有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制作方法，該顯示裝置具有多個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，包括：陣列基板及位于陣列基板上且位于每個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域內(nèi)的發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括：空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。其中，發(fā)光層完全覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域；空穴傳輸層和電子傳輸層分別位于發(fā)光層的兩側(cè)，或者空穴傳輸層和電子傳輸層位于發(fā)光層的同一側(cè)；空穴傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影和電子傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影均部分覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，且二者相互錯(cuò)開(kāi)。上述顯示裝置及其制作方法，能夠減少光線傳輸?shù)桨l(fā)光器件外所需經(jīng)過(guò)的膜層數(shù)，減少由膜層的吸收和散射造成的光線損失，提高發(fā)光器件的外量子效率，進(jìn)而提高顯示裝置的出光效率。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種OLED (Organic Light-Emitting D1de,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，OLED顯示裝置以其體積輕薄、對(duì)比度高、色域高、功耗低、可以實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為下一代顯示裝置的主流發(fā)展趨勢(shì)。
[0003]OLED 顯不裝置中的 AMOLED (Active Matrix Organic Light Emiss1n Display,有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置)響應(yīng)速度快，且可滿足各種尺寸顯示裝置的需求，因此備受很多企業(yè)關(guān)注。AMOLED顯示裝置通常包括陣列基板和發(fā)光器件，其中發(fā)光器件主要采用精細(xì)金屬掩膜的方式實(shí)現(xiàn)，該實(shí)現(xiàn)方式已經(jīng)日趨成熟，使AMOLED實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
[0004]采用上述方式實(shí)現(xiàn)AMOLED的過(guò)程中，發(fā)光器件是通過(guò)蒸鍍方式將OLED材料按照預(yù)定程序蒸鍍到低溫多晶硅背板上，再利用精細(xì)金屬掩膜上的圖形進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成的。如圖1所示，AMOLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)一般包括:陣列基板101、陽(yáng)極102、空穴注入層103、空穴傳輸層104、發(fā)光層105、電子傳輸層106、電子注入層107和陰極108。
[0005]以上述發(fā)光器件為頂出光型為例，其發(fā)光時(shí)發(fā)光層發(fā)出的光線將分別向上和向下發(fā)射，向上發(fā)射的光線需要經(jīng)過(guò)電子傳輸層、電子注入層和陰極傳輸出去，向下發(fā)射的光線需要經(jīng)過(guò)空穴傳輸層和空穴注入層，傳輸?shù)疥?yáng)極，再被陽(yáng)極反射為向上發(fā)射，反射后光線又要經(jīng)過(guò)空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極才能傳輸出去。整個(gè)發(fā)光過(guò)程中，由于光線在上述各個(gè)膜層傳輸時(shí)會(huì)因光波導(dǎo)效應(yīng)被部分吸收和散射，光線由發(fā)光層傳輸?shù)桨l(fā)光器件外所需穿過(guò)的膜層較多，因此會(huì)造成發(fā)光器件發(fā)出的光線的損失量較大，發(fā)光器件的外量子效率較低，進(jìn)而導(dǎo)致AMOLED的出光效率較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供了一種OLED顯示裝置及其制作方法，以提高發(fā)光器件的外量子效率，進(jìn)而提聞OLED顯不裝直的出光效率。
