Amoled器件及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種AMOLED器件制備方法。所述方法包括：形成聚合物基板；在所述聚合物基板上制作基板阻障層，所述基板阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層；在所述基板阻障層上制作薄膜晶體管陣列以及有機(jī)發(fā)光功能材料層，并進(jìn)行陰極蒸鍍形成陰極；在所述陰極上制作封裝阻障層，所述封裝阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層。本發(fā)明還相應(yīng)公開了一種AMOLED器件。應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)方案，能夠滿足AMOLED器件的高柔性要求。
【專利說明】AMOLED器件及制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器件【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種AMOLED器件及制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting D1de,有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)是新一代顯示面板，相比于一般的液晶面板，具有反應(yīng)速度更快、對比度更高、視角更廣的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。
[0003]柔性AMOLED的基板材料通常為聚合物基板，其水汽透過率和氧氣透過率比較高，水汽或氧氣進(jìn)入AMOLED器件，會造成有機(jī)發(fā)光功能材料的降解，因此，需要在基板以及器件的封裝結(jié)構(gòu)上制作阻障層(barrier)來阻擋水汽和氧氣的進(jìn)入。
[0004]發(fā)明人在研究中發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)技術(shù)的問題在于，現(xiàn)有的阻障層材料一般選取AlOx、SiNx, S1x等無機(jī)材料，這些材料的脆性比較高，不能滿足AMOLED器件的高柔性的要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要提供一種AMOLED器件制備方法，應(yīng)用本方法，能夠滿足AMOLED器件的高柔性要求。
[0006]一種AMOLED器件制備方法,包括:
[0007]形成聚合物基板；
[0008]在所述聚合物基板上制作基板阻障層，所述基板阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層；
[0009]在所述基板阻障層上制作薄膜晶體管陣列以及有機(jī)發(fā)光功能材料層，并進(jìn)行陰極蒸鍍形成陰極；
[0010]在所述陰極上制作封裝阻障層，所述封裝阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層。
[0011]在一個實(shí)施例中，所述形成聚合物基板的步驟，包括:
[0012]采用狹縫式涂布或旋轉(zhuǎn)涂布的方式，在載體上形成聚合物基板。
[0013]在一個實(shí)施例中，所述聚合物基板為PEN基板、PI基板、PES基板、PEEK基板中的一種。
[0014]在一個實(shí)施例中，在載體上形成的聚合物基板的厚度為5-100微米。
[0015]在一個實(shí)施例中，在所述聚合物基板上制作基板阻障層的步驟，至少包括制作石墨烯膜的過程；
[0016]在所述陰極上制作封裝阻障層的步驟，至少包括制作石墨烯膜。
[0017]在一個實(shí)施例中，所述制作石墨烯膜的步驟，包括:
[0018]采用氧化還原法直接制備石墨烯膜；或者
[0019]先采用氣相沉積法在金屬箔上沉積石墨烯膜，再進(jìn)行化學(xué)或電化學(xué)轉(zhuǎn)移。
[0020]在一個實(shí)施例中，所述石墨烯膜的厚度為30納米至I微米。
[0021]在一個實(shí)施例中，在所述聚合物基板上制作基板阻障層的步驟，還包括制作有機(jī)物膜的過程；
[0022]在所述陰極上制作封裝阻障層的步驟，還包括制作有機(jī)物膜。
[0023]在一個實(shí)施例中，所述有機(jī)物膜為PCL膜、PMMA膜、HMDSO膜中的一種。
[0024]在一個實(shí)施例中，所述石墨烯膜和所述有機(jī)物膜的層數(shù)同時為I至10層。
[0025]基于此，還有必要提供一種AMOLED器件，能夠滿足AMOLED器件的高柔性要求。
[0026]一種AMOLED器件，包括:
[0027]聚合物基板；
[0028]制作于所述聚合物基板上的基板阻障層，所述基板阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層；
[0029]制作于所述基板阻障層上的薄膜晶體管陣列以及有機(jī)發(fā)光功能材料層，所述有機(jī)發(fā)光功能材料層上設(shè)有經(jīng)陰極蒸鍍形成的陰極；
[0030]制作于所述陰極上的封裝阻障層，所述封裝阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層。
[0031]在一個實(shí)施例中，所述聚合物基板為采用狹縫式涂布或旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成的聚合物基板；所述聚合物基板為PEN基板、PI基板、PES基板、PEEK基板中的一種；所述聚合物基板的厚度為5-100微米。
