提高tmbs良率的工藝方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種提高TMBS良率的工藝方法，柵極形成之后，在柵極的表面依次形成第一阻擋介質(zhì)層、第二阻擋介質(zhì)層和層間介質(zhì)層，因此刻蝕去除較厚的層間介質(zhì)層時(shí)，由第一阻擋介質(zhì)層和第二阻擋介質(zhì)層保護(hù)，不會(huì)對(duì)柵介質(zhì)層造成損傷，再依次刻蝕去除第二阻擋介質(zhì)層和第一阻擋介質(zhì)層時(shí)，由于第一阻擋介質(zhì)層較薄，一方面形成第一阻擋介質(zhì)層的均勻性差異較小，另一方面刻蝕時(shí)間得以大大縮短，避免了溝槽側(cè)壁柵介質(zhì)層過刻蝕或介質(zhì)層殘留的問題。形成較薄的第一阻擋介質(zhì)層能夠降低對(duì)設(shè)備機(jī)臺(tái)要求，同時(shí)減少了溝槽側(cè)壁柵介質(zhì)層的損傷，增大工藝窗口，能夠提高TMBS的良率。
【專利說明】提高TMBS良率的工藝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種提高TMBS良率的工藝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]勢(shì)魚肖特基二極管(Trench Mos Barrier Schottky, TMBS),又稱為金屬-半導(dǎo)體二極管，是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。TMBS用某些金屬和半導(dǎo)體相接觸，在它們的交界面處便會(huì)形成一個(gè)勢(shì)壘區(qū)(通常稱為“表面勢(shì)壘”或“肖特基勢(shì)壘”)，產(chǎn)生整流、檢波作用。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響應(yīng)僅被RC時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。
[0003]請(qǐng)參考圖1至圖5，圖1至圖5為現(xiàn)有技術(shù)中TMBS制作過程中形成柵介質(zhì)層和柵極的剖面示意圖。形成柵介質(zhì)層和柵極的步驟包括:
[0004]S1:提供半導(dǎo)體襯底10，所述半導(dǎo)體襯底10可以為硅襯底；
[0005]S2:在所述半導(dǎo)體襯底10上形成硬掩模層20 ；
[0006]S3:依次刻蝕所述硬掩模層20和半導(dǎo)體襯底10，在所述半導(dǎo)體襯底10內(nèi)形成多個(gè)溝槽(Trench) 11，如圖1所示；
[0007]S4:在所述溝槽11的側(cè)壁表面形成柵介質(zhì)層30，其中，形成柵介質(zhì)層30的步驟包括:先在所述溝槽11的側(cè)壁表面形成犧牲氧化層(圖未示出)，接著對(duì)所述犧牲氧化層進(jìn)行氫氟酸清洗(HF Dip)，去除所述犧牲氧化層，接著再形成柵介質(zhì)層30，如圖2所示；
[0008]S5:在所述溝槽11內(nèi)、所述柵介質(zhì)層30以及硬掩模層20的表面上形成柵極層，接著對(duì)柵極層進(jìn)行刻蝕形成柵極40，刻蝕暴露出硬掩模層20并且使所述柵極40與所述柵介質(zhì)層30頂部保持相同高度，如圖3所示；
[0009]S6:在所述硬掩膜層20、柵介質(zhì)層30以及柵極40的表面形成層間介質(zhì)層50，并且對(duì)層間介質(zhì)層50進(jìn)行致密化處理(Densify),如圖4所示；
[0010]S7:依次刻蝕所述層間介質(zhì)層50和硬掩模層20，形成通孔連線區(qū)，所述通孔連線區(qū)暴露出所述柵極40以及部分半導(dǎo)體襯底10，以方便后續(xù)形成通孔連線，如圖5所示。
[0011 ] 在步驟S7中，采用的是干法刻蝕依次刻蝕層間介質(zhì)層50和硬掩模層20，干法刻蝕即采用刻蝕氣體的等離子體(Plasma)進(jìn)行刻蝕。然而，常規(guī)的Plasma刻蝕在刻蝕表面的10000埃的介質(zhì)層時(shí)需要刻蝕180s，由于設(shè)備機(jī)臺(tái)反應(yīng)腔室中的Plasma分布不均勻，位于反應(yīng)腔室中心區(qū)域的Plasma濃度高于位于邊緣區(qū)域的濃度，因此，導(dǎo)致Plasma在刻蝕中心區(qū)域介質(zhì)層的速率高于刻蝕邊緣區(qū)域介質(zhì)層的速率，這就造成Plasma刻蝕介質(zhì)層時(shí)每分鐘有200埃左右的均勻性差異，那么180s的刻蝕將會(huì)造成至少600埃均勻性的偏差。
