一種倒裝發(fā)光二極管芯片及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種倒裝發(fā)光二極管芯片及其制造方法，屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】。所述芯片包括外延片、透明導(dǎo)電層、P型電極、N型電極，外延片包括襯底、以及依次層疊在襯底上的N型層、有源層、P型層，透明導(dǎo)電層層疊在P型層上，N型電極設(shè)置在N型層上，P型電極設(shè)置在透明導(dǎo)電層上，芯片還包括由至少兩種折射率不同的非Ag材料層組成的布拉格反射層、以及P型焊點(diǎn)、N型焊點(diǎn)，布拉格反射層層疊在外延片、透明導(dǎo)電層、N型電極、以及P型電極的與襯底相反的表面上，布拉格反射層中設(shè)置有至少兩個(gè)沿芯片的生長方向的通孔，P型焊點(diǎn)通過至少一個(gè)通孔與P型電極連接，N型焊點(diǎn)通過至少一個(gè)通孔與N型電極連接。本發(fā)明避免了芯片亮度和良率降低的情況。
【專利說明】一種倒裝發(fā)光二極管芯片及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種倒裝發(fā)光二極管及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] LED(Light Emitting Diode,發(fā)光二極管）是一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，廣泛用于背 光、照明和顯示屏等領(lǐng)域。LED芯片包括正裝芯片和倒裝芯片。倒裝芯片是在GaN表面制備 反光層，使光從藍(lán)寶石表面出射，熱量通過GaN傳導(dǎo)。由于GaN材料的導(dǎo)熱系數(shù)比較高，厚 度較小，因此空穴和電子復(fù)合發(fā)光產(chǎn)生的熱量能及時(shí)傳導(dǎo)，散熱效果優(yōu)越，提高了芯片的內(nèi) 量子效率，應(yīng)用越來越廣泛。
[0003] 在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：
[0004] 現(xiàn)有的倒裝芯片都是采用金屬中反射率最高的Ag作為反光層材料，Ag是不穩(wěn)定 金屬，容易氧化，氧化之后反射率會(huì)下降，進(jìn)而導(dǎo)致芯片亮度降低。而且Ag容易遷移，形成 漏電通道，降低芯片的良率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)導(dǎo)致芯片亮度降低、降低芯片的良率的問題，本發(fā)明實(shí)施例提 供了一種倒裝發(fā)光二極管芯片及其制造方法。所述技術(shù)方案如下：
[0006] -方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種倒裝發(fā)光二極管芯片，所述芯片包括外延片、透 明導(dǎo)電層、P型電極、N型電極，所述外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的N型層、 有源層、P型層，所述透明導(dǎo)電層層疊在所述P型層上，所述N型電極設(shè)置在所述N型層上， 所述P型電極設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層上，其特征在于，所述芯片還包括由至少兩種折射率 不同的非Ag材料層組成的布拉格反射層、以及P型焊點(diǎn)、N型焊點(diǎn)，所述布拉格反射層層疊 在所述外延片、所述透明導(dǎo)電層、所述N型電極、以及所述P型電極的與所述襯底相反的表 面上，所述布拉格反射層中設(shè)置有至少兩個(gè)沿所述芯片的生長方向的通孔，所述P型焊點(diǎn) 通過至少一個(gè)所述通孔與所述P型電極連接，所述N型焊點(diǎn)通過至少一個(gè)所述通孔與所述 N型電極連接。
[0007] 可選地，所述布拉格反射層由交替的高折射率材料層和低折射率材料層組成，所 述高折射率材料層為TiO、Ti02、Ti305、Ti20 3、Ta205、Zr02中的一種或多種，所述低折射率材 料層為Si0 2、SiNx、Al203中的一種或多種。
[0008] 優(yōu)選地，所述P型焊點(diǎn)和所述N型焊點(diǎn)對稱分布在所述布拉格反射層上。
[0009] 優(yōu)選地，所述P型焊點(diǎn)和所述N型焊點(diǎn)均包括非Ag的第一金屬層、以及依次層疊 在所述第一金屬層上的第二金屬層、焊料層。
