薄膜封裝層制造設(shè)備及使用其制造顯示設(shè)備的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了薄膜封裝層制造設(shè)備，其可包括傳送腔室、濺射腔室、單體沉積腔室、化學氣相沉積(CVD)腔室和原子層沉積(ALD)腔室。傳送腔室可連接至其它腔室中的每個，并且可被配置成對齊襯底。其它腔室中的每個可被配置成從傳送腔室接收襯底和向傳送腔室傳送襯底。濺射腔室可被配置成通過濺射工藝將第一無機層形成在襯底上。單體沉積腔室可被配置成將第一有機層沉積在第一無機層上。CVD腔室可被配置成將第二無機層形成在第一有機層上。ALD腔室可被配置成將第三無機層形成在第二無機層上。
【專利說明】薄膜封裝層制造設(shè)備及使用其制造顯示設(shè)備的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年8月16日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的、題為“薄膜封裝層制造設(shè)備及使用其制造顯示設(shè)備的方法”的第10-2013-0097323號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該申請通過弓I用整體地并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明實施方式涉及設(shè)備和制造方法，例如，薄膜封裝層制造設(shè)備及使用其制造顯示設(shè)備的方法。

【背景技術(shù)】
[0004]移動電子裝置被廣泛使用，包括如移動電話和平板電腦的小型電子裝置。這種移動電子裝置包括用于支持多種功能和提供如圖像或視頻的視覺信息的顯示設(shè)備。隨著用于操作顯示設(shè)備的隔間被小型化，電子裝置中的顯示器的作用增加。已研制成具有能夠從平坦狀態(tài)彎曲成預(yù)定角度的結(jié)構(gòu)的顯示設(shè)備。例如，顯示設(shè)備的發(fā)光單元考慮到使用壽命等而可用多層薄膜進行封裝。在封裝工藝中，薄膜封裝層可利用多種方法通過交替地堆疊有機層和無機層而形成。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實施方式涉及薄膜封裝層制造設(shè)備，其包括第一傳送腔室、濺射腔室、單體沉積腔室、化學氣相沉積(CVD)腔室和原子層沉積(ALD)腔室。第一傳送腔室可被配置成對齊襯底。濺射腔室可連接至第一傳送腔室，配置成從第一傳送腔室接收襯底，并且通過濺射工藝將第一無機層形成在襯底上。單體沉積腔室可連接至第一傳送腔室，并且配置成從第一傳送腔室接收襯底，并且將第一有機層形成在第一無機層上?；瘜W氣相沉積(CVD)腔室連接至第一傳送腔室，并且配置成從第一傳送腔室接收襯底，并且將第二無機層形成在第一有機層上。原子層沉積(ALD)腔室可連接至第一傳送腔室，并且配置成從第一傳送腔室接收襯底，并且將第三無機層形成在第二無機層上。
[0006]濺射腔室和單體沉積腔室可被配置成分別向下沉積第一無機層和第一有機層?；瘜W氣相沉積腔室和原子層沉積腔室可被配置成分別向上沉積第二無機層和第三無機層。
[0007]薄膜封裝層制造設(shè)備還可包括第一翻轉(zhuǎn)腔室，第一翻轉(zhuǎn)腔室連接至第一傳送腔室，并且配置成從第一傳送腔室接收襯底、反轉(zhuǎn)襯底、以及將襯底傳送至第一傳送腔室。第一翻轉(zhuǎn)腔室可包括第一腔體單元，第一腔體單元具有形成在其中的空間和配置成用于襯底的插入或撤出的開口。位于第一腔體單元內(nèi)的第一夾持單元可被配置成夾持或釋放襯底。襯底旋轉(zhuǎn)單元可被配置成旋轉(zhuǎn)由第一夾持單元夾持的襯底。第一夾持單元可被配置成在第一方向上被驅(qū)動，襯底旋轉(zhuǎn)單元可被配置成在垂直于第一方向的第二方向上被驅(qū)動。第一翻轉(zhuǎn)腔室還可包括位于配置成可旋轉(zhuǎn)地開啟和關(guān)閉開口的第一腔體單元中的第一門。
[0008]薄膜封裝層制造設(shè)備可包括第一傳送腔室、濺射腔室、單體沉積腔室、第二傳送腔室、化學氣相沉積(CVD)腔室和原子層沉積(ALD)腔室。第一傳送腔室可被配置成對齊襯底。濺射腔室可連接至第一傳送腔室，并且配置成從第一傳送腔室接收襯底并通過濺射工藝將第一無機層形成在襯底上。單體沉積腔室可連接至第一傳送腔室，并且配置成從第一傳送腔室接收襯底并將第一有機層沉積在第一無機層上。第二傳送腔室可連接至第一傳送腔室，并且配置成對齊襯底?；瘜W氣相沉積(CVD)腔室可連接至第二傳送腔室，并且配置成從第二傳送腔室接收襯底并且將第二無機層形成在第一有機層上。原子層沉積(ALD)腔室可連接至第二傳送腔室，并且配置成從第二傳送腔室接收襯底并將第三無機層形成在第二無機層上。
[0009]薄膜封裝層制造設(shè)備還可以包括第一翻轉(zhuǎn)腔室，用于連接第一傳送腔室和第二傳送腔室，并且配置成從第一傳送腔室接收襯底、反轉(zhuǎn)襯底、以及將襯底傳送至第二傳送腔室。第一翻轉(zhuǎn)腔室可包括第一腔體單元，第一腔體單元具有形成在其中的空間和配置成用于襯底的插入或撤出的開口。位于第一腔體單元內(nèi)的第一夾持單元可被配置成夾持或釋放襯底。襯底旋轉(zhuǎn)單元可被配置成旋轉(zhuǎn)由第一夾持單元夾持的襯底。
[0010]薄膜封裝層制造設(shè)備還可包括第二翻轉(zhuǎn)腔室，第二翻轉(zhuǎn)腔室連接至第二傳送腔室，并且配置成從第二傳送腔室接收襯底、反轉(zhuǎn)襯底、以及將襯底傳送至第二傳送腔室。第二翻轉(zhuǎn)腔室可包括第二腔體單元、第二夾持單元以及第二襯底旋轉(zhuǎn)單元，第二腔體單元具有形成在其中的空間和配置成用于襯底的插入或撤出的第二開口，位于第二腔體單元內(nèi)的第二夾持單元配置成夾持或釋放襯底，第二襯底旋轉(zhuǎn)單元配置成旋轉(zhuǎn)由第二夾持單元的襯
。
[0011]濺射腔室和單體沉積腔室可被布置在第一傳送腔室的第一周邊周圍以限定第一簇。CVD腔室和ALD腔室可被布置在第二傳送腔室的第二周邊周圍以限定第二簇。
[0012]用于制造顯示設(shè)備的方法可包括以下步驟?？稍跒R射腔室中通過濺射工藝將第一無機層形成在襯底上?？蓪⒁r底從濺射腔室傳送至單體沉積腔室中?？稍趩误w沉積腔室中通過單體沉積工藝將第一有機層形成在第一無機層上?？蓪⒁r底從單體沉積腔室傳送到化學氣相沉積(CVD)腔室中?？稍贑VD腔室中通過CVD工藝將第二無機層形成在第一有機層上?？蓪⒁r底從CVD腔室傳送至原子層沉積(ALD)腔室中。可在ALD腔室中通過ALD工藝將第三無機層形成在第二無機層上。