[0012]通常情況下，形成的層間介質(zhì)層50較厚，通常為10000埃，由于設(shè)備機(jī)臺(tái)的限制，導(dǎo)致形成如此厚的層間介質(zhì)層50本身就存在一定的均勻性問題，生長(zhǎng)10000埃的層間介質(zhì)層50會(huì)有800埃的均勻性偏差，加上刻蝕帶來的600埃的偏差，這樣累計(jì)后將會(huì)有1400埃的均勻性偏差。這也就是說，在在步驟S7中刻蝕去除層間介質(zhì)層50和硬掩模層20后，半導(dǎo)體襯底10上要么會(huì)存在1400埃的介質(zhì)層的殘留，要么一部分介質(zhì)層被過刻蝕1400埃。請(qǐng)參考圖5，為了完全刻蝕通孔區(qū)域的層間介質(zhì)層50和硬掩模層20，采用了過刻蝕法，即延長(zhǎng)刻蝕時(shí)間，然而，卻對(duì)溝槽11側(cè)壁的柵介質(zhì)層30過刻蝕，如圖5中虛線圈所示。
[0013]而溝槽11側(cè)壁的柵介質(zhì)層30不允許超過1200埃的過刻，否則會(huì)影響器件的良率；若減少刻蝕量，會(huì)存在介質(zhì)層的殘留，同樣會(huì)影響良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本發(fā)明的目的在于提供一種提高TMBS良率的工藝方法，能夠解決溝槽側(cè)壁柵介質(zhì)層過刻蝕或介質(zhì)層殘留的問題，提高TMBS的良率。
[0015]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種提高TMBS良率的工藝方法，所述方法包括步驟:
[0016]提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有多個(gè)溝槽；
[0017]在所述半導(dǎo)體襯底的表面及溝槽內(nèi)表面均形成柵介質(zhì)層；
[0018]在所述溝槽內(nèi)形成柵極，所述柵極形成于溝槽內(nèi)柵介質(zhì)層的表面并且與溝槽頂部
高度一致；
[0019]在所述柵極表面依次形成第一阻擋介質(zhì)層、第二阻擋介質(zhì)層以及層間介質(zhì)層；
[0020]依次刻蝕所述層間介質(zhì)層、第二阻擋介質(zhì)層和第一阻擋介質(zhì)層，形成通孔區(qū)域。
[0021]進(jìn)一步的，所述溝槽的形成步驟包括:
[0022]在所述半導(dǎo)體襯底表面形成硬掩模層；
[0023]在所述硬掩模層上形成圖案化的光阻層；
[0024]以所述圖案化的光阻層和硬掩模層為掩模，刻蝕形成多個(gè)溝槽。
[0025]進(jìn)一步的，在形成多個(gè)溝槽之后，去除所述硬掩模層，暴露出所述溝槽的頂部。
[0026]進(jìn)一步的，在所述半導(dǎo)體襯底的表面及溝槽內(nèi)表面均形成柵介質(zhì)層的步驟包括:
[0027]在所述半導(dǎo)體襯底的表面及溝槽內(nèi)表面均形成一層犧牲介質(zhì)層；
[0028]使用酸液清洗去除所述犧牲介質(zhì)層；
[0029]在所述半導(dǎo)體襯底的表面及溝槽內(nèi)表面均形成柵介質(zhì)層。
[0030]進(jìn)一步的，所述犧牲介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅，所述酸液為氫氟酸。
[0031]進(jìn)一步的，所述柵介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅，采用熱氧化法形成。
[0032]進(jìn)一步的，在所述溝槽內(nèi)形成柵極的步驟包括:
[0033]在所述柵介質(zhì)層表面形成柵極層；
[0034]刻蝕所述柵極層，形成柵極，刻蝕暴露出所述溝槽的頂部。
[0035]進(jìn)一步的，所述第一阻擋介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅，采用熱氧化法在所述柵極的表面形成。
[0036]進(jìn)一步的，所述第一阻擋介質(zhì)層的厚度范圍是500埃?1000埃。
[0037]進(jìn)一步的，采用干法刻蝕對(duì)所述第一阻擋介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕。
[0038]進(jìn)一步的，所述第二阻擋介質(zhì)層的材質(zhì)為氮化硅，采用化學(xué)氣相沉積形成。
[0039]進(jìn)一步的，所述第二阻擋介質(zhì)層的厚度范圍是500埃?700埃。
[0040]進(jìn)一步的，采用干法刻蝕對(duì)所述第二阻擋介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕。
[0041]進(jìn)一步的，所述層間介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅，采用化學(xué)氣相沉積形成。
[0042]進(jìn)一步的，所述層間介質(zhì)層的厚度范圍是3000埃?5000埃。[0043]進(jìn)一步的，采用濕法刻蝕對(duì)所述層間介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕。
