本發(fā)明屬于電磁場屏蔽技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及對于安全和可靠性要求極高的電器設(shè)備，保障其長期可靠穩(wěn)定的運(yùn)行在高場電磁環(huán)境，主要涉及一種用于屏蔽強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場的裝置。

背景技術(shù)：
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混合磁體是由水冷磁體和超導(dǎo)磁體組合而成，最高可產(chǎn)生45T世界最高場，對周圍的電子設(shè)備磁屏蔽要求極為苛刻，目前沒有現(xiàn)成且可靠的磁屏蔽裝置可供利用。在磁體升場、穩(wěn)場、退場過程中，產(chǎn)生強(qiáng)大電磁波，和高強(qiáng)度靜態(tài)磁場。其中混合磁體的真空計，液氦比例閥門、分子泵組等設(shè)備，在較強(qiáng)的電磁波及較高的穩(wěn)態(tài)磁場下就無法運(yùn)行，需要降低電磁波輻射強(qiáng)度及靜磁場強(qiáng)度。

真空測量設(shè)備是測量真空度的傳感器，可以將測量的真空度轉(zhuǎn)化為數(shù)據(jù)顯示出來，其內(nèi)部有將真空度轉(zhuǎn)換為電信號的結(jié)構(gòu)裝置，該結(jié)構(gòu)裝置不可以運(yùn)行在較強(qiáng)電磁環(huán)境及較高的靜磁場中，需要對其進(jìn)行電磁場及靜磁場的屏蔽。

液氦比例電磁閥門是控制液氦流量大小的電器設(shè)備，其中包括控制單元及執(zhí)行機(jī)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)裝置不可以運(yùn)行在較強(qiáng)電磁環(huán)境及較高的靜磁場中，需要對其進(jìn)行電磁場及靜磁場的屏蔽。

分子泵是為混合磁體提供真空環(huán)境的設(shè)備，其中包括控制單元及執(zhí)行機(jī)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)裝置不可以運(yùn)行在較強(qiáng)電磁環(huán)境及較高的靜磁場中，需要對其進(jìn)行電磁場及靜磁場的屏蔽。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
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本發(fā)明目的就是為了彌補(bǔ)已有技術(shù)的缺陷，提供一種用于屏蔽強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場的裝置，保證強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場下的真空測量設(shè)備、液氦比例電磁閥門、分子泵組的安全性和可靠。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種用于屏蔽強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場的裝置，其特征在于：包括有高導(dǎo)銅內(nèi)層和軟鐵外層構(gòu)成的屏蔽罩，所述高導(dǎo)銅內(nèi)層和軟鐵外層之間通過爆炸焊焊接為一體，所述屏蔽罩通過支架可拆卸安裝在被保護(hù)設(shè)備外部，且與被屏蔽設(shè)備有一定的氣隙。

所述的高導(dǎo)銅內(nèi)層作為內(nèi)層屏蔽材料，其采用Cu-OF材料，根據(jù)交變電磁波的頻率的變化的不同，對其厚度進(jìn)行調(diào)整，以達(dá)到最佳的電磁波屏蔽效果。

所述的軟鐵外層采用DT4A電工純鐵，用于屏蔽靜磁場，根據(jù)磁場強(qiáng)度的大小，對其厚度進(jìn)行調(diào)整，以達(dá)到最佳的靜磁場屏蔽效果。

所述的屏蔽罩外噴涂有噴漆層，其利用和設(shè)備環(huán)境顏色一致的油漆進(jìn)行噴涂，既可以防止軟體生銹及高導(dǎo)銅的氧化，又可以提高屏蔽設(shè)備的美觀度。

所述的支架采用316L無磁不銹鋼加工而成，以減小電磁場及靜磁場對支架的影響。

所述的支架與屏蔽罩連接處設(shè)有環(huán)氧墊片，防止產(chǎn)生感應(yīng)渦流，引起發(fā)熱和產(chǎn)生額外的雜散場。

所述的屏蔽罩的開口處背向電磁場源及靜磁場源的方向，可以大幅降低材料所需厚度尺寸，降低材料使用量，達(dá)到較好的屏蔽效果。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：

