發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法以及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法以及電子設(shè)備。該發(fā)光裝置包括：晶體管；光反射層；第一絕緣層，其具有第一層厚的部分、第二層厚的部分以及第三層厚的部分；像素電極，其設(shè)置在第一絕緣層上；第二絕緣層，其覆蓋像素電極的周邊部；發(fā)光功能層；對置電極；以及導(dǎo)電層，其設(shè)置在第一層厚的部分上。像素電極具有設(shè)置在第一層厚的部分的第一像素電極、設(shè)置在第二層厚的部分的第二像素電極、以及設(shè)置在第三層厚的部分的第三像素電極。第一像素電極、第二像素電極以及第三像素電極經(jīng)由導(dǎo)電層與晶體管連接。
【專利說明】發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法以及電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及發(fā)光裝置、發(fā)光裝置的制造方法以及搭載有該發(fā)光裝置的電子設(shè)備?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002] 作為發(fā)光裝置的一個例子，例如提出了將有機電致發(fā)光（以下稱為有機EL)元件 配置成矩陣狀的電光裝置（專利文獻1)。專利文獻1所記載的電光裝置是將具有薄膜晶體 管，并發(fā)出光的像素配置為矩陣狀的有源矩陣型的發(fā)光裝置。在像素依次層疊有光反射層、 透光性絕緣膜、第一電極（像素電極）、隔壁層、發(fā)光功能層以及第二電極（對置電極）。
[0003] 從未被隔壁層覆蓋的區(qū)域的像素電極向發(fā)光功能層供給電流，發(fā)光功能層發(fā)光。 艮P，未被隔壁層覆蓋的區(qū)域（未形成隔壁層的區(qū)域）成為發(fā)光區(qū)域。并且，像素電極被設(shè)置 為覆蓋接觸孔，像素電極和薄膜晶體管經(jīng)由接觸孔電連接。即，像素電極和薄膜晶體管電連 接的部分成為接觸區(qū)域。像素電極跨發(fā)光區(qū)域以及接觸區(qū)域而設(shè)置。
[0004] 透光性絕緣膜具有調(diào)整光反射層和對置電極之間的光學(xué)距離的作用，透光性絕緣 膜的膜厚被設(shè)置為滿足第一像素的發(fā)光區(qū)域>第二像素的發(fā)光區(qū)域>第三像素的發(fā)光區(qū) 域>接觸孔的形成區(qū)域（接觸區(qū)域）這樣的關(guān)系。
[0005] 通過這樣的結(jié)構(gòu)（光共振構(gòu)造），在發(fā)光功能層發(fā)出的光在光反射層和對置電極 之間往復(fù)，并有選擇地放大與光反射層和對置電極之間的光學(xué)距離，即與透光性絕緣膜的 膜厚對應(yīng)的共振波長的光，并從各像素射出。專利文獻1所記載的電光裝置通過上述光共 振構(gòu)造從各像素例如射出峰值波長為610nm的紅色的波長區(qū)域的光、峰值波長為540nm的 綠色的波長區(qū)域的光、以及峰值波長為470nm的藍(lán)色的波長區(qū)域的光，S卩，射出顏色純度高 的光作為顯示光，具有優(yōu)越的顏色再現(xiàn)性。
[0006] 專利文獻1:日本特開2009-134067號公報
[0007] 如上所述，在專利文獻1所記載的電光裝置中，具有發(fā)光區(qū)域的透光性絕緣膜的 膜厚 >接觸區(qū)域的透光性絕緣膜的膜厚這樣的關(guān)系，所以在發(fā)光區(qū)域和接觸區(qū)域之間形成 光學(xué)距離不同的邊界（透光性絕緣膜的膜厚不同的邊界）。
[0008] 在專利文獻1所記載的電光裝置中，存在為了得到更明亮的顯示而要擴大發(fā)光區(qū) 域，則該邊界成為障礙而難以擴大發(fā)光區(qū)域這樣的課題。
[0009] 詳細(xì)而言，若越過該邊界來擴大發(fā)光區(qū)域，則在發(fā)光區(qū)域產(chǎn)生光學(xué)距離不同的部 分。若光學(xué)距離不同則共振波長變化，所以從發(fā)光區(qū)域發(fā)出不同的共振波長的光，從發(fā)光區(qū) 域發(fā)出的光的顏色純度降低。因此，存在難以越過該邊界來擴大發(fā)光區(qū)域這樣的課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下的方式或者應(yīng) 用例來實現(xiàn)。
[0011] 應(yīng)用例1
[0012] 本應(yīng)用例所涉及的發(fā)光裝置的特征在于，包括：晶體管；光反射層，其設(shè)置于上述 晶體管的上方；第一絕緣層，其覆蓋上述光反射層，并具有第一層厚的部分、比上述第一層 厚的部分厚的第二層厚的部分以及比上述第二層厚的部分厚的第三層厚的部分；像素電 極，其設(shè)置在上述第一絕緣層上并具有光透過性；第二絕緣層，其覆蓋上述像素電極的周邊 部；發(fā)光功能層，其覆蓋上述像素電極以及上述第二絕緣層；對置電極，其覆蓋上述發(fā)光功 能層并具有光反射性和光透過性；以及導(dǎo)電層，其設(shè)置在上述第一層厚的部分上，該導(dǎo)電層 的至少一部分與上述像素電極平面重疊，上述像素電極具有設(shè)置于上述第一層厚的部分的 第一像素電極、設(shè)置于上述第二層厚的部分的第二像素電極、以及設(shè)置于上述第三層厚的 部分的第三像素電極，上述第一像素電極、上述第二像素電極以及上述第三像素電極經(jīng)由 上述導(dǎo)電層與上述晶體管連接。
[0013] 導(dǎo)電層設(shè)置在第一層厚的部分上，并將來自晶體管的信號經(jīng)由導(dǎo)電層供給至像素 電極。導(dǎo)電層與像素電極平面重疊，設(shè)置有導(dǎo)電層的區(qū)域成為連接晶體管和像素電極的接 觸區(qū)域。像素電極的周邊部被第二絕緣層覆蓋，并根據(jù)來自晶體管的信號，從未被第二絕緣 層覆蓋的區(qū)域的像素電極向發(fā)光功能層供給電流，從而發(fā)光功能層發(fā)光。即，未被第二絕緣 層覆蓋的區(qū)域成為發(fā)光功能層發(fā)光的發(fā)光區(qū)域。像素電極被設(shè)置為跨接觸區(qū)域以及發(fā)光區(qū) 域。
[0014] 在發(fā)光功能層（發(fā)光區(qū)域）發(fā)出的光在光反射層與對置電極之間往復(fù)，并根據(jù)光 反射層和對置電極之間的光學(xué)距離而共振，特定波長的光被放大。光學(xué)距離根據(jù)第一絕緣 層的層厚而變化。第一絕緣層具有三個種層厚，所以能夠發(fā)出三種共振波長的光。例如，通 過以放大藍(lán)色、綠色、紅色這三種波長的光的方式來調(diào)整第一絕緣層的層厚，能夠提高在發(fā) 光區(qū)域發(fā)出的藍(lán)色、綠色、紅色的光的顏色純度。
[0015] 在第一層厚的部分設(shè)置有第一像素電極，在第二層厚的部分設(shè)置有第二像素電 極，在第三層厚的部分設(shè)置有第三像素電極，設(shè)置有各像素電極的區(qū)域的第一絕緣層的層 厚恒定。即，設(shè)置有像素電極的區(qū)域的光學(xué)距離恒定。
[0016] 設(shè)置有像素電極的區(qū)域的光學(xué)距離恒定，所以即使減小像素電極中的發(fā)光區(qū)域和 接觸區(qū)域的間隔，擴大像素電極中的發(fā)光區(qū)域，光學(xué)距離也不變化。換句話說，在公知技術(shù) (日本特開2009 - 134067號公報）中，設(shè)置有像素電極的區(qū)域具有光學(xué)距離不同的邊界， 但在本發(fā)明中，設(shè)置有像素電極的區(qū)域中的光學(xué)距離恒定，所以即使擴大像素電極中的發(fā) 光區(qū)域，也不產(chǎn)生共振波長的變化（顏色純度的降低），與公知技術(shù)相比能夠擴大發(fā)光區(qū) 域。因此，能夠不導(dǎo)致在發(fā)光區(qū)域發(fā)出的光的顏色純度的降低，并提高在發(fā)光區(qū)域發(fā)出的光 的亮度。因此，在本應(yīng)用例所涉及的發(fā)光裝置中，能夠提供顏色純度以及亮度較高的顯示， 即明亮鮮艷的顏色的顯示。
[0017] 應(yīng)用例2
[0018] 在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第一絕緣層具有從上述反射層的一 側(cè)依次層疊的第一絕緣膜、第二絕緣膜以及第三絕緣膜，上述第一絕緣膜具有上述第一層 厚，層疊有上述第一絕緣膜和上述第二絕緣膜的部分具有上述第二層厚，層疊有上述第一 絕緣膜、上述第二絕緣膜以及上述第三絕緣膜的部分具有上述第三層厚，上述導(dǎo)電層具有 第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及第三導(dǎo)電層，上述第一像素電極與上述第一導(dǎo)電層直接相接， 上述第二像素電極經(jīng)由貫穿上述第二絕緣膜的第一接觸孔與上述第二導(dǎo)電層連接，上述第 三像素電極經(jīng)由貫穿上述第二絕緣膜以及上述第三絕緣膜的第二接觸孔與上述第三導(dǎo)電 層連接。
[0019] 第一層厚的部分由第一絕緣膜構(gòu)成，第二層厚的部分由第一絕緣膜和第二絕緣膜 構(gòu)成，第三層厚的部分由第一絕緣膜、第二絕緣膜以及第三絕緣膜構(gòu)成。通過控制成使第一 絕緣膜、第二絕緣膜、以及第三絕緣膜具有均勻的膜厚，能夠提高第一層厚的部分的膜厚、 第二層厚的部分的膜厚以及第三層厚的部分的膜厚的均勻性。因此，能夠提高設(shè)置有第一 像素電極的區(qū)域的光學(xué)距離、設(shè)置有第二像素電極的區(qū)域的光學(xué)距離以及設(shè)置有第三像素 電極的區(qū)域的光學(xué)距離的均勻性，減小從各像素電極發(fā)出的光的共振波長的偏差，并提高 從各像素電極的發(fā)光區(qū)域發(fā)出的光的顏色純度。
[0020] 應(yīng)用例3
[0021] 在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第一像素電極設(shè)置在上述第一層厚 的部分中，上述第二像素電極設(shè)置在上述第二層厚的部分中。
