提高鈍化完整性的系統(tǒng)和方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具有提高的鈍化完整性的半導(dǎo)體器件。該器件包括襯底、第一層和金屬層。第一層形成在襯底上方。第一層包括通孔開口和鄰近通孔開口的錐形部分。金屬層形成在第一層的通孔開口和錐形部分上方。金屬層基本沒有間隙和空隙。本發(fā)明還提供了提高鈍化完整性的方法。
【專利說明】提高鈍化完整性的系統(tǒng)和方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體器件制造是用于建立在日常電氣和電子器件中存在的集成電路的工藝。制造工藝是光刻和化學(xué)處理步驟的多步序列，在該工藝期間，在由半導(dǎo)體材料所構(gòu)成的晶圓上逐步建立電路。硅是在制造工藝的過程中使用的典型半導(dǎo)體材料的實例，然而，可以利用其他類型的半導(dǎo)體材料。
[0003]通常在半導(dǎo)體器件中所使用的一層是鈍化層。鈍化層形成在其他層上方，以保護下面的層以免受在制造工藝的過程中所使用的其他材料的影響，其他材料包括溶液、氣體和等離子體等。位于鈍化層中的任何不期望的間隙或孔可能導(dǎo)致對下面的層的損害。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種具有提高的鈍化完整性的半導(dǎo)體器件，所述器件包括:襯底；第一層，形成在所述襯底上方，其中，所述第一層包括通孔開口和鄰近所述通孔開口的錐形部分，所述錐形部分包括一個或多個調(diào)節(jié)桿開口 ；以及金屬層，形成在所述第一層的所述通孔開口和所述錐形部分上方，其中，所述金屬層基本沒有間隙和空隙。
[0005]在該器件中，所述金屬層是導(dǎo)電通孔。
[0006]該器件進一步包括:鈍化層，形成在所述襯底上方和所述第一層下方。
[0007]在該器件中，所述一個或多個調(diào)節(jié)桿開口填充有部分所述金屬層。
[0008]在該器件中，所述第一層的錐形部分包括填充有部分所述金屬層的一個或多個調(diào)節(jié)桿開口。
[0009]在該器件中，所述第一層的錐形部分具有角大于約100度的錐形輪廓。
[0010]在該器件中，所述襯底包括TME層，并且所述第一層是硬掩模層。
[0011]該器件進一步包括:形成在所述金屬層上方的第二鈍化層。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種具有提高的鈍化完整性的半導(dǎo)體器件，所述器件包括:襯底；硬掩模層，形成在所述襯底上方，其中，所述硬掩模層包括通孔開口、鄰近所述通孔開口的錐形部分和位于所述錐形部分內(nèi)的調(diào)節(jié)桿開口 ；以及金屬層，形成在所述硬掩模層的通孔開口和錐形輪廓上方，其中，所述金屬層基本沒有間隙和空隙。
[0013]在該器件中，所述通孔開口的每側(cè)上的所述調(diào)節(jié)桿開口的數(shù)量大于或等于3。
[0014]在該器件中，所述金屬層包括AlCu。
[0015]在該器件中，所述調(diào)節(jié)桿開口的寬度大于所述調(diào)節(jié)桿開口之間的間隔。
[0016]在該器件中，所述調(diào)節(jié)桿開口的寬度小于所述調(diào)節(jié)桿開口之間的間隔。
[0017]該器件進一步包括:鈍化層，形成在所述襯底上方，并且具有與所述硬掩模層的所述調(diào)節(jié)桿開口匹配的調(diào)節(jié)桿開口。
[0018]在該器件中，所述鈍化層的調(diào)節(jié)桿開口基本填充有部分所述金屬層。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括:提供襯底；在所述襯底上方形成第一層；在所述第一層中形成通孔開口和調(diào)節(jié)桿開口 ；在所述調(diào)節(jié)桿開口周圍生成所述第一層的錐形部分；以及使用所述錐形部分、所述調(diào)節(jié)桿開口和所述通孔開口，在所述器件上形成金屬層，其中，所述金屬層基本沒有間隙和空隙。
[0020]該方法進一步包括:圖案化所述金屬層，以在所述通孔開口周圍形成導(dǎo)電通孔。[0021 ] 在該方法中，所述第一層是硬掩模層。
[0022]在該方法中，所述第一層是鈍化層。
[0023]在該方法中，所述錐形部分形成為角大于約100度的錐形輪廓。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是示出示例性半導(dǎo)體器件制造系統(tǒng)的框圖。
[0025]圖2是示出使用錐形輪廓和調(diào)節(jié)桿(modulat1n bar) /間隔件提高鈍化完整性的方法的流程圖。
