zhǎng)為柱狀晶結(jié)構(gòu)，而鉬同樣為柱狀晶結(jié)構(gòu)，屬于同質(zhì)外延生長(zhǎng)類(lèi)型，能夠有效提高擴(kuò)散阻擋層與第一電極層的結(jié)合力。作為更進(jìn)一步優(yōu)選，前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，所述背保護(hù)層由氮化鈦制成，所述背保護(hù)層厚度為200nm；所述靠近基底層由鈦制成，所述中間層由氮化鈦制成，所述靠近第一電極層由鈦制成，所述擴(kuò)散阻擋層的厚度為1200nm。作為本發(fā)明的第二個(gè)目的，本發(fā)明提供前述具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池的制備方法，包括如下步驟：(1)鈦箔基底進(jìn)行表面除油處理及表面拋光處理，使所述鈦箔基底表面粗糙度達(dá)到1nm～2000nm；(2)在鈦箔基底的太陽(yáng)能接收側(cè)的相對(duì)側(cè)制備背保護(hù)層，所述制備方法選自蒸鍍法、磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積法、電化學(xué)沉積法或化學(xué)沉積法的任一種；(3)在鈦箔基底上制備擴(kuò)散阻擋層，所述制備方法選自化學(xué)鍍膜法、電化學(xué)鍍膜法、化學(xué)氣相沉積法、蒸鍍法或磁控濺射法的任一種；(4)在擴(kuò)散阻擋層上依次制備第一電極層、吸收層、緩沖層、第二電極層、減反層和表面電極層。前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，其中的第一電極層的制備方法選自蒸鍍法、磁控濺射法中的任一種。第一電極層的厚度為500nm～3000nm。前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，其中的吸收層可以選自銅銦鎵硒薄膜、銅鋅錫硫薄膜、銅銦硫薄膜、碲化鎘薄膜、染敏太陽(yáng)能電池薄膜以及有機(jī)太陽(yáng)能電池薄膜的任一種。吸收層的制備方法可以選自電化學(xué)沉積法、納米晶顆粒涂覆法、蒸鍍法或磁控濺射法的任一種。前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，其中的緩沖層選自硫化鋅或硫化鎘的任一種。緩沖層的制備方法選自溶液法、化學(xué)水浴法或磁控濺射法的任一種。前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，其中的第二電極層材料選自氧化錫摻銦、氧化錫摻氟、氧化鋅摻鋁、氧化鋅摻硼或氧化鋅摻鎵的任一種。第二電極層的制備方法選自磁控濺射法、反應(yīng)濺射法、電子束蒸發(fā)法中的任一種。前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，其中的減反層材料選自氟化鎂、二氧化鈦、氮化硅、二氧化硅、三氧化二鋁、氧化鎂或二氧化鈰的任一種。減反層制備方法選自為蒸發(fā)法、濺射法或化學(xué)法中的任一種。前述的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，其中的表面電極層材料選自鎳、鋁、銀等。表面電極層的制備方法通常為蒸發(fā)法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：一、本發(fā)明的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，通過(guò)在鈦箔基底的太陽(yáng)能接收側(cè)的相對(duì)側(cè)形成背保護(hù)層，并篩選背保護(hù)層的組成，得到的背保護(hù)層能有效避免高溫腐蝕性氣氛工藝過(guò)程中對(duì)鈦箔基底的損害，避免高溫下發(fā)生分解變性，且不會(huì)給鈦箔基底帶來(lái)更多雜質(zhì)，且獲取方法簡(jiǎn)單、生產(chǎn)成本低。