[0022] 通過在第一層厚的部分中配置第一像素電極，能夠從第一像素電極的發(fā)光區(qū)域發(fā) 出與第一層厚的部分對應(yīng)的共振波長的光。通過在第二層厚的部分中配置第二像素電極， 能夠從第二像素電極的發(fā)光區(qū)域發(fā)出與第二層厚的部分對應(yīng)的共振波長的光。由此，能夠 提高從第一像素電極以及第二像素電極的發(fā)光區(qū)域發(fā)出的光的顏色純度。
[0023] 應(yīng)用例4
[0024] 在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第一像素電極、上述第二像素電極 以及上述第三像素電極在第一方向上排列而配置，上述第一層厚的部分以及上述第二層厚 的部分呈在與上述第一方向交差的第二方向上延伸的矩形形狀。
[0025] 在第一層厚的部分配置有第一像素電極，第一層厚的部分發(fā)出第一共振波長的 光。在第二層厚的部分配置有第二像素電極，第二層厚的部分發(fā)出第二共振波長的光。在 第三層厚的部分配置有第三像素電極，第三層厚的部分發(fā)出第三共振波長的光。發(fā)出第一 共振波長的光的部分、發(fā)出第二共振波長的光的部分以及發(fā)出第三共振波長的光的部分具 有在第二方向上延伸的矩形形狀。通過在與第二方向交差的第一方向上反復(fù)配置發(fā)出第一 共振波長的光的部分（第一層厚的部分）、發(fā)出第二共振波長的光的部分（第二層厚的部 分）、以及發(fā)出第三共振波長的光的部分（第三層厚的部分），能夠形成發(fā)出三種顏色的部 分呈條紋配置的發(fā)光區(qū)域（顯示區(qū)域）。
[0026] 應(yīng)用例5
[0027] 在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述第一絕緣層具有依次層疊在上述光 反射層的一側(cè)的第一絕緣膜和有機絕緣層，上述有機絕緣層具有第一平坦部和比上述第一 平坦部厚的第二平坦部，上述第一絕緣膜具有上述第一層厚，層疊有上述第一絕緣膜和上 述第一平坦部的部分具有上述第二層厚，層疊有上述第一絕緣膜和上述第二平坦部的部分 具有上述第三層厚，上述導(dǎo)電層具有第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及第三導(dǎo)電層，上述第一像 素電極與上述第一導(dǎo)電層直接相接，上述第二像素電極經(jīng)由貫穿上述第一平坦部的第一接 觸孔與上述第二導(dǎo)電層連接，上述第三像素電極經(jīng)由貫穿上述第二平坦部的第二接觸孔與 上述第三導(dǎo)電層連接。
[0028] 有機絕緣層由于能夠使用涂覆、打印等廉價的裝置來形成，所以與使用等離子體 CVD、濺射等昂貴的裝置來形成的無機絕緣層（例如，氧化硅）相比，能夠廉價地形成。
[0029] 應(yīng)用例6
[0030] 在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，優(yōu)選上述有機絕緣層具有使用感光性樹脂材 料形成的第一有機絕緣膜和第二有機絕緣膜，上述第一平坦部由上述第一有機絕緣膜構(gòu) 成，上述第二平坦部由上述第一有機絕緣膜和上述第二有機絕緣膜構(gòu)成。
[0031] 在有機絕緣膜中，能夠僅利用使用了感光性樹脂材料的光刻工序來進行圖案化， 因而與除了光刻工序之外還需要蝕刻工序的無機絕緣膜（例如，氧化硅）的圖案化方法相 t匕，能夠簡化工序，提高生產(chǎn)性。
[0032] 應(yīng)用例7
[0033] 本應(yīng)用例所涉及的發(fā)光裝置的特征在于，具備：第一晶體管；第二晶體管；第三晶 體管；光反射層，其設(shè)置在上述第一晶體管、第二晶體管以及第三晶體管的上方；第一絕緣 層，其覆蓋上述光反射層，并具有第一層厚的部分、比上述第一層厚的部分厚的第二層厚的 部分以及比上述第二層厚的部分厚的第三層厚的部分；第一像素電極，其設(shè)置在上述第一 層厚的部分上；第一中繼電極，與上述第一晶體管電連接；第二像素電極，設(shè)置在上述第二 層厚的部分上；第二中繼電極，與上述第二晶體管電連接；第三像素電極，設(shè)置在上述第三 層厚的部分上；第三中繼電極，與上述第三晶體管電連接；對置電極；以及發(fā)光功能層，設(shè) 置在上述第一像素電極和對置電極之間、上述第二像素電極和對置電極之間以及上述第三 像素電極和對置電極之間，上述第一中繼電極經(jīng)由設(shè)置在上述第一層厚的部分的第一連接 部與上述第一像素電極連接，上述第二中繼電極經(jīng)由設(shè)置在上述第二層厚的部分的第二連 接部與上述第二像素電極連接，上述第三中繼電極經(jīng)由設(shè)置在上述第三層厚的部分的第三 連接部與上述第三像素電極連接。
[0034] 據(jù)此，能夠減小像素電極中的發(fā)光區(qū)域與接觸區(qū)域的間隔，擴大像素電極中的發(fā) 光區(qū)域。因此，在本應(yīng)用例所涉及的發(fā)光裝置中，能夠提供顏色純度以及亮度較高的顯示即 明亮鮮艷的顏色的顯示。
[0035] 應(yīng)用例8
[0036] 在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，也可以還具備在上述第一像素電極上規(guī)定第 一發(fā)光區(qū)域，在上述第二像素電極上規(guī)定第二發(fā)光區(qū)域，在上述第三像素電極上規(guī)定第三 發(fā)光區(qū)域的第二絕緣層，上述第一發(fā)光區(qū)域設(shè)置在上述第一層厚的部分上，上述第二發(fā)光 區(qū)域設(shè)置在上述第二層厚的部分上，上述第三發(fā)光區(qū)域設(shè)置在上述第三層厚的部分上。
[0037] 應(yīng)用例9
[0038] 在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，也可以為上述第一層厚的部分被設(shè)置為從上 述第一發(fā)光區(qū)域至上述第一連接部，上述第二層厚的部分被設(shè)置為從上述第二發(fā)光區(qū)域至 上述第二連接部，上述第三層厚的部分被設(shè)置為從上述第三發(fā)光區(qū)域至上述第三連接部。
[0039] 應(yīng)用例10
[0040] 在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，還可以為還具備第四發(fā)光區(qū)域，上述第二層 厚的部分跨上述第二發(fā)光區(qū)域以及上述第四發(fā)光區(qū)域而設(shè)置。
[0041] 應(yīng)用例11
[0042] 在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，也可以為上述第一層厚的部分被設(shè)置為包圍 上述第一連接部，上述第二層厚的部分被設(shè)置為包圍上述第二連接部，上述第三層厚的部 分被設(shè)置為包圍上述第三連接部。
[0043] 應(yīng)用例12
[0044] 在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，還可以為上述第一絕緣層具有從上述反射層 的一側(cè)依次層疊的第一絕緣膜、第二絕緣膜以及第三絕緣膜，上述第一連接部具有經(jīng)由貫 穿上述第一絕緣膜的第一接觸孔與上述第一中繼電極連接且與上述第一像素電極相接的 第一導(dǎo)電層，上述第二連接部具有經(jīng)由貫穿上述第一絕緣膜的第二接觸孔與上述第二中繼 電極連接且經(jīng)由貫穿上述第二絕緣膜的第三接觸孔與上述第二像素電極連接的第二導(dǎo)電 層，上述第三連接部具有經(jīng)由貫穿上述第一絕緣膜的第四接觸孔與上述第三中繼電極連接 且經(jīng)由貫穿上述第二絕緣膜以及上述第三絕緣膜的第五接觸孔與上述第三像素電極連接 的第三導(dǎo)電層。
[0045] 應(yīng)用例13
[0046] 在上述應(yīng)用例所記載的發(fā)光裝置中，也可以為還具備：第四晶體管；第四像素電 極，其設(shè)置在上述第二層厚的部分上；以及第四中繼電極，其與上述第四晶體管電連接，上 述第四中繼電極經(jīng)由設(shè)置在上述第二層厚的部分的第四連接部與上述第四像素電極連接， 上述第一絕緣膜以及上述第二絕緣膜被設(shè)置為填充在上述第二連接部和上述第四連接部 之間。
[0047] 應(yīng)用例14
[0048] 本應(yīng)用例所涉及的電子設(shè)備的特征在于，具備在上述應(yīng)用例中記載的發(fā)光裝置。
[0049] 由于本應(yīng)用例所涉及的電子設(shè)備具備在上述應(yīng)用例中記載的發(fā)光裝置，所以能夠 提供明亮鮮艷的顯示。例如，能夠?qū)⒃谏鲜鰬?yīng)用例中記載的發(fā)光裝置應(yīng)用于頭戴式顯示器、 抬頭顯示器、數(shù)碼照相機的電子取景器、便攜式信息終端、導(dǎo)航儀等具有顯示部的電子設(shè) 備。
[0050] 應(yīng)用例15
[0051] 本應(yīng)用例所涉及的發(fā)光裝置的制造方法的特征在于，所述發(fā)光裝置包括：晶體管； 光反射層，其設(shè)置于上述晶體管的上方；第一絕緣層，其覆蓋上述光反射層，并具有第一層 厚的部分、第二層厚的部分以及第三層厚的部分；像素電極，其設(shè)置在上述第一層厚的部分 上；第二絕緣層，其覆蓋上述像素電極的周邊部；發(fā)光功能層，其覆蓋上述像素電極以及上 述第二絕緣層；對置電極，其覆蓋上述發(fā)光功能層；以及導(dǎo)電層，其設(shè)置在上述第一層厚的 部分上，上述像素電極具有設(shè)置在上述第一層厚的部分的第一像素電極、設(shè)置在上述第二 層厚的部分的第二像素電極以及設(shè)置在上述第三層厚的部分的第三像素電極，上述第一像 素電極、上述第二像素電極以及上述第三像素電極經(jīng)由上述導(dǎo)電層與上述晶體管連接，所 述發(fā)光裝置的制造方法，具備：形成上述光反射層的工序；使第一絕緣膜形成為上述第一 層厚的工序；形成上述導(dǎo)電層的工序；在與上述第一絕緣膜之間使第二絕緣膜形成為上述 第二層厚的工序；在與上述第一絕緣膜以及上述第二絕緣膜之間使第三絕緣膜形成為上述 第三層厚的工序；對上述第二絕緣膜以及上述第三絕緣膜進行圖案化，來形成具有上述第 一層厚的部分、上述第二層厚的部分以及上述第三層厚的部分的上述第一絕緣層的工序； 在上述第二層厚的部分形成使上述導(dǎo)電層的一部分露出的第一接觸孔，在上述第三層厚的 部分形成使上述導(dǎo)電層的一部分露出的第二接觸孔的工序；以及在上述第一層厚的部分形 成與上述導(dǎo)電層局部重疊的上述第一像素電極，在上述第二層厚的部分形成覆蓋上述第一 接觸孔的上述第二像素電極，在上述第三層厚的部分形成覆蓋上述第二接觸孔的上述第三 像素電極的工序。