[0013]傳送步驟可使用至少一個傳送腔室進行。襯底可在第一翻轉(zhuǎn)腔室中反轉(zhuǎn)、傳送到至少一個傳送腔室中、以及傳送到化學氣相沉積腔室中。第一無機層和第一有機層可通過向下沉積形成。第二無機層和第三無機層可通過向上沉積形成。
[0014]該方法還可包括在第一有機層的形成后反轉(zhuǎn)襯底。該方法還可包括在第三無機層的形成后反轉(zhuǎn)襯底。該方法可使用本文中描述的薄膜封裝層制造設(shè)備進行。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]通過參照附圖對示例性實施方式進行詳細描述，本發(fā)明的特征對本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言將變得顯而易見，在附圖中:
[0016]圖1示出了薄膜封裝層制造設(shè)備的示意圖；
[0017]圖2示出了使用圖1所示薄膜封裝層制造設(shè)備制造的顯示設(shè)備的剖視圖；
[0018]圖3示出了圖1所示第一翻轉(zhuǎn)腔室的示意圖；以及
[0019]圖4示出了薄膜封裝層制造設(shè)備的示意圖。

【具體實施方式】
[0020]下文中將參照附圖對本發(fā)明的示例性實施方式進行更加完整的描述，然而它們可以不同的形式來實現(xiàn)并且不應(yīng)被解釋成受限于本文中所記載的實施方式。相反，這些實施方式被提供成使得本公開將是徹底和完整的，并且將示例性實現(xiàn)方式充分傳遞給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。為了說明的清晰，在附圖中層和區(qū)域的尺寸可被夸大。雖然本文中可使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述多種部件，但是這些部件不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用于區(qū)分開一個部件與另一部件。除非上下文中另有明確指示，否則如本文所使用的單數(shù)形式旨在包括復(fù)數(shù)形式。本文中使用的術(shù)語“包括(comprises) ”和/或“包括有(comprising)”是指所述的特征或部件在多種實施方式中的存在，而不是排除一個或多個其它特征或部件在多種實施方式中的存在或附加。
[0021]當層、區(qū)域或部件被稱為“形成在”另一層、區(qū)域或部件“上”時，其可以直接或間接地形成在其它層、區(qū)域或部件上。也就是說，例如，可存在有中間層、區(qū)域或部件。為了解釋的便利，元件在附圖中的尺寸可被夸大。因為部件在附圖中的尺寸和厚度為了解釋的便利而任意示出，所以下面的實施方式并不限于此。當特定實施方式可被不同地實現(xiàn)時，具體的工藝順序能夠以與所描述的順序不同的順序進行。例如，兩個連續(xù)描述的工藝可基本同時進行或者以與所描述的順序相反的順序進行。
[0022]圖1示出了薄膜封裝層制造設(shè)備100的示意圖。圖2示出了可使用圖1所示薄膜封裝層制造設(shè)備100制造的顯示設(shè)備200的剖視圖。圖3示出了圖1所示第一翻轉(zhuǎn)腔室140的示意圖。參照圖1至圖3，薄膜封裝層制造設(shè)備100可形成單個簇，并且可在形成有發(fā)光單元220的襯底210上形成薄膜封裝層230。
[0023]薄膜封裝層制造設(shè)備100可包括裝載腔室110，形成有發(fā)光單元220的襯底210從設(shè)備的外側(cè)導(dǎo)入到該裝載腔室110中。裝載腔室110可存儲形成有發(fā)光單元220的襯底210，并將襯底210裝載至第一緩沖腔室120。薄膜封裝層制造設(shè)備100可包括連接至裝載腔室110的第一緩沖腔室120。第一緩沖腔室120可設(shè)置有傳送裝置或載體以移動形成有發(fā)光單元220的襯底210。
[0024]薄膜封裝層制造設(shè)備100可包括連接至第一緩沖腔室120的第一簇130。第一簇130可包括第一傳送腔室131。第一簇130可包括連接至第一傳送腔室131的濺射腔室132以通過濺射工藝形成第一無機層231。第一簇130可包括連接至第一傳送腔室131的單體沉積腔室134以通過閃蒸工藝形成第一有機層232。單體沉積腔室134可以通過閃蒸器形成第一有機層232。
[0025]第一簇130可包括連接至第一傳送腔室131的化學氣相沉積腔室136以通過化學氣相沉積工藝形成第二無機層233?；瘜W氣相沉積腔室136可通過執(zhí)行常用的化學氣相沉積(CVD)工藝或等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝形成第二無機層233。第一簇130可包括連接至第一傳送腔室131的原子層沉積腔室137以通過原子層沉積(ALD)工藝形成第三無機層234。
[0026]第一簇130可包括第一掩模存儲腔室,第一掩模存儲腔室存儲用于可在濺射腔室132、單體沉積腔室134、CVD腔室136和ALD腔室137中的至少一個中進行的沉積工藝的掩模。第一掩模存儲腔室133可設(shè)置有多個，并且多個第一掩模存儲腔室133中的每個可單獨地存儲用于濺射腔室132、單體沉積腔室134、CVD腔室136和ALD腔室137的掩模。然而，為了解釋的便利，將主要參照第一掩模存儲腔室133存儲用于濺射腔室132、單體沉積腔室134、CVD腔室136和ALD腔室137的所有掩模的情況來進行詳細描述。
[0027]第一簇130可包括連接至第一傳送腔室131的第二緩沖腔室135。第二緩沖腔室135可臨時存儲形成有發(fā)光單元220的襯底210，或者可在其它腔室的內(nèi)壓與工藝壓力不同時控制其內(nèi)部壓力。
[0028]第一簇130可包括第一翻轉(zhuǎn)腔室140，第一翻轉(zhuǎn)腔室140連接至第一傳送腔室131并用于反轉(zhuǎn)形成有發(fā)光單元220的襯底210。第一翻轉(zhuǎn)腔室140可包括第一腔體單元141，第一腔體單元141具有形成在其中的空間。第一腔體單元141可具有開口，形成有發(fā)光單元220的襯底210通過該開口導(dǎo)入。第一翻轉(zhuǎn)腔室140可包括第一門142，第一門142被安裝在第一腔體單元141中以開啟/關(guān)閉開口。第一翻轉(zhuǎn)腔室140可包括第一夾持單元143，第一夾持單元143可被安裝在第一腔體單元141內(nèi)以夾持或松開襯底210。