[0010] 可選地，所述第一金屬層為A1，所述第二金屬層為Al、Au、Ni中的一種或多種，所 述焊料層為Au或Au的合金。
[0011] 另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種倒裝發(fā)光二極管芯片的制造方法，所述方法 包括：
[0012] 在襯底上依次沉積N型層、有源層、P型層，構(gòu)成外延片；
[0013] 在所述P型層上沉積透明導(dǎo)電層，并在N型層上設(shè)置N型電極，在所述透明導(dǎo)電層 上設(shè)置P型電極；
[0014] 在所述外延片、所述透明導(dǎo)電層、所述N型電極、以及所述P型電極的與所述襯底 相反的表面上沉積布拉格反射層，所述布拉格反射層由至少兩種折射率不同的非Ag材料 層組成；
[0015] 在所述布拉格反射層中設(shè)置至少兩個(gè)沿所述芯片的生長方向的通孔，并形成P型 焊點(diǎn)和N型焊點(diǎn)，所述P型焊點(diǎn)通過至少一個(gè)所述通孔與所述P型電極連接，所述N型焊點(diǎn) 通過至少一個(gè)所述通孔與所述N型電極連接。
[0016] 可選地，所述布拉格反射層由交替的高折射率材料層和低折射率材料層組成，所 述高折射率材料層為TiO、Ti0 2、Ti305、Ti203、Ta 205、Zr02中的一種或多種，所述低折射率材 料層為Si0 2、SiNx、Al203中的一種或多種。
[0017] 優(yōu)選地，所述P型焊點(diǎn)和所述N型焊點(diǎn)對稱分布在所述布拉格反射層上。
[0018] 優(yōu)選地，所述P型焊點(diǎn)和所述N型焊點(diǎn)均包括非Ag的第一金屬層、以及依次沉積 在所述第一金屬層上的第二金屬層、焊料層。
[0019] 可選地，所述第一金屬層為A1，所述第二金屬層為Al、Au、Ni中的一種或多種，所 述焊料層為Au或Au的合金。
[0020] 本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：
[0021] 通過兩種折射率不同的非Ag材料層組成布拉格反射層，相對于采用Ag制作的反 射層，具有更高的可靠性，反射率在300攝氏度以下都不會(huì)改變，因此可以避免不穩(wěn)定金屬 Ag氧化之后反射率下降而造成芯片亮度降低的情況。而且非Ag材料層不存在如Ag那樣容 易遷移的導(dǎo)電物質(zhì)，因此可以避免出現(xiàn)由于反射層遷移形成漏電通道而降低芯片的良率的 情況。另外，由兩種折射率不同的非Ag材料層組成的布拉格反射層，比用Ag制作的反射層 的反射率更高，提高了 LED芯片的發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使 用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他 的附圖。
[0023] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種倒裝LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種倒裝LED芯片的制造方法的流程圖；
[0025] 圖3a_3f是本發(fā)明實(shí)施例二提供的倒裝LED芯片在制造過程沿其生長方向的結(jié)構(gòu) 示意圖；
[0026] 圖4a_4e是本發(fā)明實(shí)施例二提供的倒裝LED芯片在制造過程從襯底的相反側(cè)觀察 的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方 式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0028] 實(shí)施例一
[0029] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種倒裝LED芯片，參見圖1，該芯片包括外延片、透明導(dǎo)電 層5、P型電極6、N型電極7,該外延片包括襯底1、以及依次層疊在襯底1上的N型層2、有 源層3、P型層4,透明導(dǎo)電層5層疊在P型層4上，N型電極6設(shè)置在N型層2上，P型電極 7設(shè)置在透明導(dǎo)電層5上。該芯片還包括由至少兩種折射率不同的非Ag材料層組成的布拉 格反射層8、以及P型焊點(diǎn)9、N型焊點(diǎn)10。
