基板處理設(shè)備以及涂覆處理溶液的方法
基板處理設(shè)備以及涂覆處理溶液的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種基板處理設(shè)備。該設(shè)備包括：支撐待處理的基板的基板支撐件；使基板支撐件旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件；設(shè)置在基板支撐件周?chē)娜萜鳎灰约疤幚砣芤汗┙o單元，其包括光致抗蝕劑噴嘴以將光致抗蝕劑供給到基板的上表面，其中當(dāng)基板支撐件以第一供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)光致抗蝕劑噴嘴開(kāi)始供給光致抗蝕劑，并且當(dāng)基板支撐件以從第一供給速度減速的第二供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)光致抗蝕劑噴嘴停止供給光致抗蝕劑。
【專利說(shuō)明】基板處理設(shè)備以及涂覆處理溶液的方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本美國(guó)非臨時(shí)專利申請(qǐng)要求2013年8月30日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2013-0104072以及2013年12月27日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2013-0165400的韓國(guó)專利申請(qǐng)?jiān)?5U.S.C.§ 119下的優(yōu)先權(quán)，所述申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用的方式包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及基板處理設(shè)備以及涂覆處理溶液的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]為了制造半導(dǎo)體設(shè)備，例如清洗、沉積、光刻、蝕刻、以及離子注入的多個(gè)處理被執(zhí)行。用于形成圖案的光刻處理對(duì)于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的高集成來(lái)說(shuō)起到非常重要的作用。
[0005]通過(guò)將光致抗蝕劑涂覆在基板上來(lái)執(zhí)行光刻處理?？梢栽诨逍D(zhuǎn)時(shí)執(zhí)行用于光刻的涂覆處理。如果涂覆在基板的各區(qū)域上的光致抗蝕劑的量不同，便可能產(chǎn)生有缺陷的基板。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明提供了一種均勻處理基板的基板處理設(shè)備以及涂覆處理溶液的方法。
[0007]本發(fā)明還提供了將光致抗蝕劑均勻地涂覆在基板上的基板處理設(shè)備以及涂覆處理溶液的方法。
[0008]本發(fā)明的實(shí)施方式提供了基板處理設(shè)備，其包括:構(gòu)造為支撐待處理的基板的基板支撐件；使基板支撐件旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件；設(shè)置在基板支撐件周?chē)娜萜鳎灰约疤幚砣芤汗┙o單元，其包括光致抗蝕劑噴嘴以將光致抗蝕劑供給到基板的上表面，其中當(dāng)基板支撐件以第一供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)光致抗蝕劑噴嘴開(kāi)始供給光致抗蝕劑，并且當(dāng)基板支撐件以從第一供給速度減速的第二供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)光致抗蝕劑噴嘴停止供給光致抗蝕劑。
[0009]在一些實(shí)施方式中，在光致抗蝕劑供給終止以后，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件可以使基板支撐件以從第二供給速度加速的擴(kuò)散速度旋轉(zhuǎn)。
[0010]在另一個(gè)實(shí)施方式中，擴(kuò)散速度可以設(shè)置為小于第一供給速度并且大于第二供給速度。
[0011]在此外其它實(shí)施方式中，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件可以使基板支撐件以從擴(kuò)散速度減速的終端速度旋轉(zhuǎn)并且之后使基板支撐件停止。
[0012]在此外其它實(shí)施方式中，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件可以使基板支撐件的旋轉(zhuǎn)速度從第一供給速度逐漸減小到第二供給速度。
[0013]在此外其它實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谝还┙o速度減速到第二供給速度時(shí)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件可以使基板支撐件以緩沖速度旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間。
[0014]在其它實(shí)施方式中，處理溶液供給單元可以包括:噴嘴臂，其具有其中定位光致抗蝕劑噴嘴的一個(gè)端部；以及驅(qū)動(dòng)件，其相對(duì)于基板支撐件使噴嘴臂移動(dòng)，其中當(dāng)所述驅(qū)動(dòng)件定位噴嘴臂以允許光致抗蝕劑噴嘴定位在基板中心上方時(shí)，使光致抗蝕劑供給可以停止。
[0015]在此外其它實(shí)施方式中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)件定位噴嘴臂以允許所述光致抗蝕劑噴嘴偏心地定位在基板中心上方時(shí)，使光致抗蝕劑供給可以開(kāi)始。
[0016]在此外其它實(shí)施方式中，在光致抗蝕劑供給開(kāi)始以后，驅(qū)動(dòng)件可以使噴嘴臂移動(dòng)以允許光致抗蝕劑噴嘴定位在基板中心上方。
[0017]在此外其它實(shí)施方式中，當(dāng)光致抗蝕劑噴嘴定位在基板中心上方時(shí)，光致抗蝕劑噴嘴可以供給光致抗蝕劑預(yù)定時(shí)間。
[0018]在此外其它實(shí)施方式中，處理溶液供給單元還可以包括用于將有機(jī)溶劑供給到基板的預(yù)濕噴嘴。
[0019]在此外其它實(shí)施方式中，預(yù)濕噴嘴可以在供給光致抗蝕劑以前將有機(jī)溶劑供給到基板。
[0020]在此外其它實(shí)施方式中，當(dāng)預(yù)濕噴嘴定位在基板中心上方時(shí)，處理溶液供給單元可以將有機(jī)溶劑供給到基板。
[0021]在本發(fā)明的其它實(shí)施方式中，提供了涂覆處理溶液的方法。此方法包括:開(kāi)始將光致抗蝕劑供給到由以第一供給速度旋轉(zhuǎn)的基板支撐件支撐的基板的上表面；以及當(dāng)基板支撐件從第一供給速度減速到第二供給速度時(shí)，使光致抗蝕劑供給停止。
[0022]在一些實(shí)施方式中，所述方法還可以包括在光致抗蝕劑供給終止以后，使基板支撐件以從第二供給速度加速的擴(kuò)散速度旋轉(zhuǎn)并且使聚集在基板的中心部分上的光致抗蝕劑擴(kuò)散到中心的周邊。
[0023]在其它實(shí)施方式中，該方法還可以包括使基板支撐件以從擴(kuò)散速度減速的終端速度旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間以及使旋轉(zhuǎn)停止。
[0024]在此外的其它實(shí)施方式中，該方法還可以包括使第一供給速度逐漸減速到第二供給速度。
[0025]在此外的其它實(shí)施方式中，光致抗蝕劑供給可以從與基板的中心偏心的位置開(kāi)始并且可以移動(dòng)到基板的中心。
[0026]在此外的其它實(shí)施方式中，當(dāng)將光致抗蝕劑供給到基板的中心時(shí)，可以使光致抗蝕劑供給停止。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0027]所包括的附圖提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且附圖并入本說(shuō)明書(shū)中并且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分。此附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，其連同【專利附圖】
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【附圖說(shuō)明】一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0028]圖1是如從頂部觀察的基板處理設(shè)備的視圖；
[0029]圖2是示出如從方向A-A觀察的圖1的設(shè)備的視圖；
[0030]圖3是示出如從方向B-B觀察的圖1的設(shè)備的視圖；
[0031]圖4是示出如從方向C-C觀察的圖1的設(shè)備的視圖；
[0032]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的涂覆模塊的平面圖；
[0033]圖6是示出圖5的涂覆模塊的橫截面視圖；
[0034]圖7是在有機(jī)溶劑供給處理期間從預(yù)濕噴嘴供給有機(jī)溶劑時(shí)的前視圖；
[0035]圖8是在偏心供給處理過(guò)程中供給光致抗蝕劑時(shí)的前視圖；
[0036]圖9是在中心供給處理過(guò)程中供給光致抗蝕劑時(shí)的前視圖；
[0037]圖10是示出擴(kuò)散階段的前視圖；
[0038]圖11是示出支撐板的在光致抗蝕劑供給階段與擴(kuò)散階段中的旋轉(zhuǎn)速度的曲線圖；以及
[0039]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的支撐板的旋轉(zhuǎn)速度的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]在下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式可以以多種形式進(jìn)行修改，并且本發(fā)明的范圍不限于下面的實(shí)施方式。提供這些實(shí)施方式，使得向本領(lǐng)域中的技術(shù)人員進(jìn)一步完整地描述本發(fā)明。相應(yīng)地，為了清楚地描述，附圖中的元件的形式被放大。
[0041]此實(shí)施方式的裝置用于在例如半導(dǎo)體晶片或平面顯示面板的基板上執(zhí)行光刻處理。特別地，此實(shí)施方式的裝置用于執(zhí)行在基板上的涂覆處理、顯影處理、以及在浸潰曝光以前/以后所需的前/后曝光處理過(guò)程。在下文中，作為實(shí)例描述了基板用作晶片的情形。
[0042]圖1-圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理設(shè)備的視圖。圖1是示出如從頂部觀察的基板處理設(shè)備的視圖。圖2是示出如從方向A-A觀察的圖1的設(shè)備的視圖。圖3是示出如從方向B-B觀察的圖1的設(shè)備的視圖。圖4是示出如從方向C-C觀察的圖1的設(shè)備的視圖。
[0043]參照?qǐng)D1至圖4，基板處理設(shè)備I包括桿端口 100、分度模塊200、第一緩沖模塊300、涂覆與顯影模塊400、第二緩沖模塊500、前/后曝光處理模塊600、接口模塊700、以及模糊模塊800。桿端口 100、分度模塊200、第一緩沖模塊300、涂覆與顯影模塊400、第二緩沖模塊500、前/后曝光處理模塊600、以及接口模塊700沿著一個(gè)方向順序地成直線布置。模糊模塊800可以設(shè)置在接口模塊700中。與此不同，模糊模塊800可以設(shè)置在多個(gè)位置處，例如，在接口模塊700的后端處的曝光設(shè)備900被連接的位置或者接口模塊700的側(cè)部。
[0044]在下文中，其中桿端口 100、分度模塊200、第一緩沖模塊300、涂覆與顯影模塊400、第二緩沖模塊500、前/后曝光處理模塊600、以及接口模塊700的布置方向稱作為第一方向12。如從頂部觀察的，與第一方向12垂直的方向稱作為第二方向14。與第一方向12和第二方向14垂直的方向稱作第三方向16。
[0045]當(dāng)晶片W容納在暗盒20中時(shí)晶片W移動(dòng)。在這點(diǎn)上，暗盒20具有與外部密封的結(jié)構(gòu)。例如，在前面具有門(mén)的前開(kāi)式統(tǒng)集盒(FOUP)可以被用作暗盒20。
[0046]在下文中，將更加詳細(xì)地描述桿端口 100、分度模塊200、第一緩沖模塊300、涂覆與顯影模塊400、第二緩沖模塊500、前/后曝光處理模塊600、接口模塊700以及模糊模塊800。
[0047](桿端口)
[0048]桿端口 100具有其中布置有已經(jīng)容納晶片W的暗盒20的支撐臺(tái)120。多個(gè)支撐臺(tái)120沿著第二方向14成直線設(shè)置與布置。如圖1中所示，設(shè)有四個(gè)支撐臺(tái)120。
[0049](分度模塊)
[0050]分度模塊200在桿端口 100的支撐臺(tái)120上的暗盒20與第一緩沖模塊300之間轉(zhuǎn)移晶片W。分度模塊200包括框架210、分度機(jī)械手220、以及導(dǎo)軌230?？蚣?10具有帶有空的內(nèi)部的長(zhǎng)方形形式，并且布置在桿端口 100與第一緩沖模塊300之間。分度模塊200的框架210可以設(shè)置為比隨后描述的第一緩沖模塊300的框架310低。分度機(jī)械手220與導(dǎo)軌230布置在框架210內(nèi)。分度機(jī)械手220具有4軸驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)以允許直接操作晶片W的指針221沿著第一方向12、第二方向14、以及第三方向16移動(dòng)與旋轉(zhuǎn)。分度機(jī)械手220包括指針221、臂222、支撐件223、以及支架224。指針221固定地安裝到臂222。臂222設(shè)有可伸縮結(jié)構(gòu)與可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。支撐件223具有沿著第三方向16布置的長(zhǎng)度方向。臂222聯(lián)接到支撐件223以沿著支撐件223移動(dòng)。支撐件223固定地聯(lián)接到支架224。導(dǎo)軌230設(shè)有沿著第二方向14布置的其長(zhǎng)度方向。支架224聯(lián)接到導(dǎo)軌230以沿著導(dǎo)軌230線性移動(dòng)。因此，盡管在附圖中未示出，但是使暗盒20的門(mén)打開(kāi)/關(guān)閉的門(mén)打開(kāi)件進(jìn)一步設(shè)置到框架210。
[0051](第一緩沖模塊)
[0052]第一緩沖模塊300包括框架310、第一緩沖器320、第二緩沖器330、冷卻室350、以及緩沖機(jī)械手360?？蚣?10具有帶有空的內(nèi)部的長(zhǎng)方形形式，并且布置在分度模塊200和涂覆與顯影模塊400之間。第一緩沖器320、第二緩沖器330、冷卻室350、以及第一緩沖機(jī)械手360布置在框架310內(nèi)。冷卻室350、第二緩沖器330與第一緩沖器320沿著第一方向16從底部順序地布置。第一緩沖器320定位在和涂覆與顯影模塊400的涂覆模塊401相應(yīng)的高度處，并且第二緩沖器330與冷卻室350定位在和涂覆與顯影模塊400的顯影模塊402相應(yīng)的高度處。第一緩沖機(jī)械手360與第二緩沖器330、冷卻室350、以及第一緩沖器320在第二方向14上隔開(kāi)預(yù)定距離。