[0029]第一夾持單元143可包括第一夾鉗143a和第二夾鉗143b，第一夾鉗143a用于支承襯底210，第二夾鉗143b設(shè)置成面向第一夾鉗143a并且可移動地安裝在第一腔體單元141的內(nèi)表面上。第一夾持單元143可包括第一線性驅(qū)動單元143c，第一線性驅(qū)動單元143c用于選擇性地線性移動第一夾鉗143a或第二夾鉗143b。第一線性驅(qū)動單元143c可不同地形成。例如，第一線性驅(qū)動單元143c可設(shè)置有第一電機、可通過第一電機的轉(zhuǎn)動而線性移動的第一線性移動構(gòu)件、和連接至第一線性移動構(gòu)件和第一夾鉗143a或者連接至第一線性移動構(gòu)件和第二夾鉗143b的第一連接構(gòu)件143e。第一連接構(gòu)件143e和第一線性移動構(gòu)件可被連接成能夠選擇性地分離。第一線性驅(qū)動單元143c可包括第一氣缸143d和選擇性地接合至第一氣缸143d的第一連接構(gòu)件143e。
[0030]第一線性驅(qū)動單元143c可具有其它配置，并且可包括用于選擇性地線性移動第一夾鉗143a或第二夾鉗143b的任意或所有設(shè)備。為了解釋的便利，將主要參照第一線性驅(qū)動單元143c包括第一氣缸143d和第一連接構(gòu)件143e的情況來進行詳細描述。第一翻轉(zhuǎn)腔室140可包括襯底旋轉(zhuǎn)單元144,襯底旋轉(zhuǎn)單元144用于旋轉(zhuǎn)由第一夾持單元143夾持的襯底210。第一夾持單元143可在第一方向上被驅(qū)動，并且襯底旋轉(zhuǎn)單元144可在垂直于第一方向的第二方向上被驅(qū)動。襯底旋轉(zhuǎn)單元144可包括第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元144a以旋轉(zhuǎn)襯底210。第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元144a可設(shè)置有用于產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)力的電機。襯底旋轉(zhuǎn)單元144可設(shè)置有第一施力單元144b,第一施力單元144b通過第一旋轉(zhuǎn)軸與第一夾鉗143a和第二夾鉗143b中的一個接觸。第一施力單元144b可設(shè)置有氣缸，并且通過利用氣缸改變其長度而由第一旋轉(zhuǎn)軸與第一夾鉗143a和第二夾鉗143b中的一個接觸。
[0031]薄膜封裝層制造設(shè)備100可包括卸載腔室，卸載腔室可從第一傳送腔室131接收襯底210并且將襯底210卸載至設(shè)備的外側(cè)。卸載腔室可與裝載腔室110整體地形成，或者與裝載腔室110分離地形成。在卸載腔室與裝載腔室110分離地形成的情況下，例如，卸載腔室可連接至第一傳送腔室131和第三緩沖腔室，或者可連接至第二緩沖腔室135。然而，為了解釋的便利，將主要參照卸載腔室與裝載腔室110整體地形成的情況來進行詳細描述。
[0032]顯示設(shè)備200可通過使用薄膜封裝層制造設(shè)備100將薄膜封裝層230形成在形成有發(fā)光單元220的襯底210上而制成。顯示設(shè)備200可以多種形式形成。例如，顯示設(shè)備200可包括液晶顯示設(shè)備、等離子顯示設(shè)備、有機發(fā)光顯示設(shè)備等。然而，為了解釋的便利，將主要參照顯示設(shè)備200包括有機發(fā)光顯示設(shè)備的情況來進行詳細描述。
[0033]首先，發(fā)光單元220可被形成在襯底210上。發(fā)光單元220可包括薄膜晶體管(TFT)、用于覆蓋TFT的鈍化層221、和形成在鈍化層221上的有機發(fā)光顯示器件(OLED) 228。襯底210可包括，例如，玻璃材料，并且襯底210可包括，例如，塑料材料、或者如不銹鋼(SUS)或鈦(Ti)的金屬材料。包括有機化合物和/或無機化合物(如Si0x(x ^ D或SiNx(x彡D)的緩沖層222進一步被形成在襯底210上。
[0034]具有預(yù)定圖案的有源層223被形成在緩沖層222上，然后被柵極絕緣層224掩埋。有源層223可包括源區(qū)域223a、漏區(qū)域223c和位于源區(qū)域223a與漏區(qū)域223c之間的溝道區(qū)域223b。有源層223可包括多種材料。例如，有源層223可包括如非晶硅或晶體硅的無機半導(dǎo)體材料。有源層223可包括氧化物半導(dǎo)體材料。有源層223可包括有機半導(dǎo)體材料。然而，為了解釋的便利，將主要參照有源層223由非晶硅形成的情況來進行詳細描述。有源層223可通過將非晶硅層形成在緩沖層222上、結(jié)晶化非晶硅層以形成多晶硅層、以及圖案化多晶硅層而形成。有源層223的源區(qū)域223a和漏區(qū)域223c可根據(jù)TFT的類型而摻雜有雜質(zhì)，例如，根據(jù)TFT是驅(qū)動TFT還是開關(guān)TFT。
[0035]與有源層223對應(yīng)的柵極225和用于覆蓋有源層223的層間絕緣層226可被形成在柵極絕緣層224上。接觸孔可被形成在層間絕緣層226和柵極絕緣層224中，然后源極227a和漏極227b可被形成在層間絕緣層226上以使得源極227a和漏極227b分別與源區(qū)域223a和漏區(qū)域223c接觸。因為反射層在源極227a和漏極227b形成時一同形成，所以源極227a和漏極227b可由具有良好的導(dǎo)電性的材料形成為具有能夠反射光的厚度。
[0036]鈍化層221可被形成在薄膜晶體管和反射層上，并且0LED228的像素電極228a可被形成在鈍化層221上。像素電極228a可通過形成在鈍化層221中的通孔與漏極227b接觸。鈍化層221可由無機材料和/或有機材料形成，由單層或雙層或多層形成，并且可由用于平坦化其頂部表面的平坦化層形成而無論下方層的彎曲狀態(tài)如何，或者與下方層的彎曲狀態(tài)共形地形成。鈍化層221可由透明絕緣材料形成以獲取共振效果。
