芯片型固態(tài)電解電容器的制造方法
【專利摘要】一種芯片型固態(tài)電解電容器，包括一基材層、一電性絕緣件、一導(dǎo)電高分子層、一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層及一電極層，其中該電性絕緣件形成于該基材層上，用以在該基材層上定義出一陽極部及一陰極部，該導(dǎo)電高分子層形成于該陰極部上，該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層形成于該導(dǎo)電高分子層上，該電極層形成于該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層上。采用本實(shí)用新型之芯片型固態(tài)電解電容器，可以在不影響電容值的前提下增加整體的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
【專利說明】芯片型固態(tài)電解電容器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是關(guān)于一種固態(tài)電解電容器，特別是指一種產(chǎn)品良率高且可靠度優(yōu)異之芯片型固態(tài)電解電容器。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的進(jìn)步，使得半導(dǎo)體構(gòu)裝的產(chǎn)品因市場需求開始發(fā)展出更精密、更先進(jìn)的電子組件。就可攜式電子產(chǎn)品而言，消費(fèi)者所期待者須充分滿足輕薄化、高頻化、多功能化、高可靠度及符合RoHS，故傳統(tǒng)液態(tài)電解電容器已逐漸無法滿足需求，進(jìn)而固態(tài)電解電容器因應(yīng)而生。
[0003]固態(tài)電解電容器為最常見的電容被動(dòng)元件之一，主要是在鋁、鉭、鈮、鈦等閥金屬(Valve metal)的表面采用陽極氧化法(Anodic oxidat1n)生成一薄層氧化物作為電介質(zhì)后，再以電解質(zhì)作為陰極而構(gòu)成；目前工業(yè)化生產(chǎn)的電解電容器主要以鋁質(zhì)固態(tài)電解電容器(Aluminium solid electrolytic capacitor)和組質(zhì)固態(tài)電解電容器(Tantalum solidelectrolytic capacitor)為主。
[0004]對于鋁質(zhì)固態(tài)電解電容器，其所使用的鋁質(zhì)基材是先對鋁原箔進(jìn)行電解蝕刻，形成表面具有微孔之腐蝕箔后，再利用切割或沖壓等方式將腐蝕箔切割成符合預(yù)定大小及形狀的鋁箔單元，最后對鋁箔單元進(jìn)行化成而形成的表面具有氧化皮膜之化成箔(Formingfoil)。然而，在經(jīng)過切割或沖壓后，鋁質(zhì)基材的周緣多少會產(chǎn)生微裂、毛邊(毛刺)、形變等缺陷，造成其上之氧化皮膜附著不完全，從而在后續(xù)的制程中造成因應(yīng)力引起的損傷與漏電流。除此之外，諸如溫度、濕度、氣壓、振動(dòng)等許多外在的環(huán)境因素都會引起現(xiàn)有的鋁質(zhì)固態(tài)電解電容器性能上的劣化。
[0005]進(jìn)一步而言，為增加電容器之電容量，業(yè)界常以陰極部彼此堆棧的方式將多個(gè)鋁質(zhì)固態(tài)電解電容器并聯(lián)連接，從而獲得較大的電容量相加(為該等電容器之電容量的總和)。惟，不論使用何種堆棧方式，皆可能有單一電容器因其本身機(jī)械強(qiáng)度不足而發(fā)生損壞的情形發(fā)生。
[0006]針對上述的鋁質(zhì)固態(tài)電解電容器存在的缺陷或不足，本實(shí)用新型人遂以其多年從事各種電容器的制造經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)累積，積極地研究如何利用較簡單的結(jié)構(gòu)改良設(shè)計(jì)完成可靠度較佳的鋁電解電容器，終于在各方條件的審慎考慮下開發(fā)出本實(shí)用新型。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型之主要目的在于提供一種機(jī)械強(qiáng)度較佳且抗形變能力較強(qiáng)的芯片型固態(tài)電解電容器，以期能改善先前技術(shù)之缺失。