[0026]圖3A是可以用于制造具有用于導(dǎo)電通孔的提高的鈍化層覆蓋率(coverage)的半導(dǎo)體器件的掩模的俯視圖。
[0027]圖3B是使用該方法制造的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0028]圖3C是在圖案化硬掩模層之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0029]圖3D是在錐角蝕刻硬掩模層之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0030]圖3E是在形成金屬層之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0031]圖3F是具有覆蓋金屬層的通孔部分的光刻膠層的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0032]圖3G是在圖案化金屬層之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0033]圖3H是在形成另一個鈍化層之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0034]圖4是示出利用調(diào)節(jié)間隔件建立(increate)階梯角(step angle)并且提高鈍化層覆蓋率的方法的流程圖。
[0035]圖5A是使用該方法制造的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0036]圖5B是在器件上方形成薄膜之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0037]圖5C是示出在形成調(diào)節(jié)間隔件之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0038]圖是在形成金屬層之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0039]圖5E是在圖案化金屬層之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0040]圖5F是在形成第二鈍化層之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。

【具體實施方式】
[0041]在本文中參考附圖進行描述，其中，在整個說明書中，相似的參考標號通常用于指示相似的元件，并且多種結(jié)構(gòu)不必須按比例繪制。在以下說明中，為了解釋的目的，闡述了大量的具體細節(jié)，以便于理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在利用較少程度的這些具體細節(jié)也可以實踐描述的一個或多個方面。在其他情況中，以框圖形式示出已知結(jié)構(gòu)和器件，以便于理解。
[0042]通常，半導(dǎo)體制造涉及對晶圓或半導(dǎo)體材料執(zhí)行相對大量的工藝步驟，以制造期望的半導(dǎo)體集成電路。制造工藝是光刻和化學(xué)處理步驟的多步序列，在其期間，在由半導(dǎo)體材料所構(gòu)成的晶圓上逐步建立電路。
[0043]工藝步驟可以分為前道工序(FEOL)處理和后道工序(BEOL)處理。在一個實例中，需要超過300個連續(xù)工藝步驟以在半導(dǎo)體晶圓上形成集成電路。
[0044]圖1是示出半導(dǎo)體器件制造系統(tǒng)100的框圖。系統(tǒng)100可以用于在制造期間從半導(dǎo)體器件上去除氮化物相關(guān)的沉淀物。去除工藝利用磷酸。
[0045]系統(tǒng)100包括工藝工具104和控制部件106。系統(tǒng)對半導(dǎo)體器件或晶圓102進行操作。半導(dǎo)體器件102包括氧化物層。
[0046]工藝工具104可以包括在半導(dǎo)體制造的過程中利用的一個或多個工具和溫度室等?？刂撇考?06啟動提高鈍化層覆蓋率的工藝。在一個實例中，該工藝利用調(diào)節(jié)桿和錐形硬掩模來改進間隙填充。在另一個實例中，工藝使用錐形角或階梯角來提高鈍化層覆蓋率。在以下方法中描述附加的具體細節(jié)。
[0047]圖2是示出使用錐形輪廓和調(diào)節(jié)桿/間隔件來提高鈍化完整性的方法200的流程圖。在形成金屬層之前，形成具有錐形輪廓和調(diào)節(jié)桿的硬掩模層。結(jié)果，減少了金屬層中的空隙等。從而，可以在金屬層上方形成具有改進的覆蓋率的鈍化層。方法200減少了鈍化層中的間隙或孔，提高了覆蓋率，并且結(jié)果能夠保護了下面的層。