[0037]在像素電極228a被形成在鈍化層221上后，像素限定層229可由有機材料和/或無機材料形成以覆蓋像素電極228a和鈍化層221,然后可被開口以暴露像素電極228a。中間層228b和相對電極228c可至少被形成在像素電極228a上。像素電極228a可充當陽極，相對電極228c可充當陰極，反之亦然。像素電極228a和相對電極228c可通過中間層228b而彼此絕緣，并且有機發(fā)射層可在具有彼此不同電勢的電壓被施加到中間層228b時發(fā)光。中間層228b可包括有機發(fā)射層。中間層228b可包括，例如，有機發(fā)射層，并且還可包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(HIL)中的至少一個。中間層228b可包括無機發(fā)射層，并且還可包括其它多種功能層。
[0038]單元像素可包括多個子像素，多個子像素可發(fā)出多種顏色的光。例如，單元像素可包括發(fā)出紅色、綠色和藍色光的子像素，或者發(fā)出紅色、綠色、藍色和白色光的子像素。子像素可包括具有用于發(fā)出多種顏色的光的有機發(fā)射層的中間層228b。例如，子像素可包括具有用于發(fā)出紅色、綠色和藍色光的有機發(fā)射層的中間層。可發(fā)出多種顏色的光的子像素可包括用于發(fā)出相同顏色的光(例如，白色)的中間層，并且可包括可將白光轉(zhuǎn)換成預(yù)定顏色光的顏色轉(zhuǎn)換層或彩色濾光器。
[0039]用于發(fā)出白光的中間層228b可具有多種結(jié)構(gòu)，例如，至少將用于發(fā)出紅光的發(fā)光物質(zhì)、用于發(fā)出綠光的發(fā)光物質(zhì)和用于發(fā)出藍光的發(fā)光物質(zhì)彼此堆疊的結(jié)構(gòu)。中間層可包括至少將用于發(fā)出紅光的發(fā)光物質(zhì)、用于發(fā)出綠光的發(fā)光物質(zhì)和用于發(fā)出藍光的發(fā)光物質(zhì)混合的結(jié)構(gòu)。紅色、綠色和藍色是示例性的；其它顏色可以以任何合適的組合和/或數(shù)量附加地或可選地使用。換言之，除了紅色、綠色和藍色的組合以外，可采用能夠發(fā)出白光的其它多種顏色的任何組合。
[0040]在形成有發(fā)光單元220的襯底210被制備后，襯底210可導(dǎo)入薄膜封裝層制造設(shè)備100中以形成薄膜封裝層230。薄膜封裝層230可包括多個無機層，或者無機層和有機層。薄膜封裝層230的有機層可由聚合物形成，并且可以是由聚對苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任一個形成的單層或堆疊層。有機層可由聚丙烯酸酯形成，詳細地，可包括包含二丙烯酸酯系單體和三丙烯酸酯系單體的聚合單體成分。單體成分還可包括單丙烯酸酯系單體。單體成分還可包括，例如，合適的光引發(fā)劑，諸如，三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦(TPO)。
[0041]薄膜封裝層230的無機層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆疊層。詳細地，無機層可包括SiNx、A1203、S12和T12中的任一個。被暴露到外側(cè)的薄膜封裝層230的頂層可由無機層形成，以防止?jié)駳鉂B入到有機發(fā)光顯示器件中。薄膜封裝層230可包括至少一個有機層被介入到至少兩個無機層之間的至少一個夾層結(jié)構(gòu)。薄膜封裝層230可包括至少一個無機層被介入到至少兩個有機層之間的至少一個夾層結(jié)構(gòu)。薄膜封裝層230可包括至少一個有機層被介入到至少兩個無機層之間的夾層結(jié)構(gòu)和至少一個無機層被介入到至少兩個有機層之間的夾層結(jié)構(gòu)。薄膜封裝層230可包括從有機發(fā)光顯示器件(OLED) 228的頂部依次形成的第一無機層231、第一有機層232和第二無機層233。薄膜封裝層230可包括從0LED228的頂部依次形成的第一無機層231、第一有機層232、第二無機層233、第二有機層和第三無機層234。薄膜封裝層230可包括從0LED228的頂部依次形成的第一無機層231、第一有機層232、第二無機層233、第二有機層、第三無機層234、第三有機層和第四無機層。薄膜封裝層230可包括從0LED228的頂部依次形成的第一無機層231、第一有機層232、第二無機層233和第三無機層234。
[0042]為了解釋的便利，將主要參照薄膜封裝層230包括第一無機層231、第一有機層232、第二無機層233和第三無機層234的情況來進行詳細描述。包括氟化鋰(LiF)的鹵化金屬層可附加地被包括在0LED228與第一無機層231之間。鹵化金屬層可防止0LED228在第一無機層231以濺射方法形成時受損。第一有機層232可小于第二無機層233，第二有機層可小于第三無機層234。第一有機層232可被第二無機層233完全覆蓋，第二有機層可被第二無機層234完全覆蓋。
[0043]為了解釋的便利，將主要參照薄膜封裝層230包括依次形成的第一無機層231、第一有機層232、第二無機層233和第三無機層234的情況來進行詳細描述。用于形成薄膜封裝層(例如，薄膜封裝層230)的方法可包括以下步驟。在薄膜封裝層制造設(shè)備100維持在如5E-4Pa或更小的真空度后，可使用機械臂將掩模從第一掩模存儲腔室133傳送至濺射腔室132、單體沉積腔室134、CVD腔室136和ALD腔室，然后安裝在每個腔室內(nèi)。掩?？稍谶M行工藝前提前供給到相應(yīng)腔室。然而，為了解釋的便利，將參照掩模提前供給到相應(yīng)腔室的情況來進行詳細描述。
[0044]然后，襯底210可從外側(cè)導(dǎo)入裝載腔室110中。此時，襯底可處于可形成有發(fā)光單元220的狀態(tài)。當襯底210被導(dǎo)入時，例如，裝載腔室110可將襯底210傳送至第一緩沖腔室120中。襯底210被傳送至第一緩沖腔室120前，裝載腔室110和第一緩沖腔室120可維持在相同內(nèi)壓。在完成前述操作后，第一緩沖腔室120的內(nèi)壓可變得與第一傳送腔室131的內(nèi)壓對應(yīng)，柵閥被開啟，然后襯底210可從第一緩沖腔室120導(dǎo)入第一傳送腔室131中。此時，襯底210可使用傳送裝置、載體或機械臂等來傳送。
