芯片型固態(tài)電解電容器及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種芯片型固態(tài)電解電容器，包括一基材層、一電性絕緣件、一導(dǎo)電高分子層、一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層及一電極層，其中該電性絕緣件形成于該基材層上，用以在該基材層上定義出一陽(yáng)極部及一陰極部，該導(dǎo)電高分子層形成于該陰極部上，該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層形成于該導(dǎo)電高分子層上，該電極層形成于該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層上。采用本發(fā)明之芯片型固態(tài)電解電容器，可以在不影響電容值的前提下增加整體的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。本發(fā)明另提供一種芯片型固態(tài)電解電容器之制造方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】芯片型固態(tài)電解電容器及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種固態(tài)電解電容器，特別是指一種產(chǎn)品良率高且可靠度優(yōu)異之芯片型固態(tài)電解電容器及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的進(jìn)步，使得半導(dǎo)體構(gòu)裝的產(chǎn)品因市場(chǎng)需求開(kāi)始發(fā)展出更精密、更先進(jìn)的電子組件。就可攜式電子產(chǎn)品而言，消費(fèi)者所期待者須充分滿(mǎn)足輕薄化、高頻化、多功能化、高可靠度及符合RoHS，故傳統(tǒng)液態(tài)電解電容器已逐漸無(wú)法滿(mǎn)足需求，進(jìn)而固態(tài)電解電容器因應(yīng)而生。
[0003]固態(tài)電解電容器為最常見(jiàn)的電容被動(dòng)元件之一，主要是在鋁、鉭、鈮、鈦等閥金屬(Valve metal)的表面采用陽(yáng)極氧化法(Anodic oxidat1n)生成一薄層氧化物作為電介質(zhì)后，再以電解質(zhì)作為陰極而構(gòu)成；目前工業(yè)化生產(chǎn)的電解電容器主要以鋁質(zhì)固態(tài)電解電容器(Aluminium solid electrolytic capacitor)和組質(zhì)固態(tài)電解電容器(Tantalum solidelectrolytic capacitor)為主。
[0004]對(duì)于鋁質(zhì)固態(tài)電解電容器，其所使用的鋁質(zhì)基材是先對(duì)鋁原箔進(jìn)行電解蝕刻，形成表面具有微孔之腐蝕箔后，再利用切割或沖壓等方式將腐蝕箔切割成符合預(yù)定大小及形狀的鋁箔單元，最后對(duì)鋁箔單元進(jìn)行化成而形成的表面具有氧化皮膜之化成箔(Formingfoil)。然而，在經(jīng)過(guò)切割或沖壓后，鋁質(zhì)基材的周緣多少會(huì)產(chǎn)生微裂、毛邊(毛刺)、形變等缺陷，造成其上之氧化皮膜附著不完全，從而在后續(xù)的制程中造成因應(yīng)力引起的損傷與漏電流。除此之外，諸如溫度、濕度、氣壓、振動(dòng)等許多外在的環(huán)境因素都會(huì)引起現(xiàn)有的鋁質(zhì)固態(tài)電解電容器性能上的劣化。
[0005]進(jìn)一步而言，為增加電容器之電容量，業(yè)界常以陰極部彼此堆棧的方式將多個(gè)鋁質(zhì)固態(tài)電解電容器并聯(lián)連接，從而獲得較大的電容量相加(為該等電容器之電容量的總和)。惟，不論使用何種堆棧方式，皆可能有單一電容器因其本身機(jī)械強(qiáng)度不足而發(fā)生損壞的情形發(fā)生。
[0006]針對(duì)上述的鋁質(zhì)固態(tài)電解電容器存在的缺陷或不足，本發(fā)明人遂以其多年從事各種電容器的制造經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)累積，積極地研究如何利用較簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)改良設(shè)計(jì)完成可靠度較佳的鋁電解電容器，終于在各方條件的審慎考慮下開(kāi)發(fā)出本發(fā)明。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明之主要目的在于提供一種機(jī)械強(qiáng)度較佳且抗形變能力較強(qiáng)的芯片型固態(tài)電解電容器及其制造方法，以期能改善先前技術(shù)之缺失。