[0048]結(jié)合圖3A至圖3H描述了方法200以便于理解。然而，應(yīng)該理解，提供附加的附圖用于說明的目的，并且不旨在將方法200限于本文中所示的布置。圖3A至圖3H示出使用方法200所制造的半導(dǎo)體器件。
[0049]圖3A是可以用于制造具有用于導(dǎo)電通孔的提高的鈍化層覆蓋率的半導(dǎo)體器件的掩模318的俯視圖。如下文所示，利用掩模318在硬掩模層內(nèi)形成調(diào)節(jié)桿。掩模在320處呈現(xiàn)較大的拐角角度，以改進覆蓋率。掩模還示出和限定了調(diào)節(jié)桿長度‘L’和通孔寬度‘b’。
[0050]在框202中，提供具有襯底、第一鈍化層和硬掩模的半導(dǎo)體器件。襯底可以包括一個或多個層和/或結(jié)構(gòu)。襯底包括TME層。在襯底之上或上形成第一鈍化層。第一鈍化層由諸如氮化硅、二氧化硅等的鈍化材料構(gòu)成?？梢酝ㄟ^諸如化學(xué)汽相沉積和等離子體增強的化學(xué)汽相沉積等的合適的沉積工藝形成第一鈍化層。在第一鈍化層之上或上形成硬掩模層。
[0051]圖3B是使用方法200所制造的半導(dǎo)體器件的截面圖。器件被描述為實例以用于說明目的。
[0052]器件包括其中形成有TME層304的襯底302。在襯底302上方形成第一鈍化層306。另外，在第一鈍化層306上方形成硬掩模層308。
[0053]在框204中，圖案化硬掩模層，以形成通孔開口和調(diào)節(jié)桿開口。通孔開口暴露下面的層(第一鈍化層)的一部分。調(diào)節(jié)桿開口暴露調(diào)節(jié)部分。
[0054]圖3C是在圖案化硬掩模層之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。如在框204中所述，圖案化硬掩模層308。硬掩模層308包括通孔開口 322和調(diào)節(jié)桿開口 320。
[0055]在框206中執(zhí)行錐角蝕刻，以使硬掩模層的多個部分錐形化。以接近通孔區(qū)域的部分比遠離通孔區(qū)域的部分被蝕刻掉更多的角度執(zhí)行錐角蝕刻。錐角蝕刻使用調(diào)節(jié)間隔件和蝕刻負載。錐角蝕刻限定了錐形部分或階梯形膜行為；包括用于硬掩模層的錐角、通孔寬度以及通孔高度。
[0056]圖3D是在硬掩模層的錐角蝕刻之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。先前在框204中圖案化硬掩模層308。此處，框206的錐角蝕刻形成硬掩模層308的錐形部分。錐形部分還稱為階梯形膜。錐角蝕刻限定了錐角312，其大于90度，而在另一個實例中，大于約100度。錐角312加上角度310等于180度。
[0057]錐角蝕刻還限定了用于硬掩模層的通孔寬度‘b’和通孔高度‘a(chǎn)’。調(diào)節(jié)桿的間隔距離S示出為‘S’。調(diào)節(jié)桿的寬度示出為‘W’。在圖3D中標示出這些部分。
[0058]寬高比被限定為b/a，在一個實例中，其在約2至5的范圍內(nèi)。在一個實例中，通孔寬度‘b’大于或等于約2 μ m。硬掩模間隔件(也稱為調(diào)節(jié)桿)的數(shù)量大于或等于I。在一個實例中，間隔S大于或等于約0.5 μ m。調(diào)節(jié)桿的寬度W大于或等于約0.5 μ m。值得注意的是，S和W可以相互改變。在一個實例中，圖3A中所示的調(diào)節(jié)桿長度‘L’在約0.5μπι至約2μπι的范圍內(nèi)。
[0059]在框208中，在器件上方形成金屬層。通過諸如濺射等的合適的金屬沉積工藝形成金屬層。在一個實例中，金屬層包括諸如AlCu的金屬材料。特別是在通孔區(qū)域內(nèi)，硬掩模層的調(diào)節(jié)桿和錐形部分有利于適當?shù)匦纬山饘賹印?br> [0060]圖3Ε是在形成金屬層之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。金屬層314示出為形成在器件上方。在該實例中，金屬層314由AlCu構(gòu)成。可以看出，金屬層314的多個部分延伸穿過硬掩模308調(diào)節(jié)桿和第一鈍化層306，并且向下到達下面的襯底302和ΤΜΕ304。
[0061]在框210中，使用光刻膠層圖案化金屬層，以形成導(dǎo)電通孔。光刻膠層被形成并且用于通過合適的圖案化工藝去除金屬層的多個部分。剩余部分形成導(dǎo)電通孔。利用合適的金屬圖案化工藝。應(yīng)當認識到，可以利用其他合適的圖案化工藝。
