多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法
【專利摘要】一種多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，包括：在襯底上淀積第一電熱隔離材料層；淀積第一電極材料層，淀積第二電熱隔離材料層；淀積第二電極材料層，形成第二下電極；淀積第三電熱隔離材料層；制作第三下電極；淀積第四電熱隔離材料層；依次淀積存儲(chǔ)材料層及第四電極材料層，淀積第五電熱隔離材料層；淀積第五電極材料層；在第五電熱隔離材料層開(kāi)孔至上電極的上表面；淀積第六電極材料層，并去除第六掩模開(kāi)槽并剝離形成三個(gè)第二測(cè)試電極。本發(fā)明對(duì)于快速實(shí)現(xiàn)小單元功耗及大單位面積集成度，與現(xiàn)有的CMOS工藝兼容，具有非常好的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。
【專利說(shuō)明】多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微納【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)和基礎(chǔ)服務(wù)設(shè)施的加速發(fā)展對(duì)于快速計(jì)算和高效存儲(chǔ)的要求越來(lái)越高，而CPU處理能力的提升對(duì)存儲(chǔ)芯片的速度和功耗的依賴性越來(lái)越顯著，因此如何發(fā)展高效存儲(chǔ)成為未來(lái)急需突破的關(guān)鍵技術(shù)之一。相變存儲(chǔ)器PCRAM(phase change randomaccess memory)具有非揮發(fā)性，與目前大多數(shù)的存儲(chǔ)器相比,具有器件尺寸小、功耗低、讀取速度快、抗輻照、能實(shí)現(xiàn)多級(jí)存儲(chǔ)以及與現(xiàn)有的CMOS工藝兼容等諸多優(yōu)點(diǎn)。具有類似器件結(jié)構(gòu)，基于金屬氧化物的電阻存儲(chǔ)器RRAM由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成分精確可控、與邏輯工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)。PCRAM和RRAM被認(rèn)為最有可能取代目前的SRAM、DRAM、FLASH等主流產(chǎn)品而成為未來(lái)主流存儲(chǔ)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
[0003]PCRAM以硫系化合物為存儲(chǔ)介質(zhì)，依靠電流的熱效應(yīng)控制相變材料在晶態(tài)(低阻)和非晶態(tài)(高阻)之間轉(zhuǎn)化實(shí)現(xiàn)信息的寫入與擦除，依靠探測(cè)存儲(chǔ)區(qū)域電阻的變化實(shí)現(xiàn)信息的讀出。目前，相變存儲(chǔ)器面臨的最主要問(wèn)題是操作電流過(guò)大，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求較高，限制了存儲(chǔ)功耗的降低、存儲(chǔ)速度的提升和存儲(chǔ)密度的提高。對(duì)于PCRAM操作電流過(guò)大的技術(shù)瓶頸，常規(guī)的解決方法(例如垂直器件中的插塞電極制備)對(duì)于光學(xué)光刻分辨率、CMP、MOCVD等工藝的依賴性較強(qiáng)，難于實(shí)現(xiàn)大面積、高精度、經(jīng)濟(jì)、高效地制備。而制備精度較高的電子束曝光、聚焦粒子束刻蝕等線性加工技術(shù)雖然能實(shí)現(xiàn)較高的制備精度，但受限于加工的速度無(wú)法實(shí)現(xiàn)大面積襯底上精細(xì)圖形的高效制備。
[0004]電阻存儲(chǔ)器(ResistanceRandomAccessMemory, RRAM)是基于一些介質(zhì)材料的電誘導(dǎo)阻變效應(yīng)發(fā)展起來(lái)的非揮發(fā)存儲(chǔ)器。它以簡(jiǎn)單的MM(Metal-1nsulator-Metal)電容結(jié)構(gòu)為功能器件。電容結(jié)構(gòu)中間的絕緣層是具有電誘導(dǎo)阻變特性的材料，其材料電阻會(huì)在特定外加電信號(hào)下發(fā)生可逆的非揮發(fā)的變化。這種可逆的阻值變化就形成了存儲(chǔ)器工作的基礎(chǔ)。