[0053]第一緩沖器320與第二緩沖器330臨時(shí)地存儲(chǔ)多個(gè)晶片W。第二緩沖器330具有殼體331與多個(gè)支撐件332。支撐件332布置在殼體331中并且在第三方向16上彼此隔開(kāi)地設(shè)置。一個(gè)晶片W布置在每個(gè)支撐件332處。殼體331在設(shè)置分度機(jī)械手220的方向上、在第一緩沖機(jī)械手360的方向上、以及在設(shè)置下文描述的顯影單元機(jī)械手482的方向上具有開(kāi)口(未示出)，以便允許分度機(jī)械手220、第一緩沖機(jī)械手360、以及顯影模塊402的顯影單元機(jī)械手482將晶片W運(yùn)送到殼體331中的支撐件332或者從殼體331中的支撐件332運(yùn)送晶片W。第一緩沖器320具有與第二緩沖器330相對(duì)類(lèi)似的結(jié)構(gòu)。然而，第一緩沖器320的殼體321在設(shè)置第一緩沖機(jī)械手360的方向上以及在設(shè)置涂覆模塊401中的涂覆單元機(jī)械手432的方向上具有開(kāi)口。設(shè)置在第一緩沖器320中的支撐件322的數(shù)量與設(shè)置在第二緩沖器330中的支撐件332的數(shù)量可以不同或相同。例如，設(shè)置在第二緩沖器330中的支撐件332的數(shù)量與設(shè)置在第一緩沖器320中的支撐件322的數(shù)量可以不同或相同。
[0054]第一緩沖機(jī)械手360在第一緩沖器320與第二緩沖器330之間轉(zhuǎn)移晶片W。第一緩沖機(jī)械手360包括指針361、臂362、以及支撐件363。指針361固定地安裝到臂362。臂362具有可伸縮結(jié)構(gòu)以允許指針361沿著第二方向14移動(dòng)。臂362聯(lián)接到支撐件363以在第三方向16上沿著支撐件363線性移動(dòng)。支撐件363具有從與第二緩沖器330相應(yīng)的位置到與第一緩沖器320相應(yīng)的位置的延伸長(zhǎng)度。支撐件363可以在其向上或向下的方向上進(jìn)一步加長(zhǎng)。第一緩沖機(jī)械手360可以設(shè)置為允許指針361僅為根據(jù)第二方向14與第三方向16的二軸驅(qū)動(dòng)。
[0055]冷卻室350冷卻每個(gè)晶片W。冷卻室350包括殼體351與冷卻板352。冷卻板352包括冷卻其中布置晶片W的上表面的冷卻裝置353以及晶片W。例如通過(guò)冷卻劑冷卻或者通過(guò)熱電設(shè)備冷卻的多種方法可以用于冷卻裝置353。此外，將晶片W定位在冷卻板352上的提升銷(xiāo)組件(未示出)可以設(shè)置到冷卻室350。殼體351在設(shè)有分度機(jī)械手220的方向上以及在設(shè)有顯影單元機(jī)械手482的方向上具有開(kāi)口(未示出)，以便允許分度機(jī)械手220與顯影模塊402的顯影單元機(jī)械手482將晶片W運(yùn)送到冷卻板352中或者從冷卻板運(yùn)送晶片W。此外，可以將打開(kāi)/關(guān)閉開(kāi)口的門(mén)(未示出)設(shè)置到冷卻室350。
[0056](涂覆與顯影模塊)
[0057]涂覆與顯影模塊400在曝光處理以前執(zhí)行將光致抗蝕劑涂覆在晶片W上的處理以及在曝光處理以后使晶片W顯影的處理。涂覆與顯影模塊400具有相對(duì)的長(zhǎng)方體形式。涂覆與顯影模塊400包括涂覆模塊401與顯影模塊402。涂覆模塊401與顯影模塊402布置為通過(guò)層彼此隔開(kāi)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，涂覆模塊401布置在顯影模塊402上。
[0058]涂覆模塊401包括在抗蝕劑涂覆處理前/后將光致抗蝕劑涂覆在晶片W上的處理以及加熱與冷卻晶片W的熱處理過(guò)程。涂覆模塊401包括抗蝕劑涂覆室410、烘烤室420與運(yùn)送室430。抗蝕劑涂覆室410、烘烤室420、以及運(yùn)送室430沿著第二方向14順序布置。因此，抗蝕劑涂覆室410與烘烤室420沿著第二方向相互隔開(kāi)，運(yùn)送室430在抗蝕劑涂覆室410與烘烤室420之間。在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)抗蝕劑涂覆室410。在附圖中，設(shè)有六個(gè)抗蝕劑涂覆室410。在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)烘烤室420。在附圖中，設(shè)有六個(gè)烘烤室420。與此不同，可以設(shè)有更多數(shù)量的烘烤室420。
[0059]運(yùn)送室430在第一方向12上平行于第一緩沖模塊300的第一緩沖器320定位。涂覆單元機(jī)械手432與導(dǎo)軌433定位在運(yùn)送室430內(nèi)。運(yùn)送室430通常地具有長(zhǎng)方形形式。涂覆單元機(jī)械手432在烘烤室420、抗蝕劑涂覆室400、第一緩沖模塊300的第一緩沖器320與第二緩沖模塊500的第一冷卻室520之間轉(zhuǎn)移晶片W。導(dǎo)軌433以其長(zhǎng)度方向平行與第一方向12布置。導(dǎo)軌433引導(dǎo)涂覆單元機(jī)械手432沿著第一方向12線性移動(dòng)。涂覆單元機(jī)械手432包括指針434、臂435、支撐件436、以及支架437。指針434固定地安裝到臂435。臂435具有可伸縮結(jié)構(gòu)以允許指針434沿著水平方向移動(dòng)。支撐件436設(shè)有沿著第三方向16布置的長(zhǎng)度方向。臂435聯(lián)接到支撐件436以在第三方向16上沿著支撐件363線性移動(dòng)。支撐件436固定地聯(lián)接到支架437，并且支架437聯(lián)接到導(dǎo)軌433，以沿著導(dǎo)軌230線性移動(dòng)。
[0060]抗蝕劑涂覆室410具有相同的結(jié)構(gòu)。然而，在各抗蝕劑涂覆層410中使用的光致抗蝕劑的類(lèi)型可以彼此不同。例如，化學(xué)增強(qiáng)抗蝕劑可以被用作光致抗蝕劑?？刮g劑涂覆室410以光致抗蝕劑涂覆晶片W。抗蝕劑涂覆室410包括殼體411、支撐板412、以及噴嘴413。殼體411具有帶有敞開(kāi)式頂部的杯狀形式。支撐板412布置在殼體411內(nèi)并且支撐晶片W。支撐板412設(shè)置為可旋轉(zhuǎn)。噴嘴413將光致抗蝕劑供給到布置在支撐板412上的晶片W的頂部。噴嘴413可以具有圓形管子的形式并且可以將光致抗蝕劑供給到晶片W的中心。選擇性地，噴嘴413可以具有與晶片W的直徑相應(yīng)的長(zhǎng)度，并且噴嘴413的排放端口可以設(shè)置為狹縫。此外，抗蝕劑涂覆室410還可以包括噴嘴414，所述噴嘴414用于供給諸如去離子水的清洗流體以清洗被涂覆以光致抗蝕劑的晶片W的表面。
[0061]烘烤室420在晶片W上執(zhí)行熱處理。例如，烘烤室420在將光致抗蝕劑涂覆到晶片W上以前執(zhí)行通過(guò)將晶片W加熱到預(yù)定溫度來(lái)移除晶片W表面的有機(jī)物質(zhì)或水蒸氣的預(yù)烘烤處理，或者在將光致抗蝕劑涂覆到晶片W上以后執(zhí)行軟烘烤處理，并且之后在各加熱處理以后執(zhí)行用于冷卻晶片W的冷卻處理。烘烤室420包括冷卻板421或加熱板422。諸如冷卻劑或熱電器件的冷卻裝置423被設(shè)置到冷卻板421。此外，諸如加熱絲或熱電器件的加熱裝置424設(shè)置在加熱板422上。冷卻板421與加熱板422可以單獨(dú)地設(shè)置在一個(gè)烘烤室420中。選擇性地，烘烤室420的一部分可以僅包括冷卻板421，并且烘烤室420的另一部分可以僅包括加熱板422。
[0062]顯影模塊402包括用于通過(guò)供給顯影劑來(lái)移除一部分光致抗蝕劑以獲得在晶片W上的圖案的顯影處理以及在顯影處理以前/以后在晶片W上的諸如加熱與冷卻的熱處理過(guò)程。顯影模塊402包括顯影室460、烘烤室470、與運(yùn)送室480。顯影室460、烘烤室470、以及運(yùn)送室480沿著第二方向14順序布置。因此，顯影室460與烘烤室470沿著第二方向相互隔開(kāi)，運(yùn)送室480在顯影室460與烘烤室470之間。在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上設(shè)置多個(gè)顯影室460。在附圖中，設(shè)有六個(gè)顯影室460。在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上設(shè)置多個(gè)烘烤室470。在附圖中，設(shè)有六個(gè)烘烤室470。與此不同，可以設(shè)有更多數(shù)量的烘烤室470。
[0063]運(yùn)送室480在第一方向12上平行于第一緩沖模塊300的第二緩沖器330定位。顯影單元機(jī)械手482與導(dǎo)軌483定位在運(yùn)送室480內(nèi)。運(yùn)送室480通常地具有長(zhǎng)方形形式。顯影單元機(jī)械手482在烘烤室470、顯影室460、第二緩沖模塊300的第二緩沖器330和冷卻室350，與第二緩沖模塊500的第二冷卻室530之間轉(zhuǎn)移晶片W。導(dǎo)軌483以其長(zhǎng)度方形平行與第一方向12布置。導(dǎo)軌483引導(dǎo)顯影單元機(jī)械手482以沿著第一方向12線性移動(dòng)。顯影單元機(jī)械手482包括指針484、臂485、支撐件486、以及支架487。指針484固定地安裝到臂485。臂485具有可伸縮結(jié)構(gòu)以允許指針484沿著水平方向移動(dòng)。支撐件486設(shè)有沿著第三方向16布置的長(zhǎng)度方向。臂485聯(lián)接到支撐件486以在第三方向16上沿著支撐件363線性移動(dòng)。支撐件486固定地聯(lián)接到支架487。支架487聯(lián)接到導(dǎo)軌483以沿著導(dǎo)軌483移動(dòng)。
[0064]顯影室460具有相同的結(jié)構(gòu)。然而，在各顯影室460中使用的光致抗蝕劑的類(lèi)型可以彼此不同。顯影室460將晶片W上的光致抗蝕劑的輻射區(qū)域移除。在這點(diǎn)上，保護(hù)層中的輻射區(qū)域被一起移除。選擇性地，根據(jù)使用中的光致抗蝕劑的類(lèi)型，可將僅未由光輻射的區(qū)域從光致抗蝕劑與保護(hù)層的區(qū)域移除。
[0065]顯影室460包括殼體461、支撐板462、以及噴嘴463。殼體461具有帶有敞開(kāi)式頂部的杯狀形式。支撐板462布置在殼體461內(nèi)并且支撐晶片W。支撐板462設(shè)置為可旋轉(zhuǎn)。噴嘴463將顯影劑供給到布置在支撐板462上的晶片W的頂部。噴嘴463具有圓形管子的形式并且將顯影劑供給到晶片W的中心。選擇性地，噴嘴463可以具有與晶片W的直徑相應(yīng)的長(zhǎng)度，并且噴嘴463的排放端口可以設(shè)置為狹縫。此外，顯影室460還可以包括噴嘴464，所述噴嘴464用于供給諸如去離子水的清洗流體以清洗被供給以顯影劑的晶片W的表面。
[0066]烘烤室470在晶片W上執(zhí)行熱處理。例如，烘烤室470在執(zhí)行顯影處理以前執(zhí)行加熱晶片W的后烘烤處理、在執(zhí)行顯影處理以后執(zhí)行加熱晶片W的硬烘烤處理、以及在執(zhí)行各烘烤處理以后冷卻已加熱晶片W的冷卻處理。烘烤室470包括冷卻板471或加熱板472。將諸如冷卻劑或熱電器件的冷卻裝置473設(shè)置到冷卻板471上。此外，將諸如加熱絲或熱電器件的加熱裝置474設(shè)置在加熱板472上。冷卻板471與加熱板472可以單獨(dú)地設(shè)置在一個(gè)烘烤室470中。選擇性地，烘烤室470的一部分可以僅包括冷卻板471，并且烘烤室470的另一部分可以僅包括加熱板472。
[0067]如上所述，涂覆模塊401與顯影模塊402單獨(dú)地設(shè)置在涂覆與顯影模塊400中。此夕卜，涂覆模塊401與顯影模塊402可以具有當(dāng)從頂部觀察時(shí)相同的室布置。
[0068](第二緩沖模塊)
[0069]第二緩沖模塊500設(shè)置為晶片W通過(guò)其在涂覆與顯影模塊400和前/后曝光處理模塊600之間轉(zhuǎn)移的路徑。此外，第二緩沖模塊500執(zhí)行預(yù)定處理，例如在晶片W上的冷卻處理或邊緣曝光處理。第二緩沖模塊500包括框架510、緩沖器520、第一冷卻室530、第二冷卻室540、邊緣曝光室550、以及第二緩沖機(jī)械手560。框架510具有長(zhǎng)方體形式。緩沖器520，第一冷卻室530、第二冷卻室540、邊緣曝光室550、以及第二緩沖機(jī)械手560布置在框架510中。緩沖器520、第一冷卻室530、以及邊緣曝光室550布置在與涂覆模塊401相應(yīng)的高度處。第二冷卻室540布置在與顯影模塊402相應(yīng)的高度處。緩沖器520、第一冷卻室530、以及第二冷卻室540沿著第三方向16成直線順序地布置。如從頂部看到的緩沖器520和涂覆模塊401的運(yùn)送室430沿著第一方向12布置。邊緣曝光室550沿著第二方向14與緩沖器520或第一冷卻室530隔開(kāi)預(yù)定距離。
[0070]第二緩沖機(jī)械手560在緩沖器520、第一冷卻室530與邊緣曝光室550之間轉(zhuǎn)移晶片W。第二緩沖機(jī)械手560定位在邊緣曝光室550與緩沖器520之間。第二緩沖機(jī)械手560具有與第一緩沖機(jī)械手360類(lèi)似的結(jié)構(gòu)。第一冷卻室530與邊緣曝光室550在通過(guò)涂覆模塊401執(zhí)行處理的晶片W上執(zhí)行隨后的處理。第一冷卻室530冷卻其中通過(guò)涂覆模塊401執(zhí)行處理的晶片W。第一冷卻室530具有與第一緩沖模塊300的冷卻室350類(lèi)似的結(jié)構(gòu)。邊緣曝光室550使其中通過(guò)第一冷卻室530執(zhí)行冷卻處理的晶片W的邊緣曝光。通過(guò)邊緣曝光室550在其中執(zhí)行處理的晶片W被轉(zhuǎn)移到下文描述的預(yù)處理模塊601以前，緩沖器520臨時(shí)存儲(chǔ)晶片W。通過(guò)下文描述的后處理模塊602在其中執(zhí)行處理的晶片W被轉(zhuǎn)移到顯影模塊402以前第二冷卻室540冷卻晶片W。第二緩沖模塊500還可以在與顯影模塊402相應(yīng)的高度處包括其它緩沖器。在此情形中，通過(guò)后處理模塊602在其中執(zhí)行處理的晶片W臨時(shí)存儲(chǔ)在其它緩沖器中，然而被轉(zhuǎn)移到顯影模塊402。
[0071](前/后曝光處理模塊)
[0072]當(dāng)曝光設(shè)備900執(zhí)行浸潰曝光處理時(shí)前/后曝光處理模塊600可以執(zhí)行涂覆保護(hù)層的處理，以便在浸潰曝光過(guò)程中保護(hù)涂覆在晶片W上的光致抗蝕劑層。此外，前/后曝光處理模塊600可以在曝光以后執(zhí)行清洗晶片W的處理。此外，當(dāng)通過(guò)利用化學(xué)增強(qiáng)抗蝕劑執(zhí)行涂覆處理時(shí)，在曝光以后前/后曝光處理模塊600可以執(zhí)行烘烤處理。