[0052] 以本應(yīng)用例所涉及的制造方法制造出的發(fā)光裝置具有層疊有光反射層、第一絕緣 層、像素電極、發(fā)光功能層以及對置電極的結(jié)構(gòu)，在發(fā)光功能層發(fā)出的光在光反射層和對置 電極之間往復(fù)，并根據(jù)光反射層和對置電極之間的光學(xué)距離而共振，特定波長的光被放大。 光學(xué)距離根據(jù)第一絕緣層的層厚而變化。由于以具有三種層厚的方式形成第一絕緣層，所 以發(fā)出三種特定波長的光。例如，若以有選擇地放大藍(lán)色、綠色、紅色三個種類的波長的光 的方式形成第一絕緣層，則能夠提高從發(fā)光功能層發(fā)出的藍(lán)色、綠色、紅色的光的顏色純 度。
[0053] 第一像素電極形成于第一絕緣層的第一層厚的部分，第二像素電極形成于第一絕 緣層的第二層厚的部分，第三像素電極形成于第一絕緣層的第三層厚的部分，各像素電極 與導(dǎo)電層連接，并經(jīng)由導(dǎo)電層供給來自晶體管的信號。在形成有各像素電極的區(qū)域中，上述 光學(xué)距離（第一絕緣層的層厚）恒定，因此即使擴大像素電極中的發(fā)光區(qū)域也不產(chǎn)生共振 波長的變化（顏色純度的降低）。即，與在設(shè)置有像素電極的區(qū)域具有光學(xué)距離不同的邊界 的公知技術(shù)（日本特開2009 - 134067號公報）相比，能夠不導(dǎo)致顏色純度的降低并擴大 發(fā)光區(qū)域，能夠提高在發(fā)光區(qū)域發(fā)出的光的亮度。因此，在本應(yīng)用例所涉及的發(fā)光裝置中， 能夠提供顏色純度以及亮度較高的顯示即明亮鮮艷的顏色的顯示。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0054] 圖1是表示實施方式1所涉及的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。
[0055] 圖2是表示實施方式1所涉及的有機EL裝置的電結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
[0056] 圖3是表示發(fā)光像素的特征部分的示意俯視圖。
[0057] 圖4是沿圖3的A-A'線的示意剖視圖。
[0058] 圖5是沿圖3的B-B'線的示意剖視圖。
[0059] 圖6是沿圖3的C-C'線的示意剖視圖。
[0060]圖7是沿圖3的D-D'線的示意剖視圖。
[0061] 圖8是沿圖3的E-E'線的示意剖視圖。
[0062] 圖9是表示有機EL裝置的制造方法的工序流程。
[0063] 圖10是表示經(jīng)過各工序之后的有機EL裝置的狀態(tài)的示意剖視圖。
[0064] 圖11是表示經(jīng)過各工序之后的有機EL裝置的狀態(tài)的示意剖視圖。
[0065] 圖12是表示實施方式2所涉及的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0066] 圖13是表示實施方式2所涉及的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意剖視圖。
[0067] 圖14是表示有機EL裝置的制造方法的工序流程。
[0068] 圖15是表示經(jīng)過各工序之后的有機EL裝置的狀態(tài)的示意剖視圖。
[0069]圖16是表示經(jīng)過各工序之后的有機EL裝置的狀態(tài)的示意剖視圖。
[0070]圖17是頭戴式顯示器的示意圖。
[0071] 圖18是表示變形例1所涉及的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。
[0072] 圖19是表示變形例2所涉及的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。

【具體實施方式】
[0073] 以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。所涉及的實施方式表示本發(fā)明的 一方式，不對本發(fā)明進行限定，能夠在本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)任意地變更。另外，在以下 的各圖中，為了使各層、各部位為能夠在附圖上識別的程度的大小，使各層、各部位的比例 與實際不同。
[0074] 實施方式1
[0075] "有機EL裝置的概要"
[0076] 實施方式1所涉及的有機EL裝置100是發(fā)光裝置的一個例子，具有能夠提高顯示 光的顏色純度的光共振構(gòu)造。
[0077]首先，參照圖1?圖3對本實施方式所涉及的有機EL裝置100的概要進行說明。 圖1是表不有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的不意俯視圖，圖2是表不有機EL裝置的電結(jié)構(gòu)的等效電 路圖，圖3是表示發(fā)光像素的特征部分的示意俯視圖。
[0078] 此外，在圖3中圖示說明發(fā)光像素的特征部分所必要的結(jié)構(gòu)要素，省略其他的結(jié) 構(gòu)要素的圖示。另外，圖3中的雙點劃線表示發(fā)光像素20的輪廓。
[0079] 如圖1所示，本實施方式的有機EL裝置100具備作為基板的元件基板10、在元件 基板10的顯示區(qū)域E中配置成矩陣狀的多個發(fā)光像素2(?、206、201?、對多個發(fā)光像素2(?、 20G、20R進行驅(qū)動控制的外圍電路亦即數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101以及掃描線驅(qū)動電路102、以及 用于實現(xiàn)與外部電路的電連接的外部連接用端子103等。
[0080] 沿元件基板10的第一邊排列有多個外部連接用端子103。在多個外部連接用端子 103和顯示區(qū)域E之間設(shè)置有數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101。在與該第一邊正交并相互對置的其他 的第二邊、第三邊和顯示區(qū)域E之間設(shè)置有掃描線驅(qū)動電路102。
[0081] 以下，將沿該第一邊的方向設(shè)置為X方向，以及將沿與該第一邊正交并相互對置 的其他的兩邊（第二邊、第三邊）的方向設(shè)置為Y方向來進行說明。
[0082] 應(yīng)予說明，X方向是本發(fā)明的"第一方向"的一個例子，Y方向是本發(fā)明的"第二方 向"的一個例子。
[0083] 有機EL裝置100具有能夠得到藍(lán)色（B)的發(fā)光的發(fā)光像素20B、能夠得到綠色（G) 的發(fā)光的發(fā)光像素20G、以及能夠得到紅色（R)的發(fā)光的發(fā)光像素20R。在有機EL裝置100 中，在X方向上配置的發(fā)光像素20B、發(fā)光像素20G以及發(fā)光像素20R為顯示單位P，提供全 彩色的顯示。
[0084] 并且，發(fā)光像素20B具有像素電極31B，發(fā)光像素20G具有像素電極31G，發(fā)光像素 20R具有像素電極31R。發(fā)光像素20B(像素電極31B)、發(fā)光像素20G(像素電極31G)以及 發(fā)光像素20R(像素電極31G)分別在Y方向上排列而配置。
[0085] 應(yīng)予說明，像素電極31B是本發(fā)明中的"第一像素電極"的一個例子，像素電極31G 是本發(fā)明中的"第二像素電極"的一個例子，像素電極31R是本發(fā)明中的"第三像素電極"的 一個例子。
[0086] 在以下的說明中，有稱為發(fā)光像素2(?、206、201?、像素電極318、316、311?的情況， 有統(tǒng)稱為發(fā)光像素20、像素電極31的情況。
[0087] 在Y方向上配置有能夠得到相同的顏色的發(fā)光的發(fā)光像素20。即，在Y方向上配 置能夠得到藍(lán)色（B)的發(fā)光的發(fā)光像素20B，且發(fā)光像素20B呈矩形形狀（條紋形狀）。在Y方向上配置能夠得到綠色（G)的發(fā)光的發(fā)光像素20G，且發(fā)光像素20G呈矩形形狀（條紋 形狀）。在Y方向上配置能夠得到紅色（R)的發(fā)光的發(fā)光像素20R，且發(fā)光像素20R呈矩形 形狀（條紋形狀）。
[0088] 在X方向上按B、G、R的順序反復(fù)配置有能夠得到不同的顏色的發(fā)光的發(fā)光像素 20。應(yīng)予說明，X方向上的發(fā)光像素20的配置也可以不是B、G、R的順序，例如也可以是R、 G、B的順序。
[0089] 透光性的第一絕緣層28設(shè)置于除了外部連接用端子103的形成區(qū)域外的元件基 板10的大致整個面上。
[0090] 透光性的第一絕緣層28具有配置有發(fā)光像素20B(像素電極31B)的第一區(qū)域 28B、配置有發(fā)光像素20G(像素電極31G)的第二區(qū)域28G以及配置有發(fā)光像素20R(像素 電極31R)的第三區(qū)域28R，第一絕緣層28的層厚（膜厚）在各個區(qū)域中不同。后述詳細(xì) 內(nèi)容，但第二區(qū)域28G中的第一絕緣層28的膜厚比第一區(qū)域28B中的第一絕緣層28的膜 厚厚。第三區(qū)域28R中的第一絕緣層28的膜厚比第二區(qū)域28G中的第一絕緣層28的膜厚 厚。即，第一絕緣層28的膜厚按第一區(qū)域28B、第二區(qū)域28G、第三區(qū)域28R的順序依次增 大。
[0091] 第二區(qū)域28G是本發(fā)明中的"第一平坦部"的一個例子。第三區(qū)域28R是本發(fā)明 中的"第二平坦部"的一個例子。
[0092] 第一區(qū)域28B、第二區(qū)域28G以及第三區(qū)域28R呈在Y方向上延伸的矩形形狀（條 紋形狀）。
[0093] 在顯示區(qū)域E中，第一區(qū)域28B、第二區(qū)域28G以及第三區(qū)域28R的X方向尺寸與 發(fā)光像素20的X方向尺寸大致相同，S卩，與發(fā)光像素20的X方向的反復(fù)間距大致相同。
[0094] 在Y方向上，第一區(qū)域28B、第二區(qū)域28G以及第三區(qū)域28R比顯示區(qū)域E寬。艮口， 第一區(qū)域28B、第二區(qū)域28G以及第三區(qū)域28R的Y方向尺寸比顯示區(qū)域E的Y方向尺寸 大。應(yīng)予說明，第一區(qū)域28B、第二區(qū)域28G以及第三區(qū)域28R的Y方向尺寸也可以與顯示 區(qū)域E的Y方向尺寸相同，S卩，也可以與配置有發(fā)光像素20的區(qū)域的尺寸相同。