[0007]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0008]一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，具有多個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，包括:陣列基板及位于所述陣列基板上且位于每個(gè)所述像素開(kāi)口區(qū)域內(nèi)的發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括:空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；其中，所述發(fā)光層完全覆蓋一個(gè)所述像素開(kāi)口區(qū)域；所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層分別位于所述發(fā)光層的兩側(cè)，或者所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層位于所述發(fā)光層的同一側(cè)；所述空穴傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影和所述電子傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影均部分覆蓋一個(gè)所述像素開(kāi)口區(qū)域，且所述空穴傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影與所述電子傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影相互錯(cuò)開(kāi)。
[0009]優(yōu)選的，所述發(fā)光器件還包括:位于所述空穴傳輸層背離所述發(fā)光層一側(cè)的空穴注入層，及位于所述電子傳輸層背離所述發(fā)光層一側(cè)的電子注入層，所述空穴注入層與所述空穴傳輸層完全重疊，所述電子注入層與所述電子傳輸層完全重疊。
[0010]優(yōu)選的，所述發(fā)光器件還包括:位于所述空穴注入層背離所述發(fā)光層一側(cè)的陽(yáng)極，及位于所述電子注入層背離所述發(fā)光層一側(cè)的陰極。
[0011]優(yōu)選的，當(dāng)所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層位于所述發(fā)光層的同一側(cè)時(shí)，所述陽(yáng)極與所述空穴傳輸層完全重疊，所述陰極與所述電子傳輸層完全重疊。
[0012]優(yōu)選的，當(dāng)所述空穴傳輸層位于所述發(fā)光層朝向所述陣列基板的一側(cè)，且所述電子傳輸層位于所述發(fā)光層背離所述陣列基板的一側(cè)時(shí)，所述陽(yáng)極與所述發(fā)光層或所述空穴注入層完全重疊，所述陰極與所述電子注入層完全重疊。
[0013]優(yōu)選的，當(dāng)所述空穴傳輸層位于所述發(fā)光層背離所述陣列基板的一側(cè)，且所述電子傳輸層位于所述發(fā)光層朝向所述陣列基板的一側(cè)時(shí)，所述陽(yáng)極與所述空穴注入層完全重疊，所述陰極與所述電子注入層或所述發(fā)光層完全重疊。
[0014]優(yōu)選的，所述發(fā)光器件還包括:位于所述空穴傳輸層與所述發(fā)光層之間的電子阻擋層，及位于所述電子傳輸層與所述發(fā)光層之間的空穴阻擋層。
[0015]優(yōu)選的，所述發(fā)光器件還包括:覆蓋在所述發(fā)光器件上的保護(hù)層。
[0016]本發(fā)明還提供了一種OLED顯示裝置制造方法，包括:形成陣列基板，所述陣列基板包括多個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域；在所述陣列基板上的每個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成發(fā)光器件，所述制作方法用于制作以上所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，所述形成發(fā)光器件包括形成空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；其中，所述發(fā)光層完全覆蓋一個(gè)所述像素開(kāi)口區(qū)域；所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層分別位于所述發(fā)光層的兩側(cè)，或者所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層位于所述發(fā)光層的同一側(cè)；所述空穴傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影和所述電子傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影均部分覆蓋一個(gè)所述像素開(kāi)口區(qū)域，且所述空穴傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影與所述電子傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影相互錯(cuò)開(kāi)。
[0017]優(yōu)選的，所述空穴傳輸層、所述發(fā)光層和所述電子傳輸層采用精細(xì)金屬掩膜在所述陣列基板上蒸鍍形成。
[0018]本發(fā)明所提供的OLED顯示裝置及其制作方法中，其發(fā)光器件的發(fā)光層覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，空穴傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影和電子傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影均部分覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，且二者相互錯(cuò)開(kāi)，即二者不具有重疊部分，發(fā)光器件在垂直方向上各個(gè)區(qū)域的膜層數(shù)均減少，從而發(fā)光層復(fù)合產(chǎn)生的光線沿垂直方向出射至器件外的過(guò)程中所經(jīng)過(guò)的膜層數(shù)減少，也就降低了膜層對(duì)光線的吸收和散射作用，減少了光線的損失，提高了發(fā)光器件的外量子效率，進(jìn)而提高了 OLED顯示裝置的出光效率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖2為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0022]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的OLED顯示裝置的另一種結(jié)構(gòu)圖；