[0073]前/后曝光處理模塊600包括前處理模塊601與后處理模塊602。前處理模塊601在執(zhí)行曝光處理以前執(zhí)行用于處理晶片W的處理，并且后處理模塊602在執(zhí)行曝光處理以后執(zhí)行用于處理晶片W的處理。前處理模塊601與后處理模塊602布置為通過(guò)層彼此隔開(kāi)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，前處理模塊601布置在后處理模塊602上。前處理模塊601與涂覆模塊401設(shè)置在相同高度處。后處理模塊602與顯影模塊402設(shè)置在相同高度處。前處理模塊601包括保護(hù)層涂覆室610、烘烤室620與運(yùn)送室630。保護(hù)層涂覆室610、運(yùn)送室630、以及烘烤室620沿著第二方向14順序布置。因此，保護(hù)層涂覆室610與烘烤室620沿著第二方向相互隔開(kāi)，運(yùn)送室630在保護(hù)層涂覆室610與烘烤室620之間。沿著第三方向16設(shè)置與布置多個(gè)保護(hù)層涂覆室610以形成相應(yīng)的層。選擇性地，在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)保護(hù)層涂覆室610。沿著第三方向16設(shè)置與布置多個(gè)烘烤室620以形成相應(yīng)的層。選擇性地，在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)烘烤室620。
[0074]運(yùn)送室630沿著第一方向12平行于第二緩沖模塊500的第一冷卻室530定位。前處理機(jī)械手632定位在運(yùn)送室630中。運(yùn)送室630通常地具有正方形或長(zhǎng)方形形式。前處理機(jī)械手632在保護(hù)層涂覆室610、烘烤室620、第二緩沖模塊500的緩沖器520與下文描述的接口模塊700的第一緩沖器720之間轉(zhuǎn)移晶片W。前處理機(jī)械手632包括指針633、臂634、以及支撐件635。指針633固定地安裝到臂634。臂634設(shè)有可伸縮結(jié)構(gòu)與可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。臂634聯(lián)接到支撐件635以在第三方向16上沿著支撐件635線性移動(dòng)。
[0075]保護(hù)層涂覆室610在晶片W上涂覆保護(hù)層以便在浸潰曝光過(guò)程中保護(hù)光致抗蝕劑層。保護(hù)層涂覆室610包括殼體611、支撐板612、以及噴嘴613。殼體611具有帶有敞開(kāi)式頂部的杯狀形狀。支撐板612布置在殼體611內(nèi)并且支撐晶片W。支撐板612設(shè)置為可旋轉(zhuǎn)。噴嘴613將保護(hù)溶液供給到布置在支撐板612上的晶片W的頂部以便形成保護(hù)層。噴嘴613具有圓形管子的形式并且將保護(hù)性溶液供給到晶片W的中心。選擇性地，噴嘴613可以具有與晶片W的直徑相應(yīng)的長(zhǎng)度，并且噴嘴613的排放端口可以設(shè)置為狹縫。在此情形中，支撐板612可以設(shè)置在固定狀態(tài)中。保護(hù)溶液包括形成材料。保護(hù)溶液可以包括光致抗蝕劑以及具有低親水性的材料。例如，保護(hù)溶液可以包括氟基溶劑。當(dāng)使布置在支撐板612上的晶片W旋轉(zhuǎn)時(shí)，保護(hù)層涂覆室610將保護(hù)溶液供給到晶片W的中心區(qū)域。
[0076]烘烤室620在其中涂覆保護(hù)層的晶片W上執(zhí)行熱處理。烘烤室620包括冷卻板621或加熱板622。將諸如冷卻劑或熱電器件的冷卻裝置623設(shè)置到冷卻板621上。此外，將諸如加熱絲或熱電器件的加熱裝置624設(shè)置在加熱板622上。加熱板622與冷卻板621可以單獨(dú)地設(shè)置在一個(gè)烘烤室620中。選擇性地，烘烤室620的一部分可以僅包括加熱板622，并且烘烤室620的另一部分可以僅包括冷卻板621。
[0077]后處理模塊602包括清洗室660、后曝光烘烤室670與運(yùn)送室680。清洗室660、運(yùn)送室680、以及后曝光烘烤室670沿著第二方向14順序布置。因此，清洗室660與后曝光烘烤室670沿著第二方向相互隔開(kāi)，運(yùn)送室680在清洗室660與后曝光烘烤室670之間。沿著第三方向16設(shè)置與布置多個(gè)清洗室660以形成相應(yīng)的層。選擇性地，在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)清洗室660。沿著第三方向16設(shè)置與布置多個(gè)后曝光烘烤室670以形成相應(yīng)的層。選擇性地，在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)后曝光烘烤室670。
[0078]當(dāng)從頂部觀察時(shí)，運(yùn)送室680沿著第一方向12平行于第二緩沖模塊500的第二冷卻室540定位。運(yùn)送室680通常地具有正方形或長(zhǎng)方形形式。后處理機(jī)械手682定位在運(yùn)送室680中。后處理機(jī)械手682在清洗室660、后曝光烘烤室670、第二緩沖模塊500的第二冷卻室540與下文描述的接口模塊700的第二緩沖器730之間轉(zhuǎn)移晶片W。設(shè)置在后處理模塊602中的后處理機(jī)械手682可以具有與設(shè)置在前處理模塊601中的前處理機(jī)械手632相同的結(jié)構(gòu)。
[0079]清洗室660在曝光處理以后清洗晶片W。清洗室660包括殼體661、支撐板662、以及噴嘴663。殼體661具有帶有敞開(kāi)式頂部的杯狀形狀。支撐板662布置在殼體661內(nèi)并且支撐晶片W。支撐板662設(shè)置為可旋轉(zhuǎn)。噴嘴663將清洗溶液供給到布置在支撐板662上的晶片W的頂部?？梢詫⒅T如去離子水的水用作清洗溶液。當(dāng)使布置在支撐板662上的晶片W旋轉(zhuǎn)時(shí)，清洗室660將清洗溶液供給到晶片W的中心區(qū)域。選擇性地，當(dāng)晶片W旋轉(zhuǎn)時(shí)，噴嘴663可以線性地或者可旋轉(zhuǎn)地從晶片W的中心區(qū)域移動(dòng)到邊緣區(qū)域。
[0080]后曝光烘烤室670加熱晶片W，其中通過(guò)利用紫外線執(zhí)行曝光處理。后曝光烘烤處理通過(guò)利用加熱晶片W曝光而使在光致抗蝕劑中產(chǎn)生的酸放大，由此完成光致抗蝕劑的性能的改變。后曝光烘烤室670包括加熱板672。將諸如加熱絲或熱電器件的加熱裝置674設(shè)置在加熱板672上。后曝光烘烤室670包括在其中的冷卻板671。將諸如冷卻劑或熱電器件的冷卻裝置673設(shè)置到冷卻板671上。此外，僅包括冷卻板672的烘烤室可以進(jìn)一步選擇性地設(shè)置。
[0081]如上所述，前處理模塊601與后處理模塊602完全地分離并且設(shè)置到后曝光處理模塊600。此外，前處理模塊601的運(yùn)送室630與后處理模塊602的運(yùn)送室680設(shè)有相同的尺寸，從而當(dāng)從頂部觀察時(shí)它們可以彼此完全地重疊。此外，保護(hù)層涂覆室610與清洗室660設(shè)有相同的尺寸，從而當(dāng)從頂部觀察時(shí)它們可以彼此完全地重疊。此外，烘烤室620與后曝光烘烤室670設(shè)有相同的尺寸，從而當(dāng)從頂部觀察時(shí)它們可以彼此完全地重疊。
[0082](接口模塊)
[0083]接口模塊700在前/后曝光處理模塊600、模糊模塊800與曝光設(shè)備900之間轉(zhuǎn)移晶片W。接口模塊700包括框架710、第一緩沖器720、第二緩沖器730、以及接口機(jī)械手740。第一緩沖器720、第二緩沖器730、以及接口機(jī)械手740布置在框架710內(nèi)。第一緩沖器720與第二緩沖器730彼此隔開(kāi)預(yù)定距離并且彼此堆疊地布置。第一緩沖器720布置為比第二緩沖器730高。第一緩沖器720定位在與前處理模塊601相應(yīng)的高度處，并且第二緩沖器730定位在與后處理模塊602相應(yīng)的高度處。當(dāng)從頂部觀察時(shí)，第一緩沖器720與前處理模塊601的運(yùn)送室630沿著第一方向12成直線布置，并且第二緩沖器730與前處理模塊602的運(yùn)送室630沿著第一方向12成直線布置。
[0084]接口機(jī)械手740在第二方向14上與第一緩沖器720和第二緩沖器730隔開(kāi)。接口機(jī)械手740在第一緩沖器720、第二緩沖器730、模糊模塊800與曝光設(shè)備900之間轉(zhuǎn)移晶片W。接口機(jī)械手740具有與第二緩沖機(jī)械手560相對(duì)類(lèi)似的結(jié)構(gòu)。
[0085]在將通過(guò)邊緣曝光室720于其中執(zhí)行處理的晶片W轉(zhuǎn)移到曝光設(shè)備900以前，第一緩沖器720臨時(shí)地存儲(chǔ)晶片W。然后，在將通過(guò)曝光設(shè)備900于其中完成處理的晶片W轉(zhuǎn)移到后處理模塊602以前，第二緩沖器730臨時(shí)地存儲(chǔ)晶片W。第一緩沖器720具有殼體721與多個(gè)支撐件722。支撐件722布置在殼體721中并且沿著第三方向16彼此隔開(kāi)地設(shè)置。一個(gè)晶片W布置在每個(gè)支撐件722處。殼體721在設(shè)有接口機(jī)械手740的方向上以及在設(shè)有前處理機(jī)械手632的方向上具有開(kāi)口(未示出)，以便允許接口機(jī)械手740與前處理機(jī)械手632將晶片W運(yùn)送到殼體721中或者從殼體運(yùn)送晶片W。第二緩沖器730具有與第一緩沖器720相對(duì)類(lèi)似的結(jié)構(gòu)。然而，第二緩沖器730的殼體731在設(shè)置接口機(jī)械手740的方向上以及在設(shè)置后處理機(jī)械手682的方向上具有開(kāi)口(未示出)。在沒(méi)有于晶片上執(zhí)行預(yù)定處理的室的情況下，接口模塊可以僅包括上述緩沖器與機(jī)械手。
[0086](模糊模塊)
[0087]模糊模塊800可以布置在接口模塊700中。更具體地，模糊模塊800可以基于接口機(jī)械手740布置在面向第一緩沖器720的位置處。與此不同，模糊模塊800可以設(shè)置在多個(gè)位置處，例如，在接口模塊700的后端處連接曝光設(shè)備900的位置或者接口模塊700的側(cè)部。模糊模塊800在通過(guò)前/后曝光處理模塊600于其中涂覆保護(hù)層以保護(hù)光致抗蝕劑的晶片上執(zhí)行氣體凈化處理與漂洗處理。
[0088]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的涂覆模塊的平面圖。圖6是圖5的涂覆模塊的橫截面視圖。
[0089]參照?qǐng)D5至圖6，涂覆模塊401包括基板支撐件4100與處理溶液供給單元4300?；逯渭?100支撐基板W?；逯渭?100在支撐基板W的同時(shí)可以旋轉(zhuǎn)。處理溶液供給單元4300將處理溶液供給到布置在基板支撐件4100上的基板W的頂部以便處理基板I
[0090]基板支撐件4100支撐基板W并且在處理過(guò)程中通過(guò)諸如電機(jī)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4120而旋轉(zhuǎn)。基板支撐件4100具有包括圓形上表面的支撐板4140，并且支撐基板W的銷(xiāo)件4160安裝在支撐板4140的上表面。當(dāng)基板支撐件4100通過(guò)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4120旋轉(zhuǎn)時(shí)，由銷(xiāo)件4160支撐的基板W旋轉(zhuǎn)。
[0091]容器4200布置在基板支撐件4100周?chē)?。容?200通常具有圓柱形式。排放孔4240形成在下壁4220處，并且排放管4260與排放孔4240聯(lián)通。諸如泵的排放件4280連接到排放管4260。排放件4280提供壓力以排放含有通過(guò)基板W的旋轉(zhuǎn)散布的處理溶液的容器4200中的空氣。
[0092]處理溶液供給單元4300將處理溶液供給到布置在基板支撐件4100上的基板W的頂部。處理溶液供給單元4300包括設(shè)置在基板支撐件4100的一側(cè)的噴嘴臂4320。多個(gè)噴嘴4340與4360可以安裝在噴嘴臂4320的端部。噴嘴4340與4360可以垂直于噴嘴臂4320的長(zhǎng)度方向成直線布置在噴嘴臂4320的一個(gè)端部。噴嘴4340與4360中的一個(gè)設(shè)置為光致抗蝕劑噴嘴4360并且另一個(gè)設(shè)置為預(yù)濕噴嘴4340。噴嘴臂4320可以布置在基板支撐件4100的一側(cè)以允許噴嘴4340與4360的布置方向穿過(guò)布置在基板支撐件4100上的基板W的中心。
[0093]光致抗蝕劑噴嘴4360將光致抗蝕劑供給到基板W。預(yù)濕噴嘴4340將有機(jī)溶劑供給到基板W，以便在將光致抗蝕劑提供到基板W以前改善光致抗蝕劑相對(duì)于基板W的濕潤(rùn)性。如果在將光致抗蝕劑供給到基板W上以前供給有機(jī)溶劑，那么光致抗蝕劑均勻地散布在基板W上，使得可以在基板W上形成均勻的光致抗蝕劑層。
[0094]從預(yù)濕噴嘴4340供給到基板W的有機(jī)溶劑可以包括稀釋劑。
[0095]裝配有多個(gè)噴嘴4340與4360的噴嘴臂4320可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)件4400沿著噴嘴4340和4360的布置方向線性移動(dòng)。驅(qū)動(dòng)件4400包括噴嘴臂支撐件4410與引導(dǎo)件4420。噴嘴臂支撐件4410聯(lián)接到噴嘴臂4320的另一端。噴嘴臂支撐件4410可以以桿的形式沿著向下的方向設(shè)置在噴嘴臂4320的一側(cè)。噴嘴臂支撐件4410的下部連接到引導(dǎo)件4420。根據(jù)平面布置結(jié)構(gòu)，引導(dǎo)件4420布置在垂直于噴嘴臂4320的長(zhǎng)度方向的噴嘴臂支撐件4410的一側(cè)。引導(dǎo)件4420具有軌道形式并且引導(dǎo)噴嘴臂支撐件4410的線性移動(dòng)。噴嘴臂支撐件4410可以設(shè)置為沿著豎直長(zhǎng)度可變化。
[0096]當(dāng)處理溶液供給單元4300通過(guò)具有上述構(gòu)造的驅(qū)動(dòng)件4400線性移動(dòng)時(shí)，處理溶液供給單元4300可以移動(dòng)到基板支撐件4100上的處理位置與設(shè)置在基板支撐件4100的一側(cè)處的處理備用位置。
[0097]圖7是在有機(jī)溶劑供給處理期間當(dāng)從預(yù)濕噴嘴供給有機(jī)溶劑時(shí)的前視圖。
[0098]參照?qǐng)D5至圖7，處理溶液供給單元4300將有機(jī)溶劑供給到定位在基板支撐件處的基板W。
[0099]當(dāng)供給有機(jī)溶劑時(shí)，驅(qū)動(dòng)件4400調(diào)節(jié)預(yù)濕噴嘴4340相對(duì)于基板W的位置。例如，驅(qū)動(dòng)件4400可以使噴嘴臂4320移動(dòng)以允許預(yù)濕噴嘴4340定位在基板W的中心上方。因此，預(yù)濕噴嘴4340將有機(jī)溶劑供給到基板W的中心。當(dāng)供給有機(jī)溶劑時(shí)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4400使支撐板4140旋轉(zhuǎn)。因此，供給到基板W的有機(jī)溶劑通過(guò)離心力沿著遠(yuǎn)離基板W的中心的徑向方向擴(kuò)散并且然后均勻地涂覆到基板W的上表面。作為另一個(gè)實(shí)例，預(yù)濕噴嘴4340在基板W的偏心位置處開(kāi)始供給有機(jī)溶劑。然后，當(dāng)供給有機(jī)溶劑時(shí)，驅(qū)動(dòng)件4400使噴嘴臂4320移動(dòng)以允許預(yù)濕噴嘴4340定位在基板W的中心上方。