[0008]為達(dá)上述的目的及功效，本發(fā)明采用以下技術(shù)內(nèi)容:一種芯片型固態(tài)電解電容器，包括一基材層、一電性絕緣件、一導(dǎo)電高分子層、一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層及一電極層，其中該電性絕緣件形成于該基材層上，用以在該基材層上界定出一陽(yáng)極部及一陰極部，該導(dǎo)電高分子層形成于該陰極部上，該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層形成于該導(dǎo)電高分子層上，該電極層形成于該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層上。
[0009]本發(fā)明另采用以下技術(shù)內(nèi)容:一種芯片型固態(tài)電解電容器之制造方法，包括下列步驟:首先，提供一基材層；接著，形成一電性絕緣件于該基材層上，用以在該基材層上界定出一陽(yáng)極部及一陰極部；然后，形成一導(dǎo)電高分子層于該陰極部上；此后，形成一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層于該導(dǎo)電高分子層上；最后，形成一電極層于該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層上。
[0010]本發(fā)明至少具有以下有益效果:本發(fā)明芯片型固態(tài)電解電容器透過(guò)在導(dǎo)電高分子層與電極層(包含碳膠層和銀膠層)之間配置一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層，除了能有效防止因受擠壓或撞擊而發(fā)生性能劣化外，還能補(bǔ)強(qiáng)氧化皮膜或高分子層的缺陷，以防止漏電流。另外，本發(fā)明芯片型固態(tài)電解電容器之制造方法能有效簡(jiǎn)化制程、大幅降低制造成本及改善產(chǎn)品良率。
[0011]本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)可以從本發(fā)明所揭露的技術(shù)內(nèi)容得到進(jìn)一步的了解。為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為本發(fā)明之第一實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之立體示意圖。
[0013]圖2為本發(fā)明之第一實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之剖面示意圖。
[0014]圖3A為本發(fā)明之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之一種態(tài)樣之示意圖(一)°
[0015]圖3B為本發(fā)明之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之一種態(tài)樣之示意圖(二)。
[0016]圖4為本發(fā)明之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之另一種態(tài)樣之示意圖。
[0017]圖5A為本發(fā)明之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之又一種態(tài)樣之示意圖(一)°
[0018]圖5B為本發(fā)明之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之又一種態(tài)樣之示意圖(二)。
[0019]圖6為本發(fā)明之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之再一種態(tài)樣之示意圖。
[0020]圖7為本發(fā)明之第二實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之立體示意圖。
[0021]圖8為本發(fā)明之芯片型固態(tài)電解電容器之制造方法之流程示意圖。
[0022]【符號(hào)說(shuō)明】
[0023]C芯片型固態(tài)電解電容器
[0024]1基材層
[0025]la陽(yáng)極部
[0026]lb陰極部
[0027]11金屬基材
[0028]111 第一表面
[0029]112 第二表面
[0030]113環(huán)側(cè)表面
[0031]12氧化皮膜層
[0032]2電性絕緣件
[0033]3導(dǎo)電高分子層
[0034]4圖案化補(bǔ)強(qiáng)層
[0035]40 孔洞
[0036]41結(jié)構(gòu)單體
[0037]42連接橋
[0038]5電極層
[0039]51碳膠層
[0040]52銀膠層
[0041]6護(hù)面層

【具體實(shí)施方式】