[0023]圖4為本發(fā)明實(shí)施例三所提供的OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0024]圖5為本發(fā)明實(shí)施例三所提供的OLED顯示裝置的另一種結(jié)構(gòu)圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，均屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0026]實(shí)施例一
[0027]本實(shí)施例提供了一種OLED顯示裝置，具有多個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，包括:陣列基板及位于陣列基板上且位于每個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域內(nèi)的發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括:空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；其中，發(fā)光層完全覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域；空穴傳輸層和電子傳輸層分別位于發(fā)光層的兩側(cè)，或者空穴傳輸層和電子傳輸層位于發(fā)光層的同一側(cè)；空穴傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影和電子傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影均部分覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，且空穴傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影與電子傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影相互錯(cuò)開(kāi)。
[0028]相對(duì)應(yīng)的，本實(shí)施例還提供了一種OLED顯示裝置制造方法，該制作方法用于制作本實(shí)施例所提供的OLED顯示裝置，包括:形成陣列基板，該陣列基板包括多個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域；在陣列基板上的每個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成以上所述的發(fā)光器件。
[0029]本實(shí)施例所提供的OLED顯示裝置及其制作方法，其發(fā)光器件的發(fā)光層覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，空穴傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影和電子傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影均部分覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，且二者相互錯(cuò)開(kāi)，即二者不具有重疊部分，發(fā)光器件在垂直方向上各個(gè)區(qū)域的膜層數(shù)均減少，從而通過(guò)空穴傳輸層進(jìn)入發(fā)光層內(nèi)的空穴與通過(guò)電子傳輸層進(jìn)入發(fā)光層內(nèi)的電子在發(fā)光層內(nèi)發(fā)生復(fù)合，產(chǎn)生的光線沿垂直方向出射至器件外的過(guò)程中所經(jīng)過(guò)的膜層數(shù)減少，也就降低了膜層對(duì)光線的吸收和散射作用，減少了傳輸過(guò)程中光線的損失，提高了發(fā)光器件的外量子效率，進(jìn)而提高了 OLED顯示裝置的出光效率。
[0030]實(shí)施例二
[0031]基于實(shí)施例一所提供的OLED顯示裝置，本實(shí)施例所提供的OLED顯示裝置其發(fā)光器件還包括:位于空穴傳輸層背離發(fā)光層一側(cè)的空穴注入層，及位于電子傳輸層背離發(fā)光層一側(cè)的電子注入層，空穴注入層與空穴傳輸層完全重疊，電子注入層與電子傳輸層完全重疊；位于空穴注入層背離發(fā)光層一側(cè)的陽(yáng)極，及位于電子注入層背離發(fā)光層一側(cè)的陰極。
[0032]也就是說(shuō),若將發(fā)光器件分為用于使空穴和電子復(fù)合的發(fā)光層、用于向發(fā)光層輸送空穴的空穴單元和用于向發(fā)光層輸送電子的電子單元，空穴傳輸層、空穴注入層和陽(yáng)極屬于空穴單元，電子傳輸層、電子注入層和陰極屬于電子單元，則屬于空穴單元的各膜層總是位于發(fā)光層的同一側(cè)，屬于電子單元的各膜層也總是位于發(fā)光層的同一側(cè)。
[0033]但是，本發(fā)明的實(shí)施例中對(duì)空穴單元和電子單元相對(duì)于發(fā)光層的位置并不限定，例如可為空穴單元和電子單元均位于發(fā)光層同一側(cè)，或者位于發(fā)光層的兩側(cè)。