[0095] 第一絕緣層28也設(shè)置在顯示區(qū)域E的周邊（第一區(qū)域28B、第二區(qū)域28G以及第 三區(qū)域28R以外的區(qū)域）。在本實施方式中，設(shè)置在顯示區(qū)域E的周邊的第一絕緣層28的 膜厚與第三區(qū)域28R的第一絕緣層28的膜厚相同。應(yīng)予說明，設(shè)置在顯示區(qū)域E的周邊的 第一絕緣層28的膜厚也可以與第一區(qū)域28B的第一絕緣層28的膜厚或者第二區(qū)域28G的 第一絕緣層28的膜厚相同。另外，設(shè)置在顯示區(qū)域E的周邊的第一絕緣層28也可以具有 與第一區(qū)域28B、第二區(qū)域28G以及第三區(qū)域28R的第一絕緣層28不同的膜厚。
[0096] 應(yīng)予說明，第一區(qū)域28B是本發(fā)明中的"第一層厚的部分"的一個例子，第二區(qū)域 28G是本發(fā)明中的"第二層厚的部分"的一個例子，第三區(qū)域28R是本發(fā)明中的"第三層厚 的部分"的一個例子。
[0097] 如圖2所示，在元件基板10作為與發(fā)光像素20對應(yīng)的信號線，設(shè)置有掃描線11、 數(shù)據(jù)線12、點亮控制線13以及電源線14。掃描線11和點亮控制線13在X方向上并行延 伸，并與掃描線驅(qū)動電路102 (圖1)連接。數(shù)據(jù)線12和電源線14在Y方向上并行延伸。數(shù) 據(jù)線12與數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101 (圖1)連接。電源線14與配置的多個外部連接用端子103 中的其中一個連接。
[0098] 在掃描線11與數(shù)據(jù)線12的交點附近設(shè)置有構(gòu)成發(fā)光像素20的像素電路的第一 晶體管21、第二晶體管22、第三晶體管23、存儲電容24以及有機EL元件30。
[0099] 有機EL元件30具有作為陽極的像素電極31、作為陰極的對置電極33以及夾在像 素電極31和對置電極33之間的包含發(fā)光層的發(fā)光功能層32。對置電極33是跨多個發(fā)光 像素20而設(shè)置的共用電極。向?qū)χ秒姌O33賦予例如比賦予給電源線14的電源電壓Vdd 低的電位的基準(zhǔn)電位Vss、GND電位等。
[0100] 第一晶體管21以及第三晶體管23例如為η溝道型的晶體管。第二晶體管22例 如為P溝道型的晶體管。
[0101] 第一晶體管21的柵極電極與掃描線11連接，一方的電流端與數(shù)據(jù)線12連接，另 一方的電流端與第二晶體管22的柵極電極和存儲電容24的一方的電極連接。
[0102] 第二晶體管22的一方的電流端與電源線14連接，并且與存儲電容24的另一方的 電極連接。第二晶體管22的另一方的電流端與第三晶體管23的一方的電流端連接。換句 話說，第二晶體管22和第三晶體管23共享一對電流端中的一個電流端。
[0103] 第三晶體管23的柵極電極與點亮控制線13連接，另一方的電流端與有機EL元件 30的像素電極31連接。
[0104] 第一晶體管21、第二晶體管22以及第三晶體管23中的一對電流端的一方分別為 源極，另一方分別為漏極。
[0105] 應(yīng)予說明，第三晶體管23是本發(fā)明中的"晶體管"的一個例子。
[0106] 在這樣的像素電路中，若從掃描線驅(qū)動電路102供給至掃描線11的掃描信號Yi 的電壓等級成為高（Hi)電平，則η溝道型的第一晶體管21成為導(dǎo)通狀態(tài)（0Ν)。數(shù)據(jù)線12 和存儲電容24經(jīng)由導(dǎo)通狀態(tài)（ON)的第一晶體管21電連接。然后，若從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路 101向數(shù)據(jù)線12供給數(shù)據(jù)信號，則數(shù)據(jù)信號的電壓等級Vdata和賦予給電源線14的電源電 壓Vdd的電位差被存儲于存儲電容24。
[0107] 若從掃描線驅(qū)動電路102供給至掃描線11的掃描信號Yi的電壓等級成為低 (Low)電平，則η溝道型的第一晶體管21成為截止?fàn)顟B(tài)（OFF)，第二晶體管22的柵極?源 極間電壓Vgs被保持為賦予了電壓等級Vdata時的電壓。另外，在掃描信號Yi成為低電平 之后，供給至點亮控制線13的點亮控制信號Vgi的電壓等級成為高（Hi)電平，第三晶體管 23成為導(dǎo)通狀態(tài)（ON)。這樣，與第二晶體管22的柵極?源極電壓Vgs即保持于存儲電容 24的電壓對應(yīng)的電流從電源線14經(jīng)由第二晶體管22以及第三晶體管23被供給至有機EL 元件30。
[0108] 有機EL元件30根據(jù)在有機EL元件30中流動的電流的大小來發(fā)光。在有機EL 元件30中流動的電流根據(jù)保持于存儲電容24的電壓（數(shù)據(jù)線12的電壓等級Vdata和電 源電壓Vdd的電位差）以及第三晶體管23成為導(dǎo)通狀態(tài)的期間的長度而變化，并規(guī)定有機 EL元件30的發(fā)光亮度。即，能夠根據(jù)數(shù)據(jù)信號中的電壓等級Vdata的值，在發(fā)光像素20中 賦予與圖像信息相應(yīng)的亮度的等級度。
[0109] 此外，在本實施方式中，并不限于發(fā)光像素20的像素電路具有三個的晶體管21、 22、23,例如也可以為具有開關(guān)用晶體管和驅(qū)動用晶體管（具有兩個晶體管的結(jié)構(gòu)）的結(jié) 構(gòu)。另外，構(gòu)成像素電路的晶體管可以是η溝道型的晶體管，也可以是p溝道型的晶體管， 還可以具備η溝道型的晶體管以及ρ溝道型的晶體管這兩方。另外，構(gòu)成發(fā)光像素20的像 素電路的晶體管可以是在半導(dǎo)體基板具有有源層的MOS型晶體管，也可以是薄膜晶體管， 還可以是場效應(yīng)晶體管。
[0110] 另外，掃描線11、數(shù)據(jù)線12以外的信號線亦即點亮控制線13、電源線14的配置被 晶體管、存儲電容24的配置所左右，并不限定于此。
[0111] 在本實施方式中，作為構(gòu)成發(fā)光像素20的像素電路的晶體管，采用在半導(dǎo)體基板 具有有源層的MOS型晶體管。
[0112] 發(fā)光像素的特征部分
[0113] 接下來，參照圖3對發(fā)光像素20的特征部分的概要進行說明。
[0114] 如圖3所示，發(fā)光像素20具有中繼電極106、像素電極31以及第二絕緣層29。在 發(fā)光像素20中，依次層疊有中繼電極106、像素電極31以及第二絕緣層29(參照圖5、圖 6)。第二絕緣層29具有使像素電極31的一部分露出的開口 29B、29G、29R。能夠得到藍(lán)色 (B)的發(fā)光的發(fā)光像素20B具有像素電極31B、中繼電極106B以及開口 29B。能夠得到綠 色（G)的發(fā)光的發(fā)光像素20G具有像素電極31G、中繼電極106G以及開口 29G。能夠得到 紅色（R)的發(fā)光的發(fā)光像素20R具有像素電極31R、中繼電極106R以及開口 29R。
[0115] 在以下的說明中，有稱為中繼電極106B、106G、106R的情況，有統(tǒng)稱為中繼電極 106的情況。
[0116] 應(yīng)予說明，中繼電極106是本發(fā)明中的"導(dǎo)電層"的一個例子。中繼電極106B是 本發(fā)明中的"第一導(dǎo)電層"的一個例子，中繼電極106G是本發(fā)明中的"第二導(dǎo)電層"的一個 例子，中繼電極106R是本發(fā)明中的"第三導(dǎo)電層"的一個例子。
[0117] 發(fā)光像素20B、20G、20R在俯視時分別為矩形形狀，其長邊方向沿Y方向配置。同 樣，像素電極31B、31G、31R在俯視時也呈矩形形狀，其長邊方向沿Y方向配置。
[0118] 如該圖所示，沿矩形形狀的發(fā)光像素20的短的一邊配置中繼電極106,且將中繼 電極106設(shè)置為俯視時至少一部分與像素電極31重合。后述詳細(xì)內(nèi)容，但中繼電極106是 將像素電極31和第三晶體管23電連接的布線的一部分。換句話說，像素電極31經(jīng)由中繼 電極106與第三晶體管23連接。即，設(shè)置有中繼電極106的區(qū)域成為接觸區(qū)域。
[0119] 第二絕緣層29覆蓋像素電極31的周邊部，具有使相鄰的像素電極31彼此電絕緣 的作用。如上所述，第二絕緣層29具有使像素電極31的一部分露出的開口 29B、29G、29R。 在第二絕緣層29露出的部分的像素電極31即在開口 29B、29G、29R露出的像素電極31與 發(fā)光功能層32相接，并向發(fā)光功能層32供給電流，使發(fā)光功能層32發(fā)光。因此，設(shè)置于第 二絕緣層29的開口 29B、29G、29R成為發(fā)光像素20B、20G、20R的發(fā)光區(qū)域。這樣，第二絕緣 層29也具有規(guī)定發(fā)光像素20的發(fā)光區(qū)域的作用。
[0120] 應(yīng)予說明，在本申請發(fā)明中，像素電極31至少具有電極部位和導(dǎo)電部位，其中，電 極部位在發(fā)光區(qū)域（開口 29B、29G、29R)與發(fā)光功能層32相接，并作為有機EL元件30的電 極發(fā)揮作用，導(dǎo)電部位作為在與晶體管、布線連接的接觸區(qū)域連接電極部位和中繼電極106 的導(dǎo)電層發(fā)揮作用。
[0121] 后述詳細(xì)內(nèi)容，但本實施方式的發(fā)光像素20具有能夠減小發(fā)光區(qū)域（開口 29B、 29G、29R)和接觸區(qū)域（中繼電極106B、106G、106R)之間的距離DY的結(jié)構(gòu)。S卩，具有擴大發(fā) 光區(qū)域（開口 29B、29G、29R)，并能夠提高由發(fā)光功能層32發(fā)出的光的亮度的結(jié)構(gòu)。這一點 是發(fā)光像素20的特征部分。
[0122] 發(fā)光像素的剖面構(gòu)造
[0123] 接下來，參照圖4?圖8對發(fā)光像素20的剖面構(gòu)造進行說明。
