技術特征：
1.發(fā)光二極管，依次包括襯底、緩沖層、n型導電層、發(fā)光區(qū)和p型導電層，其特征在于：所述發(fā)光區(qū)為多量子阱結構，其中至少一個量子阱結構包括：Ⅲ族氮化物的阱層以及在阱層上的基于Ⅲ族氮化物的壘層，所述壘層包含至少一第一SiNx插入層，所述第一SiNx插入層在所述壘層內形成離散的晶體結構。2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述壘層由AlpInqGa1-p-qN組成，其中0≤p≤1，0≤q≤1，0≤p+q≤1。3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述壘層中至少一個所述第一SiNx插入層貫穿所述壘層。4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一SiNx插入層的厚度為0.1nm~10nm。5.發(fā)光二極管，依次包括襯底、緩沖層、n型導電層、發(fā)光區(qū)和p型導電層，其特征在于：所述發(fā)光區(qū)為多量子阱結構，其中至少一個量子阱結構包括：Ⅲ族氮化物的阱層以及在阱層上的基于Ⅲ族氮化物的壘層，所述壘層包含至少一第一SiNx插入層，還包括一位于所述n型導電層和發(fā)光區(qū)之間的由InxGa1-xN組成的應力釋放層，其中0<x≤1，所述應力釋放層至少具有一第二SiNx插入層。6.根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二SiNx插入層的厚度為0.1nm~20nm。7.根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述應力釋放層的In組分不小于所述發(fā)光區(qū)的阱層中的In組分，其禁帶寬度不小于阱層中組成材料的禁帶寬度。8.根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二SiNx插入層在所述應力釋放層內形成離散的晶體結構。9.根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述應力釋放層的生長溫度不小于所述發(fā)光區(qū)阱層的生長溫度。10.發(fā)光二極管的制作方法，依次在襯底上形成緩沖層、n型導電層、發(fā)光區(qū)和p型導電層，所述形成的發(fā)光區(qū)為多量子阱結構，其中至少一個量子阱結構包括：Ⅲ族氮化物的阱層以及在量子阱層上的基于Ⅲ族氮化物的壘層，其中壘層包含至少一第一SiNx插入層，所述第一SiNx插入層在所述壘層內形成離散的晶體結構。11.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述第一SiNx插入層是在單個MOCVD反應室中用單獨的MOCVD方法進行沉積得到的。12.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：還包括在所述n型導電層和發(fā)光區(qū)之間形成一由InxGa1-xN組成的應力釋放層，所述應力釋放層至少具有一第二SiNx插入層，其中0<x≤1。13.根據(jù)權利要求12所述的發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述第二SiNx插入層是在單個MOCVD反應室中用單獨的MOCVD方法進行沉積得到的。