[0034]具體的，如圖2所不,可使發(fā)光器件的空穴傳輸層204位于發(fā)光層206朝向陣列基板201的一側(cè),且電子傳輸層208位于發(fā)光層206背離陣列基板201的一側(cè)，陽(yáng)極202與發(fā)光層206完全重疊，陰極2010與電子注入層209完全重疊，也就是說(shuō)，屬于空穴單元的空穴傳輸層204、空穴注入層203和陽(yáng)極202位于發(fā)光層206的下側(cè),屬于電子單兀的電子傳輸層208、電子注入層209和陰極2010位于發(fā)光層206的上側(cè)，且陽(yáng)極202在發(fā)光層206上的垂直投影覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，陰極2010在發(fā)光層206上的垂直投影部分覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域。
[0035]更為具體的是，陽(yáng)極202完全覆蓋陣列基板201的每個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域；空穴注入層203位于陣列基板201的一端區(qū)域，部分覆蓋陽(yáng)極202，即空穴注入層203在發(fā)光層206上的垂直投影部分覆蓋發(fā)光層206 ;空穴傳輸層204位于空穴注入層203上，且完全覆蓋空穴注入層203 ;發(fā)光層206覆蓋空穴傳輸層204及未被空穴注入層203覆蓋的陽(yáng)極202 ；電子傳輸層208位于陣列基板201的另一端區(qū)域,部分覆蓋發(fā)光層206,且電子傳輸層208在發(fā)光層206上的垂直投影與空穴注入層203在發(fā)光層206上的垂直投影相互錯(cuò)開(kāi)；電子注入層209位于電子傳輸層208上，且完全覆蓋電子傳輸層208 ;陰極2010位于電子注入層209上，且完全覆蓋電子注入層209。
[0036]上述發(fā)光器件的工作原理為:如圖2所示，空穴從陽(yáng)極302注入，由于陽(yáng)極201的最高已占軌道(HOMO)能級(jí)一般高于發(fā)光層206的HOMO能級(jí)，空穴直接由陽(yáng)極202注入到發(fā)光層206比較困難，因此空穴會(huì)經(jīng)過(guò)層疊于陣列基板201 —端的空穴注入層203和空穴傳輸層204垂直進(jìn)入發(fā)光層206 ；電子從陰極2010注入，經(jīng)過(guò)電子注入層209和電子傳輸層208，由于電子注入層209和電子傳輸層208僅層疊于與空穴注入層203和空穴傳輸層204所在位置相對(duì)的陣列基板201的另一端，因此電子從與空穴進(jìn)入的一端相對(duì)的另一端垂直進(jìn)入發(fā)光層206 ;到達(dá)發(fā)光層206內(nèi)的電子與空穴在發(fā)光層206相向水平運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而發(fā)生復(fù)合，形成激子，激子從激發(fā)態(tài)回歸至基態(tài)的過(guò)程中向周圍發(fā)出光線。可見(jiàn)，本實(shí)施例所提供的顯示裝置，通過(guò)將空穴單元與電子單元分開(kāi)至發(fā)光層206的兩端，使得電流的流向由原來(lái)的僅垂直流動(dòng)變化為先垂直流動(dòng)，再水平流動(dòng)。
[0037]若上述OLED顯示裝置為頂出光型，則發(fā)光層206發(fā)出的光線沿垂直方向傳輸?shù)桨l(fā)光器件外的過(guò)程中，在發(fā)光器件內(nèi)空穴注入層203和電子注入層209在發(fā)光層206上的垂直投影相互錯(cuò)開(kāi)的中間區(qū)域，向上發(fā)射的光線不用經(jīng)過(guò)電子傳輸層208、電子注入層209和陰極2010就能夠傳輸出去，向下發(fā)射的光線傳輸?shù)疥?yáng)極202，被陽(yáng)極202反射，反射后的光線經(jīng)過(guò)發(fā)光層206傳輸出去，無(wú)需經(jīng)過(guò)空穴注入層203、空穴傳輸層204、電子傳輸層208、電子注入層209和陰極2010，可見(jiàn)，本實(shí)施例中的發(fā)光層206發(fā)出的光線傳輸?shù)桨l(fā)光器件外所需經(jīng)過(guò)的膜層數(shù)較現(xiàn)有技術(shù)得到極大地減少，從而降低了膜層對(duì)光線的吸收和散射作用，減少了傳輸過(guò)程中光線的損失，提高了發(fā)光器件的外量子效率，進(jìn)而提高了 OLED顯示裝置的出光效率。
[0038]另外，在發(fā)光器件中空穴注入層203所在的一端區(qū)域處，發(fā)光層206發(fā)出的光線沿垂直方向傳輸?shù)桨l(fā)光器件外無(wú)需穿過(guò)電子單元各層，在電子注入層209所在的另一端區(qū)域處，發(fā)光層206發(fā)出的光線沿垂直方向傳輸?shù)桨l(fā)光器件外無(wú)需穿過(guò)空穴單元各層，因此在兩端區(qū)域光線所需經(jīng)過(guò)的膜層數(shù)均有所減少，對(duì)提高發(fā)光器件的外量子效率也有一定的幫助。
[0039]如圖2所示，上述的OLED顯示裝置的發(fā)光器件優(yōu)選的還可包括:位于空穴傳輸層204與發(fā)光層206之間的電子阻擋層205，及位于電子傳輸層208與發(fā)光層206之間的空穴阻擋層207。其中，電子阻擋層205用于阻擋電子從發(fā)光層206向空穴傳輸層204和陽(yáng)極201傳輸，空穴阻擋層207用于阻擋空穴從發(fā)光層206向電子傳輸層208傳輸，從而能夠使發(fā)光層206內(nèi)電子和空穴注入平衡，電子和空穴的復(fù)合幾率變大，提高發(fā)光器件的內(nèi)量子效率，進(jìn)一步的提高OLED顯示裝置的出光效率。
