用于制造有機發(fā)光裝置的屏蔽的制造方法
【專利摘要】一種用于制造有機發(fā)光裝置的屏蔽的制造方法，包含形成第一圖案化光阻層于基材的第一表面的上方。根據第一圖案化光阻層蝕刻基材，以形成第一開口，第一開口具有一底面。形成第二圖案化光阻層于第一開口的底面的上方。根據第二圖案化光阻層蝕刻第一開口的底面下方的基材，以形成多個第二開口彼此分離并貫穿基材，從而這些第二開口直接連通第一開口。
【專利說明】用于制造有機發(fā)光裝置的屏蔽的制造方法

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明是有關于一種屏蔽的制造方法，且特別是有關于一種用于制造有機發(fā)光裝 置的屏蔽的制造方法。

【背景技術】
[0002] 目前用于制造有機發(fā)光裝置的屏蔽通常是利用化學蝕刻方式，在基材上制作出所 需要的圖案。為了提高有機發(fā)光裝置的像素密度（如每一英寸的像素量（PPI，pixel per inch))，屏蔽的開口尺寸越小越好。然而由于化學蝕刻是等向性蝕刻，因此必須使用較薄的 基材，才能夠形成上視尺寸較小的開口。若使用較厚的基材制作，可能會發(fā)生蝕刻不完全的 情形，導致上視尺寸較小的開口未能完全貫穿基材。
[0003] 但使用較薄基材所制備出的屏蔽在張網時，屏蔽的中間部分可能會往下塌陷，造 成屏蔽不平整且開口變形。因此，如何使屏蔽具有足夠的支撐性，使其不至于在張網時塌 陷，同時又具有較小的開口尺寸，以提高有機發(fā)光裝置的像素密度，已成為此領域的重要課 題。


【發(fā)明內容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種用于制造有機發(fā)光裝置的屏蔽的制造方法，其能夠形 成尺寸較小的開口，同時又能讓屏蔽保有足夠的支撐性，從而有效解決先前技術中所面臨 的問題。
[0005] 本發(fā)明的一態(tài)樣提供一種用于制造有機發(fā)光裝置的屏蔽的制造方法，包含形成第 一圖案化光阻層于基材的第一表面的上方。根據第一圖案化光阻層蝕刻基材，以形成第一 開口，第一開口具有一底面。形成第二圖案化光阻層于第一開口的底面的上方。根據第二圖 案化光阻層蝕刻第一開口的底面下方的基材，以形成多個第二開口彼此分離并貫穿基材， 且這些第二開口直接連通第一開口。
[0006] 根據本發(fā)明的一實施方式，第一開口的深度與基材的厚度的比值為1/5至3/5。
[0007] 根據本發(fā)明的一實施方式，基材的厚度為30至50微米。
[0008] 根據本發(fā)明的一實施方式，第一開口的垂直投影面積大于第二開口的垂直投影面 積的總和。
[0009] 根據本發(fā)明的一實施方式，根據第一圖案化光阻層蝕刻基材以形成第一開口步驟 包含根據第一圖案化光阻層蝕刻基材以形成多個第一開口彼此分離。
[0010] 根據本發(fā)明的一實施方式，根據第二圖案化光阻層蝕刻第一開口的底面下方的基 材步驟包含根據第二圖案化光阻層蝕刻各第一開口的底面下方的基材，以形成這些第二開 口彼此分離并貫穿基材，且各第一開口直接連通這些第二開口的至少一者。
[0011] 根據本發(fā)明的一實施方式，各第一開口的垂直投影面積大于直接連通的第二開口 的垂直投影面積。
[0012] 根據本發(fā)明的一實施方式，基材包括金屬、合金或娃。
[0013] 根據本發(fā)明的一實施方式，屏蔽用于蒸鍍制程。
[0014] 根據本發(fā)明的一實施方式，形成第一圖案化光阻層步驟及形成第二圖案化光阻層 步驟是施于基材的同一側。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 圖1是依照本發(fā)明的屏蔽的制造方法的流程圖； 圖2-圖6是依照本發(fā)明的第一實施例的屏蔽的制造方法的各階段的剖面示意圖； 圖7是依照本發(fā)明的一實施方式的屏蔽的上視示意圖； 圖8-圖12是依照本發(fā)明的第二實施例的屏蔽的制造方法的各階段的剖面示意圖； 圖13是依照本發(fā)明的一實施方式的屏蔽的上視示意圖。