[0100]圖8是在偏心供給處理過(guò)程中供給光致抗蝕劑時(shí)的前視圖，并且圖9是在中心供給處理過(guò)程中供給光致抗蝕劑時(shí)的前視圖。
[0101]參照?qǐng)D5至圖9，處理溶液供給單元4300在預(yù)定時(shí)間期間將有機(jī)溶劑供給到基板W并且然后將光致抗蝕劑供給到基板W。
[0102]在預(yù)定時(shí)間期間當(dāng)供給有機(jī)溶劑時(shí)，處理溶液供給單元4300開(kāi)始供給光致抗蝕劑溶液。圖11的光致抗蝕劑供給階段S可以包括圖11的偏心供給階段Se與圖11的中心供給階段Sc。
[0103]處理溶液供給單元4300開(kāi)始將光致抗蝕劑供給到偏心供給階段Se。首先，驅(qū)動(dòng)件4400使噴嘴臂4320移動(dòng)以允許光致抗蝕劑噴嘴4360相對(duì)于基板W的中心定位在偏心部分上方。然后，光致抗蝕劑噴嘴4360開(kāi)始將光致抗蝕劑從基板W的中心供給到偏心部分。在偏心供給階段Se中，當(dāng)供給光致抗蝕劑時(shí)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4400使支撐板4140旋轉(zhuǎn)。因此，供給到基板W的光致抗蝕劑擴(kuò)散到周?chē)?br> [0104]在光致抗蝕劑噴嘴4360開(kāi)始供給光致抗蝕劑以后，驅(qū)動(dòng)件4400使噴嘴臂4320移動(dòng)以允許光致抗蝕劑噴嘴4360定位在基板W的中心上方。在開(kāi)始供給光致抗蝕劑時(shí)，可以同時(shí)地開(kāi)始噴嘴臂4320的移動(dòng)。此外，可以在開(kāi)始供給光致抗蝕劑預(yù)定時(shí)間以后開(kāi)始噴嘴臂4320的移動(dòng)。
[0105]噴嘴臂4320沿著基板W的中心方向的移動(dòng)速度可以是恒定速度。此外，噴嘴臂4320的移動(dòng)速度可以隨著時(shí)間改變。例如，噴嘴臂4320的移動(dòng)速度可以根據(jù)預(yù)定時(shí)間的流逝而加速、恒定、或者減速。
[0106]在偏心供給階段Se以后，根據(jù)中心供給狀態(tài)Sc，處理溶液供給單元4300將光致抗蝕劑供給到基板W。更具體地，由于噴嘴臂4320沿著基板W的中心方向移動(dòng)，因此當(dāng)光致抗蝕劑噴嘴4360定位在基板W的中心上方時(shí)，驅(qū)動(dòng)件4400使噴嘴臂4320停止。在于偏心供給階段Se中開(kāi)始供給光致抗蝕劑以后，光致抗蝕劑噴嘴4360在偏心供給階段Se與中心供給階段Sc持續(xù)地將光致抗蝕劑供給到基板W。
[0107]當(dāng)在中心供給階段Sc供給光致抗蝕劑時(shí)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4400使支撐板4140旋轉(zhuǎn)。因此，供給到基板W的中心的光致抗蝕劑擴(kuò)散到周?chē)?br> [0108]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，可以省略偏心供給階段Se。因此，在完成將無(wú)機(jī)溶劑供給到基板W以后，在中心供給階段Sc將光致抗蝕劑供給到基板W。
[0109]圖10是示出擴(kuò)散階段的前視圖。
[0110]參照?qǐng)D5至圖10，當(dāng)光致抗蝕劑供給階段S停止時(shí)擴(kuò)散階段SP開(kāi)始。
[0111]當(dāng)將光致抗蝕劑供給到基板W的中心時(shí)，光致抗蝕劑噴嘴4360停止供給。在光致抗蝕劑供給停止以后的擴(kuò)散階段中，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4400使支撐板4140持續(xù)旋轉(zhuǎn)。因此，供給到基板W中心的光致抗蝕劑持續(xù)地?cái)U(kuò)散，從而使基板W上表面的涂覆均勻性得以改善。
[0112]圖11是示出在光致抗蝕劑供給階段與擴(kuò)散階段中的支撐板的旋轉(zhuǎn)速度的曲線圖。
[0113]參照?qǐng)D8-圖11，支撐板4140的旋轉(zhuǎn)速度隨著時(shí)間改變。
[0114]在偏心供給階段Se,支撐板4140以第一供給速度Va的恒定速度旋轉(zhuǎn)。在有機(jī)溶劑供給過(guò)程中，第一供給速度Va可以與支撐板4140的旋轉(zhuǎn)速度相同。此外，在有機(jī)溶劑供給過(guò)程中，第一供給速度Va可以比支撐板4140的旋轉(zhuǎn)速度更快或者更慢。在偏心供給階段Se停止以后，在中心供給階段Sc開(kāi)始以后，支撐板4140的旋轉(zhuǎn)速度保持預(yù)定時(shí)間。
[0115]在中心供給階段Sc中供給光致抗蝕劑溶液預(yù)定時(shí)間以后，支撐板4140的旋轉(zhuǎn)速度從第一供給速度Va減速到第二供給速度Vb?？梢愿鶕?jù)基板W的尺寸與供給到基板W的光致抗蝕劑的數(shù)量來(lái)調(diào)節(jié)在支撐板4140從第一供給速度Va減速到第二供給速度Vb的時(shí)間間隔中的曲線圖斜率。中心供給階段Sc以第二供給速度Vb保持預(yù)定時(shí)間并且然后終止。
[0116]在光致抗蝕劑供給停止以后/以前，施加到基板W的上表面的作用力可以改變。該作用力由來(lái)自支撐板4140旋轉(zhuǎn)的離心力、將供給的光致抗蝕劑涂覆在基板W上表面上的作用力、以及其相互作用而產(chǎn)生。在光致抗蝕劑供給停止以后/以前，此作用力的改變?cè)斐晒┙o到基板W的上表面的光致抗蝕劑的各區(qū)域的差異。在另一個(gè)方面，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的涂覆模塊401使以從第一供給速度Va減速的第二供給速度Vb的光致抗蝕劑供給停止。即，當(dāng)造成光致抗蝕劑的各區(qū)域差異的此作用力減小時(shí)，光致抗蝕劑供給停止。因此，可以使光致抗蝕劑供給停止時(shí)發(fā)生的光致抗蝕劑的各區(qū)域差異最小化。
[0117]此外，第二供給速度Vb被設(shè)定為一部分光致抗蝕劑未散布在基板W周?chē)蔷奂诨錡的中心上的速度。聚集在中心上的光致抗蝕劑可以流動(dòng)以填充由光致抗蝕劑供給停止時(shí)發(fā)生的作用力致使的各區(qū)域的差異。
[0118]在擴(kuò)散階段SP中，支撐板4140加速以允許聚集在基板W的中心上的光致抗蝕劑擴(kuò)散到周?chē)?。更具體地，在預(yù)定時(shí)間以后支撐板4140從第二供給速度Vb加速到擴(kuò)散速度Vc0可以根據(jù)基板W的尺寸以及在涂覆模塊401中的處理時(shí)間來(lái)設(shè)定擴(kuò)散速度Vc。例如，擴(kuò)散速度Vc可以設(shè)定為小于第一供給速度Va。此外，擴(kuò)散速度Vc可以設(shè)定為與第一供給速度Va相同或者比第一供給速度大。
[0119]在擴(kuò)散速度Vc保持預(yù)定時(shí)間以后，支撐板4140減速到終端速度Vd。終端速度Vd可以與第二供給速度Vb相同。此外，終端速度Vd可以大于或小于第二供給速度Vb。然后，當(dāng)支撐板4140以終端速度Vd旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間并且停止時(shí)，在涂覆模塊中終止光致抗蝕劑涂覆處理。
[0120]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的支撐板的旋轉(zhuǎn)速度的曲線圖。[0121 ] 參照?qǐng)D12，在中心供給階段Scl中，可以逐漸地執(zhí)行從第一供給速度Val到第二供給速度Vb2的減速。更具體地，在中心供給階段Scl中的減速是從第一供給速度Val到緩沖速度VP。然后，支撐板4140以緩沖速度VP旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間并且然后再次以第二供給速度Vb2旋轉(zhuǎn)。在這點(diǎn)上，第一供給速度Val減速到緩沖速度VP時(shí)的曲線圖的斜率可以設(shè)定為與緩沖速度VP減速到第二供給速度Vb2時(shí)的曲線圖的斜率相同。此外，第一供給速度Val減速到緩沖速度VP時(shí)的曲線圖的斜率可以設(shè)定為大于或小于緩沖速度VP減速到第二供給速度Vb2時(shí)的曲線圖的斜率。此外，緩沖速度VP可以設(shè)定為第一供給速度Val與第二供給速度Vb2的算數(shù)平均值。此外，緩沖速度VP可以設(shè)定為大于或小于第一供給速度Val與第二供給速度Vb2的算數(shù)平均值。此外，如圖12中所示，盡管一個(gè)緩沖速度VP定位在第一供給速度Val與第二供給速度Vb2之間，但是兩個(gè)緩沖速度VP定位為，使得可以通過(guò)多于兩個(gè)階段來(lái)實(shí)現(xiàn)支撐板4140的減速。
[0122]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以均勻地處理基板。
[0123]此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以將光致抗蝕劑均勻地涂覆到基板。
[0124]上面公開(kāi)的主題將被認(rèn)為是示意性的，而非限定性的，并且所附權(quán)利要求旨在覆蓋落入本發(fā)明的真實(shí)精神與范圍內(nèi)的全部這些修改、增強(qiáng)、以及其它實(shí)施方式。因此，在法律允許的最大范圍內(nèi)，本發(fā)明構(gòu)思的范圍將通過(guò)對(duì)下面的權(quán)利要求與它們的等效物所允許的最寬泛的解釋來(lái)確定，并且不應(yīng)被上述詳細(xì)描述限制或限定。
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理設(shè)備，其包括: 基板支撐件，其構(gòu)造為支撐待處理的基板； 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件，其使所述基板支撐件旋轉(zhuǎn)； 容器，其設(shè)置在所述基板支撐件周?chē)?；以?處理溶液供給單元，其包括光致抗蝕劑噴嘴以將光致抗蝕劑供給到所述基板的上表面， 其中，當(dāng)所述基板支撐件以第一供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)，所述光致抗蝕劑噴嘴開(kāi)始供給所述光致抗蝕劑，并且當(dāng)所述基板支撐件以從所述第一供給速度減速的第二供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)，所述光致抗蝕劑噴嘴停止供給所述光致抗蝕劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，在所述光致抗蝕劑供給終止以后，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件使所述基板支撐件以從所述第二供給速度加速的擴(kuò)散速度旋轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述擴(kuò)散速度設(shè)定為小于所述第一供給速度并且大于所述第二供給速度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件使所述基板支撐件以從所述擴(kuò)散速度減速的終端速度旋轉(zhuǎn)并且之后使所述基板支撐件停止。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件使所述基板支撐件的旋轉(zhuǎn)速度從所述第一供給速度逐漸減小到所述第二供給速度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，當(dāng)所述第一供給速度減速到所述第二供給速度時(shí)，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件使所述基板支撐件以緩沖速度旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述處理溶液供給單元包括: 噴嘴臂，其具有其中定位所述光致抗蝕劑噴嘴的一個(gè)端部；以及 驅(qū)動(dòng)件，其相對(duì)于所述基板支撐件使所述噴嘴臂移動(dòng)， 其中，當(dāng)所述驅(qū)動(dòng)件定位所述噴嘴臂以允許所述光致抗蝕劑噴嘴定位在所述基板的中心上方時(shí)，使所述光致抗蝕劑供給停止。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，當(dāng)所述驅(qū)動(dòng)件定位所述噴嘴臂以允許所述光致抗蝕劑噴嘴偏心地定位在所述基板的中心上方時(shí)，使所述光致抗蝕劑供給開(kāi)始。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，在所述光致抗蝕劑供給開(kāi)始以后，所述驅(qū)動(dòng)件使所述噴嘴臂移動(dòng)以允許所述光致抗蝕劑噴嘴定位在所述基板中心上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，當(dāng)所述光致抗蝕劑噴嘴定位在所述基板中心上方時(shí)，所述光致抗蝕劑噴嘴供給所述光致抗蝕劑預(yù)定時(shí)間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述處理溶液供給單元還包括用于將有機(jī)溶劑供給到所述基板的預(yù)濕噴嘴。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述預(yù)濕噴嘴在供給所述光致抗蝕劑以前將所述有機(jī)溶劑供給到所述基板。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，當(dāng)所述預(yù)濕噴嘴定位在所述基板中心上方時(shí)，所述處理溶液供給單元將所述有機(jī)溶劑供給到所述基板。
14.一種涂覆處理溶液的方法，所述方法包括: 開(kāi)始將光致抗蝕劑供給到由以第一供給速度旋轉(zhuǎn)的基板支撐件支撐的基板的上表面；以及 當(dāng)所述基板支撐件從所述第一供給速度減速到第二供給速度時(shí)，使所述光致抗蝕劑供給停止。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括在所述光致抗蝕劑供給終止以后，使所述基板支撐件以從所述第二供給速度加速的擴(kuò)散速度旋轉(zhuǎn)并且使聚集在所述基板中心部分上的所述光致抗蝕劑擴(kuò)散到所述中心的周邊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括使所述基板支撐件以從所述擴(kuò)散速度減速的終端速度旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間以及使所述旋轉(zhuǎn)停止。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括使所述第一供給速度逐漸減速到所述第二供給速度。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述光致抗蝕劑供給從與所述基板的中心偏心的位置開(kāi)始并且移動(dòng)到所述基板的中心。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，當(dāng)將所述光致抗蝕劑供給到所述基板的中心時(shí)，使所述光致抗蝕劑供給停止。
【文檔編號(hào)】H01L21/027GK104425322SQ201410438285