[0040]需要說(shuō)明的是，對(duì)于不同結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，其空穴阻擋層和電子阻擋層的結(jié)構(gòu)有所不同。例如:如圖2所示，當(dāng)空穴單元位于發(fā)光層206的下側(cè)，電子單元時(shí)位于發(fā)光層206的上側(cè)，陽(yáng)極202在發(fā)光層206上的垂直投影完全覆蓋發(fā)光層206時(shí)，電子阻擋層205在發(fā)光層206上的垂直投影需完全覆蓋發(fā)光層206，以完全杜絕電子從發(fā)光層206進(jìn)入空穴單元中，空穴阻擋層207在發(fā)光層206上的垂直投影僅需部分覆蓋發(fā)光層206 (具體為與電子傳輸層208在發(fā)光層206上的垂直投影完全重疊)就能夠完全杜絕空穴從發(fā)光層206進(jìn)入電子單元中；當(dāng)空穴單元位于發(fā)光層的上側(cè)，電子單元位于發(fā)光層的下側(cè)，陰極在發(fā)光層上的垂直投影完全覆蓋發(fā)光層時(shí)，空穴阻擋層在發(fā)光層上的垂直投影需完全覆蓋發(fā)光層，以完全杜絕空穴從發(fā)光層進(jìn)入電子單元中，電子阻擋層在發(fā)光層上的垂直投影僅需部分覆蓋發(fā)光層(具體為與空穴傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影完全重疊)就能夠完全杜絕電子從發(fā)光層進(jìn)入空穴單元中。
[0041]此外，如圖2所示，本實(shí)施例所提供的OLED顯示裝置優(yōu)選的還可包括:覆蓋在發(fā)光器件上的保護(hù)層2011，以保護(hù)發(fā)光器件不被腐蝕和氧化。
[0042]與本實(shí)施例所提供的OLED顯示裝置相對(duì)應(yīng)的，本實(shí)施例還提供了該裝置制造方法，其中，發(fā)光器件的空穴傳輸層204、發(fā)光層206和電子傳輸層208優(yōu)選的可米用精細(xì)金屬掩膜在陣列基板201上蒸鍍形成。
[0043]以圖2所示出的OLED顯示裝置為例,其制作方法具體如下:
[0044]步驟S1:制備陣列基板201，作為OLED顯示裝置的控制面板。
[0045]本步驟中所制備的陣列基板201優(yōu)選的可為低溫多晶硅背板，所制備的陣列基板201優(yōu)選的可包括:依序形成的緩沖層、多晶硅層、柵極層、柵極絕緣層、層間介質(zhì)層和源漏電極層。陣列基板201包括多個(gè)像素，每個(gè)像素的結(jié)構(gòu)優(yōu)選的可包括六個(gè)薄膜晶體管和兩個(gè)存儲(chǔ)電容(即6T2C結(jié)構(gòu))，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，單個(gè)像素還可采用其它像素結(jié)構(gòu)，例如可為2T1C、5T1C、7T2C等。
[0046]步驟S2:在陣列基板201上形成發(fā)光器件的陽(yáng)極202。
[0047]本步驟具體可包括:在陣列基板201上沉積陽(yáng)極材料，形成完全覆蓋陣列基板201上每個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域的陽(yáng)極202。
[0048]若所要形成的發(fā)光器件為頂出光型，則陽(yáng)極202的結(jié)構(gòu)優(yōu)選的可為氧化銦錫層、銀層和氧化銦錫層依次層疊所形成的薄膜，銀層的厚度優(yōu)選的可為10nm，銀層兩側(cè)的氧化銦錫層的厚度優(yōu)選的可為50nm。其中，銀層用于將傳輸?shù)疥?yáng)極的光線進(jìn)行高效率地反射。
[0049]如果是底出光或側(cè)出光等類型的OLED顯示裝置，則可以根據(jù)出光類型的不同而相應(yīng)設(shè)計(jì)陽(yáng)極的結(jié)構(gòu)。比如:對(duì)于底出光型的OLED顯示裝置，其陽(yáng)極可以不包括銀層，同時(shí)需在發(fā)光器件頂部設(shè)置一反射層，以使向上傳輸?shù)墓饩€朝向陣列基板反射。
[0050]步驟S3:在陽(yáng)極202上形成空穴注入層203。
[0051]本步驟具體可包括:將基板置于高真空蒸鍍腔體中，利用具有空穴注入層203圖案的精細(xì)金屬掩膜在陽(yáng)極202上蒸鍍空穴注入層材料，形成空穴注入層203的圖形，該空穴注入層203部分覆蓋陽(yáng)極202。
[0052]其中，空穴注入層材料優(yōu)選的可為銅酞菁、PEDT(聚(3，4_乙烯基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸鹽))、PSS (聚苯乙烯磺酸鈉)和TNANA等，以保證空穴能夠高效注入。
[0053]步驟S4:在空穴注入層203上形成空穴傳輸層204。
[0054]具體的，將基板置于高真空蒸鍍腔體中，利用具有空穴傳輸層204圖案的精細(xì)金屬掩膜在空穴注入層203上蒸鍍空穴傳輸層材料，該空穴傳輸層204完全覆蓋空穴注入層203。
[0055]上述空穴傳輸層材料優(yōu)選的可為NPB(N，N' - 二苯基_N，N' -二(1-萘基)_1)和聯(lián)苯二胺衍生物等，以保證空穴能夠順利傳輸。
[0056]步驟S5:在空穴傳輸層204及未被覆蓋的陽(yáng)極202上形成電子阻擋層205。
[0057]本步驟具體可包括:將基板置于高真空蒸鍍腔體中，利用具有電子阻擋層205圖案的精細(xì)金屬掩膜在空穴傳輸層204及未被覆蓋的陽(yáng)極202上蒸鍍電子阻擋層材料，該電子阻擋層205在發(fā)光層206上的垂直投影與發(fā)光層206完全重疊，以保證電子阻擋層205可以阻擋電子從發(fā)光層206傳輸?shù)娇昭▊鬏攲?04和陽(yáng)極202,而不對(duì)空穴的傳輸產(chǎn)生阻擋作用。
[0058]步驟S6:在電子阻擋層205上形成發(fā)光層206。