[0062]圖3F是具有覆蓋金屬層314的通孔部分的光刻膠層316的半導(dǎo)體器件的截面圖。
[0063]圖3G是在圖案化金屬層314之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。金屬層314的剩余部分是導(dǎo)電通孔。該光刻膠層316已被去除。
[0064]在框212中，在器件上方形成第二鈍化層。第二鈍化層也由諸如氮化硅和二氧化硅等的合適的鈍化材料構(gòu)成。在導(dǎo)電通孔上方形成具有合適或提高的覆蓋率的鈍化層。結(jié)果，鈍化層保護包括導(dǎo)電通孔的下面的層。
[0065]相比之下，用于在導(dǎo)電通孔上方形成這樣的鈍化層的其他技術(shù)是有問題的。調(diào)節(jié)桿和錐形部分的使用減少了在導(dǎo)電通孔內(nèi)產(chǎn)生的空隙或間隙?？障痘蜷g隙阻止鈍化層的適當形成，并且會損壞下面的層。
[0066]圖3Η是在形成另一個鈍化層之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。此處，在半導(dǎo)體器件上方形成第二鈍化層317?？梢钥闯?，第二鈍化層317覆蓋剩余金屬層314的所有部分或基本所有部分。
[0067]應(yīng)當認識到，方法200中的變化例可以預(yù)期。硬掩模調(diào)節(jié)桿的數(shù)量、尺寸和形狀以及錐形角可以改變。而且，還可以執(zhí)行附加框和/或工藝。
[0068]圖4是示出利用調(diào)節(jié)間隔件以建立(increate)階梯角并且提高鈍化層覆蓋率的方法400的流程圖。在形成金屬層之前，方法400利用調(diào)節(jié)間隔件，以減少金屬層中的間隙和/或空隙。從而，形成在金屬層上方的鈍化層具有改進的覆蓋率，并且減少了鈍化層中的間隙。
[0069]結(jié)合圖5A至圖5F描述方法400以便于理解。然而，應(yīng)當意識到，提供額外的附圖以用于說明目的，并且不旨在將方法400限于本文中所示的布置。圖5A至圖5F示出了使用方法400制造的半導(dǎo)體器件。
[0070]方法開始于框402，其中，提供半導(dǎo)體器件。器件包括襯底、TME層和第一鈍化層。襯底可以包括一個或多個層和/或結(jié)構(gòu)。襯底包括TME層。在襯底之上或上形成第一鈍化層。第一鈍化層由諸如氮化硅和二氧化硅等的鈍化材料構(gòu)成。第一鈍化層可以通過諸如化學(xué)汽相沉積和等離子體增強的化學(xué)汽相沉積等的合適的沉積工藝形成。去除鈍化層的位于TME層上方的部分。
[0071]圖5A是使用方法400制造的半導(dǎo)體器件的截面圖。提供該器件作為實例以便于理解。應(yīng)當意識到，可以預(yù)期到其他改變的半導(dǎo)體器件。
[0072]如在框402中所描述的，提供器件。該器件包括其中形成有TME層504的襯底502。在襯底502上方形成第一鈍化層506。在TME層的至少一部分上方具有開口。
[0073]在框404中，在器件上方形成薄膜。薄膜具有與第一鈍化層不同的蝕刻速率。在一個實例中，薄膜在薄膜和第一鈍化層之間具有大于I的選擇性蝕刻速率。在另一個實例中，薄膜形成為具有約0.6μηι的厚度。
[0074]圖5Β是在器件上方形成薄膜508之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。如在框404中所描述的，形成薄膜508。薄膜508覆蓋第一鈍化層506和部分TME層504。
[0075]在框406中執(zhí)行間隔件蝕刻，以選擇性地去除部分薄膜并且保留調(diào)節(jié)間隔件。調(diào)節(jié)間隔件形成在第一鈍化層的邊緣或側(cè)壁上，并且還可以稱為薄膜的錐形部分。調(diào)節(jié)間隔件具有通常大于約100度的間隔件角。另外，在間隔件之間并且在TME層上存在通孔距離。
[0076]在一個實例中，間隔件蝕刻利用薄膜和第一鈍化層之間的選擇性蝕刻速率。蝕刻從第一鈍化層的表面和TME層的一部分去除薄膜。結(jié)果，形成調(diào)節(jié)間隔件。
[0077]圖5C是示出在形成調(diào)節(jié)間隔件510之后的半導(dǎo)體器件的截面圖?？梢钥闯觯瑘D5Β中所示的薄膜508基本被去除，以保留間隔件510。如框406中描述的，通過蝕刻去除薄膜508。
[0078]調(diào)節(jié)間隔件510形成為具有錐形階梯角512和通孔寬度/距離‘b’。間隔件510具有間隔件高度‘a(chǎn)’，其還與第一鈍化層506的高度匹配。這些值可以根據(jù)實施方式而改變。
[0079]在一個實例中，通孔寬度‘b’為約2μπι。寬高比b/a為約2至5。錐形階梯角大于約100度。