[0030] 在本實(shí)施中，布拉格反射層8層疊在外延片、透明導(dǎo)電層5、N型電極6、以及P型 電極7的與襯底1相反的表面上（圖1中用粗線表示）。布拉格反射層8中設(shè)置有至少兩 個(gè)沿芯片的生長方向的通孔，P型焊點(diǎn)9通過至少一個(gè)通孔與P型電極7連接，N型焊點(diǎn)10 通過至少一個(gè)通孔與N型電極6連接。
[0031] 可以理解地，在形成P型層4時(shí)，該芯片上開設(shè)有從P型層4延伸到N型層2的凹 槽，從而可以在N型層2上設(shè)置N型電極6,在P型層4上的透明導(dǎo)電層5上設(shè)置P型電極 7。
[0032] 在制作N型焊點(diǎn)10時(shí)，N型焊點(diǎn)10 -般會(huì)將凹槽填平，直到N型焊點(diǎn)10的與襯 底1相反的表面與P型焊點(diǎn)9的與襯底1相反的表面在同一直線上（如圖1所示），從而有 利于后續(xù)的倒裝焊接工藝。
[0033] 具體地，N型層2可以為N型GaN，有源層3可以為多量子阱，P型層4可以為P型 GaN。
[0034] 在本實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層5為IT0(Indium Tin Oxides,納米銦錫金屬氧化物）。
[0035] 在其它實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層5可以為ΙΤ0、Ζη0、Ιη摻雜的Ζη0、Α1摻雜的ZnO、Ga 摻雜的ZnO中的一種或多種。
[0036] 可選地，透明導(dǎo)電層5的厚度可以為10_200nm。一般透明導(dǎo)電層5的厚度越 小，透過率越低，但達(dá)到某個(gè)閾值時(shí)，透明導(dǎo)電層5的透過率會(huì)下降，光吸收會(huì)增加，因此 10-200nm是一個(gè)優(yōu)選的范圍，在此范圍內(nèi)，透明導(dǎo)電層5在400nm-700nm波段的透過率可 超過85%。由于透過率越高，對光的吸收越小，芯片的發(fā)光效率越高，因此超過85%的透過 率，可有效提1?芯片的發(fā)光效率。
[0037] 在本實(shí)施例中，N型電極6和P型電極7均為Cr/Ti/Al，即N型電極6和P型電極 7分為三層，沿芯片的生長方向，最下面的一層為Cr，中間的一層為Ti，最上面的一層為A1。
[0038] 在其它實(shí)施例中，N型電極6也可以為Ni/Au、Cr/Pt/Au、Ti/Al/Ti/Au中的任一 種。P型電極7也可以為Ti/Au、Pt/Au、Ti/Al/Ti/Au中的任一種。
[0039] 優(yōu)選地，透明導(dǎo)電層5與P型層4之間、P型電極7與透明導(dǎo)電層5之間、N型電極 6與N型層2之間形成歐姆接觸，從而降低接觸電阻。
[0040] 在本實(shí)施例中，布拉格反射層8由折射率不同的Si02、Ti20 3組成。
[0041] 在其它實(shí)施例中，布拉格反射層8可以由交替的高折射率材料層和低折射率材料 層組成。高折射率材料層為TiO、Ti0 2、Ti305、Ti203、Ta 205、Zr02中的一種或多種，低折射率 材料層為Si02、SiN x、Al203中的一種或多種。
[0042] 優(yōu)選地，P型焊點(diǎn)9和N型焊點(diǎn)10可以對稱分布在布拉格反射層8上，以利于后 續(xù)的倒裝焊接工藝。
[0043] 在本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，P型焊點(diǎn)9和N型焊點(diǎn)10均可以包括非Ag的第一 金屬層、以及依次層疊在第一金屬層上的第二金屬層、焊料層。第一金屬層可以與布拉格反 射層構(gòu)成全方位反射膜，與Ag相比，具有更高的反射效率，進(jìn)一步提高了芯片的發(fā)光效率。 第二金屬層可以提高電流的擴(kuò)展，焊料層可以用于與導(dǎo)熱基板的綁定。另外，第一金屬層為 非Ag，因此不會(huì)被氧化，一方面可以避免在界面處形成很高的接觸電阻而導(dǎo)致芯片產(chǎn)生大 量的熱量，提高了芯片的發(fā)光效率，另一方面避免氧化后與布拉格反射層的粘附性變差而 容易脫落，提1? 了芯片的穩(wěn)定性。
[0044] 在本實(shí)施例中，第一金屬層為A1，第二金屬層為Au，焊料層為AuSn。
[0045] 在其它實(shí)施例中，第二金屬層可以為Al、Au、Ni中的一種或多種，焊料層可以為Au 或Au的合金。