[0042]本發(fā)明所揭示之內(nèi)容涉及一種構(gòu)造新穎的芯片型固態(tài)電解電容器，其特點(diǎn)在于，電容器陰極部?jī)?nèi)配置有一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層，而且陰極部之周緣更進(jìn)一步配置有一護(hù)面層，如此一來(lái)，可以防止在堆棧構(gòu)裝的過(guò)程中受到擠壓或撞擊而造成電容器性能劣化。
[0043]接下來(lái)將透過(guò)多個(gè)實(shí)施例，并配合所附圖式來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的制程步驟及操作條件等，使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可由本發(fā)明所揭示的內(nèi)容，輕易了解本發(fā)明相對(duì)于先前技術(shù)具有的創(chuàng)新、進(jìn)步或功效等獨(dú)特的技術(shù)部分?？梢岳斫獾氖?，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不悖離本發(fā)明的精神下所進(jìn)行的修飾與變更，均不脫本發(fā)明的保護(hù)范疇。
[0044][第一實(shí)施例]
[0045]請(qǐng)參考圖1及圖2，圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之立體示意圖，圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之剖面示意圖。如以上圖式所示，本實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器C主要包括一基材層1、至少一電性絕緣件2、一導(dǎo)電高分子層3、一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4及一電極層5。
[0046]基材層1包括一金屬基材11及一形成于金屬基材11上的氧化皮膜層12,金屬基材11可選用鉭燒結(jié)體、鋁箔或鈮錠，雖然本實(shí)施例是以厚度20?100mm且純度99.8%以上之鋁箔當(dāng)作基材，但本發(fā)明并不限制于此。應(yīng)注意的是，若金屬基材11所含不純物過(guò)多，氧化皮膜層12于化成時(shí)容易產(chǎn)生缺陷，此會(huì)造成漏電流增大，從而減低使用壽命。
[0047]進(jìn)一步而言，金屬基材11具有相對(duì)設(shè)置的第一表面111及第二表面112與位于兩者之間的一環(huán)側(cè)表面113，為增加金屬基材11的有效面積以增加小型大容量化的優(yōu)勢(shì)，本實(shí)施例可運(yùn)用機(jī)械腐蝕、化學(xué)腐蝕、電子化學(xué)腐蝕或激光雕刻等方法對(duì)其進(jìn)行表面處理，在第一、第二表面111、112及環(huán)側(cè)表面113上形成坑洞(圖中未顯示)；附帶一提，熟習(xí)此項(xiàng)技藝者可以根據(jù)電容器的性能要求而腐蝕出具不同坑洞形貌的金屬基材11，本發(fā)明并不對(duì)此加以限制。
[0048]氧化皮膜層12可為一氧化鋁膜層(A1203)，其被覆金屬基材11之第一、第二表面111、112及一部分的環(huán)側(cè)表面113 (如后側(cè)表面)，主要當(dāng)作芯片型固態(tài)電解電容器C的誘電體。值得說(shuō)明的是，氧化皮膜層12厚度可以決定電容器兩極之間的距離，是以控制氧化皮膜層12厚度可得所需之電容量，具體地說(shuō)，氧化皮膜層12厚則電容量低，氧化皮膜層12薄則電容量高。
[0049]再者，氧化皮膜層12之相對(duì)二表面上各形成有一電性絕緣件2，其材質(zhì)可為電性絕緣樹(shù)脂，其中一電性絕緣件2由靠近金屬基材11之第一表面111處往遠(yuǎn)離此第一表面111的方向延伸，另一電性絕緣件2由靠近金屬基材11之第二表面112處往遠(yuǎn)離此第二表面112的方向延伸。據(jù)此，可以在基材層1上區(qū)隔出一陽(yáng)極部la及一陰極部lb，也就是定義出芯片型固態(tài)電解電容器C之一陽(yáng)極區(qū)域及一陰極區(qū)域(圖中未標(biāo)示)。
[0050]導(dǎo)電高分子層3形成于陰極部lb上，具體地說(shuō)是被覆在位于陰極區(qū)域內(nèi)之氧化皮膜層12的表面上，主要當(dāng)作芯片型固態(tài)電解電容器C的固態(tài)電解質(zhì)。導(dǎo)電高分子層3可包括聚乙烯二氧噻吩(polyethylene d1xyth1phene, PED0T)、聚噻吩(Polyth1phen, PT)、聚乙塊(Polyacetylene, PA)、聚苯胺(Polyaniline, PAni)或聚卩比咯(Polypyrrole, PPy),雖然本實(shí)施例所用導(dǎo)電高分子層3為PED0T材質(zhì)，但本發(fā)明并不限制于此。附帶一提，上述所有導(dǎo)電高分子材料皆具備高導(dǎo)電度、優(yōu)異的耐熱性和溫度特性、易附著于介電層上且不會(huì)破壞介電層及在外加電壓下不會(huì)劣化等特性，相當(dāng)適合被應(yīng)用于固態(tài)電解電容器的電解質(zhì)。