[0008]為達(dá)上述的目的及功效，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)內(nèi)容:一種芯片型固態(tài)電解電容器，包括一基材層、一電性絕緣件、一導(dǎo)電高分子層、一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層及一電極層，其中該電性絕緣件形成于該基材層上，用以在該基材層上界定出一陽極部及一陰極部，該導(dǎo)電高分子層形成于該陰極部上，該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層形成于該導(dǎo)電高分子層上，該電極層形成于該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層上。
[0009]其中該基材層包括一金屬基材及一氧化皮膜層,該金屬基材具有一第一表面、一與該第一表面相對的第二表面及一位于該第一表面與該第二表面之間的環(huán)側(cè)表面，該氧化皮膜層包覆該金屬基材之第一及第二表面與一部分的環(huán)側(cè)表面。
[0010]其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層進(jìn)一步溢出而形成一護(hù)面層，該護(hù)面層包覆該金屬基材、該氧化皮膜層及該導(dǎo)電高分子層的裸露側(cè)表面。
[0011]本實(shí)用新型至少具有以下有益效果:本實(shí)用新型芯片型固態(tài)電解電容器透過在導(dǎo)電高分子層與電極層(包含碳膠層和銀膠層)之間配置一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層，除了能有效防止因受擠壓或撞擊而發(fā)生性能劣化外，還能補(bǔ)強(qiáng)氧化皮膜或高分子層的缺陷，以防止漏電流。
[0012]本實(shí)用新型的其他目的和優(yōu)點(diǎn)可以從本實(shí)用新型所揭露的技術(shù)內(nèi)容得到進(jìn)一步的了解。為了讓本實(shí)用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型之第一實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之立體示意圖。
[0014]圖2為本實(shí)用新型之第一實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之剖面示意圖。
[0015]圖3A為本實(shí)用新型之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之一種態(tài)樣之示意圖(一)。
[0016]圖3B為本實(shí)用新型之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之一種態(tài)樣之示意圖(二)。
[0017]圖4為本實(shí)用新型之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之另一種態(tài)樣之示意圖。
[0018]圖5A為本實(shí)用新型之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之又一種態(tài)樣之示意圖(一)。
[0019]圖5B為本實(shí)用新型之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之又一種態(tài)樣之示意圖(二)。
[0020]圖6為本實(shí)用新型之芯片型固態(tài)電解電容器之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層之再一種態(tài)樣之示意圖。
[0021]圖7為本實(shí)用新型之第二實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之立體示意圖。
[0022]圖8為本實(shí)用新型之芯片型固態(tài)電解電容器之制造方法之流程示意圖。
[0023]【符號說明】
[0024]C芯片型固態(tài)電解電容器
[0025]I基材層
[0026]Ia陽極部
[0027]Ib陰極部
[0028]11金屬基材
[0029]111 第一表面
[0030]112 第二表面
[0031]113環(huán)側(cè)表面
[0032]12氧化皮膜層
[0033]2電性絕緣件
[0034]3導(dǎo)電高分子層
[0035]4圖案化補(bǔ)強(qiáng)層
[0036]40 孔洞