[0005]對(duì)于PCRAM和RRAM來(lái)說(shuō)，最具有產(chǎn)業(yè)化發(fā)展前景的是垂直結(jié)構(gòu)，但垂直結(jié)構(gòu)的制備產(chǎn)業(yè)化過(guò)程中都離不開(kāi)CMP工藝。相比較其它工藝來(lái)說(shuō)，對(duì)于新材料的刻蝕和CMP工藝優(yōu)化則是一個(gè)比較耗時(shí)、耗錢的過(guò)程，這也是新型存儲(chǔ)材料驗(yàn)證要面臨的最大瓶頸。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法。本發(fā)明對(duì)于快速實(shí)現(xiàn)小單元功耗及大單位面積集成度，與現(xiàn)有的CMOS工藝兼容，具有非常好的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。
[0007]本發(fā)明提供一種多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，該方法包括:
[0008]步驟1:在襯底上，淀積第一電熱隔離材料層，旋涂掩模層并光刻形成第一掩模開(kāi)槽；然后，在第一掩模開(kāi)槽及第一電熱隔離材料層暴露的上表面上，淀積第一電極材料層，并去除第一掩模開(kāi)槽，剝離形成第一下電極；其次，在第一電熱隔離材料層及第一下電極暴露的上表面，淀積第二電熱隔離材料層；
[0009]步驟2:在第二電熱隔離材料層上，旋涂掩模層并光刻形成第二掩模開(kāi)槽；然后，在第二掩開(kāi)槽及第二電熱隔離材料層暴露的上表面，淀積第二電極材料層，并去除第二掩模開(kāi)槽，剝離形成第二下電極；其次，在第二電熱隔離材料層及第二下電極暴露的上表面，淀積第三電熱隔離材料層；
[0010]步驟3:在第三電熱隔離材料層上旋涂掩模層，并光刻形成第三掩開(kāi)槽；然后，在第三掩開(kāi)槽及第三電熱隔離材料層暴露的上表面淀積第三電極材料層，并去除第三掩模開(kāi)槽，剝離形成第三下電極；其次，在第三電熱隔離材料層及第三下電極暴露的上表面，淀積第四電熱隔離材料層；
[0011]步驟4:在第四電熱隔離材料層上，旋涂掩模層并光刻形成第四掩模開(kāi)槽；然后，在第四掩開(kāi)槽及第四電熱隔離材料層暴露的上表面，依次淀積存儲(chǔ)材料層及第四電極材料層，并去除第四掩模開(kāi)槽，剝離形成條形存儲(chǔ)區(qū)及垂直疊加在條形存儲(chǔ)區(qū)正上方的上電極；其次，在第四電熱隔離材料層及上電極暴露的上表面，淀積第五電熱隔離材料層；
[0012]步驟5:在第五電熱隔離材料層上旋涂掩模層，并光刻形成第五掩模開(kāi)槽；然后，通過(guò)第五掩模開(kāi)槽，在第五、第四、第三、第二電熱隔離材料層上，各開(kāi)孔至第一、第二、第三下電極的上表面；其次，在第五掩模開(kāi)槽及第一、第二、第三下電極暴露的上表面，淀積第五電極材料層，并去除第五掩模開(kāi)槽并剝離形成三個(gè)第一測(cè)試電極；
[0013]步驟6:在第五電熱隔離材料層及三個(gè)第一測(cè)試電極暴露的上表面上旋涂掩模層，并光刻形成第六掩模開(kāi)槽；然后，通過(guò)第六掩模開(kāi)槽，在第五電熱隔離材料層開(kāi)孔至上電極的上表面；其次，在第六掩模開(kāi)槽及上電極暴露的上表面，淀積第六電極材料層，并去除第六掩模開(kāi)槽并剝離形成三個(gè)第二測(cè)試電極。
[0014]本發(fā)明公開(kāi)了一種多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法。該方法采用薄膜淀積工藝和腐蝕工藝制備多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器。該方法一方面，通過(guò)控制下電極薄膜的淀積厚度，有效可控與下電極邊緣接觸的存儲(chǔ)材料的有效存儲(chǔ)體積，從而達(dá)到降低單個(gè)存儲(chǔ)bit的功耗的目的；另一方面，通過(guò)將下電極與電熱隔離層材料交替淀積，可實(shí)現(xiàn)多位存儲(chǔ)，從而提高存儲(chǔ)密度；其次，由于與該種方法所述器件結(jié)構(gòu)的研發(fā)和生產(chǎn)工藝較好地兼容于當(dāng)前晶體管的主流工藝，研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移成本低，利用該方法所述的器件結(jié)構(gòu)可以快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化布局。