[0045]傳送至第一傳送腔室131中的襯底210可在第一傳送腔室131內(nèi)對齊到位。襯底210的位置對齊可使用機械臂進行。襯底210可對齊到與預(yù)定位置對應(yīng)的位置。在襯底210的位置被對齊后，濺射腔室132的內(nèi)壓可變得與第一傳送腔室131的內(nèi)壓對應(yīng)，然后襯底210可從第一傳送腔室131傳送至濺射腔室132中。濺射腔室132可將第一無機層231形成在發(fā)光單元220上。襯底210可被安裝在事先安裝的掩模與襯底保持件之間，并且使用襯底210的標記和掩模的開口標記通過具有連接至其的視角的對齊工具來精確對齊，然后附接有掩模。此時，用于濺射的工藝氣體可注入到濺射腔室132中并且電壓可施加到陰極以形成等離子體放電而濺射腔室132可維持在約IE-1至約lE-2Pa的真空度范圍。在襯底210或陰極在濺射腔室132內(nèi)移動的過程中，可進行沉積工藝。
[0046]在進行前述工藝的過程中，當?shù)谝粺o機層231的厚度達到目標厚度時，例如，襯底210或陰極可移動至備用區(qū)域以停止工藝氣體的放電和注入，然后濺射腔室132的真空度可通過控制真空排氣系統(tǒng)的傳導(dǎo)性而維持成與第一傳送腔室131的真空度相同。此時，襯底210可從掩模拆離，然后移動至可卸載襯底210的位置處。
[0047]在第一無機層231被形成后，濺射腔室132的內(nèi)壓可繼而變得與第一傳送腔室131的內(nèi)壓對應(yīng)，襯底210可從濺射腔室132傳送至第一傳送腔室131中。傳送至第一傳送腔室131中的襯底210可在如下狀態(tài)下傳送至單體沉積腔室134，在該狀態(tài)中第一傳送腔室131的內(nèi)壓可維持成與單體沉積腔室134的內(nèi)壓相同。此時，襯底210可被裝載在事先安裝的掩模與襯底保持件之間，通過使用襯底210的標記和掩模的開口標記通過具有連接至其的視角的對齊工具來精確對齊，然后附接有掩模。
[0048]工藝氣體可被注入到可進行單體沉積工藝的單體沉積腔室134中，而單體沉積腔室134可維持在約IE-1至約lE-2Pa的真空度范圍，并且包含有機材料的蒸發(fā)器的噴嘴單元可被開啟。此時，在襯底210或源單元被移動的過程中，可在單體沉積腔室134內(nèi)進行沉積和固化工藝。單體沉積腔室134可將第一有機層232形成在所傳送的襯底210的第一無機層231上。當襯底被裝載到單體沉積腔室134中時，例如，可通過閃蒸發(fā)器沉積可通過UV或熱來聚合的單體和光引發(fā)劑。
[0049]當完成工藝時，第一有機層232的聚合物類型可通過將熱施加到單體可被沉積的表面而形成，以使得單體被固化和聚合。在進行該工藝的過程中，當?shù)谝挥袡C層232的厚度達到目標厚度時，襯底210或源單元可移動至備用區(qū)域，噴嘴單元可被關(guān)閉，工藝氣體的導(dǎo)入可停止，真空排氣系統(tǒng)的傳導(dǎo)性可被控制，以使得單體沉積腔室134的真空度可維持成與第一傳送腔室131的真空度相同。襯底210可從掩模拆離，然后可被移動至可拆卸襯底210的位置。
[0050]當單體沉積腔室134的內(nèi)壓變得與第一傳送腔室131的內(nèi)壓相同時，例如，形成有第一有機層232襯底210可從單體沉積腔室134傳送到第一傳送腔室131中。第一傳送腔室131的內(nèi)壓可再次維持成與第一翻轉(zhuǎn)腔室140的內(nèi)壓相同。此時，襯底210可從第一傳送腔室131傳送至第一翻轉(zhuǎn)腔室140中。當?shù)谝粋魉颓皇?31的內(nèi)壓與第一翻轉(zhuǎn)腔室140的內(nèi)壓相同時，例如，第一門142可被開啟。此時，第一傳送腔室131的機械臂可將襯底210從第一傳送腔室131傳送至第一翻轉(zhuǎn)腔室140中，以使得襯底210可被安裝在第一翻轉(zhuǎn)腔室140的第一夾鉗143a上。
[0051]當完成該工藝時，第一氣缸143d可被驅(qū)動以使得連接至第一氣缸143d的第一連接構(gòu)件143e移動，由此使得第二夾鉗143b朝向襯底210移動。第二夾鉗143b可與第一夾鉗143a—同夾持襯底210的邊緣部。此時，第一氣缸143d的一個端部可釋放與第一連接構(gòu)件143e的夾持以從第一氣缸143d分離第二夾鉗143b。當完成該工藝時，第一旋轉(zhuǎn)軸可通過第一施力單元144b連接至第一夾鉗143a和第二夾鉗143b中的至少一個。此時，第一旋轉(zhuǎn)軸可連接至第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元144a。當?shù)谝恍D(zhuǎn)軸被連接至第一夾鉗143a和第二夾鉗143b中的至少一個時，第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元144a可被驅(qū)動以旋轉(zhuǎn)第一夾鉗143a和第二夾鉗143b中的至少一個。此時，第一夾鉗143a和第二夾鉗143b可根據(jù)第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元144a的操作而同時旋轉(zhuǎn)。襯底210可與第一夾鉗143a和第二夾鉗143b —同旋轉(zhuǎn)，以使得第一有機層232可被朝下反轉(zhuǎn)。
[0052]當完成該工藝時，第一施力單元144b可被驅(qū)動以從第一夾鉗143a和第二夾鉗143b中的至少一個分離第一旋轉(zhuǎn)軸。連接至第一夾鉗143a的第一氣缸143d可被驅(qū)動以將第一夾鉗143a連接至第一連接構(gòu)件143e。此時,第一連接構(gòu)件143e可通過第一氣缸143d的操作而線性地移動第一夾鉗143a。第一夾鉗143a可通過第一氣缸143d的操作而從襯底210分離以釋放對襯底210的夾持。當?shù)谝粖A鉗143a和第二夾鉗143b對襯底210的夾持被釋放時，例如，第一傳送腔室131的機械臂可通過開口將第一翻轉(zhuǎn)腔室140中的襯底210傳送至第一傳送腔室131中。
[0053]因此，第一翻轉(zhuǎn)腔室140可反轉(zhuǎn)襯底210，從而使得可在濺射腔室132和單體沉積腔室134中進行向下沉積工藝，然后在CVD腔室136和ALD腔室137中進行向上沉積工藝。在這方面，向上沉積可以是將形成在襯底210中的發(fā)光單元220放置成面向每個腔室的底部表面、將沉積材料從每個腔室的底側(cè)移動至其頂側(cè)、以及將沉積材料沉積到發(fā)光單元220上的工藝；而向下沉積可以是將形成在襯底210中的發(fā)光單元220放置成面向每個腔室的頂部表面、將沉積材料從每個腔室的頂側(cè)移動至其底側(cè)、以及將沉積材料沉積到發(fā)光單元220上的工藝。