二、本發(fā)明的具有背保護(hù)層的鈦箔太陽(yáng)能電池，通過(guò)在太陽(yáng)能接收側(cè)形成擴(kuò)散阻擋層，并優(yōu)選得到擴(kuò)散阻擋層的結(jié)構(gòu)及各結(jié)構(gòu)的組成成分，獲得的擴(kuò)散阻擋層能有效阻擋基底雜質(zhì)元素進(jìn)入吸收層，同時(shí)，能夠顯著增加擴(kuò)散阻擋層與基底、第一電極層的結(jié)合力。附圖說(shuō)明圖1是本發(fā)明鈦箔太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是實(shí)施例1制得的鈦箔太陽(yáng)能電池薄膜硒化后的照片；圖3是實(shí)施例1制得的鈦箔太陽(yáng)能電池的結(jié)合力測(cè)試照片；圖4是實(shí)施例1制得的鈦箔太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散阻擋層的EDS測(cè)試結(jié)果圖；圖5、圖6是對(duì)比試驗(yàn)制得的太陽(yáng)能電池薄膜硒化后的照片；圖1中，1-基底，2-背保護(hù)層，3-擴(kuò)散阻擋層，4-第一電極層，5-吸收層，6-緩沖層，7-第二電極層，8-減反層，9-表面電極層,301-靠近基底層，302-中間層，303-靠近第一電極層。具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的上述發(fā)明內(nèi)容作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。但不應(yīng)將此理解為本發(fā)明上述主題的范圍僅限于下述實(shí)施例。在不脫離本發(fā)明上述技術(shù)思想情況下，根據(jù)本領(lǐng)域普通技術(shù)知識(shí)和慣用手段，做出各種替換和變更，均應(yīng)包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。實(shí)施例1本實(shí)施例是關(guān)于鈦箔太陽(yáng)能電池及制備方法。鈦箔太陽(yáng)能電池，結(jié)構(gòu)為：背保護(hù)層2為氮化鈦，厚度為200nm；基底1為鈦箔；擴(kuò)散阻擋層3為三層結(jié)構(gòu)，厚度為1200nm，其中靠近基底層301為鈦，中間層302為氮化鈦，靠近第一電極層303為鈦；第一電極層4為鉬；吸收層5為銅銦鎵硒薄膜；緩沖層6為硫化鎘；第二電極層7為氧化鋅摻鋁；減反層8為氟化鎂；表面電極層9為鎳/鋁/鎳。制備方法：(1)鈦箔基底1的處理：采用甲醇與濃硫酸的混合溶液進(jìn)行拋光處理，甲醇：濃硫酸體積比為1:3，拋光時(shí)間為大約400s，電壓為大約10V。(2)背保護(hù)層2的制備：采用磁控濺射法，在氣壓為4mtorr的氬氣與氮?dú)獾幕旌蠚怏w中，功率為210W條件下濺射鈦靶獲得，厚度為200nm。(3)擴(kuò)散阻擋層3的制備：靠近基底層301為鈦：磁控濺射法，在氣壓4mtorr的氬氣中采用240W的功率濺射鈦靶制備獲得，厚度約為300nm。中間層302為氮化鈦，采用磁控濺射法，在氣壓為4mtorr的氬氣與氮?dú)獾幕旌蠚怏w中，功率為210W條件下濺射鈦靶獲得，厚度約為600nm?？