[0046] 本發(fā)明實(shí)施例通過兩種折射率不同的非Ag材料層組成布拉格反射層，相對于采 用Ag制作的反射層，具有更高的可靠性，反射率在300攝氏度以下都不會(huì)改變，因此可以避 免不穩(wěn)定金屬Ag氧化之后反射率下降而造成芯片亮度降低的情況。而且非Ag材料層不存 在如Ag那樣容易遷移的導(dǎo)電物質(zhì)，因此可以避免出現(xiàn)由于反射層遷移形成漏電通道而降 低芯片的良率的情況。另外，由兩種折射率不同的非Ag材料層組成的布拉格反射層，比用 Ag制作的反射層的反射率更高，提高了芯片的發(fā)光效率。
[0047] 實(shí)施例二
[0048] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種倒裝LED芯片的制造方法，用于制造如實(shí)施例一所述的 倒裝LED芯片，參見圖2,該方法包括：
[0049] 步驟201 :在襯底上依次沉積N型層、有源層、P型層，構(gòu)成外延片。
[0050] 圖3a為執(zhí)行步驟201后得到的芯片沿其生長方向的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1表示襯 底，2表不N型層，3表不有源層，4表不P型層。
[0051] 具體地，N型層可以為N型GaN，有源層可以為多量子講，P型層可以為P型GaN。
[0052] 步驟202 :在P型層上沉積透明導(dǎo)電層，并在N型層上設(shè)置N型電極，在透明導(dǎo)電 層上設(shè)置P型電極。
[0053] 在本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，該步驟202可以包括：
[0054] 開設(shè)從P型層延伸到N型層的凹槽；
[0055] 在P型層上制備透明導(dǎo)電層；
[0056] 分別在N型層上設(shè)置N型電極，在透明導(dǎo)電層上設(shè)置P型電極。
[0057] 圖3b為開設(shè)凹槽后得到的芯片沿其生長方向的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3c為形成透明導(dǎo) 電層后得到的芯片沿其生長方向的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3d為設(shè)置N型電極和P型電極后得到的 芯片沿其生長方向的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4a為開設(shè)凹槽后得到的芯片從襯底的相反側(cè)觀察的 俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖4b為形成透明導(dǎo)電層后得到的芯片從襯底的相反側(cè)觀察的俯視結(jié)構(gòu) 示意圖，圖4c為設(shè)置N型電極和P型電極后得到的芯片從襯底的相反側(cè)觀察的俯視結(jié)構(gòu)示 意圖。其中，1表不襯底，2表不N型層，3表不有源層，4表不P型層，5表不透明導(dǎo)電層，6 表示N型電極，7表示P型電極。
[0058] 在本實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層為ΙΤ0。
[0059] 在其它實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層可以為ΙΤ0、ZnO、In摻雜的ZnO、A1摻雜的ZnO、Ga 摻雜的ZnO中的一種或多種。
[0060] 可選地，透明導(dǎo)電層的厚度可以為10_200nm。一般透明導(dǎo)電層的厚度越小，透過率 越低，但達(dá)到某個(gè)閾值時(shí)，透明導(dǎo)電層的透過率會(huì)下降，光吸收會(huì)增加，因此10_200nm是一 個(gè)優(yōu)選的范圍，在此范圍內(nèi)，透明導(dǎo)電層在400nm-700nm波段的透過率可超過85 %。由于透 過率越高，對光的吸收越小，芯片的發(fā)光效率越高，因此超過85%的透過率，可有效提高芯 片的發(fā)光效率。
[0061] 在本實(shí)施例中，N型電極和P型電極均為Cr/Ti/Al，即N型電極和P型電極分為三 層，沿芯片的生長方向，最下面的一層為Cr，中間的一層為Ti，最上面的一層為A1。
[0062] 在其它實(shí)施例中，N型電極也可以為Ni/Au、Cr/Pt/Au、Ti/Al/Ti/Au中的任一種。 P型電極也可以為Ti/Au、Pt/Au、Ti/Al/Ti/Au中的任一種。
[0063] 優(yōu)選地，透明導(dǎo)電層與P型層之間、P型電極與透明導(dǎo)電層之間、N型電極與N型層 之間形成歐姆接觸，從而降低接觸電阻。
[0064] 步驟203 :在外延片、N型電極、以及P型電極的與襯底相反的表面上沉積布拉格反 射層，布拉格反射層由至少兩種折射率不同的非Ag材料層組成。