[0054]當完成該工藝時，在第一傳送腔室131的內(nèi)壓變得與CVD腔室136的內(nèi)壓相同后，襯底210可從第一傳送腔室131傳送至CVD腔室136中。此時，在CVD腔室136中，襯底可與掩模對齊。之后，連接至高真空泵的傳導(dǎo)控制閥可被完全關(guān)閉，排放氣體氬(Ar)可被注入到等離子體生成單元中，而真空度可被維持在約l_200Pa的范圍內(nèi)，并且電力可升至約3-5W/cm2以生成等離子體。此時,壓力可通過由等離子體生成源供給反應(yīng)材料、反應(yīng)氣體和載氣而保持在約l_200Pa的范圍內(nèi)。反應(yīng)材料可被注入到等離子體區(qū)域以形成自由基(SiN生成氣體:SiH4/NH3/N2/H2/Ar的使用)。沉積工藝在本文所描述的環(huán)境下進行。沉積速率可維持在約 200nm/min 內(nèi)，并且 SiH4 (約 50_500sccm) /NH3 (約 300_200sccm) /N2 (約300-2000sccm)氣體可被連續(xù)地供給。當進行該工藝而且第二無機層233由此達到目標厚度時，例如，可停止對反應(yīng)有貢獻的氣體的供給并且使等離子體電源逐步跌落至lW/cm2。之后，襯底210可從掩模拆離，然后可移動至可拆卸襯底210的位置。
[0055]當完成該工藝時，襯底210可從CVD腔室136傳送至第一傳送腔室131中。此時，CVD腔室136的內(nèi)壓可變得與第一傳送腔室131的內(nèi)壓相同。在襯底210被導(dǎo)入第一傳送腔室131中后，第一傳送腔室131的內(nèi)壓可變得與ALD腔室137的內(nèi)壓相同。此時，襯底210可從第一傳送腔室131傳送至ALD腔室137。在ALD腔室137中，第三無機層234可被形成在第二無機層233上。
[0056]當完成該工藝時，薄膜封裝層230可被形成為覆蓋發(fā)光單元220，從而制造顯示設(shè)備200。之后，ALD腔室137的內(nèi)壓可維持成與第一傳送腔室131的內(nèi)壓相同，并且顯示設(shè)備200可從ALD腔室137傳送至第一傳送腔室131中。第一傳送腔室131可將顯示設(shè)備200傳送至第一緩沖腔室120中并且第一緩沖腔室120可將顯示設(shè)備200傳送至裝載腔室110中以卸載顯示設(shè)備200，這與本文中描述的相同或相似。
[0057]在顯示設(shè)備200被制造后，顯示設(shè)備200可從第一傳送腔室131傳送至第一翻轉(zhuǎn)腔室140,可被反轉(zhuǎn),并且可通過第一傳送腔室131、第一緩沖腔室120和裝載腔室110而卸載至設(shè)備外側(cè)。顯示設(shè)備200可通過獨立形成的卸載腔室卸載，或者可在第一翻轉(zhuǎn)腔室140中反轉(zhuǎn)顯示設(shè)備200，然后可通過第一傳送腔室131和卸載腔室卸載至設(shè)備的外側(cè)。
[0058]在第一無機層231、第一有機層232、第二無機層233和第三無機層234被形成的情況下，第二緩沖腔室135可臨時存儲襯底210。例如，當在濺射腔室132、單體沉積腔室134、CVD腔室136和ALD腔室137中的一個或多個中發(fā)生故障時，第二緩沖腔室135可臨時存儲襯底210以由此確保薄膜封裝層制造設(shè)備100的生產(chǎn)線平衡。因此，薄膜封裝層制造設(shè)備100和用于制造顯示設(shè)備的方法可通過在單個簇中進行所有工藝而節(jié)省用于形成薄膜封裝層230的時間和簡化薄膜封裝層制造設(shè)備100的配置。薄膜封裝層制造設(shè)備100和用于制造顯示設(shè)備的方法可通過順序地在向上和向下沉積中形成薄膜封裝層230、然后直接卸載顯示設(shè)備200而增加生產(chǎn)力。
[0059]圖4示出了薄膜封裝層制造設(shè)備300的示意圖。參照圖4，薄膜封裝層制造設(shè)備300可包括裝載腔室310、第一緩沖腔室320、第一簇330、第二簇350、第一翻轉(zhuǎn)腔室340、第二翻轉(zhuǎn)腔室360和卸載腔室370。裝載腔室310、第一緩沖腔室320和卸載腔室370可與參照圖3描述的相同或相似。為了解釋的便利，將參照裝載腔室310和卸載腔室370彼此單獨形成的情況來進行詳細描述。
[0060]第一簇330可包括第一傳送腔室331、派射腔室332、第一掩模存儲腔室333、單體沉積腔室334和第二緩沖腔室335中的一個或多個。第一傳送腔室331、濺射腔室332和第二單體沉積腔室334各自可設(shè)置成多個。第一傳送腔室331、濺射腔室332、第一掩模存儲腔室333、單體沉積腔室334和第二緩沖腔室335可與參照圖1至圖3描述的第一傳送腔室131、濺射腔室132、第一掩模存儲腔室133、單體沉積腔室134和第二緩沖腔室135相同或相似。第一翻轉(zhuǎn)腔室340可連接第一簇330與第二簇350。第一翻轉(zhuǎn)腔室340可包括第一腔體單元、第一夾持單元和襯底旋轉(zhuǎn)單元。第一腔體單元、第一夾持單元和襯底旋轉(zhuǎn)單元可與參照圖1至圖3描述的相同或相似。
[0061]第二簇350可包括第二傳送腔室351、化學氣相沉積(CVD)腔室352、第二掩模存儲腔室353、原子層沉積(ALD)腔室354和第三緩沖腔室355中的一個或多個。CVD腔室352和ALD腔室354可設(shè)置成多個。第二傳送腔室351、CVD腔室352、第二掩模存儲腔室353、ALD腔室354和第三緩沖腔室355可與參照圖1至圖3描述的第一傳送腔室131、CVD腔室136、第一掩模存儲腔室133、ALD腔室137和第二緩沖腔室135相同或相似。第二翻轉(zhuǎn)腔室360可連接至第二傳送腔室351。第二翻轉(zhuǎn)腔室360可包括第二腔體單元、第二夾持單元和第二襯底旋轉(zhuǎn)單元。例如，第二腔體單元、第二夾持單元和第二襯底旋轉(zhuǎn)單元可與第一翻轉(zhuǎn)腔室140的第一腔體單元141、第一夾持單元143和襯底旋轉(zhuǎn)單元144相同或相似。
[0062]通過薄膜封裝層制造設(shè)備300形成薄膜封裝層230的方法可與前面的描述相同或相似地進行。形成有發(fā)光單元220的襯底210可被裝載至裝載腔室310中，并且經(jīng)由第一緩沖腔室320傳送至第一傳送腔室331中。第一傳送腔室331可將襯底210傳送至濺射腔室332中，并且濺射腔室332可通過濺射工藝將第一無機層231形成在發(fā)光單元220上。