[0124] 圖4是沿圖3的A-A'線的示意剖視圖，即設(shè)置有規(guī)定發(fā)光區(qū)域的第二絕緣層的 開口的區(qū)域的示意剖視圖。圖5是沿圖3的B-B'線的示意剖視圖，即將像素電極和第三 晶體管電連接的區(qū)域的示意剖視圖。圖6是沿圖3的C一C'線的示意剖視圖，即能夠得到 紅色（R)的發(fā)光的發(fā)光像素的示意剖視圖。圖7是沿圖3的D-D'線的示意剖視圖，即能 夠得到綠色（G)的發(fā)光的發(fā)光像素的示意剖視圖。圖8是沿圖3的E-E'線的示意剖視 圖，即能夠得到藍(lán)色（B)的發(fā)光的發(fā)光像素的示意剖視圖。
[0125] 此外，在圖4中示出像素電路中第一晶體管21以及第二晶體管22、與第一晶體管 21以及第二晶體管22相關(guān)的布線等，省略了第三晶體管23的圖示。在圖5中示出像素電 路中第三晶體管23、與第三晶體管23相關(guān)的布線等，省略了第一晶體管21以及第二晶體管 的圖示。在圖6?圖8中示出第二晶體管22以及第三晶體管23、與第二晶體管22以及第 三晶體管23相關(guān)的布線等，省略了第一晶體管21的圖示。
[0126] 首先，參照圖4對設(shè)置有規(guī)定發(fā)光區(qū)域的第二絕緣層29的開口 29B、29G、29R的區(qū) 域的剖面構(gòu)造進行說明。
[0127] 如圖4所示，有機EL裝置100具有元件基板10、密封基板70以及被元件基板10 和密封基板70夾持的樹脂層71等。
[0128] 密封基板70是透光性的絕緣基板，能夠使用石英基板、玻璃基板等。密封基板70 具有保護配置于顯示區(qū)域E的有機EL元件30不受損傷的作用，并被設(shè)置得比顯示區(qū)域E 寬。樹脂層71具有粘合元件基板10和密封基板70的作用，例如能夠使用環(huán)氧樹脂、丙烯 酸樹脂等。
[0129] 元件基板10具有像素電路（第一晶體管21、第二晶體管22、第三晶體管23、存儲 電容24、有機EL元件30)、密封層40、以及彩色濾光片50等。
[0130] 由發(fā)光像素20發(fā)出的光透過彩色濾光片50從密封基板70側(cè)射出。即，有機EL裝 置100為頂部發(fā)光構(gòu)造。由于有機EL裝置100為頂部發(fā)光構(gòu)造，所以對于元件基板10的 基材l〇s，不僅能夠使用透明的石英基板、玻璃基板，還能夠使用不透明的陶瓷基板、半導(dǎo)體 基板。在本實施方式中，對于基材IOs使用半導(dǎo)體基板例如娃基板。
[0131] 在基材IOs設(shè)置有通過向半導(dǎo)體基板注入離子而形成的阱部10w、以及通過向阱 部IOw注入與阱部IOw不同種類的離子而形成的有源層亦即離子注入部IOcL阱部IOw作 為發(fā)光像素20中的晶體管21、22、23的溝道發(fā)揮作用。離子注入部IOd作為發(fā)光像素20 中的晶體管21、22、23的源極、漏極、布線的一部分發(fā)揮作用。
[0132] 以覆蓋形成了離子注入部IOcU阱部IOw的基材IOs的表面的方式設(shè)置絕緣膜 l〇a。絕緣膜IOa作為晶體管21、22、23的柵極絕緣膜發(fā)揮作用。在絕緣膜IOa上設(shè)置有例 如由多晶硅等導(dǎo)電膜構(gòu)成的柵極電極22g。以與作為第二晶體管22的溝道發(fā)揮作用的阱部 IOw對置的方式配置柵極電極22g。其他的第一晶體管21、第三晶體管23也同樣地設(shè)置柵 極電極。
[0133] 以覆蓋柵極電極22g的方式設(shè)置第一層間絕緣膜15。在第一層間絕緣膜15設(shè)置 有例如到達第一晶體管21的漏極、第二晶體管22的柵極電極22g的接觸孔。成膜至少覆 蓋該接觸孔內(nèi)，并覆蓋第一層間絕緣膜15的表面的導(dǎo)電膜，并將其圖案化，從而設(shè)置有例 如與第一晶體管21的漏極電極21d和第二晶體管22的柵極電極22g連接的布線。
[0134] 接下來，以覆蓋第一層間絕緣膜15、第一層間絕緣膜15上的布線的方式設(shè)置第二 層間絕緣膜16。在第二層間絕緣膜16上設(shè)置有到達設(shè)置在第一層間絕緣膜15上的布線的 接觸孔。成膜至少覆蓋該接觸孔內(nèi)，并覆蓋第二層間絕緣膜16的表面的導(dǎo)電膜，并將其圖 案化，從而設(shè)置有例如使存儲電容24的一方的電極24a和第二晶體管22的柵極電極22g 電連接的接觸部。另外，與存儲電容24的一方的電極24a同層地設(shè)置有數(shù)據(jù)線12。數(shù)據(jù)線 12通過在圖4中圖示省略了的中繼電極（布線）與第一晶體管21的源極連接。
[0135] 雖然圖示省略，但設(shè)置有至少覆蓋存儲電容24的一方的電極24a的電介質(zhì)層。另 夕卜，存儲電容24的另一方的電極24b被設(shè)置為隔著電介質(zhì)層與存儲電容24的一方的電極 24a對置。由此，由該一對電極24a、24b和電介質(zhì)層形成存儲電容24。
[0136] 以覆蓋存儲電容24的方式設(shè)置有第三層間絕緣膜17。在第三層間絕緣膜17設(shè)置 有例如到達存儲電容24的另一方的電極24b、形成在第二層間絕緣膜16上的布線的接觸 孔。成膜至少覆蓋該接觸孔內(nèi)，并覆蓋第三層間絕緣膜17的表面的導(dǎo)電膜，并將其圖案化， 從而設(shè)置有電源線14、中繼電極14c(參照圖5)等。在本實施方式中，電源線14以及中繼 電極14c由兼具光反射性和導(dǎo)電性的導(dǎo)電材料例如由鋁、鋁合金等構(gòu)成。電源線14以及中 繼電極14c的膜厚大概為100nm。
[0137] 電源線14設(shè)置于顯示區(qū)域E的大致整個面，在發(fā)光像素20B、20G、20R分別具有開 口。在電源線14的開口中設(shè)置有中繼電極14c。電源線14被配置成在晶體管21、22、23的 上方與像素電極31對置。在發(fā)光區(qū)域（開口 29B、29G、29R)處發(fā)出的光被電源線14反射。
[0138] 電源線14是本發(fā)明中的"光反射層"的一個例子。
[0139] 應(yīng)予說明，也可以是將光反射層按照像素電極31設(shè)置為島狀的結(jié)構(gòu)，光反射層對 在發(fā)光區(qū)域（開口 29B、29G、29R)處發(fā)出的光進行反射。
[0140] 在電源線14上依次層疊有第一絕緣膜25、第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27。第 一絕緣膜25、第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27由具有光透過性的絕緣材料構(gòu)成。在本 實施方式中，第一絕緣膜25由氮化硅構(gòu)成，第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27由氧化硅構(gòu) 成。第一絕緣膜25的膜厚大概為50nm。第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27的膜厚大概為 60nm?70nm〇
[0141] 第一絕緣膜25設(shè)置于能夠得到藍(lán)色（B)的發(fā)光的發(fā)光像素20B、能夠得到綠色 (G)的發(fā)光的發(fā)光像素20G、以及能夠得到紅色（R)的發(fā)光的發(fā)光像素20R。第二絕緣膜26 設(shè)置于能夠得到綠色（G)的發(fā)光的發(fā)光像素20G和能夠得到紅色（R)的發(fā)光的發(fā)光像素 20R。第三絕緣膜27設(shè)置于能夠得到紅色（R)的發(fā)光的發(fā)光像素20R。
[0142] 第一絕緣層28由第一絕緣膜25、第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27構(gòu)成。
[0143] 詳細(xì)而言，能夠得到藍(lán)色（B)的發(fā)光的發(fā)光像素20B的第一絕緣層28由第一絕緣 膜25構(gòu)成，具有膜厚Bdl。而且，在發(fā)光像素20B中，具有膜厚Bdl的第一絕緣層28被設(shè)置 為除了連接中繼電極106B和像素電極31B的接觸區(qū)域以外，從開口 29B(發(fā)光區(qū)域）到達 接觸區(qū)域。另外，具有膜厚Bdl的第一絕緣層28被設(shè)置為跨在Y方向上排列的多個發(fā)光像 素20B。另外，換句話說，在第一區(qū)域28B設(shè)置有多個在Y方向上排列的開口 29B(發(fā)光區(qū) 域）。另外,在第一區(qū)域28B內(nèi)設(shè)置有連接中繼電極106B和像素電極31B的接觸區(qū)域。如 圖5所示，在該接觸區(qū)域內(nèi)，像素電極31B與中繼電極106B直接相接。
[0144] 能夠得到綠色（G)的發(fā)光的發(fā)光像素20G的第一絕緣層28由第一絕緣膜25和第 二絕緣膜26構(gòu)成，并具有膜厚Gdl。而且，在發(fā)光像素20G中，具有膜厚Gdl的第一絕緣層 28被配置為除了連接中繼電極106G和像素電極31G的接觸區(qū)域以外，從開口 29G(發(fā)光區(qū) 域）到達接觸區(qū)域。具有膜厚Gdl的第一絕緣層28設(shè)置為跨在Y方向上排列的多個發(fā)光 像素20G。另外，換句話說，在第二區(qū)域28G設(shè)置有多個在Y方向上排列的開口 29G(發(fā)光區(qū) 域）。另外，第二區(qū)域28G內(nèi)設(shè)置有連接中繼電極106G和像素電極31G的接觸區(qū)域。如圖 5所示，在該接觸區(qū)域內(nèi)，像素電極31G經(jīng)由接觸孔28CT1與中繼電極106G連接。
[0145] 能夠得到紅色（R)的發(fā)光的發(fā)光像素20R的第一絕緣層28由第一絕緣膜25、第二 絕緣膜26以及第三絕緣膜27構(gòu)成，并具有膜厚Rdl。而且，在發(fā)光像素20R中，具有膜厚 Rdl的第一絕緣層28被設(shè)置為除了連接中繼電極106R和像素電極3IR的接觸區(qū)域之外，從 開口 29R(發(fā)光區(qū)域）到達接觸區(qū)域。具有膜厚Rdl的第一絕緣層28被設(shè)置為跨在Y方向 上排列的多個發(fā)光像素20R。另外，換句話說，在第三區(qū)域28R設(shè)置有多個在Y方向上排列 的開口 29R(發(fā)光區(qū)域）。在第三區(qū)域28R內(nèi)設(shè)置有連接中繼電極106R和像素電極31R的 接觸區(qū)域。如圖5所示，在該接觸區(qū)域中，像素電極31R經(jīng)由接觸孔28CT2與中繼電極106R 連接。