本方法在高精度光刻手段，及高精度的薄膜淀積與腐蝕工藝輔助下，解決了以往研發(fā)此類垂直結(jié)構(gòu)由CMP技術(shù)的研發(fā)瓶頸所導(dǎo)致的研發(fā)周期長(zhǎng)、難度大、成本高、適用性差的缺點(diǎn)，并在制備精度、制備效率、經(jīng)濟(jì)性以及與現(xiàn)有的CMOS工藝兼容性等方面具有很大的優(yōu)越性。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明，其中:
[0016]圖1是本發(fā)明提供的多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法的流程圖；
[0017]圖2是基于多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備工藝流程總裝后結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是本發(fā)明提出的器件結(jié)構(gòu)的三維結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]請(qǐng)參閱圖1、圖2和圖3所示，本發(fā)明提供一種多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，該方法包括:
[0020]I)在襯底101上，淀積第一電熱隔離材料層102A，并在第一電熱隔離材料層102A上，旋涂掩模層，并光刻形成第一掩模開(kāi)槽；
[0021]其中襯底101的材料可以為硅、氮化鎵、藍(lán)寶石、碳化硅、砷化鎵或玻璃；作用在于提供器件制備所必須的平坦化支撐。
[0022]2)在第一掩模開(kāi)槽及第一電熱隔離材料層102A暴露的上表面上,淀積第一電極材料層；
[0023]3)腐蝕去除第一掩模開(kāi)槽，剝離形成第一下電極104A ；
[0024]4)在第一電熱隔離材料層102A及第一下電極104A暴露的上表面，淀積第二電熱隔離材料層102B ；
[0025]其中，所淀積的第一電極材料薄膜的厚度，一定程度上決定了下電極與存儲(chǔ)材料層的邊緣接觸面積。邊緣接觸面積越小，對(duì)應(yīng)的器件的有效存儲(chǔ)體積越小，相應(yīng)的單個(gè)存儲(chǔ)bit的功耗就越低。電熱隔離層與下電極交替淀積，一方面可以保證各個(gè)下電極間的電熱隔離，另一方面，也提高了存儲(chǔ)密度，降低了單位bit上的工藝成本。
[0026]5)在第二電熱隔離材料層102B上旋涂掩模層，并光刻形成第二掩模開(kāi)槽；
[0027]6)在第二掩開(kāi)槽及第二電熱隔離材料層102B暴露的上表面淀積第二電極材料層；
[0028]7)腐蝕去除第二掩模開(kāi)槽，剝離形成第二下電極104B ；
[0029]8)在第二電熱隔離材料層102B及第二下電極104B暴露的上表面，淀積第三電熱隔離材料層102C ；
[0030]9)在第三電熱隔離材料層102C上旋涂掩模層，并光刻形成第三掩開(kāi)槽；
[0031]10)在第三掩開(kāi)槽及第三電熱隔離材料層102C暴露的上表面淀積第三電極材料層；
[0032]11)腐蝕去除第三掩模開(kāi)槽，剝離形成第三下電極104C ；
[0033]12)在第三電熱隔離材料層102C及第三下電極104C暴露的上表面，淀積第四電熱隔離材料層102D ；
[0034]13)在第四電熱隔離材料層102D上旋涂掩模層，并光刻形成第四掩模開(kāi)槽；
[0035]14)在第四掩開(kāi)槽及第四電熱隔離材料層102D暴露的上表面，依次淀積存儲(chǔ)材料層及第四電極材料層；
[0036]15)腐蝕去除第四掩模開(kāi)槽，剝離形成條形存儲(chǔ)區(qū)105及垂直疊加在條形存儲(chǔ)區(qū)105正上方的上電極106 ；
[0037]16)在第四電熱隔離材料層102D及上電極106暴露的上表面，淀積第五電熱隔離材料層102E ；
[0038]17)在第五電熱隔離材料層102E上旋涂掩模層，并光刻形成第五掩模開(kāi)槽；
[0039]18)通過(guò)第五掩模開(kāi)槽，在第五電熱隔離材料層102E、第四電熱隔離材料層102D、第三電熱隔離材料層102C、第二電熱隔離材料層102B上，各開(kāi)孔至第一下電極104A、第二下電極104B和第三下電極104C的上表面；