拷谝浑姌O層303為鈦：采用磁控濺射法，在氣壓為4mtorr的氬氣下，功率為240W條件下濺射鈦靶獲得，厚度約為300nm。(4)第一電極層4為鉬：磁控濺射法，氣壓為4mtorr的氬氣，濺射功率為210W，濺射靶材為鉬靶，厚度約為1000nm。(5)吸收層5為銅銦鎵硒薄膜：采用磁控濺射法，氣壓為4mtorr的氬氣，濺射功率為120W，靶材為銅銦鎵硒靶材，獲得厚度約為800nm的預(yù)制膜。薄膜制備后，在快速硒化爐中，采用快速升溫的升溫方式對(duì)吸收層薄膜在600℃的溫度下，硒化處理30nm，獲得銅銦鎵硒薄膜。(6)緩沖層6為硫化鎘：化學(xué)水浴法制備，水浴溫度為80℃，薄膜厚度約為60nm。(7)第二電極層7為氧化鋅摻鋁：采用磁控濺射，靶材為氧化鋅摻鋁，濺射功率為180W，樣品臺(tái)溫度為200℃，氣壓為4mtorr氬氣，厚度約為500nm。(8)減反層8為氟化鎂：采用電阻式蒸發(fā)，溫度為1300℃左右，厚度約為80nm。(9)表面電極層9為鎳/鋁/鎳：鎳薄膜采用電子束蒸發(fā)法，第一層鎳薄膜的厚度約為200nm，防止鋁的擴(kuò)散，第二層鎳薄膜的厚度約為200nm，防止鋁的氧化，中間層鋁薄膜采用電阻式蒸發(fā)的方法，厚度約為3000nm。制得的鈦箔太陽(yáng)能電池，經(jīng)高溫硒化后如圖2所示，薄膜無(wú)裂紋且無(wú)脫落現(xiàn)象。制得的太陽(yáng)能電池器件，經(jīng)測(cè)試，即使經(jīng)過(guò)彎曲，薄膜也不會(huì)脫落。制得的鈦箔太陽(yáng)能電池，測(cè)試背保護(hù)層2與基底1的結(jié)合力，如圖3所示，采用膠帶法測(cè)試其結(jié)合力，使用3M膠帶，撕扯后薄膜無(wú)任何脫落現(xiàn)象，說(shuō)明結(jié)合力非常好。從圖2、圖3可見(jiàn)，在經(jīng)過(guò)高溫硒化處理后，鈦箔太陽(yáng)能電池背面依然光澤，說(shuō)明氮化鈦背保護(hù)層不與硒氣氛發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，保護(hù)效果非常好。制得的鈦箔太陽(yáng)能電池，EDS測(cè)試結(jié)果如圖4所示，EDS測(cè)試數(shù)據(jù)如表1所示：表1.EDS測(cè)試數(shù)據(jù)由圖4及表1數(shù)據(jù)可知，制得的鈦箔太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散阻擋層3的阻擋效果很好，無(wú)任何鈦箔中的雜質(zhì)元素?cái)U(kuò)散至吸收層。作為對(duì)比試驗(yàn)，相同的制備方法制備鈦箔太陽(yáng)能電池，其中背保護(hù)層為鉻，擴(kuò)散阻擋層為兩層，分別以碳化硅及鉻制備得到。高溫硒化后，結(jié)合力效果如圖5、圖6所示。由圖5、圖6可見(jiàn)，經(jīng)過(guò)高溫硒化后薄膜表面薄膜直接脫落，結(jié)合力非常不好，基底被硒蒸汽等腐蝕，脫落的殘?jiān)廴玖藢?shí)驗(yàn)樣品。實(shí)施例2本實(shí)施例為鈦箔太陽(yáng)能電池及制備方法鈦箔太陽(yáng)能電池，結(jié)構(gòu)為：背保護(hù)層2為碳化硅，厚度為200nm；基底1為鈦箔；擴(kuò)散阻擋層3為三層結(jié)構(gòu)，厚度為1200nm，其中靠近基底層301為鈦，中間層302為碳化硅，靠近第一電極層303為氮化鈦；第一電極層4為鉬；吸收層5為銅銦鎵硒薄膜；緩沖層6為硫化鎘；第二電極層7為氧化鋅摻鋁；減反層8為氟化鎂；表面電極層9為鎳/鋁/鎳。制備方法：(1)鈦箔基底1的處理：采用甲醇與濃硫酸的混合溶液進(jìn)行拋光處理，甲醇：濃硫酸體積比為1:3，拋光時(shí)間為大約400s，電壓為大約10V。