[0080]在框408中，在器件上方形成金屬層。通過諸如濺射等的合適金屬沉積工藝形成金屬層。在一個實例中，金屬層包括諸如AlCu的金屬材料。特別是在通孔區(qū)域內(nèi)，硬掩模層的調(diào)節(jié)桿和錐形部分有利于適當?shù)匦纬山饘賹印?br> [0081]圖是在形成金屬層514之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。在該實例中，金屬層514由AlCu構(gòu)成，并且如框408中描述的那樣形成。可以看出，部分的金屬層514延伸至TME層504的表面、第一鈍化層506和調(diào)節(jié)間隔件510。
[0082]在框410中，使用光刻膠層圖案化金屬層以形成導(dǎo)電通孔。光刻膠層被形成并且用于通過合適圖案化工藝去除金屬層的多個部分。剩余部分形成導(dǎo)電通孔。利用合適的金屬圖案化工藝。應(yīng)當認識到，可以利用其他合適的圖案化工藝。
[0083]圖5E是在圖案化金屬層514之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。金屬層514的剩余部分是導(dǎo)電通孔。已去除用于圖案化金屬層514的光刻膠層。
[0084]在框412中，在器件上方形成第二鈍化層。第二鈍化層也由諸如氮化硅的合適的鈍化材料構(gòu)成。在導(dǎo)電通孔上方形成具有合適或提高的覆蓋率的鈍化層。結(jié)果，鈍化層保護包括導(dǎo)電通孔的下面的層。
[0085]相比之下，用于在導(dǎo)電通孔上方形成這樣的鈍化層的其他技術(shù)導(dǎo)致較差的覆蓋率，并且導(dǎo)致鈍化層中的間隙。調(diào)節(jié)間隔件的使用減少了導(dǎo)電通孔內(nèi)產(chǎn)生的空隙或間隙?？障痘蜷g隙阻止鈍化層的適當形成并且會損壞下面的層。
[0086]圖5F是在形成第二鈍化層516之后的半導(dǎo)體器件的截面圖。可以看出，第二鈍化層516覆蓋剩余金屬層514的所有部分或基本所有部分。
[0087]應(yīng)當意識到，可以預(yù)期到方法200和400的合適的變化例。
[0088]應(yīng)當意識到，雖然在論述本文中描述的方法的多個方面時，在整個文檔中參考示例性結(jié)構(gòu)(例如，當論述以上闡述的方法時，在以上附圖中呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu))，但是那些方法不受所呈現(xiàn)的相應(yīng)結(jié)構(gòu)的限制。相反，方法(和結(jié)構(gòu))將被認為不是相互依賴的，并且能夠獨立并且在不考慮圖中所示的任何特定方面的情況下，也能夠?qū)嵺`該方法(和結(jié)構(gòu))。
[0089]而且，基于對說明書和附圖的閱讀和/或理解，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以容易作出等效替代和/或修改。本文中公開的內(nèi)容包括所有這樣的修改和替代，并且通常不旨在限制于此。例如，雖然本文中提供的附圖被示出和描述為具有特定的摻雜類型，但是應(yīng)該理解，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理解的那樣，可以利用可選的摻雜類型。
[0090]公開了一種具有提高的鈍化完整性的半導(dǎo)體器件。該器件包括襯底、第一層和金屬層。第一層形成在襯底上方。第一層包括通孔開口和鄰近通孔開口的錐形部分。金屬層形成在第一層的通孔開口和錐形部分上方。金屬層基本沒有間隙和空隙。在一個實例中，第一層是硬掩模層。在另一個實例中，第一層是鈍化層。
[0091]公開了另一種具有提高的鈍化完整性的半導(dǎo)體器件。該器件包括襯底、硬掩模層和金屬層。硬掩模層形成在襯底上方。硬掩模層包括通孔開口、鄰近通孔開口的錐形部分以及位于錐形部分內(nèi)的調(diào)節(jié)桿開口。金屬層形成在硬掩模層的通孔開口和錐形部分上方。金屬層基本沒有間隙和空隙。
[0092]公開了一種制造半導(dǎo)體器件的方法。提供襯底。在襯底上方形成第一層。在第一層中形成通孔開口和調(diào)節(jié)桿開口。在調(diào)節(jié)桿開口周圍生成第一層的錐形部分。使用錐形部分、調(diào)節(jié)桿開口和通孔開口，在器件上方形成金屬層。金屬層基本沒有間隙和空隙。
[0093]公開了另一種制造半導(dǎo)體器件的方法。提供襯底。在襯底上方形成硬掩模層。在硬掩模層中形成通孔開口和調(diào)節(jié)桿開口。在調(diào)節(jié)桿開口周圍，在硬掩模層上生成錐形輪廓或部分。使用錐形輪廓、調(diào)節(jié)桿開口和通孔開口，在器件上方形成金屬層。金屬層基本沒有間隙和空隙。