1）所述屏蔽裝置采用高導(dǎo)銅和軟鐵進(jìn)行爆炸焊接，形成復(fù)合板材，既可進(jìn)行電磁場屏蔽，又可進(jìn)行靜磁場屏蔽。

2）爆炸焊形成的板材，使得材料體積大大減小，使得盒體結(jié)構(gòu)設(shè)計小而輕。在保證可靠性、可維修性以及外觀美觀的基礎(chǔ)上，最大限度地減少了對空間的浪費(fèi)。

3) 爆炸焊焊縫處無需填入其它材料的焊料，焊縫是由拼接板材自身材質(zhì)熔化而成，所以焊縫處的材質(zhì)與所焊接的板材保持一致，無其它雜質(zhì)性材料摻入其中。所以焊縫的存在，不會減弱和改變整體結(jié)構(gòu)對電磁波的吸收和反射效能。

4）屏蔽罩采用可拆卸設(shè)計形式，使其結(jié)構(gòu)簡單，易于加工實(shí)現(xiàn)，便于安裝維修及升級，保證其具有良好的工況。

5）屏蔽罩的開口處方向與靜磁場及電磁場的發(fā)射源方向相反，以達(dá)到最優(yōu)的屏蔽效能。

以上幾項(xiàng)措施綜合運(yùn)用，將電磁波屏蔽罩及靜磁場屏蔽罩合二為一，使屏蔽罩結(jié)構(gòu)簡單，大大降低了對安裝空間的需求，并且采用可拆卸結(jié)構(gòu)，大大降低了安裝、維修及升級的難度。

附圖說明：

圖1為真空測量設(shè)備屏蔽示意圖，

圖2為液氦比例電磁閥門裝置屏蔽示意圖，

圖3為分子泵組屏蔽結(jié)構(gòu)示意圖。

上圖中，1. 軟鐵屏蔽層 ，2. 高導(dǎo)銅屏蔽層，3. 真空測量設(shè)備，4. 環(huán)氧絕緣襯套，5. 螺桿，6. 支撐基座，7. 閥門屏蔽罩，8. 液氦比例閥門設(shè)備，9. 環(huán)氧墊板，10. 支架，11. 分子泵屏蔽罩，12.分子泵，13.螺栓，14. 環(huán)氧支架， 15. 316L可升降支架。

具體實(shí)施方式：

參見附圖。

實(shí)施例1：

一種混合磁體外杜瓦處有4個真空測量規(guī)管，由于規(guī)管處于強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場中，在調(diào)試過程中，因受主磁體的電磁波及靜態(tài)磁場干擾，不能正常工作，故需對規(guī)管進(jìn)行電磁及靜磁屏蔽。

主磁體中心磁場強(qiáng)度為45T，真空測量設(shè)備3距離主磁體徑向2400mm，軸向910mm，主磁體勵磁和退磁過程中產(chǎn)生電磁波的頻率，屬于低頻范圍（DC到100KHz），內(nèi)層屏蔽材料選用厚度為3mm的Cu-OF材料的高導(dǎo)銅屏蔽層2達(dá)到最佳屏蔽效果。磁體在真空測量設(shè)備位置所產(chǎn)生的穩(wěn)態(tài)靜磁場強(qiáng)度為1200Gs，真空規(guī)管許用磁場強(qiáng)度為50Gs，經(jīng)計算外層軟鐵屏蔽層1采用厚度為30mm的DT4A電工純鐵可達(dá)到最佳屏蔽效果。具體的屏蔽結(jié)構(gòu)，參照圖1所示。

表面處理涂覆采用淺灰色表面噴涂，油漆厚度50μm。室內(nèi)使用，與環(huán)境顏色保持一致。油漆是非導(dǎo)電性，非導(dǎo)磁性的，根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行噴涂，其顏色和厚度，不影響屏蔽效能。油漆的作用是防護(hù)DT4A電工純鐵外表面不被氧化生銹，并保持持久光澤和造型美觀。