[0051]請(qǐng)?jiān)俅螀⒖紙D1及圖2，并請(qǐng)配合參考圖3A至圖6，圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4形成于導(dǎo)電高分子層3上，其可包括絕緣材料例如環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy)、娃膠(Silicone)或聚亞酰胺(Polyimide)，但本發(fā)明并不限制于此。舉例來(lái)說(shuō)，熟習(xí)此項(xiàng)技藝者也可以根據(jù)電容器的性能要求而選擇使用導(dǎo)電材料例如碳膠、銀膠或其他合適的導(dǎo)電膠來(lái)形成的圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4。
[0052]就圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4的結(jié)構(gòu)特征而言，首先參圖3A及圖3B所示，根據(jù)一實(shí)施態(tài)樣，圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4上形成有復(fù)數(shù)個(gè)呈均勻分布的孔洞40，該些孔洞40之形狀可包括圓形、蜂巢形、橢圓形、矩形等(后兩者于圖中未顯示)。接著如圖4所示，根據(jù)另一實(shí)施態(tài)樣，圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4包括復(fù)數(shù)個(gè)以矩陣方式排列的結(jié)構(gòu)單體41，該些結(jié)構(gòu)單體41可包括任何立體形狀例如0狀、X狀、Y狀、T狀等(后三者圖中未顯示)，但本發(fā)明并不限制于此。
[0053]然后如圖5A及圖5B所示，根據(jù)又一實(shí)施態(tài)樣，圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4包括復(fù)數(shù)個(gè)以矩陣方式排列的結(jié)構(gòu)單體41及復(fù)數(shù)個(gè)連接橋42，其中該些結(jié)構(gòu)單體41可包括任何立體形狀，而且相鄰的兩個(gè)結(jié)構(gòu)單體41經(jīng)由至少一連接橋42相連；換句話說(shuō)，又一實(shí)施態(tài)樣之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4上形成有復(fù)數(shù)個(gè)呈非均勻分布的孔洞(由結(jié)構(gòu)單體及連接橋所界定，圖中未標(biāo)示)。最后如圖6所示，根據(jù)再一實(shí)施態(tài)樣，圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4為一網(wǎng)狀多邊結(jié)構(gòu)。
[0054]請(qǐng)?jiān)俅螀⒖紙D1及圖2，電極層5形成于圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4上，主要當(dāng)作芯片型固態(tài)電解電容器C的第二電極層。具體地說(shuō)，電極層5為一碳膠層51及一銀膠層52所組成的雙層電極層，其中碳膠層51被覆在圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4的表面上，銀膠層52被覆在碳膠層51的表面上。
[0055][第二實(shí)施例]
[0056]請(qǐng)參考圖7，為本發(fā)明第二實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之立體示意圖。如圖所不，本實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器C同樣包括一基材層1、至少一電性絕緣件2、一導(dǎo)電高分子層3、一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4及一電極層5，而且除了上述的必要組件以外，所述芯片型固態(tài)電解電容器C更進(jìn)一步包括于形成導(dǎo)電高分子層3時(shí)因材料溢出而形成的至少一護(hù)面層6。同樣地，所述護(hù)面層6可包括絕緣材料例如環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy)、娃膠(Silicone)或聚亞酰胺(Polyimide)，但本發(fā)明并不限制于此；舉例來(lái)說(shuō)，護(hù)面層6也可以導(dǎo)電材料例如碳膠、銀膠或其他合適的導(dǎo)電膠制成。