[0016]【主要組件符號說明】 S1、S2、S3、S4、S5 :步驟 10 :基材 10a :第一表面 10b :第二表面 10P :基材的周邊部分 10S :基材的分隔部分 20 :第一圖案化光阻層 30 :第二圖案化光阻層 110 :第一開口 110a :第一開口的底面 120 :第二開口 d:第一開口的深度 t :基材的厚度。

【具體實施方式】
[0017] 本發(fā)明提供一種用于制造有機發(fā)光裝置的屏蔽的制造方法。在一實施方式中，有 機發(fā)光裝置為有機發(fā)光二極管裝置，其包含一或多個有機發(fā)光二極管。在一實施方式中，此 屏蔽用以形成有機發(fā)光二極管中的有機發(fā)光層。例如可利用蒸鍍制程搭配根據本發(fā)明的實 施方式制得的屏蔽來形成前述有機發(fā)光層。有機發(fā)光層的材料可例如為紅色、綠色或藍色 的有機發(fā)光材料。
[0018] 圖1是依照本發(fā)明的屏蔽的制造方法的流程圖。如圖1所示，屏蔽的制造方法包 含提供基材（步驟S1)、形成第一圖案光阻層（步驟S2)、根據第一圖案化光阻層蝕刻基材， 以形成第一開口（步驟S3)、形成第二圖案光阻層（步驟S4)及根據第二圖案化光阻層蝕刻 第一開口的底面下方的基材，以形成多個第二開口（步驟S5)。如圖2所示，在步驟S1中， 提供一基材10。基材10具有第一表面l〇a及第二表面10b，而第二表面10b相對于第一表 面10a。在數個實施方式中，基材10包括金屬、合金或硅。舉例而言，基材10例如為鎳鈷合 金基材。在數個實施方式中，基材10的厚度t為30至50微米，但不限于此。
[0019] 然后，在步驟S2中，形成第一圖案化光阻層20于基材10的第一表面10a的上方， 如圖3所示。第一圖案化光阻層20用以定義第一開口的尺寸及位置。舉例而言，可先形成 一層光阻層（未繪示）于第一表面l〇a上，例如可利用旋轉涂布方式形成。然后對此光阻 層進行微影制程，以形成第一圖案化光阻層20。
[0020] 在步驟S3中，根據第一圖案化光阻層20蝕刻基材10,以形成第一開口 110,再將 第一圖案化光阻層20剝除，如第3-4圖所示。第一開口 110具有一底面110a。步驟S3是 用以減薄后續(xù)欲形成尺寸較小的第二開口（即步驟S5)處的基材10的厚度。如此一來，在 藉由蝕刻制程以形成第二開口時，只需考量減薄后的基材10的厚度，而不需考量基材10的 厚度t。也就是說，第二開口的尺寸并不受限于基材10的厚度t。在一實施方式中，第一開 口 110的深度d與基材10的厚度t的比值為1/5至3/5,但本發(fā)明并不限于此。
[0021] 在步驟S4中，形成第二圖案化光阻層30于第一開口 110的底面110a的上方，如 圖5所示。第二圖案化光阻層30可直接接觸底面110a。第二圖案化光阻層30用以定義第 二開口的尺寸及位置。舉例而言，可先形成一層光阻層（未繪示）于底面ll〇a上，例如可 利用旋轉涂布方式形成。在一實施方式中，底面ll〇a大致平行第二表面10b，以利形成平 坦的光阻層于底面ll〇a上。然后對此光阻層進行微影制程，以形成第二圖案化光阻層30。 重要的是，在步驟S2及S3之后，在形成第二圖案化光阻層30于底面110a上時，不需翻面 制作。也就是說，形成第一圖案化光阻層20 (即步驟S2)及形成第二圖案化光阻層30 (即 步驟S4)是施于基材10的同一側，無須翻面制作第二圖案化光阻層30,而可減少制程的復 雜度。
[0022] 在步驟S5中，如圖5-圖6所示，根據第二圖案化光阻層30蝕刻第一開口 110的 底面110a下方的基材10,以形成多個第二開口 120彼此分離并貫穿基材10,從而使這些第 二開口 120直接連通第一開口 110。最后，將第二圖案化光阻層30移除，而形成圖6所示的 屏蔽。
[0023] 在本實施方式中，第一開口 110的垂直投影面積大于所有第二開口 120的垂直投 影面積的總和。在此所述的「垂直投影」是指第一開口 110或第二開口 120對于基材10在 垂直方向（或稱厚度方向）上的投影。詳細而言，請參照圖7,其是依照本發(fā)明的一實施方 式的屏蔽的上視示意圖。如圖7所示，第一開口 110的上視面積（即垂直投影面積）大于 所有第二開口 120的上視面積（即垂直投影面積）的總和。
