一種oled顯示器件及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供了一種OLED顯示器件及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的OLED顯示器件中陰極的傳輸電阻大，帶來(lái)的壓降大、亮度不均的問(wèn)題。一種OLED顯示器件，包括：薄膜晶體管、第一電極、第二電極以及位于所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)功能層，其中，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，所述第一電極與所述漏極電連接；所述顯示器件還包括由拓?fù)浣^緣體形成的第一輔助電極，所述第一輔助電極與所述第二電極電連接，向所述第二電極提供電信號(hào)；其中，所述第一電極和所述第二電極分別為陽(yáng)極和陰極。
【專(zhuān)利說(shuō)明】-種OLED顯示器件及其制作方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種0LED顯示器件及其制作方法、顯示裝 置。

【背景技術(shù)】
[0002] OLED (Organic Light Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光器件）顯示器是新一代的顯示 器，與液晶顯示器相比，具有很多優(yōu)點(diǎn)如：自發(fā)光，響應(yīng)速度快，寬視角等，可以用于柔性顯 示，透明顯示，3D顯示等。
[0003] 以圖1所示的0LED顯示器為例，0LED顯示器包括：對(duì)合的陣列基板20以及封裝基 板10。陣列基板20包括第一襯底21、薄膜晶體管22 (包括柵極221、源級(jí)222和漏極223)、 與薄膜晶體管22的漏極223連接的陽(yáng)極23、位于陽(yáng)極23之上的有機(jī)功能層25、位于有機(jī) 功能層25之上的陰極26。封裝基板10包括第二襯底11、彩色膜層13、黑矩陣層12以及保 護(hù)層14 ;陣列基板20和封裝基板10之間設(shè)置有填充物30。其中有機(jī)功能層25還可以進(jìn) 一步細(xì)分為：空穴傳輸功能層（HTL層）、發(fā)光功能層（EML層）、電子傳輸功能層（ETL層） 等等。
[0004] 其中，陽(yáng)極、陰極以及有機(jī)功能層構(gòu)成有機(jī)發(fā)光器件，其主要的工作原理是有機(jī)功 能層在陽(yáng)極和陰極所形成電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下，通過(guò)載流子注入和復(fù)合而發(fā)光。
[0005] 如圖1所示的0LED顯示器的陰極26 -般采用薄層金屬銀制備，陽(yáng)極23 -般采用 IT0(Indium tin oxide，氧化銦錫）制備。薄層金屬銀以及ΙΤ0的電阻率較高。尤其是對(duì) 于大面積成型的陰極26,采用薄層金屬銀制備的陰極電阻率較大，壓降（IR drop)較大，造 成0LED器件的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓與電源電壓有較大差異，在大尺寸的0LED顯示器上，表現(xiàn)為大 面積的亮度不均勻，影響顯示效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種0LED顯示器件及其制作方法、顯示裝置，解決了現(xiàn)有的 0LED顯示器件中陰極的傳輸電阻大，帶來(lái)的壓降大、亮度不均的問(wèn)題。
[0007] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：
[0008] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種0LED顯示器件，包括：薄膜晶體管、第一電極、第二電極 以及位于所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)功能層，其中，所述薄膜晶體管包括柵 極、源極和漏極，所述第一電極與所述漏極電連接；
[0009] 所述顯示器件還包括由拓?fù)浣^緣體形成的第一輔助電極，所述第一輔助電極與所 述第二電極電連接，向所述第二電極提供電信號(hào)；
[0010] 其中，所述第一電極和所述第二電極分別為陽(yáng)極和陰極。
[0011] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種0LED顯示器件的制作方法，包括：