[0040]19)在第五掩模開(kāi)槽及第一下電極104A、第二下電極104B、第三下電極104C暴露的上表面，淀積第五電極材料層；
[0041]20)去除第五掩模開(kāi)槽并剝離形成三個(gè)第一測(cè)試電極107 ；
[0042]21)在第五電熱隔離材料層102E及三個(gè)第一測(cè)試電極107暴露的上表面上旋涂掩模層，并光刻形成第六掩模開(kāi)槽；
[0043]22)通過(guò)第六掩模開(kāi)槽，在第五電熱隔離材料層102E開(kāi)孔至上電極106的上表面；
[0044]23)在第六掩模開(kāi)槽及上電極106暴露的上表面,淀積第六電極材料層；
[0045]24)去除第六掩模開(kāi)槽并剝離形成三個(gè)第二測(cè)試電極108。
[0046]所述第一、第二、第三、第四和第五電熱隔離材料層102A、102B、102C、102D和102E的材料可以為氮氧化合物、氮化物或氧化物，或以上其中多種的組合，作用在于提供器件工作的電熱絕緣環(huán)境，可以相同也可以不相同。由于其功能相同，編號(hào)中僅從最后一位的字母順序加以區(qū)分。其中，為了更好地實(shí)現(xiàn)電熱絕緣特性，第一電熱絕緣材料層102A優(yōu)選地選用LPCVD方法生長(zhǎng)的氮化硅或者熱氧化方法生長(zhǎng)的氧化硅。同時(shí)考慮到薄膜淀積工藝的溫度兼容性，按照電機(jī)薄膜的順序(第二 102B、第三102C、第四102D和第五102E)，排在后面的薄膜的淀積溫度不高于前序的薄膜的淀積溫度；所述第一、二、三、四和五電熱絕緣材料層102A、102B、102C、102D和102E，通過(guò)濺射法、蒸鍍法、化學(xué)氣相淀積法、激光輔助淀積法、原子層淀積法或熱氧化法或金屬有機(jī)物熱分解法中的一種或者幾種的組合進(jìn)行制備。
[0047]所述掩模層、第一、二、三、四和五掩模開(kāi)槽的材料是SU-8光刻膠、ZEP光刻膠、HSQ光刻膠、PMMA光刻膠、AZ系列光刻膠；通過(guò)旋涂法、光學(xué)光刻、激光直寫、電子束曝光、離子束直寫中的任意一種或幾種方法的組合制備。
[0048]所述第一、二、三、四、五和六電極材料層、第一、二和三下電極104A、104B和104C、上電極106、三個(gè)第一測(cè)試電極107、三個(gè)第二測(cè)試電極的材料可以是鎢、氮化鈦、鎳、鋁、鈦、金、銀、銅、鉬金屬單質(zhì)、及其氧化物中的一種或及其組合；通過(guò)旋涂法、化學(xué)氣相淀積法、原子層沉積法、金屬有機(jī)物熱分解法中的一種或者幾種制備。
[0049]條形存儲(chǔ)區(qū)105的材料是GeSbTe系列合金，或者是由GeSbTe系列合金、T12,Ta2O5, CeO2, HfOx, N1, AlOx, T1x, TaOx組成的二層或三層疊層。通過(guò)濺射法、蒸鍍法、化學(xué)氣相淀積法、激光輔助淀積法、原子層淀積法、熱氧化法或金屬有機(jī)物熱分解法中的一種制備。
[0050]圖3示出了利用本發(fā)明提出的上述方法制備的存儲(chǔ)器的立體結(jié)構(gòu)示意圖。為了能夠突出核心的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，其中第五電熱隔離材料層102E沒(méi)有在三維立體機(jī)構(gòu)示意圖中標(biāo)出。
[0051]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，該方法包括: 步驟1:在襯底上，淀積第一電熱隔離材料層，旋涂掩模層并光刻形成第一掩模開(kāi)槽；然后，在第一掩模開(kāi)槽及第一電熱隔離材料層暴露的上表面上，淀積第一電極材料層，并去除第一掩模開(kāi)槽，剝離形成第一下電極；其次，在第一電熱隔離材料層及第一下電極暴露的上表面，淀積第二電熱隔離材料層； 步驟2:在第二電熱隔離材料層上，旋涂掩模層并光刻形成第二掩模開(kāi)槽；然后，在第二掩開(kāi)槽及第二電熱隔離材料層暴露的上表面，淀積第二電極材料層，并去除第二掩模開(kāi)槽，剝離形成第二下電極；其次，在第二電熱隔離材料層及第二下電極暴露的上表面，淀積第三電熱隔離材料層； 步驟3:在第三電熱隔離材料層上旋涂掩模層，并光刻形成第三掩開(kāi)槽；然后，在第三掩開(kāi)槽及第三電熱隔離材料層暴露的上表面淀積第三電極材料層，并去除第三掩模開(kāi)槽，剝離形成第三下電極；其次，在第三電熱隔離材料層及第三下電極暴露的上表面，淀積第四電熱隔離材料層； 