[0146] 因此，按發(fā)光像素20B的第一絕緣層28 (膜厚Bdl)、發(fā)光像素20G的第一絕緣層 28 (膜厚Gdl)以及發(fā)光像素20R的第一絕緣層28 (膜厚Rdl)按照該順序變厚。
[0147] 換句話說，由第一絕緣膜25構(gòu)成的第一絕緣層28即配置了發(fā)光像素20B的區(qū)域 的第一絕緣層28與第一區(qū)域28B對應(yīng)。由第一絕緣膜25和第二絕緣膜26構(gòu)成的第一絕 緣層28即配置了發(fā)光像素20G的區(qū)域的第一絕緣層28與第二區(qū)域28G對應(yīng)。由第一絕緣 膜25、第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27構(gòu)成的第一絕緣層28即配置了發(fā)光像素20R的區(qū) 域的第一絕緣層28與第三區(qū)域28R對應(yīng)。
[0148] 應(yīng)予說明，膜厚Bdl是本發(fā)明中的"第一層厚"的一個例子。膜厚Gdl是本發(fā)明中 的"第二層厚"的一個例子。膜厚Rdl是本發(fā)明中的"第三層厚"的一個例子。
[0149] 像素電極31在第一絕緣層28上被設(shè)置為島狀，并隔著第一絕緣層28與電源線14 對置。詳細(xì)而言，像素電極31B在膜厚Bdl的第一絕緣層28上被設(shè)置為島狀，像素電極31G 在膜厚Gdl的第一絕緣層28上被設(shè)置為島狀，像素電極31R在膜厚Rdl的第一絕緣層28 上被設(shè)置為島狀。像素電極31具有光透過性，例如由IT0(IndiumTinOxide:氧化銦錫） 等光透過性材料形成，像素電極31成為用于向發(fā)光功能層32供給空穴的電極。像素電極 31的膜厚大概為100nm。
[0150] 以覆蓋像素電極31的周邊部的方式設(shè)置有第二絕緣層29。第二絕緣層29例如由 氧化硅構(gòu)成，分別使各像素電極31R、31G、31B絕緣。第二絕緣層29的膜厚大概為60nm。在 第二絕緣層29設(shè)置有開口 29B、29G、29R。設(shè)置了開口 29B、29G、29R的區(qū)域為發(fā)光像素20 的發(fā)光區(qū)域。此外，第二絕緣層29也可以使用有機材料例如丙烯酸系感光性樹脂來形成。
[0151] 以覆蓋像素電極31以及第二絕緣層29的方式依次層疊有發(fā)光功能層32、對置電 極33以及密封層40。
[0152] 發(fā)光功能層32具有從像素電極31側(cè)依次層疊的空穴注入層、空穴輸送層、有機發(fā) 光層以及電子輸送層等。從像素電極31供給的空穴和從對置電極33供給的電子在有機發(fā) 光層復(fù)合，發(fā)光功能層32發(fā)光（發(fā)出光）。發(fā)光功能層32的膜厚大概為llOnm。
[0153] 有機發(fā)光層發(fā)出具有紅色、綠色以及藍(lán)色的光成分的光。有機發(fā)光層可以由單層 構(gòu)成，也可以由多層（例如，電流流過時主要以藍(lán)色發(fā)光的藍(lán)色發(fā)光層和電流流過時發(fā)出 包含紅色和綠色的光的黃色發(fā)光層）構(gòu)成。
[0154] 對置電極33是用于向發(fā)光功能層32供給電子的共用電極。對置電極33被設(shè)置 為覆蓋發(fā)光功能層32,例如由Mg和Ag的合金等構(gòu)成，具有光透過性和光反射性。對置電極 33的膜厚大概為IOnm?30nm。通過將對置電極33的構(gòu)成材料（Mg和Ag的合金等）薄膜 化，除了能夠賦予光反射性的功能外，還能夠賦予光透過性的功能。
[0155] 在對置電極33上配置有密封層40。密封層40是抑制發(fā)光功能層32、對置電極33 的劣化的鈍化膜，抑制水分、氧向發(fā)光功能層32、對置電極33的侵入。密封層40由從對置 電極33側(cè)依次層疊的第一密封層41、緩沖層42以及第二密封層43構(gòu)成，且覆蓋有機EL元 件30 (顯示區(qū)域E)，并設(shè)置于元件基板10的大致整個面。此外，在密封層40設(shè)置有用于使 外部連接用端子103 (參照圖1)露出的開口（圖示省略）。
[0156] 第一密封層41例如由使用公知技術(shù)的等離子體CVD(ChemicalVapor Deposition:化學(xué)氣相沉積）法等形成的氮氧化硅構(gòu)成，對水分、氧具有較高的阻隔性。第 一密封層41的膜厚大概為200nm?400nm。構(gòu)成第一密封層41的材料除了上述的氮氧化 硅之外，還能夠使用氧化硅、氮化硅以及氧化鈦等金屬氧化物等。
[0157] 緩沖層42由熱穩(wěn)定性優(yōu)良的例如環(huán)氧系樹脂、涂覆型的無機材料（氧化硅等）等 構(gòu)成。緩沖層42的膜厚比第一密封層41的膜厚厚，大概為IOOOnm?5000nm。緩沖層42 覆蓋第一密封層41的缺陷（針孔、裂縫）、異物等，與對置電極33側(cè)的面相比，緩沖層42中 的第二密封層43側(cè)的面形成平坦的面。
[0158] 第二密封層43例如由使用公知技術(shù)的等離子體CVD法等形成的氮氧化硅構(gòu)成。第 二密封層43的膜厚大概為300nm?700nm。第二密封層43由與第一密封層41相同的材料 構(gòu)成，對水分、氧具有較高的阻隔性。
[0159] 在密封層40上設(shè)置有與發(fā)光像素2(?、206、201?對應(yīng)的著色層5(?、506、501?。換句 話說，在密封層40上設(shè)置有由著色層50B、50G、50R構(gòu)成的彩色濾光片50。這里，彩色濾光 片50被設(shè)置為層疊在密封層40上。
[0160] 接下來，參照圖5,對將像素電極31和第三晶體管23電連接的部分（接觸部）的 剖面構(gòu)造進行說明。
[0161] 如圖5所示，在基材IOs上設(shè)置有作為第三晶體管23的源極發(fā)揮作用的離子注入 部l〇d。離子注入部IOd(基材IOs)被絕緣膜IOa和第一層間絕緣膜15覆蓋。在第一層間 絕緣膜15以及絕緣膜IOa上設(shè)置有到達第三晶體管23的離子注入部IOd的接觸孔。成膜 至少覆蓋該接觸孔內(nèi)，并覆蓋第一層間絕緣膜15的表面的導(dǎo)電膜，并將其圖案化，從而設(shè) 置有第三晶體管23的源極電極23s以及與該源極電極23s連接的布線。
[0162] 第一層間絕緣膜15以及與源極電極23s連接的布線被第二層間絕緣膜16覆蓋。 在第二層間絕緣膜16設(shè)置有到達與源極電極23s連接的布線的接觸孔。成膜至少覆蓋該 接觸孔內(nèi)，并覆蓋第二層間絕緣膜16的表面的導(dǎo)電膜，并將其圖案化，從而在第二層間絕 緣膜16上設(shè)置有布線。第二層間絕緣膜16被第三層間絕緣膜17覆蓋。在第三層間絕緣 膜17設(shè)置有到達設(shè)置在第二層間絕緣膜16上的布線的接觸孔。成膜至少覆蓋該接觸孔內(nèi)， 并覆蓋第三層間絕緣膜17的表面的導(dǎo)電膜，并將其圖案化，從而在第三層間絕緣膜17上設(shè) 置有電源線14以及中繼電極14c。
[0163] 如上所述，電源線14設(shè)置于顯示區(qū)域E的大致整個面，分別在發(fā)光像素20B、20G、 20R具有開口。將中繼電極14c按照各發(fā)光像素20B、20G、20R在電源線14的開口中設(shè)置為 島狀。另外，中繼電極14c形成將像素電極31和第三晶體管23電連接的布線的一部分。
[0164] 以覆蓋電源線14以及中繼電極14c的方式設(shè)置有第一絕緣膜25。在第一絕緣膜 25設(shè)置有使中繼電極14c的一部分露出的接觸孔61CT。成膜至少覆蓋接觸孔61CT內(nèi)，并 覆蓋第一絕緣膜25的表面的導(dǎo)電膜，并將其圖案化，從而在第一絕緣膜25上設(shè)置有中繼電 極106。中繼電極106經(jīng)由接觸孔61CT與中繼電極14c連接。中繼電極106形成將像素電 極31和第三晶體管23電連接的布線的一部分。
[0165] 中繼電極106由遮光性的導(dǎo)電材料例如氮化鈦構(gòu)成。中繼電極106的膜厚大概為 50nm。將中繼電極106按照各發(fā)光像素20B、20G、20R以俯視時覆蓋電源線14的開口的方 式設(shè)置為島狀。換句話說，將中繼電極106設(shè)置為在發(fā)光功能層32發(fā)出的光不通過電源線 14的開口而入射至晶體管21、22、23。即，中繼電極106也具有遮斷在發(fā)光功能層32發(fā)出 的光的入射，并抑制晶體管21、22、23的誤動作的作用。
[0166] 像素電極31被設(shè)置為俯視時與中繼電極106重合。如上所述，在發(fā)光像素20B設(shè) 置有中繼電極106B和像素電極31B，在發(fā)光像素20G設(shè)置有中繼電極106G和像素電極31G， 在發(fā)光像素20R設(shè)置有中繼電極106R和像素電極31R。
[0167] 在發(fā)光像素20B中，像素電極31B與中繼電極106B直接相接。
[0168] 在發(fā)光像素20G中，在中繼電極106G和像素電極31G之間設(shè)置有第二絕緣膜26。 在第二絕緣膜26設(shè)置有使中繼電極106G的一部分露出的接觸孔28CT1。像素電極31G經(jīng) 由接觸孔28CT1與中繼電極106G連接。
[0169] 在發(fā)光像素20R中，在中繼電極106R和像素電極31R之間從中繼電極106R側(cè)依 次設(shè)置有（層疊）第二絕緣膜26和第三絕緣膜27。在第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27 設(shè)置有使中繼電極106R的一部分露出的接觸孔28CT2。像素電極31R經(jīng)由接觸孔28CT2與 中繼電極106R連接。
[0170] 應(yīng)予說明，接觸孔28CT1是本發(fā)明中的"第一接觸孔"的一個例子。接觸孔28CT2 是本發(fā)明中的"第二接觸孔"的一個例子。
[0171] 像這樣，配置在中繼電極14c和中繼電極106之間的絕緣膜在各發(fā)光像素20B、 20G、20R中共用（第一絕緣膜25)。并且，配置在電源線14和像素電極31之間的第一絕緣 層28的膜厚在各發(fā)光像素20B、20G、20R中不同。詳細(xì)而言，在發(fā)光像素20B中，在電源線 14和像素電極31之間配置有由第一絕緣膜25構(gòu)成的膜厚Bdl的第一絕緣層28。在發(fā)光 像素20G中，在電源線14和像素電極31之間配置有由第一絕緣膜25和第二絕緣膜26構(gòu) 成的膜厚Gdl的第一絕緣層28。在發(fā)光像素20R中，在電源線14和像素電極31之間配置 有由第一絕緣膜25、第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27構(gòu)成的膜厚Rdl的第一絕緣層28。