[0057]護(hù)面層6主要被設(shè)計(jì)來(lái)將裸露的金屬基材11 (即鋁芯層)完全包覆，具體地說(shuō)是被覆在金屬基材11、氧化皮膜層12及導(dǎo)電高分子層3之裸露側(cè)表面(包含左側(cè)表面及右側(cè)表面)上，以此方式補(bǔ)償經(jīng)切割或沖壓后之金屬基材11周緣的微裂、毛邊(毛刺)、形變等缺陷，以長(zhǎng)時(shí)間維持電容器的特性；不僅如此，護(hù)面層6還可以加強(qiáng)鋁芯層周緣的受力強(qiáng)度，避免芯片型固態(tài)電解電容器C在堆棧封裝時(shí)受到損壞。
[0058]請(qǐng)參考圖8，并請(qǐng)配合參考圖1及圖2，本發(fā)明之芯片型固態(tài)電解電容器C的結(jié)構(gòu)特征已詳述如上，接下來(lái)將進(jìn)一步說(shuō)明所述芯片型固態(tài)電解電容器C之制造方法，主要包括下列步驟:
[0059]首先，執(zhí)行步驟S100:提供金屬基材11。金屬基材11具有一第一表面111、一與第一表面111相對(duì)的第二表面及一位于第一表面111與第二表面112之間的環(huán)側(cè)表面113,對(duì)于金屬基材11的細(xì)部特征可參考第一實(shí)施例內(nèi)容，在此不多加贅述。
[0060]接著，執(zhí)行步驟S102:對(duì)金屬基材11進(jìn)行表面處理。表面處理的方法如參考第一實(shí)施例所述，其中機(jī)械腐蝕法例如用砂紙等器具并配合研磨劑，直接對(duì)金屬基材11之第一及第二表面111、112與環(huán)側(cè)表面113作腐蝕加工，可增加面積約1.5?3倍?；瘜W(xué)腐蝕法例如用鹽酸、氯化銅等溶液對(duì)金屬基材11之該些表面作腐蝕加工,可增加面積約1.5?7倍。電子化學(xué)腐蝕法例如用鹽酸、氯化銅等溶液并于其中施加一特定的AC或DC電流，以此方式對(duì)金屬基材11之該些表面作腐蝕加工，可增加面積約6?100倍。除以上所述方法之夕卜，熟習(xí)此項(xiàng)技藝者當(dāng)然可以根據(jù)電容器的性能要求或制程需求而選擇其他的腐蝕加工方式(如激光雕刻)，本發(fā)明并不局限于此。
[0061]然后，執(zhí)行步驟S104:形成氧化皮膜層12于經(jīng)表面處理之金屬基材11上，以構(gòu)成基材層1。氧化皮膜層12可利用化成方法形成，具體地說(shuō)是將經(jīng)表面處理之金屬基材11置于有機(jī)酸或無(wú)機(jī)酸之化成液中，并利用電氣化原理使金屬基材11表面氧化而形成A1203氧化皮膜，如此便完成基材層1的準(zhǔn)備。
[0062]此后，執(zhí)行步驟S106:形成電性絕緣件2于基材層1上，用以界定出一陽(yáng)極部la及一陰極部lb。在具體施行此步驟時(shí)可先涂布絕緣材料于氧化皮膜層12上，等待此絕緣材料成型后即可用以區(qū)隔出芯片型固態(tài)電解電容器C的陽(yáng)極和陰極區(qū)域。
[0063]此后，執(zhí)行步驟S108:形成導(dǎo)電高分子層于陰極部上。在具體施行此步驟時(shí)可將步驟106之完成品(具電性絕緣件的基材層)含浸于導(dǎo)電高分子溶液中，然后透過(guò)高溫烘烤使導(dǎo)電高分子材料成型。
[0064]此后，執(zhí)行步驟S110:形成圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4于導(dǎo)電高分子層3上。在具體施行此步驟時(shí)，主要是利用局部網(wǎng)印方式將一絕緣或?qū)щ姴牧闲纬捎趯?dǎo)電高分子層3上，并且根據(jù)實(shí)際需求，在網(wǎng)印過(guò)程中可使材料溢出而進(jìn)一步形成包覆側(cè)邊的護(hù)面層6。值得說(shuō)明的是，透過(guò)局部網(wǎng)印方式形成圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4，不僅能夠精準(zhǔn)控制其立體圖案、其尺吋及厚度，還能夠降低制造成本和整體制程時(shí)間。最后，執(zhí)行步驟S112:形成碳膠層51于圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4上，并形成銀膠層52于碳膠層51上。
[0065][本發(fā)明實(shí)際達(dá)成的功效]
[0066]本發(fā)明芯片型固態(tài)電解電容器透過(guò)在導(dǎo)電高分子層與電極層(包含碳膠層和銀膠層)之間配置一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層，除了能有效防止因受擠壓或撞擊而發(fā)生性能劣化外，還能補(bǔ)強(qiáng)氧化皮膜或高分子層的缺陷，以防止漏電流。