[0012] 形成薄膜晶體管，包括形成柵極、源極和漏極；
[0013] 形成第一電極，所述第一電極與所述漏極電連接；
[0014] 形成有機(jī)功能層和形成第二電極，其中所述第一電極和所述第二電極分別為陽(yáng)極 和陰極；
[0015] 利用拓?fù)浣^緣體形成與所述第二電極電連接的第一輔助電極，所述第一輔助電極 用于向所述第二電極提供電信號(hào)。
[0016] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括陣列基板和封裝基板，所述陣列基板和 封裝基板形成有本發(fā)明實(shí)施例提供的任一所述的0LED顯示器件。
[0017] 本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED顯示器件，拓?fù)浣^緣體的導(dǎo)電性能好，采用拓?fù)浣^ 緣體形成第一輔助電極，且通過(guò)所述第一輔助電極向第二電極提供電信號(hào)，有利于減小第 二電極的壓降，進(jìn)而使得顯示的亮度均勻。且拓?fù)浣^緣體導(dǎo)電時(shí)間長(zhǎng)也不會(huì)發(fā)熱，有利于顯 示器件的長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行顯示。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019] 圖1為現(xiàn)有的0LED顯示裝置示意圖；
[0020] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED顯示器件示意圖；
[0021] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED顯示器件制作方法示意圖；
[0022] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成第一輔助電極的方法示意圖；
[0023] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種0LED顯示裝置示意圖；
[0024] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種0LED顯不裝直不意圖；
[0025] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種0LED顯示裝置示意圖。
[0026] 附圖標(biāo)記：
[0027] 10-封裝基板；11-第二襯底；12-黑矩陣層；13-彩色膜層；14-保護(hù)層；15-隔墊 物；20-陣列基板；21-第一襯底；22-薄膜晶體管；221-柵極；222-源極；223-漏極；23-陽(yáng) 極；24-像素界定層；25-有機(jī)功能層；26-陰極；27-第一輔助電極；28-第二輔助電極； 30-填充層。

【具體實(shí)施方式】
[0028] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于 本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0029] 拓?fù)浣^緣體（topological insulator)是近年來(lái)新認(rèn)識(shí)到的一種物質(zhì)形態(tài)。拓?fù)?絕緣體的體能帶結(jié)構(gòu)和普通絕緣體一樣，都在費(fèi)米能級(jí)處有一有限大小的能隙，但是在它 的邊界或表面卻是無(wú)能隙的、狄拉克（Dirac)型、自旋非簡(jiǎn)并的導(dǎo)電的邊緣態(tài)，這是它有別 于普通絕緣體的最獨(dú)特的性質(zhì)。這樣的導(dǎo)電邊緣態(tài)是穩(wěn)定存在的，信息的傳遞可以通過(guò)電 子的自旋，而不像傳統(tǒng)材料通過(guò)電荷，因此，拓?fù)浣^緣體的導(dǎo)電性能更好且不涉及耗散即不 發(fā)熱。
[0030] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種0LED顯示器件，如圖2所示，包括：薄膜晶體管22、第一 電極（陽(yáng)極23)、第二電極（陰極26)以及位于第一電極（陽(yáng)極23)和所述第二電極（陰極 26)之間的有機(jī)功能層25,其中，薄膜晶體管22包括柵極221、源極222和漏極223,第一電 極（陽(yáng)極23)與漏極223電連接；