[0024] 值得注意的是，由于步驟S3是將欲形成第二開口 120處的基材10減薄，因此在蝕 刻步驟（即步驟S5)中，僅需考量減薄后的基材10的厚度，而不需考量基材10的原厚度t。 如此一來，可輕易地利用化學蝕刻（即等向性蝕刻）形成尺寸較小的第二開口 120。因此， 本發(fā)明的實施方式可輕易地制備出具有高分辨率的屏蔽。
[0025] 此外，如圖6、圖7所示，基材10的周邊部分10P被保留住，此周邊部分10P仍具有 厚度t，而使屏蔽具有一定的支撐度。如此一來，屏蔽在張網時，可透過周邊部分10P支撐， 使得第二開口 120處不易塌陷，也就不會造成第二開口 120變形。
[0026] 圖8-圖12是依照本發(fā)明的第二實施例的屏蔽的制造方法的各階段的剖面示意 圖。以下請參照圖1中的各步驟及第8-12圖的剖面示意圖。
[0027] 在步驟S1中，先提供一基材10,如圖8所示?；?0具有第一表面10a及第二 表面10b，而第二表面10b相對于第一表面10a。在數個實施方式中，基材10包括金屬、合 金或硅。舉例而言，基材10例如為鎳鈷合金基材。在數個實施方式中，基材10的厚度t為 30至50微米，但不限于此。
[0028] 在步驟S2中，形成第一圖案化光阻層20于基材10的第一表面10a的上方，如圖 9所示。第一圖案化光阻層20用以定義第一開口的尺寸及位置。舉例而言，可先形成一層 光阻層（未繪示）于第一表面l〇a上，例如可利用旋轉涂布方式形成。然后對此光阻層進 行微影制程，以形成第一圖案化光阻層20。
[0029] 在步驟S3中，根據第一圖案化光阻層20蝕刻基材10,以形成多個第一開口 110彼 此分離，如圖10所示。圖10與圖4的差異在于，圖10中的第一開口 110為復數個。但同 樣地，步驟S3是用以減薄后續(xù)欲形成尺寸較小的第二開口（即步驟S5)處的基材10的厚 度。如此一來，在藉由蝕刻制程以形成第二開口時，只需考量減薄后的基材10的厚度，而不 需考量基材10的厚度t。
[0030] 隨后，在步驟S4中，形成第二圖案化光阻層30于每個第一開口 110的底面110a 的上方，如圖11所示。第二圖案化光阻層30用以定義第二開口的尺寸及位置。舉例而言， 可先形成一層光阻層（未繪示）于底面ll〇a上，例如可利用旋轉涂布方式形成。然后對此 光阻層進行微影制程，以形成第二圖案化光阻層30。重要的是，在步驟S2及S3之后，在形 成第二圖案化光阻層30于底面110a上時，不需翻面制作。也就是說，形成第一圖案化光阻 層20 (即步驟S2)及形成第二圖案化光阻層30 (即步驟S4)是施于基材10的同一側，無須 翻面制作第二圖案化光阻層30,而可減少制程的復雜度。
[0031] 在步驟S5中，如圖11-圖12所示，根據第二圖案化光阻層30蝕刻各個第一開口 110的底面110a下方的基材10,以形成多個第二開口 120。第二開口 120是彼此分離，并貫 穿基材10,且各個第一開口 110直接連通所有第二開口 120中的至少一者。換言之，各個第 一開口 110與第二開口 120之間可一對一或一對多設置。在本實施方式中，如圖12所示， 第一開口 110與第二開口 120之間是一對一設置，但本發(fā)明并不限于此。
[0032] 在本實施方式中，第一開口 110的垂直投影面積大于直接連通的第二開口 120的 垂直投影面積。在此所述的「垂直投影」是指第一開口 110或第二開口 120對于基材10在 垂直方向上的投影。詳細而言，請參照圖13,其是依照本發(fā)明的一實施方式的屏蔽的上視示 意圖。如圖13所示，第一開口 110的上視面積（即垂直投影面積）大于直接連通的第二開 口 120的上視面積（即垂直投影面積）。
[0033] 由于步驟S3是將欲形成第二開口 120處的基材10減薄，因此在蝕刻步驟（即步 驟S5)中，僅需考量減薄后的基材10的厚度，而不需考量基材10的原厚度t。如此一來，可 輕易地利用化學蝕刻形成尺寸較小的第二開口 120。
[0034] 此外，如圖12、圖13所示，基材10的周邊部分10P及分隔部分10S被保留住，其 皆具有厚度t，而使屏蔽具有更佳的支撐度。如此一來，屏蔽在張網時，可透過周邊部分10P 及分隔部分10S支撐，使得第二開口 120處不易塌陷，也就不會造成第二開口 120變形。