[0044]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:柵極形成之后，在柵極的表面依次形成第一阻擋介質(zhì)層、第二阻擋介質(zhì)層和層間介質(zhì)層，因此刻蝕去除較厚的層間介質(zhì)層時(shí)，由第一阻擋介質(zhì)層和第二阻擋介質(zhì)層保護(hù)，不會(huì)對(duì)柵介質(zhì)層造成損傷，再依次刻蝕去除第二阻擋介質(zhì)層和第一阻擋介質(zhì)層時(shí)，由于第一阻擋介質(zhì)層較薄，一方面形成第一阻擋介質(zhì)層的均勻性差異較小，另一方面刻蝕時(shí)間得以大大縮短，避免了溝槽側(cè)壁柵介質(zhì)層過刻蝕或介質(zhì)層殘留的問題。形成較薄的第一阻擋介質(zhì)層能夠降低對(duì)設(shè)備機(jī)臺(tái)要求，同時(shí)減少了溝槽側(cè)壁柵介質(zhì)層的損傷，增大工藝窗口，能夠提高TMBS的良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]圖1至圖5為現(xiàn)有技術(shù)中TMBS制作過程中的剖面示意圖；
[0046]圖6為本發(fā)明一實(shí)施例中提高TMBS良率工藝方法的流程圖；
[0047]圖7至圖13為發(fā)明一實(shí)施例中TMBS制作過程中的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的提高TMBS良率的工藝方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0049]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0050]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0051]請(qǐng)參考圖6，在本實(shí)施例中，提出了一種提高TMBS良率的工藝方法，所述方法包括步驟:
[0052]SlOO:提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100上形成有多個(gè)溝槽110 ；
[0053]S200:在所述半導(dǎo)體襯底100的表面及溝槽110內(nèi)表面均形成柵介質(zhì)層300 ；
[0054]S300:在所述溝槽110內(nèi)形成柵極400，所述柵極400形成于溝槽110內(nèi)柵介質(zhì)層300的表面并且與溝槽110頂部高度一致；
[0055]S400:在所述柵極400表面依次形成第一阻擋介質(zhì)層510、第二阻擋介質(zhì)層520以及層間介質(zhì)層600 ；
[0056]S500:依次刻蝕所述層間介質(zhì)層600、第二阻擋介質(zhì)層520和第一阻擋介質(zhì)層510,形成通孔區(qū)域700。
[0057]在步驟SlOO中，所述半導(dǎo)體襯底100可以為單晶硅、多晶硅或絕緣體上硅等襯底，所述溝槽Iio的形成步驟包括:[0058]在所述半導(dǎo)體襯底100的表面形成硬掩模層(Hard mask) 200,如圖7所示,所述硬掩模層200可以為熱氧化法形成的氧化硅和采用四乙氧基硅烷(TEOS)形成的氧化硅的復(fù)
合層；
[0059]在所述硬掩模層200上形成圖案化的光阻層；
[0060]以所述圖案化的光阻層和硬掩模層200為掩模，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底100形成多個(gè)溝槽110。
[0061]在本實(shí)施例中，所述溝槽110形成之后，可以刻蝕去除所述硬掩模層200，暴露出所述溝槽110的頂部，即所述硬掩模層200之前覆蓋的區(qū)域。去除所述硬掩模層200能夠減少后續(xù)形成的層間介質(zhì)層和硬掩模層200疊加的厚度，減少兩者均勻性差異的疊加，即提高后續(xù)形成的層間介質(zhì)層的均勻性。
[0062]在步驟S200中，在所述半導(dǎo)體襯底100的表面及溝槽110內(nèi)表面均形成柵介質(zhì)層300的步驟包括:
[0063]在所述半導(dǎo)體襯底100的表面及溝槽110內(nèi)表面均形成一層犧牲介質(zhì)層，所述犧牲介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅，可以采用熱氧化法形成；
[0064]使用酸液清洗去除所述犧牲介質(zhì)層，在本實(shí)施例中，所述酸液為氫氟酸；
[0065]在所述半導(dǎo)體襯底100的表面及溝槽110內(nèi)表面均形成柵介質(zhì)層300，如圖8所示，所述柵介質(zhì)層300的材質(zhì)為氧化硅，采用熱氧化法形成。