[0037]41結(jié)構(gòu)單體
[0038]42連接橋
[0039]5電極層
[0040]51碳膠層
[0041]52銀膠層
[0042]6護(hù)面層

【具體實(shí)施方式】
[0043]本實(shí)用新型所揭示之內(nèi)容涉及一種構(gòu)造新穎的芯片型固態(tài)電解電容器，其特點(diǎn)在于，電容器陰極部內(nèi)配置有一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層，而且陰極部之周緣更進(jìn)一步配置有一護(hù)面層，如此一來，可以防止在堆棧構(gòu)裝的過程中受到擠壓或撞擊而造成電容器性能劣化。
[0044]接下來將透過多個(gè)實(shí)施例，并配合所附圖式來說明本實(shí)用新型的制程步驟及操作條件等，使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可由本實(shí)用新型所揭示的內(nèi)容，輕易了解本實(shí)用新型相對于先前技術(shù)具有的創(chuàng)新、進(jìn)步或功效等獨(dú)特的技術(shù)部分?？梢岳斫獾氖牵绢I(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不悖離本實(shí)用新型的精神下所進(jìn)行的修飾與變更，均不脫本實(shí)用新型的保護(hù)范疇。
[0045][第一實(shí)施例]
[0046]請參考圖1及圖2，圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之立體示意圖，圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之剖面示意圖。如以上圖式所示，本實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器C主要包括一基材層1、至少一電性絕緣件2、一導(dǎo)電高分子層3、一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4及一電極層5。
[0047]基材層I包括一金屬基材11及一形成于金屬基材11上的氧化皮膜層12,金屬基材11可選用鉭燒結(jié)體、鋁箔或鈮錠，雖然本實(shí)施例是以厚度20?10mm且純度99.8%以上之鋁箔當(dāng)作基材，但本實(shí)用新型并不限制于此。應(yīng)注意的是，若金屬基材11所含不純物過多，氧化皮膜層12于化成時(shí)容易產(chǎn)生缺陷，此會造成漏電流增大，從而減低使用壽命。
[0048]進(jìn)一步而言，金屬基材11具有相對設(shè)置的第一表面111及第二表面112與位于兩者之間的一環(huán)側(cè)表面113，為增加金屬基材11的有效面積以增加小型大容量化的優(yōu)勢，本實(shí)施例可運(yùn)用機(jī)械腐蝕、化學(xué)腐蝕、電子化學(xué)腐蝕或激光雕刻等方法對其進(jìn)行表面處理，在第一、第二表面111、112及環(huán)側(cè)表面113上形成坑洞(圖中未顯示)；附帶一提，熟習(xí)此項(xiàng)技藝者可以根據(jù)電容器的性能要求而腐蝕出具不同坑洞形貌的金屬基材11，本實(shí)用新型并不對此加以限制。
[0049]氧化皮膜層12可為一氧化鋁膜層(A1203)，其被覆金屬基材11之第一、第二表面111、112及一部分的環(huán)側(cè)表面113 (如后側(cè)表面)，主要當(dāng)作芯片型固態(tài)電解電容器C的誘電體。值得說明的是，氧化皮膜層12厚度可以決定電容器兩極之間的距離，是以控制氧化皮膜層12厚度可得所需之電容量，具體地說，氧化皮膜層12厚則電容量低，氧化皮膜層12薄則電容量高。
[0050]再者，氧化皮膜層12之相對二表面上各形成有一電性絕緣件2，其材質(zhì)可為電性絕緣樹脂，其中一電性絕緣件2由靠近金屬基材11之第一表面111處往遠(yuǎn)離此第一表面111的方向延伸，另一電性絕緣件2由靠近金屬基材11之第二表面112處往遠(yuǎn)離此第二表面112的方向延伸。據(jù)此，可以在基材層I上區(qū)隔出一陽極部Ia及一陰極部lb，也就是定義出芯片型固態(tài)電解電容器C之一陽極區(qū)域及一陰極區(qū)域(圖中未標(biāo)示)。