[0031] 顯示器件還包括由拓?fù)浣^緣體形成的第一輔助電極27,第一輔助電極27與第二 電極（陰極26)電連接，向第二電極（陰極26)提供電信號(hào)；其中，第一電極和第二電極分 別為陽(yáng)極和陰極，且圖2所示的以第一電極為陽(yáng)極第二電極為陰極為例。
[0032] 具體的，第一電極和第二電極分別為陽(yáng)極和陰極，即當(dāng)?shù)谝浑姌O為陽(yáng)極，則第二電 極為陰極；或者，當(dāng)?shù)谝浑姌O為陰極，則第二電極為陽(yáng)極。本發(fā)明實(shí)施例中，均以第一電極為 陽(yáng)極，第二電極為陰極為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。但本發(fā)明實(shí)施例中不與漏極連接的第二電極上 形成有第一輔助電極，以向第二電極提供電信號(hào)，由于第二電極由拓?fù)浣^緣體形成，貝 1J第二 電極的導(dǎo)電性好，有利于減小第二電極的壓降，進(jìn)而使得顯示的亮度均勻。且拓?fù)浣^緣體導(dǎo) 電時(shí)間長(zhǎng)也不會(huì)發(fā)熱，有利于顯示器件的長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行顯示。
[0033] 具體的，薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極。上述的源極、漏極和柵極是薄膜晶體 管的三個(gè)電極，根據(jù)電極的位置關(guān)系將薄膜晶體管分為兩類(lèi)。一類(lèi)是如圖2所示的薄膜晶 體管22,柵極221位于源極222和漏極223的下面，這類(lèi)稱(chēng)之為底柵型薄膜晶體管；一類(lèi)是 柵極位于源極和漏極的上面，這類(lèi)稱(chēng)之為頂柵型薄膜晶體管。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示器 件中的薄膜晶體管可以底柵型薄膜晶體管也可以是頂柵型薄膜晶體管，如圖2所示，本發(fā) 明實(shí)施例中以所述薄膜晶體管22為底柵型薄膜晶體管為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0034] 優(yōu)選的，第一輔助電極為二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體。其中，二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)?絕緣體即由拓?fù)浣^緣體形成的納米尺寸厚度的膜，可以是由拓?fù)浣^緣體形成的二維納米薄 膜、二維納米薄片、二維納米帶等。二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體具有超高比表面積和能帶結(jié) 構(gòu)的可調(diào)控性，能顯著降低體態(tài)載流子的比例和凸顯拓?fù)浔砻鎽B(tài)，進(jìn)而導(dǎo)電性能更好。
[0035] 需要說(shuō)明的是，二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體因其與石墨烯結(jié)構(gòu)類(lèi)似具有較高的柔 韌性，以及基本肉眼不可見(jiàn)的高透過(guò)率，使其更適用于顯示器件。
[0036] 可選的，拓?fù)浣^緣體包括 HgTe、BixSbh、Sb2Te3、Bi2Te 3、Bi2Se3、I\BiTe2、I\BiSe2、 GeiBi4Te7、Ge2Bi2Te 5、GeiBi2Te4、AmN、PuTe、單層錫以及單層錫變體材料中的至少一種。
[0037] 其中，GeiBi4Te7、Ge 2Bi2Te5以及于硫?qū)倩?。AmN以及PuTe屬于具有 強(qiáng)相互作用的拓?fù)浣^緣體。當(dāng)然，拓?fù)浣^緣體還可以是三元赫斯勒化合物等其他材料。
[0038] 具體的，拓?fù)浣^緣體包括 HgTe、BixSbh、Sb2Te3、Bi2Te 3、Bi2Se3、I\BiTe2、I\BiSe2、 GeiBi4Te7、Ge2Bi2Te 5、GeiBi2Te4、AmN、PuTe、單層錫以及單層錫變體材料中的至少一種，即 拓?fù)浣^緣體可以為HgTe或Bijbh或Sb 2Te3或Bi2Te3或Bi2Se 3或I\BiTe2或I\BiSe2或 GeiBi4Te7或Ge2Bi2Te 5或GeiBi2Te4或AmN或PuTe或單層錫或單層錫變體材料。還可以是 上述材料中的多種形成的混合材料，例如可以是上述材料中的兩種形成的混合材料。當(dāng)然， 也可以是上述材料中的三種形成的混合材料等。且當(dāng)拓?fù)浣^緣體為至少兩種材料形成的混 合材料，則還可以通過(guò)選擇具有互補(bǔ)特性的材料混合，以提高混合后材料的特性。