[0066]形成犧牲氧化層后，接著去除犧牲氧化層，最后再形成柵介質(zhì)層300的目的是，采用此種方式能夠?qū)喜?10的側(cè)壁以及底部進(jìn)行缺陷修復(fù)，便于更好的形成柵介質(zhì)層300，得到可靠性較高的柵介質(zhì)層300。
[0067]在步驟S300中，在所述溝槽110內(nèi)形成柵極400的步驟包括:
[0068]在所述柵介質(zhì)層300的表面形成柵極層；
[0069]刻蝕所述柵極層，形成柵極400，如圖9所示，刻蝕暴露出所述溝槽110的頂部，確保所述柵極400位于所述溝槽110內(nèi)，并且與所述溝槽110的頂部高度一致。
[0070]在步驟S400中，先采用熱氧化法在所述柵極400的表面形成第一阻擋介質(zhì)層510，所述第一阻擋介質(zhì)層510的材質(zhì)為氧化硅，其厚度范圍是500埃?1000埃，例如是800埃；然后再采用化學(xué)氣相沉積在所述第一阻擋介質(zhì)層510和部分柵介質(zhì)層300的表面形成第二阻擋介質(zhì)層520，所述第二阻擋介質(zhì)層520的材質(zhì)為氮化硅，其厚度范圍是500埃?700埃，例如是600埃；然后在所述第二阻擋介質(zhì)層520的表面采用化學(xué)氣相沉積形成層間介質(zhì)層600，如圖10所示，所述層間介質(zhì)層600的材質(zhì)為氧化硅，其厚度范圍是3000埃?5000埃，例如是4000埃，在形成層間介質(zhì)層600后，再對(duì)其進(jìn)行致密化處理。
[0071]由于所述柵極400上有第一阻擋介質(zhì)層510和第二阻擋介質(zhì)層520保護(hù)，因此，所述層間介質(zhì)層600無需生長(zhǎng)過厚，這也有利于提高其表面的均勻性，降低均勻性差異。接著，在步驟S500中，先在所述層間介質(zhì)層600的表面涂覆圖案化的光阻，再以所述圖案化的光阻為掩模，采用濕法刻蝕對(duì)所述層間介質(zhì)層600進(jìn)行刻蝕，形成通孔區(qū)域700，如圖11所示。同樣的，所述第二阻擋介質(zhì)層520能夠作為層間介質(zhì)層600的刻蝕阻擋層。
[0072]在去除通孔區(qū)域700的層間介質(zhì)層600之后，再采用干法刻蝕去除所述第二阻擋介質(zhì)層520，如圖12所示，同樣的，所述第一阻擋介質(zhì)層510可以作為刻蝕阻擋層，保護(hù)所述柵極400。[0073]在去除通孔區(qū)域700的第二阻擋介質(zhì)層520之后，再使用干法刻蝕去除位于柵極400表面的第一阻擋介質(zhì)層510以及位于半導(dǎo)體襯底100表面的部分柵介質(zhì)層300，如圖13所示，由于所述第一阻擋介質(zhì)層510和柵介質(zhì)層300的材質(zhì)均為氧化硅，因此可以同時(shí)去除，并且，由于第一阻擋介質(zhì)層510的厚度不足1000埃，刻蝕時(shí)間大大縮短，并且其均勻性差異較小，這樣刻蝕較為均勻，能夠減少對(duì)位于溝槽110側(cè)壁處的柵介質(zhì)層300 (如圖13中虛線框所示)造成的損傷，同時(shí)也可以避免刻蝕不足導(dǎo)致位于半導(dǎo)體襯底100表面的介質(zhì)層存在殘留的現(xiàn)象，因而能夠提高形成的TMBS器件的良率。
[0074]綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的提高TMBS良率的工藝方法中，柵極形成之后，在柵極的表面依次形成第一阻擋介質(zhì)層、第二阻擋介質(zhì)層和層間介質(zhì)層，因此刻蝕去除較厚的層間介質(zhì)層時(shí)，由第一阻擋介質(zhì)層和第二阻擋介質(zhì)層保護(hù)，不會(huì)對(duì)柵介質(zhì)層造成損傷，再依次刻蝕去除第二阻擋介質(zhì)層和第一阻擋介質(zhì)層時(shí)，由于第一阻擋介質(zhì)層較薄，一方面形成第一阻擋介質(zhì)層的均勻性差異較小，另一方面刻蝕時(shí)間得以大大縮短，避免了溝槽側(cè)壁柵介質(zhì)層過刻蝕或介質(zhì)層殘留的問題。形成較薄的第一阻擋介質(zhì)層能夠降低對(duì)設(shè)備機(jī)臺(tái)要求，同時(shí)減少了溝槽側(cè)壁柵介質(zhì)層的損傷，增大工藝窗口，能夠提高TMBS的良率。
[0075]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種提高TMBS良率的工藝方法，所述方法包括步驟: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有多個(gè)溝槽； 在所述半導(dǎo)體襯底的表面及溝槽內(nèi)表面均形成柵介質(zhì)層； 在所述溝槽內(nèi)形成柵極，所述柵極形成于溝槽內(nèi)柵介質(zhì)層的表面并且與溝槽頂部高度一致； 在所述柵極表面依次形成第一阻擋介質(zhì)層、第二阻擋介質(zhì)層以及層間介質(zhì)層； 依次刻蝕所述層間介質(zhì)層、第二阻擋介質(zhì)層和第一阻擋介質(zhì)層，形成通孔區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，所述溝槽的形成步驟包括: 在所述半導(dǎo)體襯底表面形成硬掩模層； 在所述硬掩模層上形成圖案化的光阻層； 以所述圖案化的光阻層和硬掩模層為掩模，刻蝕形成多個(gè)溝槽。