步驟4:在第四電熱隔離材料層上，旋涂掩模層并光刻形成第四掩模開(kāi)槽；然后，在第四掩開(kāi)槽及第四電熱隔離材料層暴露的上表面，依次淀積存儲(chǔ)材料層及第四電極材料層，并去除第四掩模開(kāi)槽，剝離形成條形存儲(chǔ)區(qū)及垂直疊加在條形存儲(chǔ)區(qū)正上方的上電極；其次，在第四電熱隔離材料層及上電極暴露的上表面，淀積第五電熱隔離材料層； 步驟5:在第五電熱隔離材料層上旋涂掩模層，并光刻形成第五掩模開(kāi)槽；然后，通過(guò)第五掩模開(kāi)槽，在第五、第四、第三、第二電熱隔離材料層上，各開(kāi)孔至第一、第二、第三下電極的上表面；其次，在第五掩模開(kāi)槽及第一、第二、第三下電極暴露的上表面，淀積第五電極材料層，并去除第五掩 模開(kāi)槽并剝離形成三個(gè)第一測(cè)試電極； 步驟6:在第五電熱隔離材料層及三個(gè)第一測(cè)試電極暴露的上表面上旋涂掩模層，并光刻形成第六掩模開(kāi)槽；然后，通過(guò)第六掩模開(kāi)槽，在第五電熱隔離材料層開(kāi)孔至上電極的上表面；其次，在第六掩模開(kāi)槽及上電極暴露的上表面，淀積第六電極材料層，并去除第六掩模開(kāi)槽并剝離形成三個(gè)第二測(cè)試電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，其中襯底的材料為硅、氮化鎵、藍(lán)寶石、碳化硅或玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，其中掩模層、第一、第二、第三、第四和第五掩模開(kāi)槽的材料是SU-8光刻膠、ZEP光刻膠、HSQ光刻膠、PMMA光刻膠、AZ6130光刻膠、S9912光刻膠和L300光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，其中掩模層、第一、第二、第三、第四和第五掩模開(kāi)槽是通過(guò)光學(xué)光刻、激光直寫、電子束曝光和離子束直寫中的任意一種或幾種方法的組合制備。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，其中第一、第二、第三、第四和第五電熱隔離材料層的材料是氮氧化合物、氮化物或氧化物中的任意一種或幾種的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，其中第一、第二、第三、第四和第五電熱隔離材料層是通過(guò)濺射法、蒸鍍法、化學(xué)氣相淀積法、激光輔助淀積法、原子層淀積法、熱氧化法或金屬有機(jī)物熱分解法中的一種制備。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，其中第一、第二和第三下電極、上電極、第一測(cè)試電極和第二測(cè)試電極的材料是鶴、氮化鈦、鎳、招、鈦、金、銀、銅、鉬金屬單質(zhì)、及其氧化物中的一種或幾種的組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，其中第一、第二和第三下電極、上電極、第一測(cè)試電極和第二測(cè)試電極是通過(guò)旋涂法、化學(xué)氣相淀積法、原子層沉積法、金屬有機(jī)物熱分解法中的一種或者幾種制備。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，其中條形存儲(chǔ)區(qū)的材料是GeSbTe系列合金，或者是由GeSbTe系列合金、T12, Ta2O5, CeO2, HfOx, N1, AlOx,T1x, TaOx組成的二層或三層疊層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多位高集成度垂直結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的制備方法，其中條形存儲(chǔ)區(qū)通過(guò)濺射法、蒸鍍法、化學(xué)氣相淀積法、激光輔助淀積法、原子層淀積法、熱氧化法或金屬有機(jī)物熱分解法中的 一種或者幾種制備。
【文檔編號(hào)】H01L45/00GK104051623SQ201410276211
【公開(kāi)日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月19日
【發(fā)明者】付英春, 王曉峰, 楊富華 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所