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】李正悅, 閔忠基, 金正洙 申請(qǐng)人:細(xì)美事有限公司
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種基板處理設(shè)備。該設(shè)備包括：支撐待處理的基板的基板支撐件；使基板支撐件旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件；設(shè)置在基板支撐件周?chē)娜萜鳎灰约疤幚砣芤汗┙o單元，其包括光致抗蝕劑噴嘴以將光致抗蝕劑供給到基板的上表面，其中當(dāng)基板支撐件以第一供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)光致抗蝕劑噴嘴開(kāi)始供給光致抗蝕劑，并且當(dāng)基板支撐件以從第一供給速度減速的第二供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)光致抗蝕劑噴嘴停止供給光致抗蝕劑。
【專利說(shuō)明】基板處理設(shè)備以及涂覆處理溶液的方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本美國(guó)非臨時(shí)專利申請(qǐng)要求2013年8月30日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2013-0104072以及2013年12月27日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2013-0165400的韓國(guó)專利申請(qǐng)?jiān)?5U.S.C.§ 119下的優(yōu)先權(quán)，所述申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用的方式包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及基板處理設(shè)備以及涂覆處理溶液的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]為了制造半導(dǎo)體設(shè)備，例如清洗、沉積、光刻、蝕刻、以及離子注入的多個(gè)處理被執(zhí)行。用于形成圖案的光刻處理對(duì)于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的高集成來(lái)說(shuō)起到非常重要的作用。
[0005]通過(guò)將光致抗蝕劑涂覆在基板上來(lái)執(zhí)行光刻處理?？梢栽诨逍D(zhuǎn)時(shí)執(zhí)行用于光刻的涂覆處理。如果涂覆在基板的各區(qū)域上的光致抗蝕劑的量不同，便可能產(chǎn)生有缺陷的基板。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明提供了一種均勻處理基板的基板處理設(shè)備以及涂覆處理溶液的方法。
[0007]本發(fā)明還提供了將光致抗蝕劑均勻地涂覆在基板上的基板處理設(shè)備以及涂覆處理溶液的方法。
[0008]本發(fā)明的實(shí)施方式提供了基板處理設(shè)備，其包括:構(gòu)造為支撐待處理的基板的基板支撐件；使基板支撐件旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件；設(shè)置在基板支撐件周?chē)娜萜鳎灰约疤幚砣芤汗┙o單元，其包括光致抗蝕劑噴嘴以將光致抗蝕劑供給到基板的上表面，其中當(dāng)基板支撐件以第一供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)光致抗蝕劑噴嘴開(kāi)始供給光致抗蝕劑，并且當(dāng)基板支撐件以從第一供給速度減速的第二供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)光致抗蝕劑噴嘴停止供給光致抗蝕劑。
[0009]在一些實(shí)施方式中，在光致抗蝕劑供給終止以后，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件可以使基板支撐件以從第二供給速度加速的擴(kuò)散速度旋轉(zhuǎn)。
[0010]在另一個(gè)實(shí)施方式中，擴(kuò)散速度可以設(shè)置為小于第一供給速度并且大于第二供給速度。
[0011]在此外其它實(shí)施方式中，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件可以使基板支撐件以從擴(kuò)散速度減速的終端速度旋轉(zhuǎn)并且之后使基板支撐件停止。
[0012]在此外其它實(shí)施方式中，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件可以使基板支撐件的旋轉(zhuǎn)速度從第一供給速度逐漸減小到第二供給速度。
[0013]在此外其它實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谝还┙o速度減速到第二供給速度時(shí)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件可以使基板支撐件以緩沖速度旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間。
[0014]在其它實(shí)施方式中，處理溶液供給單元可以包括:噴嘴臂，其具有其中定位光致抗蝕劑噴嘴的一個(gè)端部；以及驅(qū)動(dòng)件，其相對(duì)于基板支撐件使噴嘴臂移動(dòng)，其中當(dāng)所述驅(qū)動(dòng)件定位噴嘴臂以允許光致抗蝕劑噴嘴定位在基板中心上方時(shí)，使光致抗蝕劑供給可以停止。
[0015]在此外其它實(shí)施方式中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)件定位噴嘴臂以允許所述光致抗蝕劑噴嘴偏心地定位在基板中心上方時(shí)，使光致抗蝕劑供給可以開(kāi)始。
[0016]在此外其它實(shí)施方式中，在光致抗蝕劑供給開(kāi)始以后，驅(qū)動(dòng)件可以使噴嘴臂移動(dòng)以允許光致抗蝕劑噴嘴定位在基板中心上方。
[0017]在此外其它實(shí)施方式中，當(dāng)光致抗蝕劑噴嘴定位在基板中心上方時(shí)，光致抗蝕劑噴嘴可以供給光致抗蝕劑預(yù)定時(shí)間。
[0018]在此外其它實(shí)施方式中，處理溶液供給單元還可以包括用于將有機(jī)溶劑供給到基板的預(yù)濕噴嘴。
[0019]在此外其它實(shí)施方式中，預(yù)濕噴嘴可以在供給光致抗蝕劑以前將有機(jī)溶劑供給到基板。
[0020]在此外其它實(shí)施方式中，當(dāng)預(yù)濕噴嘴定位在基板中心上方時(shí)，處理溶液供給單元可以將有機(jī)溶劑供給到基板。
[0021]在本發(fā)明的其它實(shí)施方式中，提供了涂覆處理溶液的方法。此方法包括:開(kāi)始將光致抗蝕劑供給到由以第一供給速度旋轉(zhuǎn)的基板支撐件支撐的基板的上表面；以及當(dāng)基板支撐件從第一供給速度減速到第二供給速度時(shí)，使光致抗蝕劑供給停止。
[0022]在一些實(shí)施方式中，所述方法還可以包括在光致抗蝕劑供給終止以后，使基板支撐件以從第二供給速度加速的擴(kuò)散速度旋轉(zhuǎn)并且使聚集在基板的中心部分上的光致抗蝕劑擴(kuò)散到中心的周邊。
[0023]在其它實(shí)施方式中，該方法還可以包括使基板支撐件以從擴(kuò)散速度減速的終端速度旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間以及使旋轉(zhuǎn)停止。
[0024]在此外的其它實(shí)施方式中，該方法還可以包括使第一供給速度逐漸減速到第二供給速度。
[0025]在此外的其它實(shí)施方式中，光致抗蝕劑供給可以從與基板的中心偏心的位置開(kāi)始并且可以移動(dòng)到基板的中心。
[0026]在此外的其它實(shí)施方式中，當(dāng)將光致抗蝕劑供給到基板的中心時(shí)，可以使光致抗蝕劑供給停止。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0027]所包括的附圖提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且附圖并入本說(shuō)明書(shū)中并且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分。此附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，其連同【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0028]圖1是如從頂部觀察的基板處理設(shè)備的視圖；
[0029]圖2是示出如從方向A-A觀察的圖1的設(shè)備的視圖；
[0030]圖3是示出如從方向B-B觀察的圖1的設(shè)備的視圖；
[0031]圖4是示出如從方向C-C觀察的圖1的設(shè)備的視圖；
[0032]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的涂覆模塊的平面圖；
[0033]圖6是示出圖5的涂覆模塊的橫截面視圖；
[0034]圖7是在有機(jī)溶劑供給處理期間從預(yù)濕噴嘴供給有機(jī)溶劑時(shí)的前視圖；
[0035]圖8是在偏心供給處理過(guò)程中供給光致抗蝕劑時(shí)的前視圖；
[0036]圖9是在中心供給處理過(guò)程中供給光致抗蝕劑時(shí)的前視圖；
[0037]圖10是示出擴(kuò)散階段的前視圖；
[0038]圖11是示出支撐板的在光致抗蝕劑供給階段與擴(kuò)散階段中的旋轉(zhuǎn)速度的曲線圖；以及
[0039]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的支撐板的旋轉(zhuǎn)速度的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]在下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式可以以多種形式進(jìn)行修改，并且本發(fā)明的范圍不限于下面的實(shí)施方式。提供這些實(shí)施方式，使得向本領(lǐng)域中的技術(shù)人員進(jìn)一步完整地描述本發(fā)明。相應(yīng)地，為了清楚地描述，附圖中的元件的形式被放大。
[0041]此實(shí)施方式的裝置用于在例如半導(dǎo)體晶片或平面顯示面板的基板上執(zhí)行光刻處理。特別地，此實(shí)施方式的裝置用于執(zhí)行在基板上的涂覆處理、顯影處理、以及在浸潰曝光以前/以后所需的前/后曝光處理過(guò)程。在下文中，作為實(shí)例描述了基板用作晶片的情形。
[0042]圖1-圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理設(shè)備的視圖。圖1是示出如從頂部觀察的基板處理設(shè)備的視圖。圖2是示出如從方向A-A觀察的圖1的設(shè)備的視圖。圖3是示出如從方向B-B觀察的圖1的設(shè)備的視圖。圖4是示出如從方向C-C觀察的圖1的設(shè)備的視圖。
[0043]參照?qǐng)D1至圖4，基板處理設(shè)備I包括桿端口 100、分度模塊200、第一緩沖模塊300、涂覆與顯影模塊400、第二緩沖模塊500、前/后曝光處理模塊600、接口模塊700、以及模糊模塊800。桿端口 100、分度模塊200、第一緩沖模塊300、涂覆與顯影模塊400、第二緩沖模塊500、前/后曝光處理模塊600、以及接口模塊700沿著一個(gè)方向順序地成直線布置。模糊模塊800可以設(shè)置在接口模塊700中。與此不同，模糊模塊800可以設(shè)置在多個(gè)位置處，例如，在接口模塊700的后端處的曝光設(shè)備900被連接的位置或者接口模塊700的側(cè)部。
[0044]在下文中，其中桿端口 100、分度模塊200、第一緩沖模塊300、涂覆與顯影模塊400、第二緩沖模塊500、前/后曝光處理模塊600、以及接口模塊700的布置方向稱作為第一方向12。如從頂部觀察的，與第一方向12垂直的方向稱作為第二方向14。與第一方向12和第二方向14垂直的方向稱作第三方向16。
[0045]當(dāng)晶片W容納在暗盒20中時(shí)晶片W移動(dòng)。在這點(diǎn)上，暗盒20具有與外部密封的結(jié)構(gòu)。例如，在前面具有門(mén)的前開(kāi)式統(tǒng)集盒(FOUP)可以被用作暗盒20。
[0046]在下文中，將更加詳細(xì)地描述桿端口 100、分度模塊200、第一緩沖模塊300、涂覆與顯影模塊400、第二緩沖模塊500、前/后曝光處理模塊600、接口模塊700以及模糊模塊800。
[0047](桿端口)
[0048]桿端口 100具有其中布置有已經(jīng)容納晶片W的暗盒20的支撐臺(tái)120。多個(gè)支撐臺(tái)120沿著第二方向14成直線設(shè)置與布置。如圖1中所示，設(shè)有四個(gè)支撐臺(tái)120。
[0049](分度模塊)
[0050]分度模塊200在桿端口 100的支撐臺(tái)120上的暗盒20與第一緩沖模塊300之間轉(zhuǎn)移晶片W。分度模塊200包括框架210、分度機(jī)械手220、以及導(dǎo)軌230?？蚣?10具有帶有空的內(nèi)部的長(zhǎng)方形形式，并且布置在桿端口 100與第一緩沖模塊300之間。分度模塊200的框架210可以設(shè)置為比隨后描述的第一緩沖模塊300的框架310低。分度機(jī)械手220與導(dǎo)軌230布置在框架210內(nèi)。分度機(jī)械手220具有4軸驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)以允許直接操作晶片W的指針221沿著第一方向12、第二方向14、以及第三方向16移動(dòng)與旋轉(zhuǎn)。分度機(jī)械手220包括指針221、臂222、支撐件223、以及支架224。指針221固定地安裝到臂222。臂222設(shè)有可伸縮結(jié)構(gòu)與可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。支撐件223具有沿著第三方向16布置的長(zhǎng)度方向。臂222聯(lián)接到支撐件223以沿著支撐件223移動(dòng)。支撐件223固定地聯(lián)接到支架224。導(dǎo)軌230設(shè)有沿著第二方向14布置的其長(zhǎng)度方向。支架224聯(lián)接到導(dǎo)軌230以沿著導(dǎo)軌230線性移動(dòng)。因此，盡管在附圖中未示出，但是使暗盒20的門(mén)打開(kāi)/關(guān)閉的門(mén)打開(kāi)件進(jìn)一步設(shè)置到框架210。
[0051](第一緩沖模塊)
[0052]第一緩沖模塊300包括框架310、第一緩沖器320、第二緩沖器330、冷卻室350、以及緩沖機(jī)械手360?？蚣?10具有帶有空的內(nèi)部的長(zhǎng)方形形式，并且布置在分度模塊200和涂覆與顯影模塊400之間。第一緩沖器320、第二緩沖器330、冷卻室350、以及第一緩沖機(jī)械手360布置在框架310內(nèi)。冷卻室350、第二緩沖器330與第一緩沖器320沿著第一方向16從底部順序地布置。第一緩沖器320定位在和涂覆與顯影模塊400的涂覆模塊401相應(yīng)的高度處，并且第二緩沖器330與冷卻室350定位在和涂覆與顯影模塊400的顯影模塊402相應(yīng)的高度處。第一緩沖機(jī)械手360與第二緩沖器330、冷卻室350、以及第一緩沖器320在第二方向14上隔開(kāi)預(yù)定距離。