[0051]導(dǎo)電高分子層3形成于陰極部Ib上，具體地說是被覆在位于陰極區(qū)域內(nèi)之氧化皮膜層12的表面上，主要當(dāng)作芯片型固態(tài)電解電容器C的固態(tài)電解質(zhì)。導(dǎo)電高分子層3可包括聚乙烯二氧噻吩(polyethylene d1xyth1phene, PED0T)、聚噻吩(Polyth1phen, PT)、聚乙塊(Polyacetylene, PA)、聚苯胺(Polyaniline, PAni)或聚卩比咯(Polypyrrole, PPy),雖然本實(shí)施例所用導(dǎo)電高分子層3為PEDOT材質(zhì)，但本實(shí)用新型并不限制于此。附帶一提，上述所有導(dǎo)電高分子材料皆具備高導(dǎo)電度、優(yōu)異的耐熱性和溫度特性、易附著于介電層上且不會破壞介電層及在外加電壓下不會劣化等特性，相當(dāng)適合被應(yīng)用于固態(tài)電解電容器的電解質(zhì)。
[0052]請?jiān)俅螀⒖紙D1及圖2，并請配合參考圖3A至圖6，圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4形成于導(dǎo)電高分子層3上，其可包括絕緣材料例如環(huán)氧樹脂(Epoxy)、娃膠(Silicone)或聚亞酰胺(Polyimide)，但本實(shí)用新型并不限制于此。舉例來說，熟習(xí)此項(xiàng)技藝者也可以根據(jù)電容器的性能要求而選擇使用導(dǎo)電材料例如碳膠、銀膠或其他合適的導(dǎo)電膠來形成的圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4。
[0053]就圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4的結(jié)構(gòu)特征而言，首先參圖3A及圖3B所示，根據(jù)一實(shí)施態(tài)樣，圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4上形成有復(fù)數(shù)個(gè)呈均勻分布的孔洞40，該些孔洞40之形狀可包括圓形、蜂巢形、橢圓形、矩形等(后兩者于圖中未顯示)。接著如圖4所示，根據(jù)另一實(shí)施態(tài)樣，圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4包括復(fù)數(shù)個(gè)以矩陣方式排列的結(jié)構(gòu)單體41，該些結(jié)構(gòu)單體41可包括任何立體形狀例如O狀、X狀、Y狀、T狀等(后三者圖中未顯示)，但本實(shí)用新型并不限制于此。
[0054]然后如圖5A及圖5B所示，根據(jù)又一實(shí)施態(tài)樣，圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4包括復(fù)數(shù)個(gè)以矩陣方式排列的結(jié)構(gòu)單體41及復(fù)數(shù)個(gè)連接橋42，其中該些結(jié)構(gòu)單體41可包括任何立體形狀，而且相鄰的兩個(gè)結(jié)構(gòu)單體41經(jīng)由至少一連接橋42相連；換句話說，又一實(shí)施態(tài)樣之圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4上形成有復(fù)數(shù)個(gè)呈非均勻分布的孔洞(由結(jié)構(gòu)單體及連接橋所界定，圖中未標(biāo)示)。最后如圖6所示，根據(jù)再一實(shí)施態(tài)樣，圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4為一網(wǎng)狀多邊結(jié)構(gòu)。
[0055]請?jiān)俅螀⒖紙D1及圖2，電極層5形成于圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4上，主要當(dāng)作芯片型固態(tài)電解電容器C的第二電極層。具體地說，電極層5為一碳膠層51及一銀膠層52所組成的雙層電極層，其中碳膠層51被覆在圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4的表面上，銀膠層52被覆在碳膠層51的表面上。
[0056][第二實(shí)施例]