[0039] 優(yōu)選的，拓?fù)浣^緣體為單層錫或單層錫的變體材料。單層錫為只有一個(gè)錫原子厚 度的二維材料，原子層厚度的級(jí)別使其具有較好的光透過(guò)率；與石墨烯類(lèi)似，具有較好的韌 性，且透過(guò)率高。
[0040] 單層錫原子在常溫下導(dǎo)電率可以達(dá)到100%，可能成為一種超級(jí)導(dǎo)體材料。具體 的，單層錫的變體材料是通過(guò)對(duì)單層錫進(jìn)行表面修飾或磁性摻雜形成。其中，對(duì)單層錫進(jìn)行 表面修飾可以是對(duì)單層錫添加-F，-ci，-Br，-I和-0H等功能基實(shí)現(xiàn)其改性。
[0041] 進(jìn)一步優(yōu)選的，單層錫的變體材料為對(duì)單層錫進(jìn)行氟原子的表面修飾，形成的錫 氟化合物。當(dāng)添加 F原子到單層錫原子結(jié)構(gòu)中時(shí)，單層錫在溫度高達(dá)KKTC時(shí)導(dǎo)電率能達(dá)到 100%，且性質(zhì)依然穩(wěn)定。
[0042] 可選的，如圖2所示，第一輔助電極27為條狀，顯示器件包括多條第一輔助電極 27〇
[0043] 即通過(guò)多條第一輔助電極向第二電極提供電信號(hào)，多條第一輔助電極分別向第二 電極提供電信號(hào)，可以減小第二電極的電壓降。當(dāng)然，輔助電極也可以是面電極，則由于輔 助電極的傳輸電阻小于第二電極的傳輸電阻，也減小第二電極的電壓降。
[0044] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種0LED顯示器件的制作方法，如圖3所示，所述方法包 括：
[0045] 步驟101、形成薄膜晶體管。
[0046] 具體的，形成薄膜晶體管包括形成柵極、源極和漏極。當(dāng)薄膜晶體管為底柵型薄膜 晶體管，則先形成柵極，再在柵極的上面形成源極和漏極。當(dāng)薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體 管，則先形成源極和漏極，再在源極和漏極的上面形成柵極。
[0047] 步驟102、形成第一電極。
[0048] 其中，第一電極與漏極電連接。第一電極可以為陽(yáng)極，其一般可以采用ΙΤ0形成。 具體的利用ΙΤ0形成陽(yáng)極可以參照現(xiàn)有技術(shù)，這里不作贅述。
[0049] 步驟103、形成有機(jī)功能層和形成第二電極。
[0050] 其中，第一電極和第二電極分別為陽(yáng)極和陰極。當(dāng)?shù)谝浑姌O為陽(yáng)極，則第二電極為 陰極，陰極一般可以采用金屬銀形成。具體的利用金屬銀形成陰極可以參照現(xiàn)有技術(shù)，這里 不作贅述。
[0051] 形成有機(jī)功能層可以是依次形成空穴傳輸功能層（HTL層）、空穴注入功能層（HIL 層）、發(fā)光功能層（EML層）、電子傳輸功能層（ETL層）、電子注入功能層（EIL層）等，本發(fā) 明實(shí)施例不作贅述。
[0052] 步驟104、利用拓?fù)浣^緣體形成與第二電極電連接的第一輔助電極。
[0053] 其中，所述第一輔助電極用于向所述第二電極提供電信號(hào)。
[0054] 具體的，如圖4所示，上述步驟104包括：
[0055] 步驟1041、對(duì)基底進(jìn)行圖案化刻蝕，形成對(duì)應(yīng)第一輔助電極的圖案。
[0056] 具體的，基底可以是云母，還可以是SrTi03(lll)，以及通過(guò)分子束外延法可在其 表面生長(zhǎng)拓?fù)浣^緣體薄膜的其他基底。本發(fā)明實(shí)施例中以所述基底為云母為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō) 明。
[0057] 具體對(duì)基底進(jìn)行圖案化刻蝕形成對(duì)應(yīng)第一輔助電極的圖案，可以是采用與第一輔 助電極圖案相同的掩膜板，在掩膜板的掩膜下對(duì)云母基底進(jìn)行等離子體刻蝕，得到與第一 輔助電極圖案相同的圖案化的云母基底。
[0058] 步驟1042、在圖案化的基底表面形成拓?fù)浣^緣體的薄膜。
[0059] 具體的，在圖案化的云母基底表面，通過(guò)分子束外延生長(zhǎng)Bi2Se3薄膜。當(dāng)然，還可 以生長(zhǎng)其他拓?fù)浣^緣體薄膜，本發(fā)明實(shí)施例以拓?fù)浣^緣體為Bi 2Se3為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0060] 步驟1043、將基底去除，得到由拓?fù)浣^緣體形成的第一輔助電極圖案。