[0059]具體的，將基板置于高真空蒸鍍腔體中，利用具有發(fā)光層206圖案的精細(xì)金屬掩膜在電子阻擋層205上蒸鍍發(fā)光層材料，該發(fā)光層206完全覆蓋電子阻擋層205。
[0060]發(fā)光層206的顏色和子像素的顏色相同，優(yōu)選的可為紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層或藍(lán)光發(fā)光層，發(fā)光層206可包括突光發(fā)光層和磷光發(fā)光層。對(duì)于紅色發(fā)光層，其突光發(fā)光層材料優(yōu)選的可為類DCJTB衍生物、星狀DCB衍生物、多環(huán)芳香族碳?xì)浠衔锖秃珼-A結(jié)構(gòu)的非摻雜型紅光熒光材料等；對(duì)于綠光發(fā)光層，其熒光材料優(yōu)選的可為喹吖叮酮衍生物、香豆素衍生物和多環(huán)芳香族碳?xì)浠衔锏龋粚?duì)于藍(lán)光發(fā)光層，其熒光材料優(yōu)選的可為二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、旋環(huán)雙芴基衍生物、TBP(N-N'-雙(3-甲基苯基)-N-f - 二苯基-1-P - 二苯基-4-f -二胺)、DSA-Ph和IDE-102等；紅、綠和藍(lán)光發(fā)光層的磷光發(fā)光層的磷光發(fā)光主體材料優(yōu)選的可為含咔唑基團(tuán)和具有電子傳輸性質(zhì)的主發(fā)光體材料等，磷光摻雜材料優(yōu)選的可為鉬錯(cuò)合物、銥錯(cuò)合物、銪錯(cuò)合物、鋨錯(cuò)合物和FIrpic 等。
[0061]步驟S7:在發(fā)光層206上形成空穴阻擋層207。
[0062]本步驟具體可包括:將基板置于高真空蒸鍍腔體中，利用具有空穴阻擋層207圖案的精細(xì)金屬掩膜在發(fā)光層206上蒸鍍空穴阻擋層材料，該空穴阻擋層207部分覆蓋發(fā)光層206，且所形成的空穴阻擋層207在發(fā)光層206上的垂直投影與空穴注入層203在發(fā)光層206上的垂直投影相互錯(cuò)開(kāi)。
[0063]其中，空穴阻擋層材料優(yōu)選的可為BCP (嵌段共聚物)等，以保證空穴阻擋層207可以阻擋空穴從發(fā)光層206傳輸?shù)诫娮觽鬏攲?08,而不對(duì)電子的傳輸產(chǎn)生阻擋作用。
[0064]步驟S8:在空穴阻擋層207上形成電子傳輸層208。
[0065]本步驟具體可包括:將基板置于高真空蒸鍍腔體中，利用具有電子傳輸層208圖案的精細(xì)金屬掩膜在空穴阻擋層207上蒸鍍電子傳輸層材料，該電子傳輸層208完全覆蓋空穴阻擋層207。
[0066]上述電子傳輸層材料優(yōu)選的可為喹啉衍生物、二氮蒽衍生物、含硅的雜環(huán)化合物、喔啉衍生物、二氮菲衍生物或全氟化寡聚物等，以保證電子順利傳輸。
[0067]步驟S9:在電子傳輸層208上形成電子注入層209。
[0068]本步驟具體可包括:將基板置于高真空蒸鍍腔體中，利用具有電子注入層209圖案的精細(xì)金屬掩膜在電子傳輸層208上蒸鍍電子注入層材料，該電子注入層209完全覆蓋電子傳輸層208。
[0069]電子注入層材料優(yōu)選的可為氧化鋰、偏硼酸鋰、硅酸鉀和碳酸銫等堿金屬氧化物、堿金屬醋酸鹽或堿金屬氟化物等，以保證電子能夠高效注入。
[0070]步驟SlO:在電子注入層209上形成陰極2010。
[0071]具體的，將基板置于高真空蒸鍍腔體中，利用具有陰極2010圖案的精細(xì)金屬掩膜在陰極2010上蒸鍍電子注入層材料，該陰極2010完全覆蓋電子注入層209。
[0072]其中，陰極材料優(yōu)選的可為鋁鋰合金或鎂銀合金。
[0073]步驟Sll:在經(jīng)過(guò)步驟SlO所形成的發(fā)光器件上覆蓋保護(hù)層2011。
[0074]本步驟中，可采用開(kāi)放掩膜板形成保護(hù)層2011，該保護(hù)層2011在發(fā)光層206上的垂直投影與發(fā)光層206完全重疊，以保護(hù)整個(gè)發(fā)光器件不被外界腐蝕和氧化。
[0075]需要說(shuō)明的是，以上所提供的OLED顯示裝置和制作方法均是以圖2所示出的裝置為例來(lái)說(shuō)明的。根據(jù)本實(shí)施例所提供的顯示裝置的結(jié)構(gòu)和制作方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以經(jīng)過(guò)變形得到具有空穴傳輸層位于發(fā)光層朝向陣列基板的一側(cè)，且電子傳輸層位于發(fā)光層背離陣列基板的一側(cè)，陽(yáng)極與空穴傳輸層完全重疊，陰極與電子傳輸層完全重疊的結(jié)構(gòu)的OLED顯示裝置，即該OLED顯示裝置陽(yáng)極和陰極在發(fā)光層上的垂直投影均部分覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，且分別與空穴傳輸層和電子傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影完全重合。此時(shí)，若發(fā)光器件為頂出光型，則可以在陣列基板與發(fā)光器件之間形成一覆蓋每個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域的反射層，用于將發(fā)光層向下發(fā)出的光線反射，反射層材料優(yōu)選的可選擇鋁或銀等，其它結(jié)構(gòu)可以根據(jù)OLED的類型不同而相應(yīng)設(shè)置，從而可以節(jié)省部分陽(yáng)極材料和部分電子阻擋層材料。