[0057]請參考圖7，為本實(shí)用新型第二實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器之立體示意圖。如圖所不，本實(shí)施例之芯片型固態(tài)電解電容器C同樣包括一基材層1、至少一電性絕緣件2、一導(dǎo)電高分子層3、一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4及一電極層5，而且除了上述的必要組件以外，所述芯片型固態(tài)電解電容器C更進(jìn)一步包括于形成導(dǎo)電高分子層3時(shí)因材料溢出而形成的至少一護(hù)面層6。同樣地，所述護(hù)面層6可包括絕緣材料例如環(huán)氧樹脂(Epoxy)、硅膠(Silicone)或聚亞酰胺(Polyimide)，但本實(shí)用新型并不限制于此；舉例來說，護(hù)面層6也可以導(dǎo)電材料例如碳膠、銀膠或其他合適的導(dǎo)電膠制成。
[0058]護(hù)面層6主要被設(shè)計(jì)來將裸露的金屬基材11 (即鋁芯層)完全包覆，具體地說是被覆在金屬基材11、氧化皮膜層12及導(dǎo)電高分子層3之裸露側(cè)表面(包含左側(cè)表面及右側(cè)表面)上，以此方式補(bǔ)償經(jīng)切割或沖壓后之金屬基材11周緣的微裂、毛邊(毛刺)、形變等缺陷，以長時(shí)間維持電容器的特性；不僅如此，護(hù)面層6還可以加強(qiáng)鋁芯層周緣的受力強(qiáng)度，避免芯片型固態(tài)電解電容器C在堆棧封裝時(shí)受到損壞。
[0059]請參考圖8，并請配合參考圖1及圖2，本實(shí)用新型之芯片型固態(tài)電解電容器C的結(jié)構(gòu)特征已詳述如上，接下來將進(jìn)一步說明所述芯片型固態(tài)電解電容器C之制造方法，主要包括下列步驟:
[0060]首先，執(zhí)行步驟SlOO:提供金屬基材11。金屬基材11具有一第一表面111、一與第一表面111相對的第二表面及一位于第一表面111與第二表面112之間的環(huán)側(cè)表面113,對于金屬基材11的細(xì)部特征可參考第一實(shí)施例內(nèi)容，在此不多加贅述。
[0061]接著，執(zhí)行步驟S102:對金屬基材11進(jìn)行表面處理。表面處理的方法如參考第一實(shí)施例所述，其中機(jī)械腐蝕法例如用砂紙等器具并配合研磨劑，直接對金屬基材11之第一及第二表面111、112與環(huán)側(cè)表面113作腐蝕加工，可增加面積約1.5?3倍。化學(xué)腐蝕法例如用鹽酸、氯化銅等溶液對金屬基材11之該些表面作腐蝕加工,可增加面積約1.5?7倍。電子化學(xué)腐蝕法例如用鹽酸、氯化銅等溶液并于其中施加一特定的AC或DC電流，以此方式對金屬基材11之該些表面作腐蝕加工，可增加面積約6?100倍。除以上所述方法之夕卜，熟習(xí)此項(xiàng)技藝者當(dāng)然可以根據(jù)電容器的性能要求或制程需求而選擇其他的腐蝕加工方式(如激光雕刻)，本實(shí)用新型并不局限于此。
[0062]然后，執(zhí)行步驟S104:形成氧化皮膜層12于經(jīng)表面處理之金屬基材11上，以構(gòu)成基材層I。氧化皮膜層12可利用化成方法形成，具體地說是將經(jīng)表面處理之金屬基材11置于有機(jī)酸或無機(jī)酸之化成液中，并利用電氣化原理使金屬基材11表面氧化而形成A1203氧化皮膜，如此便完成基材層I的準(zhǔn)備。
[0063]此后，執(zhí)行步驟S106:形成電性絕緣件2于基材層I上，用以界定出一陽極部Ia及一陰極部lb。在具體施行此步驟時(shí)可先涂布絕緣材料于氧化皮膜層12上，等待此絕緣材料成型后即可用以區(qū)隔出芯片型固態(tài)電解電容器C的陽極和陰極區(qū)域。
[0064]此后，執(zhí)行步驟S108:形成導(dǎo)電高分子層于陰極部上。在具體施行此步驟時(shí)可將步驟106之完成品(具電性絕緣件的基材層)含浸于導(dǎo)電高分子溶液中，然后透過高溫烘烤使導(dǎo)電高分子材料成型。
[0065]此后，執(zhí)行步驟SllO:形成圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4于導(dǎo)電高分子層3上。在具體施行此步驟時(shí)，主要是利用局部網(wǎng)印方式將一絕緣或?qū)щ姴牧闲纬捎趯?dǎo)電高分子層3上，并且根據(jù)實(shí)際需求，在網(wǎng)印過程中可使材料溢出而進(jìn)一步形成包覆側(cè)邊的護(hù)面層6。值得說明的是，透過局部網(wǎng)印方式形成圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4，不僅能夠精準(zhǔn)控制其立體圖案、其尺吋及厚度，還能夠降低制造成本和整體制程時(shí)間。最后，執(zhí)行步驟S112:形成碳膠層51于圖案化補(bǔ)強(qiáng)層4上，并形成銀膠層52于碳膠層51上。