[0032]在一個實(shí)施例中，所述基板阻障層為多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層；
[0033]所述封裝阻障層為多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層；
[0034]所述石墨烯膜的厚度為30納米至I微米；
[0035]所述有機(jī)物膜為PCL膜、PMMA膜、HMDSO膜中的一種；
[0036]所述石墨烯膜和所述有機(jī)物膜的層數(shù)同時為I至10層。
[0037]上述AMOLED器件制備方法和器件，在制作基板阻障層和封裝阻障層時，選用由多層石墨烯膜形成的阻障層，或由多層石墨烯膜和有機(jī)物膜交替形成的阻障層，相比于傳統(tǒng)技術(shù)中選用無機(jī)材料，由于石墨烯材料高阻隔性和高柔韌型，不僅滿足阻障層對水汽和氧氣的阻擋要求，還可以滿足高柔性要求。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1為一個實(shí)施例中的AMOLED器件制備方法的流程示意圖；
[0039]圖2為一個實(shí)施例中的AMOLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0040]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0041]參見圖1，在一個實(shí)施例中提供了一種AMOLED器件制備方法。該方法可以用于制備滿足高柔性AMOLED器件的應(yīng)用場景。該方法包括:
[0042]步驟101，形成聚合物基板。
[0043]具體的,在本實(shí)施例中，可以采用狹縫式涂布(slit coating)或旋轉(zhuǎn)涂布(spincoating)的方式,在玻璃載體上形成聚合物基板。該聚合物基板可以但不限于為PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜)基板、PI (聚酰亞胺薄膜)基板、PES (聚醚砜樹脂)基板、PEEK (聚醚醚酮)基板中的一種。聚合物基板的厚度為5-100微米。
[0044]步驟102,在聚合物基板上制作基板阻障(barrier)層。
[0045]具體在本實(shí)施例中，基板阻障層可以是包含多層石墨烯膜的阻障層，也可以是多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層。
[0046]作為一種可選方式，基板阻障層為多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層。制作基板阻障層的步驟就包括制作石墨烯膜和制作有機(jī)物膜的過程。在本實(shí)施例中，石墨烯具有已有材料中最高的阻隔性能，并且柔韌型非常好。
[0047]其中，制作石墨烯膜可以采用氧化還原法或氣相沉積法。若采用氧化還原法直接制備石墨烯膜，首先制備氧化石墨，先將石墨粉分散在強(qiáng)氧化性混合酸中，如濃硝酸和濃硫酸，然后加入高錳酸鉀或氯酸鉀等強(qiáng)氧化劑得到氧化石墨，再經(jīng)過超聲處理得到氧化石墨烯，最后通過還原得到石墨烯。若采用氣相沉積法，先采用氣相沉積法在金屬箔，如銅箔或鎳箔上沉積石墨烯膜，再進(jìn)行化學(xué)或電化學(xué)轉(zhuǎn)移到基板上。本實(shí)施例中，石墨烯膜的厚度為30納米至I微米。
[0048]有機(jī)物膜可以是PCL(聚己內(nèi)酯)膜、PMMA(亞克力)膜、HMDSO(六甲基二甲硅醚)膜中的一種。有機(jī)物膜與石墨烯膜相互交替，層數(shù)同時為I至10層。
[0049]步驟103，在基板阻障層上制作薄膜晶體管陣列以及有機(jī)發(fā)光功能材料層，并在有機(jī)發(fā)光功能材料層上進(jìn)行陰極蒸鍍形成陰極。
[0050]具體的，本步驟中制作薄膜晶體管陣列(TFT array)、有機(jī)發(fā)光功能材料層、陰極蒸鍍可以參照傳統(tǒng)技術(shù)。AMOLED作為OLED的一種,其利用有機(jī)半導(dǎo)體材料和發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復(fù)合從而導(dǎo)致發(fā)光。
[0051]步驟104，在陰極上制作封裝阻障層。
[0052]具體的，在陰極上制作封裝阻障層，封裝阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層。
[0053]在本步驟中，制作石墨烯膜的過程與步驟102中相同，在此不再詳細(xì)贅述。若本步驟封裝阻障層采用石墨烯膜和有機(jī)物膜交替，其層數(shù)同時為I至10層，有機(jī)物膜為PCL膜、PMMA膜、HMDSO膜中的一種。
[0054]上述實(shí)施例中的AMOLED器件制備方法，在制作基板阻障層和封裝阻障層時，選用由多層石墨烯膜形成的阻障層，或由多層石墨烯膜和有機(jī)物膜交替形成的阻障層，相比于傳統(tǒng)技術(shù)中選用無機(jī)材料，由于石墨烯材料高阻隔性和高柔韌型，不僅滿足阻障層對水汽和氧氣的阻擋要求，還可以滿足高柔性要求。
[0055]參見圖2，在一個實(shí)施例中提供了一種AMOLED器件。該器件能夠滿足AMOLED器件的高柔性要求。該器件包括:
[0056]聚合物基板201。
[0057]制作于聚合物基板201上的基板阻障層202。具體的，基板阻障層為包含多層石墨烯膜2001的阻障層，或多層石墨烯膜2001與有機(jī)物膜2002相互交替的阻障層。