[0076]另外，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，OLED顯示裝置的結(jié)構(gòu)還可為:如圖3所示，空穴傳輸層304位于發(fā)光層306背離陣列基板301的一側(cè),且電子傳輸層308位于發(fā)光層306朝向陣列基板301的一側(cè)，陽(yáng)極302與空穴傳輸層304完全重疊，陰極3010與發(fā)光層306完全重疊，即包括空穴傳輸層304、空穴注入層303和陽(yáng)極302的空穴單元位于發(fā)光層306的上側(cè)，包括電子傳輸層308、電子注入層309和陰極3010的電子單元位于發(fā)光層306的下偵牝且陽(yáng)極302在發(fā)光層306上的垂直投影覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，陰極3010在發(fā)光層306上的垂直投影部分覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，這相當(dāng)于將圖2中所示出的結(jié)構(gòu)中的電子單元和空穴單元互換位置。此時(shí)，位于發(fā)光層306和空穴傳輸層304之間的電子阻擋層305在發(fā)光層306上的垂直投影可部分覆蓋發(fā)光層306,且電子阻擋層305與空穴傳輸層304完全重疊；位于電子傳輸層308和發(fā)光層306之間的空穴阻擋層307在發(fā)光層306上的垂直投影可完全覆蓋發(fā)光層306，且空穴阻擋層307與發(fā)光層306完全重疊；保護(hù)層3011完全覆蓋發(fā)光器件。由于空穴單元和電子單元在發(fā)光層306上的垂直投影相互錯(cuò)開(kāi)，所以該OLED顯示裝置可以達(dá)到與圖2所示裝置相同的有益效果。
[0077]實(shí)施例三
[0078]當(dāng)空穴傳輸層和電子傳輸層優(yōu)選的可位于發(fā)光層的同一側(cè)時(shí)，即屬于空穴單兀的空穴傳輸層、空穴注入層和陽(yáng)極與屬于電子單元的電子傳輸層、電子注入層和陰極可位于發(fā)光層的同一側(cè)，此時(shí)，陽(yáng)極可與空穴傳輸層完全重疊，陰極可與電子傳輸層完全重疊，即陽(yáng)極和陰極在發(fā)光層上的垂直投影均部分覆蓋一個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，且分別與空穴傳輸層和電子傳輸層在發(fā)光層上的垂直投影完全重合。
[0079]如圖4所示，以空穴單元和電子單元均位于發(fā)光層406的下側(cè)時(shí)的OLED顯示裝置為例，具體的，空穴單元和電子單元分別位于陣列基板401上的兩端區(qū)域，且二者在發(fā)光層406上的垂直投影均部分覆蓋發(fā)光層406，即二者相互錯(cuò)開(kāi)；空穴單元中的陽(yáng)極402、空穴注入層403、空穴傳輸層404和電子阻擋層405完全重疊，電子單元中陰極4010、電子注入層409、電子傳輸層408和空穴阻擋層407也完全重疊；發(fā)光層406覆蓋空穴單元、電子單元及未被二者覆蓋的陣列基板401的表面；保護(hù)層4011覆蓋在發(fā)光器件上。
[0080]對(duì)于上述OLED顯示裝置，可以根據(jù)OLED顯示裝置的出光類型不同而相應(yīng)設(shè)計(jì)用于反射光線的反射層的結(jié)構(gòu)和位置，例如:對(duì)于頂出光型的顯示裝置，在形成陣列基板與形成空穴單元和電子單元之間形成一覆蓋每個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域的反射層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例所提供的OLED顯示裝置發(fā)光層406產(chǎn)生的光線沿垂直方向出射至器件外的過(guò)程中所需經(jīng)過(guò)的膜層數(shù)減少，傳輸過(guò)程中光線的損失減少，進(jìn)而出光效率得以提高。
[0081]如圖5所示，本實(shí)施例還提供了包括空穴傳輸層504、空穴注入層503和陽(yáng)極502的空穴單兀和包括電子傳輸層508、電子注入層509和陰極5010的電子單兀均位于發(fā)光層506的上側(cè)的OLED顯示裝置，空穴單元中的各層完全重疊，電子單元中的各層也完全重疊。此時(shí)，發(fā)光層506覆蓋每個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域；電子阻擋層505位于發(fā)光層506和空穴傳輸層504之間，與空穴傳輸層504完全重疊,且在發(fā)光層506上的垂直投影部分覆蓋發(fā)光層506 ；空穴阻擋層507位于電子傳輸層508和發(fā)光層506之間，與電子傳輸層508完全重疊,且在發(fā)光層506上的垂直投影完全覆蓋發(fā)光層506 ;保護(hù)層5011覆蓋在發(fā)光器件上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述顯示裝置發(fā)光層506產(chǎn)生的光線沿垂直方向出射至器件外的過(guò)程中所需經(jīng)過(guò)的膜層數(shù)減少，傳輸過(guò)程中光線的損失減少，進(jìn)而出光效率得以提高。