[0172] 這里，在本實施方式中，第一絕緣膜25由氮化硅構(gòu)成，第二絕緣膜26以及第三絕 緣膜27由氧化硅構(gòu)成。而且，通過使配置在中繼電極14c和中繼電極106之間的絕緣膜為 氮化硅，能夠在加工由氧化硅構(gòu)成的第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27時確保針對第一絕 緣膜25的蝕刻的選擇比，從而能夠使加工精度提高，并且能夠使中繼電極14c和像素電極 31可靠地連接。
[0173] 在第一區(qū)域28B中，在膜厚Bdl的第一絕緣層28 (第一絕緣膜25)上設(shè)置有像素 電極31B，像素電極31B與中繼電極106B直接相接。在第二區(qū)域28G中，在膜厚Gdl的第一 絕緣層28(第一絕緣膜25和第二絕緣膜26)上設(shè)置有像素電極31G，像素電極31G經(jīng)由接 觸孔28CT1與中繼電極106G連接。在第三區(qū)域28R中，在膜厚Rdl的第一絕緣層28(第一 絕緣膜25、第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27)上設(shè)置有像素電極31R，像素電極31R經(jīng)由 接觸孔28CT2與中繼電極106R連接。
[0174] 設(shè)置于第一區(qū)域28B的像素電極31B、設(shè)置于第二區(qū)域28G的像素電極31G以及設(shè) 置于第三區(qū)域28R的像素電極31R被第二絕緣層29覆蓋。并且，在第二絕緣層29上依次 設(shè)置有（層疊）發(fā)光功能層32、對置電極33、密封層40以及彩色濾光片50。
[0175] 接下來，參照圖6?圖8對發(fā)光像素20的Y方向的剖面構(gòu)造進行說明。
[0176] 如圖6?圖8所示，在基材IOs設(shè)置有第二晶體管22和第三晶體管23共用的阱 部10w。在該阱部IOw設(shè)置有三個離子注入部10d。三個離子注入部IOd中位于中央側(cè)的 離子注入部IOd作為第二晶體管22和第三晶體管23共用的漏極22d(23d)發(fā)揮作用。設(shè) 置覆蓋該阱部IOw的絕緣膜10a。而且，在絕緣膜IOa上設(shè)置有例如由多晶硅等導(dǎo)電膜構(gòu)成 的柵極電極22g、23g(第二晶體管22的柵極電極22g、第三晶體管23的柵極電極23g)。柵 極電極22g、23g分別被配置為與中央側(cè)的離子注入部IOd和端側(cè)的離子注入部IOd之間的 阱部IOw中的作為溝道發(fā)揮作用的部分對置。
[0177] 接下來，第二晶體管22的柵極電極22g通過貫穿第一層間絕緣膜15和第二層間 絕緣膜16的接觸孔與設(shè)置在第二層間絕緣膜16上的存儲電容24的一方的電極24a連接。 第二晶體管22的源極電極22s通過貫穿第一層間絕緣膜15、第二層間絕緣膜16以及第三 層間絕緣膜17的接觸孔與設(shè)置在第三層間絕緣膜17上的電源線14連接。
[0178] 第三晶體管23的柵極電極23g通過貫穿第一層間絕緣膜15的接觸孔與設(shè)置在第 一層間絕緣膜15上的點亮控制線13連接。在第一層間絕緣膜15上，除了設(shè)置有點亮控制 線13以外還設(shè)置有掃描線11。掃描線11經(jīng)由在圖5中未圖示的接觸孔與第一晶體管21 的柵極連接。
[0179] 第三晶體管23的源極電極23s通過貫穿第一層間絕緣膜15、第二層間絕緣膜16 以及第三層間絕緣膜17的接觸孔與設(shè)置在第三層間絕緣膜17上的中繼電極14c連接。中 繼電極14c被第一絕緣膜25覆蓋，并經(jīng)由接觸孔25CT與設(shè)置在第一絕緣膜25上的中繼電 極106連接。
[0180] 在發(fā)光像素20R中，像素電極31R經(jīng)由設(shè)置于第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27 的接觸孔28CT2與中繼電極106R連接。
[0181] 如圖6所示，第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27除了像素電極31R和中繼電極106R 經(jīng)由接觸孔28CT2連接的接觸區(qū)域之外設(shè)置于發(fā)光像素20R。第一絕緣膜25除了中繼電 極106R和中繼電極14c經(jīng)由接觸孔25CT連接的接觸區(qū)域之外設(shè)置于發(fā)光像素20R。接觸 孔28CT2、中繼電極106R以及接觸孔25CT是本發(fā)明中的"第三連接部"的一個例子。第三 連接部設(shè)置于第三區(qū)域28R(第三層厚的部分）。第三連接部被第一絕緣膜25、第二絕緣膜 26以及第三絕緣膜27包圍。而且，在第三區(qū)域28R(第三層厚的部分），開口 29R(發(fā)光區(qū) 域）在Y方向上排列。另外，第一絕緣膜25、第二絕緣膜26以及第三絕緣膜27被設(shè)置為 填充在第三連接部之間。因此，在開口 29R(發(fā)光區(qū)域）和接觸區(qū)域之間沒有由第一絕緣層 28形成的高低差，與有高低差的情況相比，能夠減小發(fā)光區(qū)域（開口 29R)和接觸區(qū)域（中 繼電極106G)之間的距離DY。換句話說，能夠使開口 29R(發(fā)光區(qū)域）接近圖6的右側(cè)的接 觸區(qū)域。并且，也能夠使開口 29R(發(fā)光區(qū)域）接近圖6的左側(cè)的接觸區(qū)域。因此，能夠增 大開口 29R(發(fā)光區(qū)域）。
[0182] 在發(fā)光像素20G中，像素電極3IG經(jīng)由設(shè)置于第二絕緣膜26的接觸孔28CT1與中 繼電極106G連接。
[0183] 如圖7所示，第二絕緣膜26除了像素電極3IG和中繼電極106G經(jīng)由接觸孔28CT1 連接的接觸區(qū)域之外設(shè)置于發(fā)光像素20G。另外，第一絕緣膜25除了中繼電極106G和中繼 電極14c經(jīng)由接觸孔25CT連接的區(qū)域之外設(shè)置于發(fā)光像素20G。接觸孔28CT1、中繼電極 106G以及接觸孔25CT是本發(fā)明中的"第二連接部"、"第四連接部"的一個例子。第二連接 部以及第四連接部設(shè)置于第二區(qū)域28G(第二層厚的部分）。第二連接部以及第四連接部 被第一絕緣膜25以及第二絕緣膜26包圍。而且，在第二區(qū)域28G(第二層厚的部分），開 口 29G(發(fā)光區(qū)域）在Y方向上排列。另外，第一絕緣膜25以及第二絕緣膜26被設(shè)置為填 充在第二連接部和第四連接部之間。因此，在開口 29G(發(fā)光區(qū)域）和接觸區(qū)域之間沒有由 第一絕緣層28形成的高低差，與有高低差的情況相比能夠減小發(fā)光區(qū)域（開口 29G)和接 觸區(qū)域（中繼電極106G)之間的距離DY。換句話說，能夠使開口 29G(發(fā)光區(qū)域）接近圖7 的右側(cè)的接觸區(qū)域。并且，也能夠使開口 29G(發(fā)光區(qū)域）接近圖7的左側(cè)的接觸區(qū)域。因 此，能夠增大開口 29G(發(fā)光區(qū)域）。
[0184] 在發(fā)光像素20B中，像素電極31B與中繼電極106B直接相接。
[0185] 如圖8所示，除了中繼電極106B和中繼電極14c經(jīng)由接觸孔25CT連接的接觸區(qū) 域之外，設(shè)置第一絕緣膜25。接觸孔25CT、中繼電極106B是本發(fā)明中的"第一連接部"的一 個例子。第一連接部被設(shè)置于第一區(qū)域（第一層厚的部分）。第二連接部被第一絕緣膜25 以及第二絕緣膜26包圍。而且，在第一區(qū)域（第一層厚的部分），開口 29B(發(fā)光區(qū)域）在 Y方向上排列。另外，第一絕緣膜25被設(shè)置為填充第一連接部之間。因此，在開口 29B(發(fā) 光區(qū)域）和接觸區(qū)域之間沒有由第一絕緣層28形成的高低差，與有高低差的情況相比，能 夠減小發(fā)光區(qū)域（開口 29B)和接觸區(qū)域（中繼電極106G)之間的距離DY。換句話說，能 夠使開口 29B(發(fā)光區(qū)域）接近圖8的右側(cè)的接觸區(qū)域。并且，也能夠使開口 29R(發(fā)光區(qū) 域）接近圖8的左側(cè)的接觸區(qū)域。因此，能夠增大開口 29B(發(fā)光區(qū)域）。
[0186] 在像素電極31上依次層疊有第二絕緣層29、發(fā)光功能層32、對置電極33、密封層 40以及彩色濾光片50。
[0187] 光共振構(gòu)造
[0188] 在發(fā)光區(qū)域（開口 29B、29G、29R)層疊有具有光反射性的電源線14、第一絕緣層 28、像素電極31、發(fā)光功能層32以及具有光反射性和光透過性的對置電極33。通過這樣的 構(gòu)成，使在發(fā)光功能層32發(fā)出的光在電源線14和對置電極33之間往復(fù)（反射），并使特定 波長的光共振。由此，特定波長的光與其他的波長區(qū)域相比被增強，并從有機EL元件30射 出。并且，特定波長的光從由電源線14朝向?qū)χ秒姌O33的方向即從密封基板70作為顯示 光射出。像這樣，有機EL裝置100具有由電源線14、第一絕緣層28、像素電極31、發(fā)光功能 層32以及對置電極33構(gòu)成的光共振構(gòu)造，具有有選擇地增強特定波長的光，提高從發(fā)光像 素20發(fā)出的光的顏色純度的結(jié)構(gòu)。
[0189] 以下對光共振構(gòu)造的概要進行說明。
[0190] 第一絕緣層28具有調(diào)整電源線14和對置電極33之間的光路長（光學(xué)距離）的 作用，共振波長根據(jù)第一絕緣層28的膜厚而變化。詳細(xì)而言，若將從電源線14至對置電極 33的光學(xué)距離設(shè)為D，將在反射層處的反射的相移設(shè)為(pL?將在對置電極33處的反射的相 移設(shè)為<pU，將駐波的峰值波長設(shè)為λ，將整數(shù)設(shè)為m，則光學(xué)距離D滿足下述的式（1)。
[0191]