[0058]制作于基板阻障層202上的薄膜晶體管陣列203以及有機(jī)發(fā)光功能材料層204，有機(jī)發(fā)光功能材料層204上設(shè)有經(jīng)陰極蒸鍍形成的陰極。
[0059]制作于陰極上的封裝阻障層205。具體的，封裝阻障層205為包含多層石墨烯膜2001的阻障層，或多層石墨烯膜2001與有機(jī)物膜2002相互交替的阻障層。
[0060]可選的，在一個實(shí)施例中，聚合物基板201為采用狹縫式涂布或旋轉(zhuǎn)涂布的方式在載體1000上形成的聚合物基板。聚合物基板為PEN基板、PI基板、PES基板、PEEK基板中的一種。聚合物基板的厚度為5-100微米。
[0061]在一個實(shí)施例中，基板阻障層202為多層石墨烯膜2001與有機(jī)物膜2002相互交替的阻障層。封裝阻障層205為多層石墨烯膜2001與有機(jī)物膜2002相互交替的阻障層。石墨烯膜2001的厚度為30納米至I微米。有機(jī)物膜2002為PCL膜、PMMA膜、HMDSO膜中的一種。石墨烯膜和有機(jī)物膜的層數(shù)同時為I至10層。
[0062]上述實(shí)施例中的AMOLED器件，在制作基板阻障層和封裝阻障層時，選用由多層石墨烯膜形成的阻障層，或由多層石墨烯膜和有機(jī)物膜交替形成的阻障層，相比于傳統(tǒng)技術(shù)中選用無機(jī)材料，由于石墨烯材料高阻隔性和高柔韌型，不僅滿足阻障層對水汽和氧氣的阻擋要求，還可以滿足高柔性要求。
[0063]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種纟10120器件制備方法，其特征在于，所述方法包括: 形成聚合物基板； 在所述聚合物基板上制作基板阻障層，所述基板阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層； 在所述基板阻障層上制作薄膜晶體管陣列以及有機(jī)發(fā)光功能材料層，并進(jìn)行陰極蒸鍍形成陰極； 在所述陰極上制作封裝阻障層，所述封裝阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成聚合物基板的步驟，包括: 采用狹縫式涂布或旋轉(zhuǎn)涂布的方式，在載體上形成聚合物基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述聚合物基板為？別基板、？I基板、？￡3基板、？￡￡1(基板中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在載體上形成的聚合物基板的厚度為5-100微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述聚合物基板上制作基板阻障層的步驟，至少包括制作石墨烯膜的過程； 在所述陰極上制作封裝阻障層的步驟，至少包括制作石墨烯膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述制作石墨烯膜的步驟，包括: 采用氧化還原法直接制備石墨烯膜；或者 先采用氣相沉積法在金屬箔上沉積石墨烯膜，再進(jìn)行化學(xué)或電化學(xué)轉(zhuǎn)移。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述石墨烯膜的厚度為30納米至1微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7任一項所述的方法，其特征在于，在所述聚合物基板上制作基板阻障層的步驟，還包括制作有機(jī)物膜的過程； 在所述陰極上制作封裝阻障層的步驟，還包括制作有機(jī)物膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述有機(jī)物膜為膜、膜、^080膜中的一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述石墨烯膜和所述有機(jī)物膜的層數(shù)同時為1至10層。
11.一種八10120器件，其特征在于，所述器件包括: 聚合物基板； 制作于所述聚合物基板上的基板阻障層，所述基板阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層； 制作于所述基板阻障層上的薄膜晶體管陣列以及有機(jī)發(fā)光功能材料層，所述有機(jī)發(fā)光功能材料層上設(shè)有經(jīng)陰極蒸鍍形成的陰極； 制作于所述陰極上的封裝阻障層，所述封裝阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于，所述聚合物基板為采用狹縫式涂布或旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成的聚合物基板；所述聚合物基板為基板、？1基板、基板、92?基板中的一種；所述聚合物基板的厚度為5-100微米。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于，所述基板阻障層為多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層； 所述封裝阻障層為多層石墨烯膜與有機(jī)物膜相互交替的阻障層； 所述石墨烯膜的厚度為30納米至1微米； 所述有機(jī)物膜為膜、膜、^080膜中的一種； 所述石墨烯膜和所述有機(jī)物膜的層數(shù)同時為1至10層。
【文檔編號】H01L51/56GK104347820SQ201410531280
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月10日
【發(fā)明者】何劍, 蘇君海, 李建華 申請人:信利（惠州）智能顯示有限公司