[0053]第一緩沖器320與第二緩沖器330臨時(shí)地存儲(chǔ)多個(gè)晶片W。第二緩沖器330具有殼體331與多個(gè)支撐件332。支撐件332布置在殼體331中并且在第三方向16上彼此隔開(kāi)地設(shè)置。一個(gè)晶片W布置在每個(gè)支撐件332處。殼體331在設(shè)置分度機(jī)械手220的方向上、在第一緩沖機(jī)械手360的方向上、以及在設(shè)置下文描述的顯影單元機(jī)械手482的方向上具有開(kāi)口(未示出)，以便允許分度機(jī)械手220、第一緩沖機(jī)械手360、以及顯影模塊402的顯影單元機(jī)械手482將晶片W運(yùn)送到殼體331中的支撐件332或者從殼體331中的支撐件332運(yùn)送晶片W。第一緩沖器320具有與第二緩沖器330相對(duì)類(lèi)似的結(jié)構(gòu)。然而，第一緩沖器320的殼體321在設(shè)置第一緩沖機(jī)械手360的方向上以及在設(shè)置涂覆模塊401中的涂覆單元機(jī)械手432的方向上具有開(kāi)口。設(shè)置在第一緩沖器320中的支撐件322的數(shù)量與設(shè)置在第二緩沖器330中的支撐件332的數(shù)量可以不同或相同。例如，設(shè)置在第二緩沖器330中的支撐件332的數(shù)量與設(shè)置在第一緩沖器320中的支撐件322的數(shù)量可以不同或相同。
[0054]第一緩沖機(jī)械手360在第一緩沖器320與第二緩沖器330之間轉(zhuǎn)移晶片W。第一緩沖機(jī)械手360包括指針361、臂362、以及支撐件363。指針361固定地安裝到臂362。臂362具有可伸縮結(jié)構(gòu)以允許指針361沿著第二方向14移動(dòng)。臂362聯(lián)接到支撐件363以在第三方向16上沿著支撐件363線性移動(dòng)。支撐件363具有從與第二緩沖器330相應(yīng)的位置到與第一緩沖器320相應(yīng)的位置的延伸長(zhǎng)度。支撐件363可以在其向上或向下的方向上進(jìn)一步加長(zhǎng)。第一緩沖機(jī)械手360可以設(shè)置為允許指針361僅為根據(jù)第二方向14與第三方向16的二軸驅(qū)動(dòng)。
[0055]冷卻室350冷卻每個(gè)晶片W。冷卻室350包括殼體351與冷卻板352。冷卻板352包括冷卻其中布置晶片W的上表面的冷卻裝置353以及晶片W。例如通過(guò)冷卻劑冷卻或者通過(guò)熱電設(shè)備冷卻的多種方法可以用于冷卻裝置353。此外，將晶片W定位在冷卻板352上的提升銷(xiāo)組件(未示出)可以設(shè)置到冷卻室350。殼體351在設(shè)有分度機(jī)械手220的方向上以及在設(shè)有顯影單元機(jī)械手482的方向上具有開(kāi)口(未示出)，以便允許分度機(jī)械手220與顯影模塊402的顯影單元機(jī)械手482將晶片W運(yùn)送到冷卻板352中或者從冷卻板運(yùn)送晶片W。此外，可以將打開(kāi)/關(guān)閉開(kāi)口的門(mén)(未示出)設(shè)置到冷卻室350。
[0056](涂覆與顯影模塊)
[0057]涂覆與顯影模塊400在曝光處理以前執(zhí)行將光致抗蝕劑涂覆在晶片W上的處理以及在曝光處理以后使晶片W顯影的處理。涂覆與顯影模塊400具有相對(duì)的長(zhǎng)方體形式。涂覆與顯影模塊400包括涂覆模塊401與顯影模塊402。涂覆模塊401與顯影模塊402布置為通過(guò)層彼此隔開(kāi)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，涂覆模塊401布置在顯影模塊402上。
[0058]涂覆模塊401包括在抗蝕劑涂覆處理前/后將光致抗蝕劑涂覆在晶片W上的處理以及加熱與冷卻晶片W的熱處理過(guò)程。涂覆模塊401包括抗蝕劑涂覆室410、烘烤室420與運(yùn)送室430。抗蝕劑涂覆室410、烘烤室420、以及運(yùn)送室430沿著第二方向14順序布置。因此，抗蝕劑涂覆室410與烘烤室420沿著第二方向相互隔開(kāi)，運(yùn)送室430在抗蝕劑涂覆室410與烘烤室420之間。在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)抗蝕劑涂覆室410。在附圖中，設(shè)有六個(gè)抗蝕劑涂覆室410。在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)烘烤室420。在附圖中，設(shè)有六個(gè)烘烤室420。與此不同，可以設(shè)有更多數(shù)量的烘烤室420。
[0059]運(yùn)送室430在第一方向12上平行于第一緩沖模塊300的第一緩沖器320定位。涂覆單元機(jī)械手432與導(dǎo)軌433定位在運(yùn)送室430內(nèi)。運(yùn)送室430通常地具有長(zhǎng)方形形式。涂覆單元機(jī)械手432在烘烤室420、抗蝕劑涂覆室400、第一緩沖模塊300的第一緩沖器320與第二緩沖模塊500的第一冷卻室520之間轉(zhuǎn)移晶片W。導(dǎo)軌433以其長(zhǎng)度方向平行與第一方向12布置。導(dǎo)軌433引導(dǎo)涂覆單元機(jī)械手432沿著第一方向12線性移動(dòng)。涂覆單元機(jī)械手432包括指針434、臂435、支撐件436、以及支架437。指針434固定地安裝到臂435。臂435具有可伸縮結(jié)構(gòu)以允許指針434沿著水平方向移動(dòng)。支撐件436設(shè)有沿著第三方向16布置的長(zhǎng)度方向。臂435聯(lián)接到支撐件436以在第三方向16上沿著支撐件363線性移動(dòng)。支撐件436固定地聯(lián)接到支架437，并且支架437聯(lián)接到導(dǎo)軌433，以沿著導(dǎo)軌230線性移動(dòng)。
[0060]抗蝕劑涂覆室410具有相同的結(jié)構(gòu)。然而，在各抗蝕劑涂覆層410中使用的光致抗蝕劑的類(lèi)型可以彼此不同。例如，化學(xué)增強(qiáng)抗蝕劑可以被用作光致抗蝕劑?？刮g劑涂覆室410以光致抗蝕劑涂覆晶片W。抗蝕劑涂覆室410包括殼體411、支撐板412、以及噴嘴413。殼體411具有帶有敞開(kāi)式頂部的杯狀形式。支撐板412布置在殼體411內(nèi)并且支撐晶片W。支撐板412設(shè)置為可旋轉(zhuǎn)。噴嘴413將光致抗蝕劑供給到布置在支撐板412上的晶片W的頂部。噴嘴413可以具有圓形管子的形式并且可以將光致抗蝕劑供給到晶片W的中心。選擇性地，噴嘴413可以具有與晶片W的直徑相應(yīng)的長(zhǎng)度，并且噴嘴413的排放端口可以設(shè)置為狹縫。此外，抗蝕劑涂覆室410還可以包括噴嘴414，所述噴嘴414用于供給諸如去離子水的清洗流體以清洗被涂覆以光致抗蝕劑的晶片W的表面。
[0061]烘烤室420在晶片W上執(zhí)行熱處理。例如，烘烤室420在將光致抗蝕劑涂覆到晶片W上以前執(zhí)行通過(guò)將晶片W加熱到預(yù)定溫度來(lái)移除晶片W表面的有機(jī)物質(zhì)或水蒸氣的預(yù)烘烤處理，或者在將光致抗蝕劑涂覆到晶片W上以后執(zhí)行軟烘烤處理，并且之后在各加熱處理以后執(zhí)行用于冷卻晶片W的冷卻處理。烘烤室420包括冷卻板421或加熱板422。諸如冷卻劑或熱電器件的冷卻裝置423被設(shè)置到冷卻板421。此外，諸如加熱絲或熱電器件的加熱裝置424設(shè)置在加熱板422上。冷卻板421與加熱板422可以單獨(dú)地設(shè)置在一個(gè)烘烤室420中。選擇性地，烘烤室420的一部分可以僅包括冷卻板421，并且烘烤室420的另一部分可以僅包括加熱板422。
[0062]顯影模塊402包括用于通過(guò)供給顯影劑來(lái)移除一部分光致抗蝕劑以獲得在晶片W上的圖案的顯影處理以及在顯影處理以前/以后在晶片W上的諸如加熱與冷卻的熱處理過(guò)程。顯影模塊402包括顯影室460、烘烤室470、與運(yùn)送室480。顯影室460、烘烤室470、以及運(yùn)送室480沿著第二方向14順序布置。因此，顯影室460與烘烤室470沿著第二方向相互隔開(kāi)，運(yùn)送室480在顯影室460與烘烤室470之間。在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上設(shè)置多個(gè)顯影室460。在附圖中，設(shè)有六個(gè)顯影室460。在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上設(shè)置多個(gè)烘烤室470。在附圖中，設(shè)有六個(gè)烘烤室470。與此不同，可以設(shè)有更多數(shù)量的烘烤室470。
[0063]運(yùn)送室480在第一方向12上平行于第一緩沖模塊300的第二緩沖器330定位。顯影單元機(jī)械手482與導(dǎo)軌483定位在運(yùn)送室480內(nèi)。運(yùn)送室480通常地具有長(zhǎng)方形形式。顯影單元機(jī)械手482在烘烤室470、顯影室460、第二緩沖模塊300的第二緩沖器330和冷卻室350，與第二緩沖模塊500的第二冷卻室530之間轉(zhuǎn)移晶片W。導(dǎo)軌483以其長(zhǎng)度方形平行與第一方向12布置。導(dǎo)軌483引導(dǎo)顯影單元機(jī)械手482以沿著第一方向12線性移動(dòng)。顯影單元機(jī)械手482包括指針484、臂485、支撐件486、以及支架487。指針484固定地安裝到臂485。臂485具有可伸縮結(jié)構(gòu)以允許指針484沿著水平方向移動(dòng)。支撐件486設(shè)有沿著第三方向16布置的長(zhǎng)度方向。臂485聯(lián)接到支撐件486以在第三方向16上沿著支撐件363線性移動(dòng)。支撐件486固定地聯(lián)接到支架487。支架487聯(lián)接到導(dǎo)軌483以沿著導(dǎo)軌483移動(dòng)。
[0064]顯影室460具有相同的結(jié)構(gòu)。然而，在各顯影室460中使用的光致抗蝕劑的類(lèi)型可以彼此不同。顯影室460將晶片W上的光致抗蝕劑的輻射區(qū)域移除。在這點(diǎn)上，保護(hù)層中的輻射區(qū)域被一起移除。選擇性地，根據(jù)使用中的光致抗蝕劑的類(lèi)型，可將僅未由光輻射的區(qū)域從光致抗蝕劑與保護(hù)層的區(qū)域移除。
[0065]顯影室460包括殼體461、支撐板462、以及噴嘴463。殼體461具有帶有敞開(kāi)式頂部的杯狀形式。支撐板462布置在殼體461內(nèi)并且支撐晶片W。支撐板462設(shè)置為可旋轉(zhuǎn)。噴嘴463將顯影劑供給到布置在支撐板462上的晶片W的頂部。噴嘴463具有圓形管子的形式并且將顯影劑供給到晶片W的中心。選擇性地，噴嘴463可以具有與晶片W的直徑相應(yīng)的長(zhǎng)度，并且噴嘴463的排放端口可以設(shè)置為狹縫。此外，顯影室460還可以包括噴嘴464，所述噴嘴464用于供給諸如去離子水的清洗流體以清洗被供給以顯影劑的晶片W的表面。
[0066]烘烤室470在晶片W上執(zhí)行熱處理。例如，烘烤室470在執(zhí)行顯影處理以前執(zhí)行加熱晶片W的后烘烤處理、在執(zhí)行顯影處理以后執(zhí)行加熱晶片W的硬烘烤處理、以及在執(zhí)行各烘烤處理以后冷卻已加熱晶片W的冷卻處理。烘烤室470包括冷卻板471或加熱板472。將諸如冷卻劑或熱電器件的冷卻裝置473設(shè)置到冷卻板471上。此外，將諸如加熱絲或熱電器件的加熱裝置474設(shè)置在加熱板472上。冷卻板471與加熱板472可以單獨(dú)地設(shè)置在一個(gè)烘烤室470中。選擇性地，烘烤室470的一部分可以僅包括冷卻板471，并且烘烤室470的另一部分可以僅包括加熱板472。
[0067]如上所述，涂覆模塊401與顯影模塊402單獨(dú)地設(shè)置在涂覆與顯影模塊400中。此夕卜，涂覆模塊401與顯影模塊402可以具有當(dāng)從頂部觀察時(shí)相同的室布置。
[0068](第二緩沖模塊)
[0069]第二緩沖模塊500設(shè)置為晶片W通過(guò)其在涂覆與顯影模塊400和前/后曝光處理模塊600之間轉(zhuǎn)移的路徑。此外，第二緩沖模塊500執(zhí)行預(yù)定處理，例如在晶片W上的冷卻處理或邊緣曝光處理。第二緩沖模塊500包括框架510、緩沖器520、第一冷卻室530、第二冷卻室540、邊緣曝光室550、以及第二緩沖機(jī)械手560。框架510具有長(zhǎng)方體形式。緩沖器520，第一冷卻室530、第二冷卻室540、邊緣曝光室550、以及第二緩沖機(jī)械手560布置在框架510中。緩沖器520、第一冷卻室530、以及邊緣曝光室550布置在與涂覆模塊401相應(yīng)的高度處。第二冷卻室540布置在與顯影模塊402相應(yīng)的高度處。緩沖器520、第一冷卻室530、以及第二冷卻室540沿著第三方向16成直線順序地布置。如從頂部看到的緩沖器520和涂覆模塊401的運(yùn)送室430沿著第一方向12布置。邊緣曝光室550沿著第二方向14與緩沖器520或第一冷卻室530隔開(kāi)預(yù)定距離。
[0070]第二緩沖機(jī)械手560在緩沖器520、第一冷卻室530與邊緣曝光室550之間轉(zhuǎn)移晶片W。第二緩沖機(jī)械手560定位在邊緣曝光室550與緩沖器520之間。第二緩沖機(jī)械手560具有與第一緩沖機(jī)械手360類(lèi)似的結(jié)構(gòu)。第一冷卻室530與邊緣曝光室550在通過(guò)涂覆模塊401執(zhí)行處理的晶片W上執(zhí)行隨后的處理。第一冷卻室530冷卻其中通過(guò)涂覆模塊401執(zhí)行處理的晶片W。第一冷卻室530具有與第一緩沖模塊300的冷卻室350類(lèi)似的結(jié)構(gòu)。邊緣曝光室550使其中通過(guò)第一冷卻室530執(zhí)行冷卻處理的晶片W的邊緣曝光。通過(guò)邊緣曝光室550在其中執(zhí)行處理的晶片W被轉(zhuǎn)移到下文描述的預(yù)處理模塊601以前，緩沖器520臨時(shí)存儲(chǔ)晶片W。通過(guò)下文描述的后處理模塊602在其中執(zhí)行處理的晶片W被轉(zhuǎn)移到顯影模塊402以前第二冷卻室540冷卻晶片W。第二緩沖模塊500還可以在與顯影模塊402相應(yīng)的高度處包括其它緩沖器。在此情形中，通過(guò)后處理模塊602在其中執(zhí)行處理的晶片W臨時(shí)存儲(chǔ)在其它緩沖器中，然而被轉(zhuǎn)移到顯影模塊402。
[0071](前/后曝光處理模塊)
[0072]當(dāng)曝光設(shè)備900執(zhí)行浸潰曝光處理時(shí)前/后曝光處理模塊600可以執(zhí)行涂覆保護(hù)層的處理，以便在浸潰曝光過(guò)程中保護(hù)涂覆在晶片W上的光致抗蝕劑層。此外，前/后曝光處理模塊600可以在曝光以后執(zhí)行清洗晶片W的處理。此外，當(dāng)通過(guò)利用化學(xué)增強(qiáng)抗蝕劑執(zhí)行涂覆處理時(shí)，在曝光以后前/后曝光處理模塊600可以執(zhí)行烘烤處理。