[0065] 具體地，外延片、N型電極、以及P型電極的與襯底相反的表面可以如圖3d中的粗 線所示，也可以如圖4c所示。
[0066] 圖3e為執(zhí)行步驟203后得到的芯片沿其生長方向的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4d為執(zhí)行步 驟203后得到的芯片從襯底的相反側(cè)觀察的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1表示襯底，2表示N型 層，3表不有源層，4表不P型層，5表不透明導(dǎo)電層，6表不N型電極，7表不P型電極，8表 示布拉格反射層。
[0067] 在本實(shí)施例中，布拉格反射層由折射率不同的Si02、Ti20 3組成。
[0068] 在其它實(shí)施例中，布拉格反射層可以由交替的高折射率材料層和低折射率材料層 組成。高折射率材料層為TiO、Ti02、Ti305、Ti20 3、Ta205、Zr02中的一種或多種，低折射率材 料層為Si02、SiNx、Al203中的一種或多種。
[0069] 步驟204:在布拉格反射層中設(shè)置至少兩個(gè)沿芯片的生長方向的通孔，并形成P型 焊點(diǎn)和N型焊點(diǎn)，P型焊點(diǎn)通過至少一個(gè)通孔與P型電極連接，N型焊點(diǎn)通過至少一個(gè)通孔 與N型電極連接。
[0070] 可以理解地，在布拉格反射層中設(shè)置通孔時(shí)，為了保證布拉格反射層完全刻蝕干 凈，一般會(huì)過刻蝕。由于P型焊點(diǎn)通過通孔與P型電極連接，N型焊點(diǎn)通過通孔與N型電極 連接，P型電極和N型電極的厚度一般由2um，因此即使過刻蝕（一般為0. 2um)，也不會(huì)對 芯片性能造成損傷。
[0071] 在制作N型焊點(diǎn)時(shí)，N型焊點(diǎn)一般會(huì)將原先開設(shè)的凹槽填平，直到N型焊點(diǎn)的與襯 底相反的表面與P型焊點(diǎn)的與襯底相反的表面在同一直線上，從而有利于后續(xù)的倒裝焊接 工藝。
[0072] 圖3f為執(zhí)行步驟204后得到的芯片沿其生長方向的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4e為執(zhí)行步 驟204后得到的芯片從襯底的相反側(cè)觀察的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。其中，1表示襯底，2表示N型 層，3表不有源層，4表不P型層，5表不透明導(dǎo)電層，6表不N型電極，7表不P型電極，8表 示布拉格反射層，9表示P型焊點(diǎn)，10表示N型焊點(diǎn)。
[0073] 優(yōu)選地，P型焊點(diǎn)和N型焊點(diǎn)可以對稱分布在布拉格反射層上，以利于后續(xù)的倒裝 焊接工藝。
[0074] 在本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，P型焊點(diǎn)和N型焊點(diǎn)均可以包括非Ag的第一金屬 層、以及依次沉積在第一金屬層上的第二金屬層、焊料層。第一金屬層可以與布拉格反射層 構(gòu)成全方位反射膜，與Ag相比，具有更高的反射效率，進(jìn)一步提高了芯片的發(fā)光效率。第二 金屬層可以提高電流的擴(kuò)展，焊料層可以用于與導(dǎo)熱基板的綁定。另外，第一金屬層為非 Ag，因此不會(huì)被氧化，一方面可以避免在界面處形成很高的接觸電阻而導(dǎo)致芯片產(chǎn)生大量 的熱量，提高了芯片的發(fā)光效率，另一方面避免氧化后與布拉格反射層的粘附性變差而容 易脫落，提高了芯片的穩(wěn)定性。
[0075] 在本實(shí)施例中，第一金屬層為A1，第二金屬層為Au，焊料層為AuSn。
[0076] 在其它實(shí)施例中，第二金屬層可以為Al、Au、Ni中的一種或多種，焊料層可以為Au 或Au的合金。
[0077] 本發(fā)明實(shí)施例通過兩種折射率不同的非Ag材料層組成布拉格反射層，相對于采 用Ag制作的反射層，具有更高的可靠性，反射率在300攝氏度以下都不會(huì)改變，因此可以避 免不穩(wěn)定金屬Ag氧化之后反射率下降而造成芯片亮度降低的情況。而且非Ag材料層不存 在如Ag那樣容易遷移的導(dǎo)電物質(zhì)，因此可以避免出現(xiàn)由于反射層遷移形成漏電通道而降 低芯片的良率的情況。另外，由兩種折射率不同的非Ag材料層組成的布拉格反射層，比用 Ag制作的反射層的反射率更高，提高了芯片的發(fā)光效率。