[0035] 綜合上述，本發(fā)明提供了數種制造屏蔽的實施方式，其能夠形成尺寸較小的開口， 同時又能讓屏蔽保有足夠的支撐性，從而有效解決先前技術中所面臨的問題。在上述實施 方式中，是藉由兩次微影蝕刻，先形成尺寸較大的第一開口，再形成尺寸較小的第二開口。 由于在形成第一開口之后，第一開口下方的基材的厚度變薄，所以在形成尺寸較小的第二 開口時，不受到基材原本厚度的侷限。因此，制得的屏蔽可具有高分辨率，進而使利用此屏 蔽所制得的有機發(fā)光裝置具有較高的像素密度。再者，由于基材的周邊部分被保留住，因此 當屏蔽張網時，可透過周邊部分支撐，使得第二開口處不易塌陷，也就不會造成第二開口變 形。此外，形成第一圖案化光阻層步驟及形成第二圖案化光阻層步驟是施于基材的同一側， 無須翻面制作第二圖案化光阻層，而可減少制程的復雜度。
[0036] 雖然本發(fā)明已以實施方式公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技藝 者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當 視前述的申請專利范圍所界定者為準。
【權利要求】
1. 一種用于制造有機發(fā)光裝置的屏蔽的制造方法，包含： 形成一第一圖案化光阻層于一基材的一第一表面的上方； 根據該第一圖案化光阻層蝕刻該基材，以形成一第一開口，該第一開口具有一底面； 形成一第二圖案化光阻層于該第一開口的該底面的上方；以及 根據該第二圖案化光阻層蝕刻該第一開口的該底面下方的該基材，以形成多個第二開 口彼此分離并貫穿該基材，且該些第二開口直接連通該第一開口。
2. 如權利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，該第一開口的深度與該基材的 厚度的比值為1/5至3/5。
3. 如權利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，該基材的厚度為30至50微米。
4. 如權利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，該第一開口的垂直投影面積大 于該些第二開口的垂直投影面積的總和。
5. 如權利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，根據該第一圖案化光阻層蝕刻 該基材以形成該第一開口步驟包含根據該第一圖案化光阻層蝕刻該基材以形成多個第一 開口彼此分尚。
6. 如權利要求5所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，根據該第二圖案化光阻層蝕刻 該第一開口的該底面下方的該基材步驟包含根據該第二圖案化光阻層蝕刻各該第一開口 的該底面下方的該基材，以形成該些第二開口彼此分離并貫穿該基材，且各該第一開口直 接連通該些第二開口的至少一者。
7. 如權利要求6所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，各該第一開口的垂直投影面積 大于直接連通的該第二開口的垂直投影面積。
8. 如權利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，該基材包括金屬、合金或硅。
9. 如權利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，該屏蔽用于蒸鍍制程。
10. 如權利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，形成該第一圖案化光阻層步驟 及形成該第二圖案化光阻層步驟是施于該基材的同一側。
【文檔編號】H01L51/56GK104051676SQ201410328684
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年7月11日 優(yōu)先權日:2014年7月11日
【發(fā)明者】黃金海, 賴冠宇, 黃思齊, 馮捷威 申請人:華映視訊（吳江）有限公司, 中華映管股份有限公司