[0073]前/后曝光處理模塊600包括前處理模塊601與后處理模塊602。前處理模塊601在執(zhí)行曝光處理以前執(zhí)行用于處理晶片W的處理，并且后處理模塊602在執(zhí)行曝光處理以后執(zhí)行用于處理晶片W的處理。前處理模塊601與后處理模塊602布置為通過(guò)層彼此隔開(kāi)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，前處理模塊601布置在后處理模塊602上。前處理模塊601與涂覆模塊401設(shè)置在相同高度處。后處理模塊602與顯影模塊402設(shè)置在相同高度處。前處理模塊601包括保護(hù)層涂覆室610、烘烤室620與運(yùn)送室630。保護(hù)層涂覆室610、運(yùn)送室630、以及烘烤室620沿著第二方向14順序布置。因此，保護(hù)層涂覆室610與烘烤室620沿著第二方向相互隔開(kāi)，運(yùn)送室630在保護(hù)層涂覆室610與烘烤室620之間。沿著第三方向16設(shè)置與布置多個(gè)保護(hù)層涂覆室610以形成相應(yīng)的層。選擇性地，在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)保護(hù)層涂覆室610。沿著第三方向16設(shè)置與布置多個(gè)烘烤室620以形成相應(yīng)的層。選擇性地，在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)烘烤室620。
[0074]運(yùn)送室630沿著第一方向12平行于第二緩沖模塊500的第一冷卻室530定位。前處理機(jī)械手632定位在運(yùn)送室630中。運(yùn)送室630通常地具有正方形或長(zhǎng)方形形式。前處理機(jī)械手632在保護(hù)層涂覆室610、烘烤室620、第二緩沖模塊500的緩沖器520與下文描述的接口模塊700的第一緩沖器720之間轉(zhuǎn)移晶片W。前處理機(jī)械手632包括指針633、臂634、以及支撐件635。指針633固定地安裝到臂634。臂634設(shè)有可伸縮結(jié)構(gòu)與可旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)。臂634聯(lián)接到支撐件635以在第三方向16上沿著支撐件635線性移動(dòng)。
[0075]保護(hù)層涂覆室610在晶片W上涂覆保護(hù)層以便在浸潰曝光過(guò)程中保護(hù)光致抗蝕劑層。保護(hù)層涂覆室610包括殼體611、支撐板612、以及噴嘴613。殼體611具有帶有敞開(kāi)式頂部的杯狀形狀。支撐板612布置在殼體611內(nèi)并且支撐晶片W。支撐板612設(shè)置為可旋轉(zhuǎn)。噴嘴613將保護(hù)溶液供給到布置在支撐板612上的晶片W的頂部以便形成保護(hù)層。噴嘴613具有圓形管子的形式并且將保護(hù)性溶液供給到晶片W的中心。選擇性地，噴嘴613可以具有與晶片W的直徑相應(yīng)的長(zhǎng)度，并且噴嘴613的排放端口可以設(shè)置為狹縫。在此情形中，支撐板612可以設(shè)置在固定狀態(tài)中。保護(hù)溶液包括形成材料。保護(hù)溶液可以包括光致抗蝕劑以及具有低親水性的材料。例如，保護(hù)溶液可以包括氟基溶劑。當(dāng)使布置在支撐板612上的晶片W旋轉(zhuǎn)時(shí)，保護(hù)層涂覆室610將保護(hù)溶液供給到晶片W的中心區(qū)域。
[0076]烘烤室620在其中涂覆保護(hù)層的晶片W上執(zhí)行熱處理。烘烤室620包括冷卻板621或加熱板622。將諸如冷卻劑或熱電器件的冷卻裝置623設(shè)置到冷卻板621上。此外，將諸如加熱絲或熱電器件的加熱裝置624設(shè)置在加熱板622上。加熱板622與冷卻板621可以單獨(dú)地設(shè)置在一個(gè)烘烤室620中。選擇性地，烘烤室620的一部分可以僅包括加熱板622，并且烘烤室620的另一部分可以僅包括冷卻板621。
[0077]后處理模塊602包括清洗室660、后曝光烘烤室670與運(yùn)送室680。清洗室660、運(yùn)送室680、以及后曝光烘烤室670沿著第二方向14順序布置。因此，清洗室660與后曝光烘烤室670沿著第二方向相互隔開(kāi)，運(yùn)送室680在清洗室660與后曝光烘烤室670之間。沿著第三方向16設(shè)置與布置多個(gè)清洗室660以形成相應(yīng)的層。選擇性地，在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)清洗室660。沿著第三方向16設(shè)置與布置多個(gè)后曝光烘烤室670以形成相應(yīng)的層。選擇性地，在第一方向12與第三方向16中的每個(gè)方向上都設(shè)置多個(gè)后曝光烘烤室670。
[0078]當(dāng)從頂部觀察時(shí)，運(yùn)送室680沿著第一方向12平行于第二緩沖模塊500的第二冷卻室540定位。運(yùn)送室680通常地具有正方形或長(zhǎng)方形形式。后處理機(jī)械手682定位在運(yùn)送室680中。后處理機(jī)械手682在清洗室660、后曝光烘烤室670、第二緩沖模塊500的第二冷卻室540與下文描述的接口模塊700的第二緩沖器730之間轉(zhuǎn)移晶片W。設(shè)置在后處理模塊602中的后處理機(jī)械手682可以具有與設(shè)置在前處理模塊601中的前處理機(jī)械手632相同的結(jié)構(gòu)。
[0079]清洗室660在曝光處理以后清洗晶片W。清洗室660包括殼體661、支撐板662、以及噴嘴663。殼體661具有帶有敞開(kāi)式頂部的杯狀形狀。支撐板662布置在殼體661內(nèi)并且支撐晶片W。支撐板662設(shè)置為可旋轉(zhuǎn)。噴嘴663將清洗溶液供給到布置在支撐板662上的晶片W的頂部?？梢詫⒅T如去離子水的水用作清洗溶液。當(dāng)使布置在支撐板662上的晶片W旋轉(zhuǎn)時(shí)，清洗室660將清洗溶液供給到晶片W的中心區(qū)域。選擇性地，當(dāng)晶片W旋轉(zhuǎn)時(shí)，噴嘴663可以線性地或者可旋轉(zhuǎn)地從晶片W的中心區(qū)域移動(dòng)到邊緣區(qū)域。
[0080]后曝光烘烤室670加熱晶片W，其中通過(guò)利用紫外線執(zhí)行曝光處理。后曝光烘烤處理通過(guò)利用加熱晶片W曝光而使在光致抗蝕劑中產(chǎn)生的酸放大，由此完成光致抗蝕劑的性能的改變。后曝光烘烤室670包括加熱板672。將諸如加熱絲或熱電器件的加熱裝置674設(shè)置在加熱板672上。后曝光烘烤室670包括在其中的冷卻板671。將諸如冷卻劑或熱電器件的冷卻裝置673設(shè)置到冷卻板671上。此外，僅包括冷卻板672的烘烤室可以進(jìn)一步選擇性地設(shè)置。
[0081]如上所述，前處理模塊601與后處理模塊602完全地分離并且設(shè)置到后曝光處理模塊600。此外，前處理模塊601的運(yùn)送室630與后處理模塊602的運(yùn)送室680設(shè)有相同的尺寸，從而當(dāng)從頂部觀察時(shí)它們可以彼此完全地重疊。此外，保護(hù)層涂覆室610與清洗室660設(shè)有相同的尺寸，從而當(dāng)從頂部觀察時(shí)它們可以彼此完全地重疊。此外，烘烤室620與后曝光烘烤室670設(shè)有相同的尺寸，從而當(dāng)從頂部觀察時(shí)它們可以彼此完全地重疊。
[0082](接口模塊)
[0083]接口模塊700在前/后曝光處理模塊600、模糊模塊800與曝光設(shè)備900之間轉(zhuǎn)移晶片W。接口模塊700包括框架710、第一緩沖器720、第二緩沖器730、以及接口機(jī)械手740。第一緩沖器720、第二緩沖器730、以及接口機(jī)械手740布置在框架710內(nèi)。第一緩沖器720與第二緩沖器730彼此隔開(kāi)預(yù)定距離并且彼此堆疊地布置。第一緩沖器720布置為比第二緩沖器730高。第一緩沖器720定位在與前處理模塊601相應(yīng)的高度處，并且第二緩沖器730定位在與后處理模塊602相應(yīng)的高度處。當(dāng)從頂部觀察時(shí)，第一緩沖器720與前處理模塊601的運(yùn)送室630沿著第一方向12成直線布置，并且第二緩沖器730與前處理模塊602的運(yùn)送室630沿著第一方向12成直線布置。
[0084]接口機(jī)械手740在第二方向14上與第一緩沖器720和第二緩沖器730隔開(kāi)。接口機(jī)械手740在第一緩沖器720、第二緩沖器730、模糊模塊800與曝光設(shè)備900之間轉(zhuǎn)移晶片W。接口機(jī)械手740具有與第二緩沖機(jī)械手560相對(duì)類(lèi)似的結(jié)構(gòu)。
[0085]在將通過(guò)邊緣曝光室720于其中執(zhí)行處理的晶片W轉(zhuǎn)移到曝光設(shè)備900以前，第一緩沖器720臨時(shí)地存儲(chǔ)晶片W。然后，在將通過(guò)曝光設(shè)備900于其中完成處理的晶片W轉(zhuǎn)移到后處理模塊602以前，第二緩沖器730臨時(shí)地存儲(chǔ)晶片W。第一緩沖器720具有殼體721與多個(gè)支撐件722。支撐件722布置在殼體721中并且沿著第三方向16彼此隔開(kāi)地設(shè)置。一個(gè)晶片W布置在每個(gè)支撐件722處。殼體721在設(shè)有接口機(jī)械手740的方向上以及在設(shè)有前處理機(jī)械手632的方向上具有開(kāi)口(未示出)，以便允許接口機(jī)械手740與前處理機(jī)械手632將晶片W運(yùn)送到殼體721中或者從殼體運(yùn)送晶片W。第二緩沖器730具有與第一緩沖器720相對(duì)類(lèi)似的結(jié)構(gòu)。然而，第二緩沖器730的殼體731在設(shè)置接口機(jī)械手740的方向上以及在設(shè)置后處理機(jī)械手682的方向上具有開(kāi)口(未示出)。在沒(méi)有于晶片上執(zhí)行預(yù)定處理的室的情況下，接口模塊可以僅包括上述緩沖器與機(jī)械手。
[0086](模糊模塊)
[0087]模糊模塊800可以布置在接口模塊700中。更具體地，模糊模塊800可以基于接口機(jī)械手740布置在面向第一緩沖器720的位置處。與此不同，模糊模塊800可以設(shè)置在多個(gè)位置處，例如，在接口模塊700的后端處連接曝光設(shè)備900的位置或者接口模塊700的側(cè)部。模糊模塊800在通過(guò)前/后曝光處理模塊600于其中涂覆保護(hù)層以保護(hù)光致抗蝕劑的晶片上執(zhí)行氣體凈化處理與漂洗處理。
[0088]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的涂覆模塊的平面圖。圖6是圖5的涂覆模塊的橫截面視圖。
[0089]參照?qǐng)D5至圖6，涂覆模塊401包括基板支撐件4100與處理溶液供給單元4300?；逯渭?100支撐基板W?；逯渭?100在支撐基板W的同時(shí)可以旋轉(zhuǎn)。處理溶液供給單元4300將處理溶液供給到布置在基板支撐件4100上的基板W的頂部以便處理基板I
[0090]基板支撐件4100支撐基板W并且在處理過(guò)程中通過(guò)諸如電機(jī)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4120而旋轉(zhuǎn)。基板支撐件4100具有包括圓形上表面的支撐板4140，并且支撐基板W的銷(xiāo)件4160安裝在支撐板4140的上表面。當(dāng)基板支撐件4100通過(guò)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4120旋轉(zhuǎn)時(shí)，由銷(xiāo)件4160支撐的基板W旋轉(zhuǎn)。
[0091]容器4200布置在基板支撐件4100周?chē)?。容?200通常具有圓柱形式。排放孔4240形成在下壁4220處，并且排放管4260與排放孔4240聯(lián)通。諸如泵的排放件4280連接到排放管4260。排放件4280提供壓力以排放含有通過(guò)基板W的旋轉(zhuǎn)散布的處理溶液的容器4200中的空氣。
[0092]處理溶液供給單元4300將處理溶液供給到布置在基板支撐件4100上的基板W的頂部。處理溶液供給單元4300包括設(shè)置在基板支撐件4100的一側(cè)的噴嘴臂4320。多個(gè)噴嘴4340與4360可以安裝在噴嘴臂4320的端部。噴嘴4340與4360可以垂直于噴嘴臂4320的長(zhǎng)度方向成直線布置在噴嘴臂4320的一個(gè)端部。噴嘴4340與4360中的一個(gè)設(shè)置為光致抗蝕劑噴嘴4360并且另一個(gè)設(shè)置為預(yù)濕噴嘴4340。噴嘴臂4320可以布置在基板支撐件4100的一側(cè)以允許噴嘴4340與4360的布置方向穿過(guò)布置在基板支撐件4100上的基板W的中心。
[0093]光致抗蝕劑噴嘴4360將光致抗蝕劑供給到基板W。預(yù)濕噴嘴4340將有機(jī)溶劑供給到基板W，以便在將光致抗蝕劑提供到基板W以前改善光致抗蝕劑相對(duì)于基板W的濕潤(rùn)性。如果在將光致抗蝕劑供給到基板W上以前供給有機(jī)溶劑，那么光致抗蝕劑均勻地散布在基板W上，使得可以在基板W上形成均勻的光致抗蝕劑層。
[0094]從預(yù)濕噴嘴4340供給到基板W的有機(jī)溶劑可以包括稀釋劑。
[0095]裝配有多個(gè)噴嘴4340與4360的噴嘴臂4320可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)件4400沿著噴嘴4340和4360的布置方向線性移動(dòng)。驅(qū)動(dòng)件4400包括噴嘴臂支撐件4410與引導(dǎo)件4420。噴嘴臂支撐件4410聯(lián)接到噴嘴臂4320的另一端。噴嘴臂支撐件4410可以以桿的形式沿著向下的方向設(shè)置在噴嘴臂4320的一側(cè)。噴嘴臂支撐件4410的下部連接到引導(dǎo)件4420。根據(jù)平面布置結(jié)構(gòu)，引導(dǎo)件4420布置在垂直于噴嘴臂4320的長(zhǎng)度方向的噴嘴臂支撐件4410的一側(cè)。引導(dǎo)件4420具有軌道形式并且引導(dǎo)噴嘴臂支撐件4410的線性移動(dòng)。噴嘴臂支撐件4410可以設(shè)置為沿著豎直長(zhǎng)度可變化。
[0096]當(dāng)處理溶液供給單元4300通過(guò)具有上述構(gòu)造的驅(qū)動(dòng)件4400線性移動(dòng)時(shí)，處理溶液供給單元4300可以移動(dòng)到基板支撐件4100上的處理位置與設(shè)置在基板支撐件4100的一側(cè)處的處理備用位置。
[0097]圖7是在有機(jī)溶劑供給處理期間當(dāng)從預(yù)濕噴嘴供給有機(jī)溶劑時(shí)的前視圖。
[0098]參照?qǐng)D5至圖7，處理溶液供給單元4300將有機(jī)溶劑供給到定位在基板支撐件處的基板W。
[0099]當(dāng)供給有機(jī)溶劑時(shí)，驅(qū)動(dòng)件4400調(diào)節(jié)預(yù)濕噴嘴4340相對(duì)于基板W的位置。例如，驅(qū)動(dòng)件4400可以使噴嘴臂4320移動(dòng)以允許預(yù)濕噴嘴4340定位在基板W的中心上方。因此，預(yù)濕噴嘴4340將有機(jī)溶劑供給到基板W的中心。當(dāng)供給有機(jī)溶劑時(shí)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4400使支撐板4140旋轉(zhuǎn)。因此，供給到基板W的有機(jī)溶劑通過(guò)離心力沿著遠(yuǎn)離基板W的中心的徑向方向擴(kuò)散并且然后均勻地涂覆到基板W的上表面。作為另一個(gè)實(shí)例，預(yù)濕噴嘴4340在基板W的偏心位置處開(kāi)始供給有機(jī)溶劑。然后，當(dāng)供給有機(jī)溶劑時(shí)，驅(qū)動(dòng)件4400使噴嘴臂4320移動(dòng)以允許預(yù)濕噴嘴4340定位在基板W的中心上方。
[0100]圖8是在偏心供給處理過(guò)程中供給光致抗蝕劑時(shí)的前視圖，并且圖9是在中心供給處理過(guò)程中供給光致抗蝕劑時(shí)的前視圖。