[0082]以上所述僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，具有多個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域，包括:陣列基板及位于所述陣列基板上且位于每個(gè)所述像素開(kāi)口區(qū)域內(nèi)的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件包括:空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；其中， 所述發(fā)光層完全覆蓋一個(gè)所述像素開(kāi)口區(qū)域； 所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層分別位于所述發(fā)光層的兩側(cè)，或者所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層位于所述發(fā)光層的同一側(cè)；所述空穴傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影和所述電子傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影均部分覆蓋一個(gè)所述像素開(kāi)口區(qū)域，且所述空穴傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影與所述電子傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影相互錯(cuò)開(kāi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括:位于所述空穴傳輸層背離所述發(fā)光層一側(cè)的空穴注入層，及位于所述電子傳輸層背離所述發(fā)光層一側(cè)的電子注入層，所述空穴注入層與所述空穴傳輸層完全重疊，所述電子注入層與所述電子傳輸層完全重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括:位于所述空穴注入層背離所述發(fā)光層一側(cè)的陽(yáng)極，及位于所述電子注入層背離所述發(fā)光層一側(cè)的陰極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，當(dāng)所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層位于所述發(fā)光層的同一側(cè)時(shí)，所述陽(yáng)極與所述空穴傳輸層完全重疊，所述陰極與所述電子傳輸層完全重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，當(dāng)所述空穴傳輸層位于所述發(fā)光層朝向所述陣列基板的一側(cè)，且所述電子傳輸層位于所述發(fā)光層背離所述陣列基板的一側(cè)時(shí)，所述陽(yáng)極與所述發(fā)光層或所述空穴注入層完全重疊，所述陰極與所述電子注入層完全重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，當(dāng)所述空穴傳輸層位于所述發(fā)光層背離所述陣列基板的一側(cè)，且所述電子傳輸層位于所述發(fā)光層朝向所述陣列基板的一側(cè)時(shí)，所述陽(yáng)極與所述空穴注入層完全重疊，所述陰極與所述電子注入層或所述發(fā)光層完全重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?6任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括:位于所述空穴傳輸層與所述發(fā)光層之間的電子阻擋層，及位于所述電子傳輸層與所述發(fā)光層之間的空穴阻擋層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，還包括:覆蓋在所述發(fā)光器件上的保護(hù)層。
9.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置制造方法，包括:形成陣列基板，所述陣列基板包括多個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域；在所述陣列基板上的每個(gè)像素開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成發(fā)光器件，其特征在于，所述制作方法用于制作權(quán)利要求1?8任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，所述形成發(fā)光器件包括形成空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；其中， 所述發(fā)光層完全覆蓋一個(gè)所述像素開(kāi)口區(qū)域； 所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層分別位于所述發(fā)光層的兩側(cè)，或者所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層位于所述發(fā)光層的同一側(cè)；所述空穴傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影和所述電子傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影均部分覆蓋一個(gè)所述像素開(kāi)口區(qū)域，且所述空穴傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影與所述電子傳輸層在所述發(fā)光層上的垂直投影相互錯(cuò)開(kāi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述空穴傳輸層、所述發(fā)光層和所述電子傳輸層采用精細(xì)金屬掩膜在所述陣列基板上蒸鍍形成。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK104241330SQ201410453471
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月5日
【發(fā)明者】張金中 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司