[0094]公開了一種制造半導(dǎo)體器件的方法。提供襯底。在襯底上方形成第一鈍化層。在襯底上方形成硬掩模層。在硬掩模層中形成通孔開口和調(diào)節(jié)桿開口。使用調(diào)節(jié)桿開口，在器件上方形成金屬層。金屬層基本沒有空隙。圖案化金屬層以形成導(dǎo)電通孔。在導(dǎo)電通孔上方形成第二鈍化層。第二鈍化層沒有間隙。
[0095]公開了另一種制造半導(dǎo)體器件的方法。提供襯底。在襯底上方形成第一層。圖案化第一層以限定開口。在器件上方形成薄膜。執(zhí)行間隔件蝕刻，以去除部分的薄膜，并且將調(diào)節(jié)間隔件保留開口的側(cè)壁處。使用調(diào)節(jié)間隔件在器件上方形成金屬層以減少金屬層中的間隙的形成。
[0096]雖然已經(jīng)結(jié)合多個實施方式中的僅一個公開了特定部件或方面，但是如所期望的，將這樣的部件或方面可以與其他實施方式的一個或多個其他部件和/或方面結(jié)合。而且，在一定程度上，本文中使用了術(shù)語“包括”、“具有著”、“有”、“含有”和/或其變體，這樣的術(shù)語的意義旨在是包含性的(類似于“包括”)。而且，“示例性”僅意味著是指實例，而不是優(yōu)選地。還應(yīng)該理解，本文中描述的部件、層和/或元件被示出為相對于其他部件、層和/或元件具有特定的尺寸和/或方位，以用于簡單和容易理解的目的，并且實際尺寸和/或方位可以與本文中所示的完全不同。
【權(quán)利要求】
1.一種具有提高的鈍化完整性的半導(dǎo)體器件，所述器件包括: 襯底； 第一層，形成在所述襯底上方，其中，所述第一層包括通孔開口和鄰近所述通孔開口的錐形部分，所述錐形部分包括一個或多個調(diào)節(jié)桿開口 ；以及 金屬層，形成在所述第一層的所述通孔開口和所述錐形部分上方，其中，所述金屬層基本沒有間隙和空隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述金屬層是導(dǎo)電通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進一步包括:鈍化層，形成在所述襯底上方和所述第一層下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中，所述一個或多個調(diào)節(jié)桿開口填充有部分所述金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一層的錐形部分包括填充有部分所述金屬層的一個或多個調(diào)節(jié)桿開口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一層的錐形部分具有角大于約100度的錐形輪廓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述襯底包括TME層，并且所述第一層是硬掩模層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進一步包括:形成在所述金屬層上方的第二鈍化層。
9.一種具有提高的鈍化完整性的半導(dǎo)體器件，所述器件包括: 襯底； 硬掩模層，形成在所述襯底上方，其中，所述硬掩模層包括通孔開口、鄰近所述通孔開口的錐形部分和位于所述錐形部分內(nèi)的調(diào)節(jié)桿開口 ；以及 金屬層，形成在所述硬掩模層的通孔開口和錐形輪廓上方，其中，所述金屬層基本沒有間隙和空隙。
10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括: 提供襯底； 在所述襯底上方形成第一層； 在所述第一層中形成通孔開口和調(diào)節(jié)桿開口； 在所述調(diào)節(jié)桿開口周圍生成所述第一層的錐形部分；以及 使用所述錐形部分、所述調(diào)節(jié)桿開口和所述通孔開口，在所述器件上形成金屬層，其中，所述金屬層基本沒有間隙和空隙。
【文檔編號】H01L29/06GK104425567SQ201410320227
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年7月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月23日
【發(fā)明者】廖盈杰, 楊漢威, 賴振群, 郭康民, 田博仁 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司