[0063]當完成該工藝時，襯底210可從濺射腔室332經(jīng)由第一傳送腔室331導(dǎo)入單體沉積腔室334中以將第一有機層232形成在第一無機層231上。襯底210可從單體沉積腔室334傳送到第一傳送腔室331中，并且可從第一傳送腔室331傳送到第一翻轉(zhuǎn)腔室340中。在襯底210被傳送后，第一翻轉(zhuǎn)腔室340可反轉(zhuǎn)襯底210。其上可在濺射腔室332和單體沉積腔室334中向下沉積有第一無機層231和第一有機層232的襯底210可在第一翻轉(zhuǎn)腔室340中被反轉(zhuǎn)并且可被傳送至第二傳送腔室351中。形成在襯底210上的第一有機層232可被設(shè)置成面向第二傳送腔室351的下側(cè)。第二傳送腔室351可將襯底210傳送至CVD腔室352中。CVD腔室352可將第二無機層233形成在第一有機層232上，如參照圖1至圖3描述的CVD腔室136中那樣。
[0064]當完成該工藝時，襯底210可從CVD腔室352經(jīng)由第二傳送腔室351傳送至ALD腔室354中。ALD腔室354可將第三無機層234形成在第二無機層233上，并且用于形成第三無機層234的方法可與參照圖1至圖3描述的在ALD腔室137中用于形成第三無機層234的方法相同或相似。
[0065]當完成該工藝時，具有薄膜封裝層230的顯示設(shè)備200可被制造，其中薄膜封裝層230包括形成在第二無機層233上的第三無機層234。顯示設(shè)備200可從ALD腔室354經(jīng)由第二傳送腔室351傳送至第二翻轉(zhuǎn)腔室360中。第二翻轉(zhuǎn)腔室360可再次反轉(zhuǎn)顯示設(shè)備200。用于在第二翻轉(zhuǎn)腔室360處反轉(zhuǎn)顯示設(shè)備200的方法可與用于在第一翻轉(zhuǎn)腔室340處反轉(zhuǎn)襯底210的方法相同或相似。當?shù)诙D(zhuǎn)腔室360反轉(zhuǎn)顯示設(shè)備200時，顯示設(shè)備200可被設(shè)置成使得第三無機層234面向第二翻轉(zhuǎn)腔室360的上側(cè)。此時，第二翻轉(zhuǎn)腔室360可將顯示設(shè)備200傳送至卸載腔室370中，卸載腔室370可將顯示設(shè)備200卸載至設(shè)備的外側(cè)。
[0066]除了經(jīng)由第二翻轉(zhuǎn)腔室360將顯示設(shè)備200傳送至卸載腔室370以外，還可能經(jīng)由第二傳送腔室351、第一翻轉(zhuǎn)腔室340、第一傳送腔室331、第一緩沖腔室320和裝載腔室310將顯示設(shè)備200卸載至設(shè)備外側(cè)。此時，與第二翻轉(zhuǎn)腔室360類似，第一翻轉(zhuǎn)腔室340可反轉(zhuǎn)顯示設(shè)備200，并將反轉(zhuǎn)的顯示設(shè)備200傳送至第一傳送腔室中。還可能在顯示設(shè)備200不由第二翻轉(zhuǎn)腔室360反轉(zhuǎn)的狀態(tài)下將顯示設(shè)備200卸載至外側(cè)。此時，第二翻轉(zhuǎn)腔室360可能不存在，并且可能將卸載腔室370連接至第三緩沖腔室355或者獨立的緩沖腔室，并且經(jīng)由卸載腔室370將顯示設(shè)備200卸載至外側(cè)。
[0067]腔室之間的連接本質(zhì)上可是物理性的，并且可以是直接或間接的。例如，第一傳送腔室與其它腔室之間的連接可不具有中間腔室和/或其它部件，或者可具有一個或多個中間腔室和/或其它部件。相似地，襯底從一個腔室至另一個腔室的傳送可以是直接或間接的。例如，襯底可直接從已進行完前一步驟的一個腔室傳送至進行后續(xù)步驟的另一個腔室?？蛇x地，當從前一工藝腔室移動至后一工藝腔室時，襯底可穿過一個或多個中間腔室(例如，傳送腔室)。
[0068]通過總結(jié)和回顧，薄膜封裝層制造設(shè)備及使用其制造顯示設(shè)備的方法可通過減少工作時間而最大化工作生產(chǎn)力。薄膜封裝層制造設(shè)備和用于制造顯示設(shè)備的方法可通過在單個簇中進行所有工藝而節(jié)省用于形成薄膜封裝層的時間和簡化薄膜封裝層制造設(shè)備的配置。薄膜封裝層制造設(shè)備和用于制造顯示設(shè)備的方法可通過以向上和向下沉積而順序形成薄膜封裝層然后直接卸載顯示設(shè)備而增加生產(chǎn)力。另外，薄膜封裝層制造設(shè)備和用于制造顯示設(shè)備的方法可通過經(jīng)由卸載腔室卸載形成有薄膜封裝層的顯示設(shè)備而減少工作時間并且最大化生產(chǎn)力。此外，薄膜封裝層制造設(shè)備300和用于制造顯示設(shè)備的方法可通過以依次連接的順序形成薄膜封裝層而迅速且簡潔地進行工作。
[0069]本文中已公開了本發(fā)明的示例性實施方式，雖然采用了特定術(shù)語，但是它們僅應(yīng)以通用的和描述性的含義來使用和解釋，而不是用于限制的目的。除非另有具體指示，否則結(jié)合特定實施方式描述的特征、特性和/或元件可單獨使用或者與結(jié)合其它實施方式描述的特征、特性和/或元件組合使用。因此，在不背離如隨附的權(quán)利要求書所記載的本公開的精神和范圍的情況下可對形式和細節(jié)進行多種修改。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜封裝層制造設(shè)備，包括: 第一傳送腔室，配置成對齊襯底； 濺射腔室，連接至所述第一傳送腔室，并且配置成從所述第一傳送腔室接收所述襯底并通過濺射工藝將第一無機層形成在所述襯底上； 單體沉積腔室，連接至所述第一傳送腔室，并且配置成從所述第一傳送腔室接收所述襯底并將第一有機層沉積在所述第一無機層上； 化學氣相沉積(CVD)腔室，連接至所述第一傳送腔室，并且配置成從所述第一傳送腔室接收所述襯底并將第二無機層形成在所述第一有機層上；以及 原子層沉積(ALD)腔室，連接至所述第一傳送腔室，并且配置成從所述第一傳送腔室接收所述襯底并將第三無機層形成在所述第二無機層上。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜封裝層制造設(shè)備，其中，所述濺射腔室和所述單體沉積腔室被配置成分別向下沉積所述第一無機層和所述第一有機層。