[0101]參照?qǐng)D5至圖9，處理溶液供給單元4300在預(yù)定時(shí)間期間將有機(jī)溶劑供給到基板W并且然后將光致抗蝕劑供給到基板W。
[0102]在預(yù)定時(shí)間期間當(dāng)供給有機(jī)溶劑時(shí)，處理溶液供給單元4300開(kāi)始供給光致抗蝕劑溶液。圖11的光致抗蝕劑供給階段S可以包括圖11的偏心供給階段Se與圖11的中心供給階段Sc。
[0103]處理溶液供給單元4300開(kāi)始將光致抗蝕劑供給到偏心供給階段Se。首先，驅(qū)動(dòng)件4400使噴嘴臂4320移動(dòng)以允許光致抗蝕劑噴嘴4360相對(duì)于基板W的中心定位在偏心部分上方。然后，光致抗蝕劑噴嘴4360開(kāi)始將光致抗蝕劑從基板W的中心供給到偏心部分。在偏心供給階段Se中，當(dāng)供給光致抗蝕劑時(shí)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4400使支撐板4140旋轉(zhuǎn)。因此，供給到基板W的光致抗蝕劑擴(kuò)散到周?chē)?br> [0104]在光致抗蝕劑噴嘴4360開(kāi)始供給光致抗蝕劑以后，驅(qū)動(dòng)件4400使噴嘴臂4320移動(dòng)以允許光致抗蝕劑噴嘴4360定位在基板W的中心上方。在開(kāi)始供給光致抗蝕劑時(shí)，可以同時(shí)地開(kāi)始噴嘴臂4320的移動(dòng)。此外，可以在開(kāi)始供給光致抗蝕劑預(yù)定時(shí)間以后開(kāi)始噴嘴臂4320的移動(dòng)。
[0105]噴嘴臂4320沿著基板W的中心方向的移動(dòng)速度可以是恒定速度。此外，噴嘴臂4320的移動(dòng)速度可以隨著時(shí)間改變。例如，噴嘴臂4320的移動(dòng)速度可以根據(jù)預(yù)定時(shí)間的流逝而加速、恒定、或者減速。
[0106]在偏心供給階段Se以后，根據(jù)中心供給狀態(tài)Sc，處理溶液供給單元4300將光致抗蝕劑供給到基板W。更具體地，由于噴嘴臂4320沿著基板W的中心方向移動(dòng)，因此當(dāng)光致抗蝕劑噴嘴4360定位在基板W的中心上方時(shí)，驅(qū)動(dòng)件4400使噴嘴臂4320停止。在于偏心供給階段Se中開(kāi)始供給光致抗蝕劑以后，光致抗蝕劑噴嘴4360在偏心供給階段Se與中心供給階段Sc持續(xù)地將光致抗蝕劑供給到基板W。
[0107]當(dāng)在中心供給階段Sc供給光致抗蝕劑時(shí)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4400使支撐板4140旋轉(zhuǎn)。因此，供給到基板W的中心的光致抗蝕劑擴(kuò)散到周?chē)?br> [0108]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，可以省略偏心供給階段Se。因此，在完成將無(wú)機(jī)溶劑供給到基板W以后，在中心供給階段Sc將光致抗蝕劑供給到基板W。
[0109]圖10是示出擴(kuò)散階段的前視圖。
[0110]參照?qǐng)D5至圖10，當(dāng)光致抗蝕劑供給階段S停止時(shí)擴(kuò)散階段SP開(kāi)始。
[0111]當(dāng)將光致抗蝕劑供給到基板W的中心時(shí)，光致抗蝕劑噴嘴4360停止供給。在光致抗蝕劑供給停止以后的擴(kuò)散階段中，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件4400使支撐板4140持續(xù)旋轉(zhuǎn)。因此，供給到基板W中心的光致抗蝕劑持續(xù)地?cái)U(kuò)散，從而使基板W上表面的涂覆均勻性得以改善。
[0112]圖11是示出在光致抗蝕劑供給階段與擴(kuò)散階段中的支撐板的旋轉(zhuǎn)速度的曲線圖。
[0113]參照?qǐng)D8-圖11，支撐板4140的旋轉(zhuǎn)速度隨著時(shí)間改變。
[0114]在偏心供給階段Se,支撐板4140以第一供給速度Va的恒定速度旋轉(zhuǎn)。在有機(jī)溶劑供給過(guò)程中，第一供給速度Va可以與支撐板4140的旋轉(zhuǎn)速度相同。此外，在有機(jī)溶劑供給過(guò)程中，第一供給速度Va可以比支撐板4140的旋轉(zhuǎn)速度更快或者更慢。在偏心供給階段Se停止以后，在中心供給階段Sc開(kāi)始以后，支撐板4140的旋轉(zhuǎn)速度保持預(yù)定時(shí)間。
[0115]在中心供給階段Sc中供給光致抗蝕劑溶液預(yù)定時(shí)間以后，支撐板4140的旋轉(zhuǎn)速度從第一供給速度Va減速到第二供給速度Vb?？梢愿鶕?jù)基板W的尺寸與供給到基板W的光致抗蝕劑的數(shù)量來(lái)調(diào)節(jié)在支撐板4140從第一供給速度Va減速到第二供給速度Vb的時(shí)間間隔中的曲線圖斜率。中心供給階段Sc以第二供給速度Vb保持預(yù)定時(shí)間并且然后終止。
[0116]在光致抗蝕劑供給停止以后/以前，施加到基板W的上表面的作用力可以改變。該作用力由來(lái)自支撐板4140旋轉(zhuǎn)的離心力、將供給的光致抗蝕劑涂覆在基板W上表面上的作用力、以及其相互作用而產(chǎn)生。在光致抗蝕劑供給停止以后/以前，此作用力的改變?cè)斐晒┙o到基板W的上表面的光致抗蝕劑的各區(qū)域的差異。在另一個(gè)方面，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的涂覆模塊401使以從第一供給速度Va減速的第二供給速度Vb的光致抗蝕劑供給停止。即，當(dāng)造成光致抗蝕劑的各區(qū)域差異的此作用力減小時(shí)，光致抗蝕劑供給停止。因此，可以使光致抗蝕劑供給停止時(shí)發(fā)生的光致抗蝕劑的各區(qū)域差異最小化。
[0117]此外，第二供給速度Vb被設(shè)定為一部分光致抗蝕劑未散布在基板W周?chē)蔷奂诨錡的中心上的速度。聚集在中心上的光致抗蝕劑可以流動(dòng)以填充由光致抗蝕劑供給停止時(shí)發(fā)生的作用力致使的各區(qū)域的差異。
[0118]在擴(kuò)散階段SP中，支撐板4140加速以允許聚集在基板W的中心上的光致抗蝕劑擴(kuò)散到周?chē)?。更具體地，在預(yù)定時(shí)間以后支撐板4140從第二供給速度Vb加速到擴(kuò)散速度Vc0可以根據(jù)基板W的尺寸以及在涂覆模塊401中的處理時(shí)間來(lái)設(shè)定擴(kuò)散速度Vc。例如，擴(kuò)散速度Vc可以設(shè)定為小于第一供給速度Va。此外，擴(kuò)散速度Vc可以設(shè)定為與第一供給速度Va相同或者比第一供給速度大。
[0119]在擴(kuò)散速度Vc保持預(yù)定時(shí)間以后，支撐板4140減速到終端速度Vd。終端速度Vd可以與第二供給速度Vb相同。此外，終端速度Vd可以大于或小于第二供給速度Vb。然后，當(dāng)支撐板4140以終端速度Vd旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間并且停止時(shí)，在涂覆模塊中終止光致抗蝕劑涂覆處理。
[0120]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的支撐板的旋轉(zhuǎn)速度的曲線圖。[0121 ] 參照?qǐng)D12，在中心供給階段Scl中，可以逐漸地執(zhí)行從第一供給速度Val到第二供給速度Vb2的減速。更具體地，在中心供給階段Scl中的減速是從第一供給速度Val到緩沖速度VP。然后，支撐板4140以緩沖速度VP旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間并且然后再次以第二供給速度Vb2旋轉(zhuǎn)。在這點(diǎn)上，第一供給速度Val減速到緩沖速度VP時(shí)的曲線圖的斜率可以設(shè)定為與緩沖速度VP減速到第二供給速度Vb2時(shí)的曲線圖的斜率相同。此外，第一供給速度Val減速到緩沖速度VP時(shí)的曲線圖的斜率可以設(shè)定為大于或小于緩沖速度VP減速到第二供給速度Vb2時(shí)的曲線圖的斜率。此外，緩沖速度VP可以設(shè)定為第一供給速度Val與第二供給速度Vb2的算數(shù)平均值。此外，緩沖速度VP可以設(shè)定為大于或小于第一供給速度Val與第二供給速度Vb2的算數(shù)平均值。此外，如圖12中所示，盡管一個(gè)緩沖速度VP定位在第一供給速度Val與第二供給速度Vb2之間，但是兩個(gè)緩沖速度VP定位為，使得可以通過(guò)多于兩個(gè)階段來(lái)實(shí)現(xiàn)支撐板4140的減速。
[0122]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以均勻地處理基板。
[0123]此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以將光致抗蝕劑均勻地涂覆到基板。
[0124]上面公開(kāi)的主題將被認(rèn)為是示意性的，而非限定性的，并且所附權(quán)利要求旨在覆蓋落入本發(fā)明的真實(shí)精神與范圍內(nèi)的全部這些修改、增強(qiáng)、以及其它實(shí)施方式。因此，在法律允許的最大范圍內(nèi)，本發(fā)明構(gòu)思的范圍將通過(guò)對(duì)下面的權(quán)利要求與它們的等效物所允許的最寬泛的解釋來(lái)確定，并且不應(yīng)被上述詳細(xì)描述限制或限定。
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理設(shè)備，其包括: 基板支撐件，其構(gòu)造為支撐待處理的基板； 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件，其使所述基板支撐件旋轉(zhuǎn)； 容器，其設(shè)置在所述基板支撐件周?chē)?；以?處理溶液供給單元，其包括光致抗蝕劑噴嘴以將光致抗蝕劑供給到所述基板的上表面， 其中，當(dāng)所述基板支撐件以第一供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)，所述光致抗蝕劑噴嘴開(kāi)始供給所述光致抗蝕劑，并且當(dāng)所述基板支撐件以從所述第一供給速度減速的第二供給速度旋轉(zhuǎn)時(shí)，所述光致抗蝕劑噴嘴停止供給所述光致抗蝕劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，在所述光致抗蝕劑供給終止以后，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件使所述基板支撐件以從所述第二供給速度加速的擴(kuò)散速度旋轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述擴(kuò)散速度設(shè)定為小于所述第一供給速度并且大于所述第二供給速度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件使所述基板支撐件以從所述擴(kuò)散速度減速的終端速度旋轉(zhuǎn)并且之后使所述基板支撐件停止。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件使所述基板支撐件的旋轉(zhuǎn)速度從所述第一供給速度逐漸減小到所述第二供給速度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，當(dāng)所述第一供給速度減速到所述第二供給速度時(shí)，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件使所述基板支撐件以緩沖速度旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述處理溶液供給單元包括: 噴嘴臂，其具有其中定位所述光致抗蝕劑噴嘴的一個(gè)端部；以及 驅(qū)動(dòng)件，其相對(duì)于所述基板支撐件使所述噴嘴臂移動(dòng)， 其中，當(dāng)所述驅(qū)動(dòng)件定位所述噴嘴臂以允許所述光致抗蝕劑噴嘴定位在所述基板的中心上方時(shí)，使所述光致抗蝕劑供給停止。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，當(dāng)所述驅(qū)動(dòng)件定位所述噴嘴臂以允許所述光致抗蝕劑噴嘴偏心地定位在所述基板的中心上方時(shí)，使所述光致抗蝕劑供給開(kāi)始。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，在所述光致抗蝕劑供給開(kāi)始以后，所述驅(qū)動(dòng)件使所述噴嘴臂移動(dòng)以允許所述光致抗蝕劑噴嘴定位在所述基板中心上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，當(dāng)所述光致抗蝕劑噴嘴定位在所述基板中心上方時(shí)，所述光致抗蝕劑噴嘴供給所述光致抗蝕劑預(yù)定時(shí)間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述處理溶液供給單元還包括用于將有機(jī)溶劑供給到所述基板的預(yù)濕噴嘴。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述預(yù)濕噴嘴在供給所述光致抗蝕劑以前將所述有機(jī)溶劑供給到所述基板。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，當(dāng)所述預(yù)濕噴嘴定位在所述基板中心上方時(shí)，所述處理溶液供給單元將所述有機(jī)溶劑供給到所述基板。
14.一種涂覆處理溶液的方法，所述方法包括: 開(kāi)始將光致抗蝕劑供給到由以第一供給速度旋轉(zhuǎn)的基板支撐件支撐的基板的上表面；以及 當(dāng)所述基板支撐件從所述第一供給速度減速到第二供給速度時(shí)，使所述光致抗蝕劑供給停止。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括在所述光致抗蝕劑供給終止以后，使所述基板支撐件以從所述第二供給速度加速的擴(kuò)散速度旋轉(zhuǎn)并且使聚集在所述基板中心部分上的所述光致抗蝕劑擴(kuò)散到所述中心的周邊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括使所述基板支撐件以從所述擴(kuò)散速度減速的終端速度旋轉(zhuǎn)預(yù)定時(shí)間以及使所述旋轉(zhuǎn)停止。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括使所述第一供給速度逐漸減速到所述第二供給速度。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述光致抗蝕劑供給從與所述基板的中心偏心的位置開(kāi)始并且移動(dòng)到所述基板的中心。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，當(dāng)將所述光致抗蝕劑供給到所述基板的中心時(shí)，使所述光致抗蝕劑供給停止。
【文檔編號(hào)】H01L21/027GK104425322SQ201410438285
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】李正悅, 閔忠基, 金正洙 申請(qǐng)人:細(xì)美事有限公司
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