[0061] 具體的，將云母基底溶解掉，得到拓?fù)浣^緣體形成的第一輔助電極圖案。
[0062] 步驟1044、將第一輔助電極圖案貼附在對(duì)應(yīng)的第一輔助電極區(qū)域使其與第二電極 電連接。
[0063] 具體的，將第一輔助電極圖案貼附在對(duì)應(yīng)的第一輔助電極區(qū)域使其與第二電極電 連接可以是在第一輔助電極的一側(cè)表面形成黏著層，將所述第一輔助電極貼附在第一輔助 電極區(qū)域其與第二電極電連接。
[0064] 當(dāng)然，具體的形成第一輔助電極的方法也不局限于上述步驟，本發(fā)明實(shí)施例僅以 上述為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0065] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，如圖5所示，包括陣列基板20和封裝基板10， 其中，所述陣列基板20和封裝基板10形成有本發(fā)明實(shí)施例提供的任一所述的0LED顯示器 件。
[0066] 需要說(shuō)明的是，陣列基板20和封裝基板10之間一邊還設(shè)置有填充層30。填充層 可用于緩解基板之間的壓力。
[0067] 可選的，如圖5所示，薄膜晶體管22、第一電極（陽(yáng)極23)、第二電極（陰極26)、有 機(jī)功能層25以及第一輔助電極27形成在陣列基板20上，且第一輔助電極27形成在第二 電極（陰極26)的上面，與第二電極（陰極26)直接接觸電連接。
[0068] 即可以是直接在第二電極的上面形成多條的第一輔助電極，以便通過(guò)所述第一輔 助電極向第二電極提供電信號(hào)，減小第二電極的電壓降。圖5所示的第一輔助電極為條狀 電極，當(dāng)然也可以是平面電極。
[0069] 本發(fā)明實(shí)施例中的"上"、"下"以制造薄膜或圖案時(shí)的先后順序?yàn)闇?zhǔn)，例如，在上的 薄膜或圖案是指相對(duì)在后形成的薄膜或圖案，在下的薄膜或圖案是指相對(duì)在先形成的薄膜 或圖案。
[0070] 可選的，如圖6所示，薄膜晶體管22、第一電極（陽(yáng)極23)、第二電極（陰極26)以 及有機(jī)功能層25形成在陣列基板20上，第一輔助電極27形成在封裝基板10上。
[0071] 具體的，如圖6所示，封裝基板10包括第二襯底11以及形成在第二襯底11上的 彩色膜層13、黑矩陣層12、保護(hù)層14以及隔墊物15。第一輔助電極形成在封裝基板10上， 具體可以是如圖6所示，形成在保護(hù)層14的上面。需要說(shuō)明的是，一般封裝基板上還形成 有隔墊物，則當(dāng)所述第一輔助電極為條狀時(shí)，第一輔助電極與隔墊物位置錯(cuò)開(kāi)，以降低封裝 基板的厚度。具體的，如圖7所示，隔墊物15形成在保護(hù)層14的上面，則當(dāng)?shù)谝惠o助電極 27形成在保護(hù)層14的上面時(shí)，第一輔助電極27與隔墊物15位于同一層且位置錯(cuò)開(kāi)。當(dāng) 然，第一輔助電極27還可以是形成在保護(hù)層14的下面或直接形成在第二襯底11上，再通 過(guò)過(guò)孔與第二電極（陰極26)電連接，本發(fā)明實(shí)施例僅以圖6、圖7所示的為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō) 明。
[0072] 圖6所示的第一輔助電極為平面電極，當(dāng)然也可以是條狀電極。
[0073] 可選的，如圖7所示，封裝基板10上還形成有第二輔助電極28,第一輔助電極27 為條狀時(shí)，通過(guò)第二輔助電極28與第二電極（陰極26)電連接。
[0074] 優(yōu)選的，如圖5、圖7所示，封裝基板10上形成有黑矩陣12,第一輔助電極27為條 狀時(shí)，第一輔助電極27位于黑矩陣12的對(duì)應(yīng)位置處。
[0075] 當(dāng)然，由拓?fù)浣^緣體形成的透明第一輔助電極也可以是位于黑矩陣之間的彩膜區(qū) 域的對(duì)應(yīng)位置處，本發(fā)明實(shí)施例僅以所述第一輔助電極優(yōu)選位于黑矩陣對(duì)應(yīng)位置處為例進(jìn) 行詳細(xì)說(shuō)明。