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜封裝層制造設(shè)備，其中，所述化學氣相沉積腔室和所述原子層沉積腔室被配置成分別向上沉積所述第二無機層和所述第三無機層。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜封裝層制造設(shè)備，還包括: 第一翻轉(zhuǎn)腔室，連接至所述第一傳送腔室，并且配置成從所述第一傳送腔室接收所述襯底、反轉(zhuǎn)所述襯底、以及將所述襯底傳送至所述第一傳送腔室。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜封裝層制造設(shè)備，其中，所述第一翻轉(zhuǎn)腔室包括: 第一腔體單元，具有形成在其中的空間和配置成用于所述襯底的插入或撤出的開口 ； 第一夾持單元，位于所述第一腔體單元內(nèi)，配置成夾持或釋放所述襯底；以及 襯底旋轉(zhuǎn)單元，配置成旋轉(zhuǎn)由所述第一夾持單元夾持的所述襯底。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜封裝層制造設(shè)備，其中，所述第一夾持單元被配置成在第一方向上被驅(qū)動，以及所述襯底旋轉(zhuǎn)單元被配置成在垂直于所述第一方向的第二方向上被驅(qū)動。
7.如權(quán)利要求5所述的薄膜封裝層制造設(shè)備，其中，所述第一翻轉(zhuǎn)腔室還包括位于所述第一腔體單元中的、配置成可旋轉(zhuǎn)地開啟和關(guān)閉所述開口的第一門。
8.一種薄膜封裝層制造設(shè)備，包括: 第一傳送腔室，配置成對齊襯底； 濺射腔室，連接至所述第一傳送腔室，并且配置成從所述第一傳送腔室接收所述襯底并通過濺射工藝將第一無機層形成在所述襯底上； 單體沉積腔室，連接至所述第一傳送腔室，并且配置成從所述第一傳送腔室接收所述襯底并將第一有機層沉積在所述第一無機層上； 第二傳送腔室，連接至所述第一傳送腔室，并且配置成對齊所述襯底； 化學氣相沉積(CVD)腔室，連接至所述第二傳送腔室，并且配置成從所述第二傳送腔室接收所述襯底并將第二無機層形成在所述第一有機層上；以及 原子層沉積(ALD)腔室，連接至所述第二傳送腔室，并且配置成從所述第二傳送腔室接收所述襯底并將第三無機層形成在所述第二無機層上。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜封裝層制造設(shè)備，還包括: 第一翻轉(zhuǎn)腔室，用于連接所述第一傳送腔室和所述第二傳送腔室，并且配置成從所述第一傳送腔室接收所述襯底、反轉(zhuǎn)所述襯底、以及將所述襯底傳送至所述第二傳送腔室。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜封裝層制造設(shè)備，其中，所述第一翻轉(zhuǎn)腔室包括: 第一腔體單元，具有形成在其中的空間和配置成用于所述襯底的插入或撤出的開口 ； 第一夾持單元，位于所述第一腔體單元內(nèi)，配置成夾持或釋放所述襯底；以及 襯底旋轉(zhuǎn)單元，配置成旋轉(zhuǎn)由所述第一夾持單元夾持的所述襯底。
11.如權(quán)利要求8所述的薄膜封裝層制造設(shè)備，還包括: 第二翻轉(zhuǎn)腔室，連接至所述第二傳送腔室，并且配置成從所述第二傳送腔室接收所述襯底、反轉(zhuǎn)所述襯底、以及將所述襯底傳送至所述第二傳送腔室。
12.如權(quán)利要求11所述的薄膜封裝層制造設(shè)備，其中，所述第二翻轉(zhuǎn)腔室包括: 第二腔體單元，具有形成在其中的空間和配置成用于所述襯底的插入或撤出的第二開Π ； 第二夾持單元，位于所述第二腔體單元內(nèi)，配置成夾持或釋放所述襯底；以及 第二襯底旋轉(zhuǎn)單元，配置成旋轉(zhuǎn)由所述第二夾持單元夾持的所述襯底。
13.如權(quán)利要求11所述的薄膜封裝層制造設(shè)備，其中， 所述濺射腔室和所述單體沉積腔室被布置在所述第一傳送腔室的第一周邊周圍以限定第一簇；以及 所述CVD腔室和所述ALD腔室被布置在所述第二傳送腔室的第二周邊周圍以限定第二簇。
14.一種用于制造顯示設(shè)備的方法，所述方法包括: 在濺射腔室中通過濺射工藝將第一無機層形成在襯底上； 將所述襯底從所述濺射腔室傳送至單體沉積腔室； 在所述單體沉積腔室中通過單體沉積工藝將第一有機層形成在所述第一無機層上； 將所述襯底從所述單體沉積腔室傳送至化學氣相沉積(CVD)腔室；在所述CVD腔室中通過CVD工藝將第二無機層形成在所述第一有機層上； 將所述襯底從所述CVD腔室傳送至原子層沉積(ALD)腔室；以及 在所述ALD腔室中通過ALD工藝將第三無機層形成在所述第二無機層上。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述傳送步驟使用至少一個傳送腔室進行。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中將所述襯底從所述單體沉積腔室傳送至化學氣相沉積(CVD)腔室的步驟包括: 將所述襯底從所述單體沉積腔室傳送至第一翻轉(zhuǎn)腔室，在所述第一翻轉(zhuǎn)腔室中反轉(zhuǎn)所述襯底，將所述襯底傳送至所述至少一個傳送腔室，以及將所述襯底傳送至所述化學氣相沉積腔室。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一無機層和所述第一有機層通過向下沉積形成。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第二無機層和所述第三無機層通過向上沉積形成。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 在所述第一有機層的所述形成后反轉(zhuǎn)所述襯底。
20.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括:在所述第三無機層的所述形成后反轉(zhuǎn)所述襯底。
【文檔編號】H01L51/56GK104377317SQ201410400313
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月16日
【發(fā)明者】李勇錫, 徐旻成, 許明洙, 安美羅 申請人:三星顯示有限公司