[0067]其次，所述芯片型固態(tài)電解電容器可進(jìn)一步在金屬基材之周緣配置一護(hù)面層，透過(guò)其絕緣包覆之設(shè)計(jì)，能補(bǔ)償經(jīng)切割或沖壓后之金屬基材周緣的微裂、毛邊(毛刺)、形變等缺陷，達(dá)到長(zhǎng)時(shí)間維持電容器特性的功效。
[0068]再者，所述圖案化補(bǔ)強(qiáng)層能增強(qiáng)電容器本身的機(jī)械強(qiáng)度，而且所述護(hù)面層能加強(qiáng)鋁芯層周緣的受力強(qiáng)度，因此可避免所述芯片型固態(tài)電解電容器在堆棧封裝時(shí)受到損壞。
[0069]此外，本發(fā)明芯片型固態(tài)電解電容器之制造方法能有效簡(jiǎn)化制程、大幅降低制造成本及改善產(chǎn)品良率。
[0070]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，其并非用以限定本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍。任何熟習(xí)相像技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)，所作的更動(dòng)及潤(rùn)飾的等效替換，仍落入本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，包括: 一基材層； 一電性絕緣件，形成于該基材層上，用以在該基材層上界定出一陽(yáng)極部及一陰極部； 一導(dǎo)電高分子層，形成于該陰極部上； 一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層，形成于該導(dǎo)電高分子層上；以及 一電極層，形成于該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層上。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層具有復(fù)數(shù)個(gè)呈均勻分布的孔洞。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層包括復(fù)數(shù)個(gè)以矩陣方式排列的結(jié)構(gòu)單體。
4.如權(quán)利要求3所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層還包括復(fù)數(shù)個(gè)連接橋，該些結(jié)構(gòu)單體中之相鄰的兩個(gè)結(jié)構(gòu)單體之間具有至少一連接橋。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層為一網(wǎng)狀多邊結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該基材層包括一金屬基材及一氧化皮膜層，該金屬基材具有一第一表面、一與該第一表面相對(duì)的第二表面及一位于該第一表面與該第二表面之間的環(huán)側(cè)表面，該氧化皮膜層包覆該金屬基材之第一及第二表面與一部分的環(huán)側(cè)表面。
7.如權(quán)利要求6所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層進(jìn)一步溢出而形成一護(hù)面層，該護(hù)面層包覆該金屬基材、該氧化皮膜層及該導(dǎo)電高分子層的裸露側(cè)表面。
8.如權(quán)利要求6所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該金屬基材為一鉭燒結(jié)體、一鋁箔或一鈮錠，該電極層包括一碳膠層及一形成于該碳膠層上的銀膠層。
9.如權(quán)利要求1所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層包括絕緣材料或?qū)щ姴牧稀?br> 10.一種芯片型固態(tài)電解電容器之制造方法，其特征在于，包括下列步驟: 提供一基材層； 形成一電性絕緣件于該基材層上，用以在該基材層上界定出一陽(yáng)極部及一陰極部； 形成一導(dǎo)電高分子層于該陰極部上； 形成一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層于該導(dǎo)電高分子層上；以及 形成一電極層于該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層上。
【文檔編號(hào)】H01G9/15GK104299789SQ201410589422
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年10月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月28日
【發(fā)明者】陳明宗, 王懿穎 申請(qǐng)人:鈺邦電子（無(wú)錫）有限公司