[0076] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種OLED顯示器件，包括：薄膜晶體管、第一電極、第二電極以及位于所述第一電極 和所述第二電極之間的有機(jī)功能層，其中，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，所述第 一電極與所述漏極電連接；其特征在于， 所述顯示器件還包括由拓?fù)浣^緣體形成的第一輔助電極，所述第一輔助電極與所述第 二電極電連接，向所述第二電極提供電信號(hào)； 其中，所述第一電極和所述第二電極分別為陽(yáng)極和陰極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述第一輔助電極為拓?fù)浣^緣體形 成的二維納米結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述拓?fù)浣^緣體包括HgT^BiJbh、 Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se 3、LBiTep I\BiSe2、GeiBiJ^、Ge2Bi2Te5、GeiBiJep AmN、PuTe、單層錫以 及單層錫變體材料中的至少一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，單層錫的變體材料為通過(guò)對(duì)單層錫 進(jìn)行表面修飾或磁性摻雜形成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器件，其特征在于，單層錫的變體材料為對(duì)單層錫進(jìn)行 氟原子的表面修飾，形成的錫氟化合物。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1述的顯示器件，其特征在于，所述第一輔助電極為條狀，所述顯示器 件包括多條第一輔助電極。
7. -種0LED顯示器件的制作方法，其特征在于，包括： 形成薄膜晶體管，包括形成柵極、源極和漏極； 形成第一電極，所述第一電極與所述漏極電連接； 形成有機(jī)功能層和第二電極，其中所述第一電極和所述第二電極分別為陽(yáng)極和陰極； 利用拓?fù)浣^緣體形成與所述第二電極電連接的第一輔助電極，所述第一輔助電極用于 向所述第二電極提供電信號(hào)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述利用拓?fù)浣^緣體形成與所述第 二電極電連接的第一輔助電極具體包括： 對(duì)基底進(jìn)行圖案化刻蝕，形成對(duì)應(yīng)第一輔助電極的圖案； 在所述圖案化的基底表面形成拓?fù)浣^緣體的薄膜； 將所述基底去除，得到由拓?fù)浣^緣體形成的第一輔助電極圖案； 將所述第一輔助電極圖案貼附在對(duì)應(yīng)的第一輔助電極區(qū)域使其與第二電極電連接。
9. 一種顯示裝置，包括陣列基板和封裝基板，其特征在于，所述陣列基板和封裝基板形 成有權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的0LED顯示器件。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管、第一電極、第二電 極、有機(jī)功能層以及第一輔助電極形成在所述陣列基板上，且所述第一輔助電極形成在所 述第二電極的上面，與所述第二電極直接接觸電連接。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管、第一電極、第二電 極以及有機(jī)功能層形成在所述陣列基板上，所述第一輔助電極形成在封裝基板上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述封裝基板上還形成有第二輔 助電極，所述第一輔助電極為條狀時(shí)，通過(guò)所述第二輔助電極與所述第二電極電連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9-12任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于，所述封裝基板上形成有 黑矩陣，所述第一輔助電極為條狀時(shí)，所述第一輔助電極位于所述黑矩陣的對(duì)應(yīng)位置處。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104157675SQ201410381736
【公開(kāi)日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年8月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月5日
【發(fā)明者】程鴻飛, 喬勇, 盧永春, 先建波 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司