3.如權(quán)利要求2所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，在形成多個(gè)溝槽之后，去除所述硬掩模層，暴露出所述溝槽的頂部。
4.如權(quán)利要求1所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底的表面及溝槽內(nèi)表面均形成柵介質(zhì)層的步驟包括: 在所述半導(dǎo)體襯底的表面及溝槽內(nèi)表面均形成一層犧牲介質(zhì)層； 使用酸液清洗去除所述犧牲介質(zhì)層； 在所述半導(dǎo)體襯底的表面及溝槽內(nèi)表面均形成柵介質(zhì)層。
5.如權(quán)利要求4所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，所述犧牲介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅，所述酸液為氫氟酸。
6.如權(quán)利要求4所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅，采用熱氧化法形成。
7.如權(quán)利要求1所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，在所述溝槽內(nèi)形成柵極的步驟包括: 在所述柵介質(zhì)層表面形成柵極層； 刻蝕所述柵極層，形成柵極，刻蝕暴露出所述溝槽的頂部。
8.如權(quán)利要求1所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，所述第一阻擋介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅，采用熱氧化法在所述柵極的表面形成。
9.如權(quán)利要求8所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，所述第一阻擋介質(zhì)層的厚度范圍是500埃~1000埃。
10.如權(quán)利要求9所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，采用干法刻蝕對(duì)所述第一阻擋介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕。
11.如權(quán)利要求1所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，所述第二阻擋介質(zhì)層的材質(zhì)為氮化硅，采用化學(xué)氣相沉積形成。
12.如權(quán)利要求11所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，所述第二阻擋介質(zhì)層的厚度范圍是500埃~700埃。
13.如權(quán)利要求12所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，采用干法刻蝕對(duì)所述第二阻擋介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕。
14.如權(quán)利要求1所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅，采用化學(xué)氣相沉積形成。
15.如權(quán)利要求14所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的厚度范圍是3000埃~5000埃。
16.如權(quán)利要求15所述的提高TMBS良率的工藝方法，其特征在于，采用濕法刻蝕對(duì)所述層間介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕。
【文檔編號(hào)】H01L21/00GK103985627SQ201410198290
【公開日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年5月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月12日
【發(fā)明者】王西政 申請(qǐng)人:上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司