(2)背保護(hù)層2的制備：采用磁控濺射法，在氣壓為4mtorr的氬氣中，功率為210W條件下濺射碳化硅靶獲得，厚度為200nm。(3)擴(kuò)散阻擋層3的制備：靠近基底層301為鈦：磁控濺射法，在氣壓4mtorr的氬氣中采用240W的功率濺射鈦靶制備獲得，厚度約為300nm。中間層302為碳化硅，采用磁控濺射法，在氣壓為4mtorr的氬氣中，功率為210W條件下濺射碳化硅靶獲得，厚度約為600nm。靠近第一電極層303為氮化鈦：采用磁控濺射法，在氣壓為4mtorr的氬氣與氮?dú)獾幕旌蠚怏w中，功率為210W條件下濺射鈦靶獲得，厚度約為600nm。(4)第一電極層4為鉬：磁控濺射法，氣壓為4mtorr的氬氣，濺射功率為210W，濺射靶材為鉬靶，厚度約為1000nm。(5)吸收層5為銅銦鎵硒薄膜：采用磁控濺射法，氣壓為4mtorr的氬氣，濺射功率為120W，靶材為銅銦鎵硒靶材，獲得厚度約為800nm的預(yù)制膜。薄膜制備后，在快速硒化爐中，采用快速升溫的升溫方式對(duì)吸收層薄膜在600℃的溫度下，硒化處理30nm，獲得銅銦鎵硒薄膜。(6)緩沖層6為硫化鎘：化學(xué)水浴法制備，水浴溫度為80℃，薄膜厚度約為60nm。(7)第二電極層7氧化鋅摻鋁：采用磁控濺射，靶材為氧化鋅摻鋁，濺射功率為180W，樣品臺(tái)溫度為200℃，氣壓為4mtorr氬氣，厚度約為500nm。(8)減反層8為氟化鎂：采用電阻式蒸發(fā)，溫度為1300℃左右，厚度約為80nm。(9)表面電極層9為鎳/鋁/鎳：鎳薄膜采用電子束蒸發(fā)法，第一層鎳薄膜的厚度約為200nm，防止鋁的擴(kuò)散，第二層鎳薄膜的厚度約為200nm，防止鋁的氧化，中間層鋁薄膜采用電阻式蒸發(fā)的方法，厚度約為3000nm。實(shí)施例3本實(shí)施例是鈦箔太陽(yáng)能電池鈦箔太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)：背保護(hù)層2為氮化鉭，厚度為200nm；基底1為鈦箔；擴(kuò)散阻擋層3為三層結(jié)構(gòu)，擴(kuò)散阻擋層3的靠近基底層301為鈦，中間層302為氮化鉭，靠近第一電極層303為氮化鈦，擴(kuò)散阻擋層3厚度為3000nm；第一電極層4為鉬；吸收層5為銅銦鎵硒薄膜；緩沖層6為硫化鎘；第二電極層7為氧化鋅摻鋁；減反層8為氟化鎂；表面電極層9為鎳鋁鎳。實(shí)施例4本實(shí)施例是鈦箔太陽(yáng)能電池鈦箔太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)：背保護(hù)層2為鈦，厚度為200nm；基底1為鈦箔；擴(kuò)散阻擋層3為三層結(jié)構(gòu)，擴(kuò)散阻擋層3的靠近基底層301為鈦，中間層302為氮化鈦，靠近第一電極層303為鉻，擴(kuò)散阻擋層3厚度為2000nm；第一電極層4為鉬；吸收層5為銅銦鎵硒薄膜；緩沖層6為硫化鎘；第二電極層7為氧化鋅摻鋁；減反層8為氟化鎂；表面電極層9為鎳鋁鎳。實(shí)施例5本實(shí)施例是鈦箔太陽(yáng)能電池鈦箔太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)：背保護(hù)層2為氮化鈦，厚度為200nm；基底1為鈦箔；擴(kuò)散阻擋層3為四層結(jié)構(gòu)，擴(kuò)散阻擋層3的靠近基底層301為鈦層，中間層302為氮化鉭，靠近第一電極層303為兩層，分別由氮化鈦和鈦制成，擴(kuò)散阻擋層3厚度為3000nm；第一電極層4為鉬；吸收層5為銅銦鎵硒薄膜；緩沖層6為硫化鎘；第二電極層7為氧化鋅摻鋁；減反層8為氟化鎂；表面電極層9為鎳鋁鎳。