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括： 晶體管； 光反射層，其設(shè)置于所述晶體管的上方； 第一絕緣層，其覆蓋所述光反射層，并具有第一層厚的部分、比所述第一層厚的部分厚 的第二層厚的部分以及比所述第二層厚的部分厚的第三層厚的部分； 像素電極，其設(shè)置在所述第一絕緣層上且具有光透過性； 第二絕緣層，其覆蓋所述像素電極的周邊部； 發(fā)光功能層，其覆蓋所述像素電極以及所述第二絕緣層； 對置電極，其覆蓋所述發(fā)光功能層，并具有光反射性和光透過性；以及 導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述第一層厚的部分上，該導(dǎo)電層的至少一部分與所述像素電極平 面重疊， 所述像素電極具有設(shè)置于所述第一層厚的部分的第一像素電極、設(shè)置于所述第二層厚 的部分的第二像素電極、以及設(shè)置于所述第三層厚的部分的第三像素電極， 所述第一像素電極、所述第二像素電極以及所述第三像素電極經(jīng)由所述導(dǎo)電層與所述 晶體管連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一絕緣層具有從所述反射層的一側(cè)依次層疊的第一絕緣膜、第二絕緣膜以及第 三絕緣膜， 所述第一絕緣膜具有所述第一層厚， 層疊有所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的部分具有所述第二層厚， 層疊有所述第一絕緣膜、所述第二絕緣膜以及所述第三絕緣膜的部分具有所述第三層 厚， 所述導(dǎo)電層具有第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及第三導(dǎo)電層， 所述第一像素電極與所述第一導(dǎo)電層直接相接， 所述第二像素電極經(jīng)由貫穿所述第二絕緣膜的第一接觸孔與所述第二導(dǎo)電層連接， 所述第三像素電極經(jīng)由貫穿所述第二絕緣膜以及所述第三絕緣膜的第二接觸孔與所 述第三導(dǎo)電層連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一像素電極設(shè)置在所述第一層厚的部分中，所述第二像素電極設(shè)置在所述第二 層厚的部分中。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1?3中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一像素電極、所述第二像素電極以及所述第三像素電極在第一方向上排列而配 置， 所述第一層厚的部分以及所述第二層厚的部分呈在與所述第一方向交差的第二方向 上延伸的矩形形狀。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一絕緣層具有依次層疊在所述光反射層的一側(cè)的第一絕緣膜和有機絕緣層， 所述有機絕緣層具有第一平坦部和比所述第一平坦部厚的第二平坦部， 所述第一絕緣膜具有所述第一層厚， 層疊有所述第一絕緣膜和所述第一平坦部的部分具有所述第二層厚， 層疊有所述第一絕緣膜和所述第二平坦部的部分具有所述第三層厚， 所述導(dǎo)電層具有第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層以及第三導(dǎo)電層， 所述第一像素電極與所述第一導(dǎo)電層直接相接， 所述第二像素電極經(jīng)由貫穿所述第一平坦部的第一接觸孔與所述第二導(dǎo)電層連接， 所述第三像素電極經(jīng)由貫穿所述第二平坦部的第二接觸孔與所述第三導(dǎo)電層連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述有機絕緣層具有使用感光性樹脂材料形成的第一有機絕緣膜和第二有機絕緣膜， 所述第一平坦部由所述第一有機絕緣膜構(gòu)成，所述第二平坦部由所述第一有機絕緣膜 和所述第二有機絕緣膜構(gòu)成。
7. -種發(fā)光裝置，其特征在于，具備： 第一晶體管； 第二晶體管； 第三晶體管； 光反射層，其設(shè)置在所述第一晶體管、第二晶體管以及第三晶體管的上方； 第一絕緣層，其覆蓋所述光反射層，并具有第一層厚的部分、比所述第一層厚的部分厚 的第二層厚的部分以及比所述第二層厚的部分厚的第三層厚的部分； 第一像素電極，其設(shè)置在所述第一層厚的部分上； 第一中繼電極，其與所述第一晶體管電連接； 第二像素電極，其設(shè)置在所述第二層厚的部分上； 第二中繼電極，其與所述第二晶體管電連接； 第三像素電極，其設(shè)置在所述第三層厚的部分上； 第三中繼電極，其與所述第三晶體管電連接； 對置電極；以及 發(fā)光功能層，其設(shè)置在所述第一像素電極和對置電極之間、所述第二像素電極和對置 電極之間以及所述第三像素電極和對置電極之間， 所述第一中繼電極經(jīng)由設(shè)置在所述第一層厚的部分的第一連接部與所述第一像素電 極連接， 所述第二中繼電極經(jīng)由設(shè)置在所述第二層厚的部分的第二連接部與所述第二像素電 極連接， 所述第三中繼電極經(jīng)由設(shè)置在所述第三層厚的部分的第三連接部與所述第三像素電 極連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 還具備在所述第一像素電極上規(guī)定第一發(fā)光區(qū)域，在所述第二像素電極上規(guī)定第二發(fā) 光區(qū)域，在所述第三像素電極上規(guī)定第三發(fā)光區(qū)域的第二絕緣層， 所述第一發(fā)光區(qū)域設(shè)置在所述第一層厚的部分上， 所述第二發(fā)光區(qū)域設(shè)置在所述第二層厚的部分上， 所述第三發(fā)光區(qū)域設(shè)置在所述第三層厚的部分上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一層厚的部分被設(shè)置為從所述第一發(fā)光區(qū)域至所述第一連接部， 所述第二層厚的部分被設(shè)置為從所述第二發(fā)光區(qū)域至所述第二連接部， 所述第三層厚的部分被設(shè)置為從所述第三發(fā)光區(qū)域至所述第三連接部。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 還具備第四發(fā)光區(qū)域， 所述第二層厚的部分跨所述第二發(fā)光區(qū)域以及所述第四發(fā)光區(qū)域而設(shè)置。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7?10中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一層厚的部分被設(shè)置為包圍所述第一連接部， 所述第二層厚的部分被設(shè)置為包圍所述第二連接部， 所述第三層厚的部分被設(shè)置為包圍所述第三連接部。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7?11中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一絕緣層具有從所述反射層的一側(cè)依次層疊的第一絕緣膜、第二絕緣膜以及第 三絕緣膜， 所述第一連接部具有經(jīng)由貫穿所述第一絕緣膜的第一接觸孔與所述第一中繼電極連 接且與所述第一像素電極相接的第一導(dǎo)電層， 所述第二連接部具有經(jīng)由貫穿所述第一絕緣膜的第二接觸孔與所述第二中繼電極連 接且經(jīng)由貫穿所述第二絕緣膜的第三接觸孔與所述第二像素電極連接的第二導(dǎo)電層， 所述第三連接部具有經(jīng)由貫穿所述第一絕緣膜的第四接觸孔與所述第三中繼電極連 接且經(jīng)由貫穿所述第二絕緣膜以及所述第三絕緣膜的第五接觸孔與所述第三像素電極連 接的第三導(dǎo)電層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還具備： 第四晶體管； 第四像素電極，其設(shè)置在所述第二層厚的部分上；以及 第四中繼電極，其與所述第四晶體管電連接， 所述第四中繼電極經(jīng)由設(shè)置在所述第二層厚的部分的第四連接部與所述第四像素電 極連接， 所述第一絕緣膜以及所述第二絕緣膜被設(shè)置為填充在所述第二連接部和所述第四連 接部之間。
14. 一種電子設(shè)備，其特征在于， 具備權(quán)利要求1?13的任意一項中所述的發(fā)光裝置。
15. -種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 所述發(fā)光裝置包括：晶體管；光反射層，其設(shè)置于所述晶體管的上方；第一絕緣層，其 覆蓋所述光反射層，并具有第一層厚的部分、第二層厚的部分以及第三層厚的部分；像素電 極，其設(shè)置在所述第一層厚的部分上；第二絕緣層，其覆蓋所述像素電極的周邊部；發(fā)光功 能層，其覆蓋所述像素電極以及所述第二絕緣層；對置電極，其覆蓋所述發(fā)光功能層；以及 導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述第一層厚的部分上，所述像素電極具有設(shè)置在所述第一層厚的部分 的第一像素電極、設(shè)置在所述第二層厚的部分的第二像素電極以及設(shè)置在所述第三層厚的 部分的第三像素電極， 所述第一像素電極、所述第二像素電極以及所述第三像素電極經(jīng)由所述導(dǎo)電層與所述 晶體管連接， 所述發(fā)光裝置的制造方法，具備： 形成所述光反射層的工序； 使第一絕緣膜形成為所述第一層厚的工序； 形成所述導(dǎo)電層的工序； 在與所述第一絕緣膜之間使第二絕緣膜形成為所述第二層厚的工序； 在與所述第一絕緣膜以及所述第二絕緣膜之間使第三絕緣膜形成為所述第三層厚的 工序； 對所述第二絕緣膜以及所述第三絕緣膜進行圖案化，來形成具有所述第一層厚的部 分、所述第二層厚的部分以及所述第三層厚的部分的所述第一絕緣層的工序； 在所述第二層厚的部分形成使所述導(dǎo)電層的一部分露出的第一接觸孔，在所述第三層 厚的部分形成使所述導(dǎo)電層的一部分露出的第二接觸孔的工序；以及 在所述第一層厚的部分形成與所述導(dǎo)電層局部重疊的所述第一像素電極，在所述第二 層厚的部分形成覆蓋所述第一接觸孔的所述第二像素電極，在所述第三層厚的部分形成覆 蓋所述第二接觸孔的所述第三像素電極的工序。
【文檔編號】H01L51/56GK104425556SQ201410422912
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月27日
【發(fā)明者】腰原健, 野澤陵一 申請人:精工愛普生株式會社