[0066][本實(shí)用新型實(shí)際達(dá)成的功效]
[0067]本實(shí)用新型芯片型固態(tài)電解電容器透過在導(dǎo)電高分子層與電極層(包含碳膠層和銀膠層)之間配置一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層，除了能有效防止因受擠壓或撞擊而發(fā)生性能劣化夕卜，還能補(bǔ)強(qiáng)氧化皮膜或高分子層的缺陷，以防止漏電流。
[0068]其次，所述芯片型固態(tài)電解電容器可進(jìn)一步在金屬基材之周緣配置一護(hù)面層，透過其絕緣包覆之設(shè)計(jì)，能補(bǔ)償經(jīng)切割或沖壓后之金屬基材周緣的微裂、毛邊(毛刺)、形變等缺陷，達(dá)到長時(shí)間維持電容器特性的功效。
[0069]再者，所述圖案化補(bǔ)強(qiáng)層能增強(qiáng)電容器本身的機(jī)械強(qiáng)度，而且所述護(hù)面層能加強(qiáng)鋁芯層周緣的受力強(qiáng)度，因此可避免所述芯片型固態(tài)電解電容器在堆棧封裝時(shí)受到損壞。
[0070]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，其并非用以限定本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍。任何熟習(xí)相像技藝者，在不脫離本實(shí)用新型的精神與范圍內(nèi)，所作的更動(dòng)及潤飾的等效替換，仍落入本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，包括: 一基材層； 一電性絕緣件，形成于該基材層上，用以在該基材層上界定出一陽極部及一陰極部； 一導(dǎo)電高分子層，形成于該陰極部上； 一圖案化補(bǔ)強(qiáng)層，形成于該導(dǎo)電高分子層上；以及 一電極層，形成于該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層上。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層具有復(fù)數(shù)個(gè)呈均勻分布的孔洞。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層包括復(fù)數(shù)個(gè)以矩陣方式排列的結(jié)構(gòu)單體。
4.如權(quán)利要求3所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層還包括復(fù)數(shù)個(gè)連接橋，該些結(jié)構(gòu)單體中之相鄰的兩個(gè)結(jié)構(gòu)單體之間具有至少一連接橋。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層為一網(wǎng)狀多邊結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該基材層包括一金屬基材及一氧化皮膜層，該金屬基材具有一第一表面、一與該第一表面相對的第二表面及一位于該第一表面與該第二表面之間的環(huán)側(cè)表面，該氧化皮膜層包覆該金屬基材之第一及第二表面與一部分的環(huán)側(cè)表面。
7.如權(quán)利要求6所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層進(jìn)一步溢出而形成一護(hù)面層，該護(hù)面層包覆該金屬基材、該氧化皮膜層及該導(dǎo)電高分子層的裸露側(cè)表面。
8.如權(quán)利要求6所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該金屬基材為一鉭燒結(jié)體、一鋁箔或一鈮錠，該電極層包括一碳膠層及一形成于該碳膠層上的銀膠層。
9.如權(quán)利要求1所述的芯片型固態(tài)電解電容器，其特征在于，其中該圖案化補(bǔ)強(qiáng)層包括絕緣材料或?qū)щ姴牧稀?br> 【文檔編號】H01G9/15GK204215904SQ201420631339
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年10月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月28日
【發(fā)明者】陳明宗, 王懿穎 申請人:鈺邦電子（無錫）有限公司