屏蔽罩和被屏蔽真空測量規(guī)管設(shè)備，均通過螺桿5固定在支撐基座6上。支撐基座6的物理尺寸和機(jī)械強(qiáng)度設(shè)計，可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整，需要考慮的因素包括屏蔽設(shè)備的重量，尺寸等，根據(jù)實(shí)際的安裝環(huán)境和固定方式來設(shè)計其結(jié)構(gòu)外形。支撐支架的材料是利用316L無磁不銹鋼加工而成，以減小電磁場及靜磁場對支架的影響。支架與屏蔽罩連接處采用環(huán)氧絕緣襯套4做墊片，用以防止產(chǎn)生感應(yīng)渦流，及引起發(fā)熱和產(chǎn)生額外的雜散場。

實(shí)施例2：

一種混合磁體外杜瓦處有19個液氦比例電磁閥門，由于閥門處于強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場中，在調(diào)試過程中，因受主磁體的電磁波及靜態(tài)磁場干擾，不能正常工作，因此需對閥門進(jìn)行電磁及靜磁屏蔽。液氦比例電磁閥門距離主磁體徑向5300mm，軸向600mm。屏蔽材料選用厚度為3mm的Cu-OF高導(dǎo)銅。磁體在液氦比例電磁閥門位置所產(chǎn)生的穩(wěn)態(tài)靜磁場強(qiáng)度為150Gs，閥門許用磁場強(qiáng)度為20Gs，經(jīng)計算使用厚度為10mm的DT4A電工純鐵可達(dá)到最佳屏蔽效果。具體的屏蔽結(jié)構(gòu)，參照圖2所示。表面處理涂覆采用淺灰色表面噴涂，油漆厚度50μm。室內(nèi)使用，與環(huán)境顏色保持一致。

閥門屏蔽罩7和液氦比例電磁閥門設(shè)備8，均固定在支架10上。支架10的物理尺寸和機(jī)械強(qiáng)度設(shè)計，根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整，需要考慮的因素包括評比設(shè)備的重量，屏蔽罩的重量，根據(jù)實(shí)際的安裝環(huán)境和固定方式來設(shè)計其結(jié)構(gòu)外形。支撐支架的材料是利用316L無磁不銹鋼加工而成，以減小電磁場及靜磁場對支架的影響。支架與屏蔽罩連接處采用環(huán)氧墊板9，用以防止產(chǎn)生感應(yīng)渦流，及引起發(fā)熱和產(chǎn)生額外的雜散場。

實(shí)施例3：

一種混合磁體外杜瓦處有2臺分子泵12，由于分子泵12處于強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場中，在調(diào)試過程中，因受主磁體的電磁波及靜態(tài)磁場干擾，不能正常工作，故需對閥門進(jìn)行電磁及靜磁屏蔽。分子泵距離主磁體徑向6300mm，軸向400mm。屏蔽材料選用厚度為3mm的Cu-OF高導(dǎo)銅。磁體在分子泵位置所產(chǎn)生的穩(wěn)態(tài)靜磁場強(qiáng)度為100Gs，分子泵許用磁場強(qiáng)度為50Gs，經(jīng)計算使用厚度為5mm的DT4A電工純鐵可達(dá)到最佳屏蔽效果。具體的屏蔽結(jié)構(gòu)，參照圖3所示。表面處理涂覆采用淺灰色表面噴涂，油漆厚度50μm。室內(nèi)使用，與環(huán)境顏色保持一致。

分子泵屏蔽罩11和被屏蔽真空測量規(guī)管設(shè)備，均通過螺栓13固定在可升降支架15上?？缮抵Ъ?5的物理尺寸和機(jī)械強(qiáng)度設(shè)計，可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整，需要考慮的因素包括評比設(shè)備的重量，分子泵屏蔽罩的重量，根據(jù)實(shí)際的安裝環(huán)境和固定方式來設(shè)計其結(jié)構(gòu)外形?？缮抵Ъ艿牟牧鲜抢?16L無磁不銹鋼加工而成，以減小電磁場及靜磁場對支架的影響。可升降支架15與分子泵屏蔽罩11連接處采用環(huán)氧支架14，用以防止產(chǎn)生感應(yīng)渦流，及引起發(fā)熱和產(chǎn)生額外的雜散場。