監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，包括：在預(yù)期產(chǎn)生大顆粒缺陷的步驟對晶圓進行缺陷檢測；收集將造成后續(xù)工藝缺陷擴散的缺陷信息，并將收集的缺陷信息傳送至空間特征分析處理器，以便對缺陷信息進行特征化分析以提取出特征信息；將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留住；將空間特征分析處理器通過制造執(zhí)行系統(tǒng)留住的硅片進行返工處理。通過應(yīng)用本發(fā)明，可以有效預(yù)防光刻大顆缺陷的影響，為良率提升提供保障。
【專利說明】監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路工藝的發(fā)展，硅片生產(chǎn)要進行的工藝步驟越來越復(fù)雜，更先進的工藝也逐步被引進生產(chǎn)線，比如后段工藝的金屬阻擋刻蝕工藝。但是，這也帶來了一些不可避免的缺陷問題，比如光刻工藝中的大顆粒缺陷，在干刻工藝后，由于大顆粒缺陷處的不規(guī)則的光阻被干刻工藝的等離子體轟擊，使得不規(guī)則的光阻非常容易保留電荷從而產(chǎn)生電弧放電，導(dǎo)致造成大面積的缺陷影響，如圖1至圖3所示。
[0003]具體地說，對于圖1所示的光刻工藝，光刻膠10形成了圖案。此時，如圖2所示，大顆粒缺陷20處的不規(guī)則的光阻被干刻工藝的等離子體轟擊。從而在圖3所示的刻蝕后的溝槽中存在電荷30，從而產(chǎn)生電弧放電，導(dǎo)致造成大面積的缺陷影響。
[0004]目前，針對此類問題，由于大顆粒缺陷數(shù)量非常低，在干刻工藝中無法觸發(fā)制造執(zhí)行系統(tǒng)使產(chǎn)品晶圓批次在某個工藝步驟保持不變(不允許其再進行后續(xù)工藝)，只能通過在干刻工藝后監(jiān)控并作返工處理降低缺陷影響，但是很多缺陷無法去除，造成了良率的損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其提前將光刻工藝后的大顆粒缺陷檢測并及時在制造執(zhí)彳丁系統(tǒng)中把娃片留住，并通過在光刻工藝步驟返工，避免其在后續(xù)工藝中造成更大影響。
[0006]為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，包括:在預(yù)期產(chǎn)生大顆粒缺陷的步驟對晶圓進行缺陷檢測；收集將造成后續(xù)工藝缺陷擴散的缺陷信息，并將收集的缺陷信息傳送至空間特征分析處理器，以便對缺陷信息進行特征化分析以提取出特征信息；將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留??；將空間特征分析處理器通過制造執(zhí)行系統(tǒng)留住的硅片進行返工處理。
[0007]優(yōu)選地，可以采用掃描機對晶圓進行缺陷掃描。
[0008]優(yōu)選地，在將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留住的步驟中，掃描機將缺陷掃描數(shù)據(jù)傳遞給空間特征分析處理器，空間特征分析處理器與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通，如果空間特征分析處理器根據(jù)掃描機傳遞的缺陷掃描數(shù)據(jù)自動篩選出大顆粒缺陷，并且將篩選結(jié)果傳到制造執(zhí)打系統(tǒng)。
[0009]優(yōu)選地，制造執(zhí)行系統(tǒng)采用特定信息提醒操作人員。[0010]優(yōu)選地，特定信號可包括語音提醒信息或者燈光提醒信或者文字信息。
[0011]優(yōu)選地，特征信息包括缺陷的周長、面積、長度和寬度。
[0012]通過應(yīng)用本發(fā)明，可以有效預(yù)防光刻大顆缺陷的影響，為良率提升提供保障。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中:
[0014]圖1示意性地示出了將被討論的光刻工藝。
[0015]圖2示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)中存在的顆粒缺陷。
[0016]圖3示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)中存在的顆粒缺陷導(dǎo)致造成的缺陷。
[0017]圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法的流程圖。
[0018]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
【具體實施方式】
[0019]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。
[0020]圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法的流程圖。
[0021]如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法包括:
[0022]第一步驟SI，用于在預(yù)期產(chǎn)生大顆粒缺陷的步驟對晶圓進行缺陷檢測；具體地，例如可以采用掃描機對晶圓進行缺陷掃描；
[0023]第二步驟S2，用于收集將造成后續(xù)工藝缺陷擴散的缺陷信息，并將收集的缺陷信息傳送至空間特征分析處理器，以便對缺陷信息進行特征化分析以提取出特征信息，比如缺陷的周長、面積、長度、寬度等等；
[0024]第三步驟S3，用于將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通，以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時可以直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留?。痪唧w地，例如，掃描機將缺陷掃描數(shù)據(jù)傳遞給空間特征分析處理器，空間特征分析處理器與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通，如果空間特征分析處理器根據(jù)掃描機傳遞的缺陷掃描數(shù)據(jù)自動篩選出大顆粒缺陷，并且將此信息傳到制造執(zhí)行系統(tǒng)；而且，制造執(zhí)行系統(tǒng)通過事先的設(shè)定，比如針對大顆拉缺陷數(shù)量如果超過I顆，產(chǎn)品晶圓就不準下放，并應(yīng)用特定信息提醒操作人員。特定信號可包括語音提醒信息或者燈光提醒信息或者文字信息等。
[0025]第四步驟S4，可以在線實時監(jiān)控大顆拉缺陷，并將空間特征分析處理器通過制造執(zhí)行系統(tǒng)留住的硅片進行返工處理，以便去除在后續(xù)工藝能夠造成更大影響的大顆粒缺陷，避免缺陷的更大影響。
[0026]例如，可以選擇55納米邏輯產(chǎn)品應(yīng)用此方法，可以通過空間特征分析有效監(jiān)控大尺寸缺陷，并通過工藝返工處理及時去除，避免對后續(xù)工藝造成更大的缺陷影響，為良率提升提供保障。
[0027]通過應(yīng)用本發(fā)明，可以有效預(yù)防光刻大顆缺陷的影響，為良率提升提供保障。
[0028]例如，所述大顆粒缺陷指的是單側(cè)尺寸比光刻工藝的關(guān)鍵尺寸大2倍的不期望的顆粒殘留。在更有利的應(yīng)用，本發(fā)明尤其有利于應(yīng)用于所述大顆粒缺陷指的是單側(cè)尺寸比光刻工藝的關(guān)鍵尺寸大5-10倍的不期望的顆粒殘留。
[0029]此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0030]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于包括: 在預(yù)期產(chǎn)生大顆粒缺陷的步驟對晶圓進行缺陷檢測； 收集將造成后續(xù)工藝缺陷擴散的缺陷信息，并將收集的缺陷信息傳送至空間特征分析處理器，以便對缺陷信息進行特征化分析以提取出特征信息； 將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留??； 將空間特征分析處理器通過制造執(zhí)行系統(tǒng)留住的硅片進行返工處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，采用掃描機對晶圓進行缺陷掃描。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，在將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時直接通過制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留住的步驟中，掃描機將缺陷掃描數(shù)據(jù)傳遞給空間特征分析處理器，空間特征分析處理器與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通，如果空間特征分析處理器根據(jù)掃描機傳遞的缺陷掃描數(shù)據(jù)自動篩選出大顆粒缺陷，并且將篩選結(jié)果傳到制造執(zhí)行系統(tǒng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，制造執(zhí)行系統(tǒng)采用特定信息提醒操作人員。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，特定信號可包括語音提醒信息或者燈光提醒信或者文字信息。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，特征信息包括缺陷的周長、面積、長度和寬度。
【文檔編號】H01L21/66GK103996636SQ201410253190
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年6月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月9日
【發(fā)明者】范榮偉, 王洲男, 陳宏璘, 龍吟, 顧曉芳 申請人:上海華力微電子有限公司