[0078] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種倒裝發(fā)光二極管芯片，所述芯片包括外延片、透明導(dǎo)電層、P型電極、N型電極， 所述外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的N型層、有源層、P型層，所述透明導(dǎo)電 層層疊在所述P型層上，所述N型電極設(shè)置在所述N型層上，所述P型電極設(shè)置在所述透 明導(dǎo)電層上，其特征在于，所述芯片還包括由至少兩種折射率不同的非Ag材料層組成的布 拉格反射層、以及P型焊點(diǎn)、N型焊點(diǎn)，所述布拉格反射層層疊在所述外延片、所述透明導(dǎo)電 層、所述N型電極、以及所述P型電極的與所述襯底相反的表面上，所述布拉格反射層中設(shè) 置有至少兩個(gè)沿所述芯片的生長方向的通孔，所述P型焊點(diǎn)通過至少一個(gè)所述通孔與所述 P型電極連接，所述N型焊點(diǎn)通過至少一個(gè)所述通孔與所述N型電極連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述布拉格反射層由交替的高折射率材 料層和低折射率材料層組成，所述高折射率材料層為TiO、Ti0 2、Ti305、Ti203、Ta 205、Zr02中 的一種或多種，所述低折射率材料層為Si0 2、SiNx、Al203中的一種或多種。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述P型焊點(diǎn)和所述N型焊點(diǎn)對稱分 布在所述布拉格反射層上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片，其特征在于，所述P型焊點(diǎn)和所述N型焊點(diǎn)均包括非 Ag的第一金屬層、以及依次層疊在所述第一金屬層上的第二金屬層、焊料層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第一金屬層為A1，所述第二金屬層為 Al、Au、Ni中的一種或多種，所述焊料層為Au或Au的合金。
6. -種倒裝發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 在襯底上依次沉積N型層、有源層、P型層，構(gòu)成外延片； 在所述P型層上沉積透明導(dǎo)電層，并在N型層上設(shè)置N型電極，在所述透明導(dǎo)電層上設(shè) 置P型電極； 在所述外延片、所述透明導(dǎo)電層、所述N型電極、以及所述P型電極的與所述襯底相反 的表面上沉積布拉格反射層，所述布拉格反射層由至少兩種折射率不同的非Ag材料層組 成； 在所述布拉格反射層中設(shè)置至少兩個(gè)沿所述芯片的生長方向的通孔，并形成P型焊點(diǎn) 和N型焊點(diǎn)，所述P型焊點(diǎn)通過至少一個(gè)所述通孔與所述P型電極連接，所述N型焊點(diǎn)通過 至少一個(gè)所述通孔與所述N型電極連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述布拉格反射層由交替的高折射率材 料層和低折射率材料層組成，所述高折射率材料層為TiO、Ti0 2、Ti305、Ti203、Ta 205、Zr02中 的一種或多種，所述低折射率材料層為Si0 2、SiNx、Al203中的一種或多種。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述P型焊點(diǎn)和所述N型焊點(diǎn)對稱分 布在所述布拉格反射層上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述P型焊點(diǎn)和所述N型焊點(diǎn)均包括非 Ag的第一金屬層、以及依次沉積在所述第一金屬層上的第二金屬層、焊料層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層為A1，所述第二金屬層 為Al、Au、Ni中的一種或多種，所述焊料層為Au或Au的合金。
【文檔編號】H01L33/00GK104103733SQ201410274219
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月18日
【發(fā)明者】徐瑾, 金迎春, 徐盛海, 譚勁松, 韓濤, 王江波, 劉榕 申請人:華燦光電(蘇州）有限公司