技術(shù)編號(hào)：7055754
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了薄膜封裝層制造設(shè)備，其可包括傳送腔室、濺射腔室、單體沉積腔室、化學(xué)氣相沉積(CVD)腔室和原子層沉積(ALD)腔室。傳送腔室可連接至其它腔室中的每個(gè)，并且可被配置成對(duì)齊襯底。其它腔室中的每個(gè)可被配置成從傳送腔室接收襯底和向傳送腔室傳送襯底。濺射腔室可被配置成通過濺射工藝將第一無機(jī)層形成在襯底上。單體沉積腔室可被配置成將第一有機(jī)層沉積在第一無機(jī)層上。CVD腔室可被配置成將第二無機(jī)層形成在第一有機(jī)層上。ALD腔室可被配置成將第三無機(jī)層形成在第二無機(jī)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。