一種封裝結構的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種封裝結構，包括：金屬板，具有第一面和與第一面相對的第二面；底膠體，貼于第一面；側膠體，圍在底膠體的周邊，從而與底膠體構成槽型結構；芯片，容納在所述槽型結構內；以及錫球，植在芯片的預定位置。依據本發(fā)明具有相對較小的封裝體的厚度。
【專利說明】一種封裝結構
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝結構,具體是涉及一種WLP(Wafer level packaging,晶片級封裝，又稱晶圓級封裝)結構。
【背景技術】
[0002]晶圓級封裝是以BGA (Ball Grid Array,球柵陣列結構)技術為基礎,是一種經過改進和提高的CSP (Chip Scale Package，芯片尺寸封裝)。另外，業(yè)界又將WLP稱為圓片級-芯片尺寸封裝(WLP-CSP)。
[0003]晶片及封裝技術以圓片為加工對象，在圓片上同時對眾多芯片進行封裝、老化、測試，最后切割成單個器件，可以直接貼裝在基板或者印刷電路板上。
[0004]近幾年開發(fā)出的擴散式WLP (fan-out WLP)，基于晶圓重構技術，將芯片重新布置到一塊人工晶圓上，然后按照與標準WLP工藝類似的步驟進行封裝，得到的封裝面積要大于芯片面積。
[0005]傳統的WLP封裝，通過圓片的減薄、切割、上片、焊線、塑封、植球等形式進行封裝，隨著科技的發(fā)展內存容量越來越大，一直以來的通過疊片的封裝方式，進行焊線增大內存，而目前消費者對于電子產品要求，“小” “輕” “薄”故疊片的方式不能滿足。
[0006]如圖1所不,為一種傳統的WLP封裝結構,它包括一個具有基板電路的基板6,在基板6通過膠層7貼裝芯片2，然后再在芯片2上通過膠層I貼裝芯片3，再通過打線，如圖中的金線4進行芯片與基板電路的連接，最后通過如樹脂形成樹脂封裝體，以保證整體的機械強度。其整體結構相對較厚,整體尺寸(Scale)相對較大。

【發(fā)明內容】

[0007]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種新的封裝結構，具有相對較小的封裝體的厚度。
[0008]本發(fā)明采用以下技術方案:
一種封裝結構，包括:
金屬板，具有第一面和與第一面相對的第二面；
底膠體，貼于第一面；
側膠體，圍在底膠體的周邊，從而與底膠體構成槽型結構；
芯片，容納在所述槽型結構內；以及 錫球，植在芯片的預定位置。
[0009]上述封裝結構，在較佳的實施例中，所述金屬板為黑色的金屬板，從而，所述第二面為激光打標面。
[0010]具體地，所述金屬板所采用金屬的性質如下:
熱膨脹系數:0.5Χ10Ε-6/Κ;
延展性:在標準大氣壓下，室溫20°C，延性抽絲直徑不小于l/500mm，展性厚度不小于1/1000mm ； 硬度:15-25HBW。
[0011 ] 在另一些實施例中，還包括貼裝在第二面上的激光打標層。
[0012]具體地，底膠體與芯片在金屬板第一面上的投影一致，側膠體與底膠體恰好覆蓋
第一面。
[0013]優(yōu)選地，所述芯片還包括延展到側膠體上的電極，并在電極上植有錫球。
[0014]依據本發(fā)明，通過金屬板支撐晶圓，其具有良好的導熱性，因而能夠很好的散熱，并具有比較好的剛度。通過膠體進行封裝，結構簡單，且耐水性普遍較好，能夠滿足芯片的要求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為已知的一種WLP結構示意圖。
[0016]圖2為依據本發(fā)明較佳實施例的一種封裝結構示意圖。
[0017]圖3為依據本發(fā)明實施例的一種封裝結構示意圖。
[0018]圖中:1.膠層，2.芯片，3.芯片，4.金線，5.樹脂封裝體，6.基板，7.膠層；8.芯片，9.錫球，10.側膠體，11.金屬板，12.底膠體，13激光打標層，14.電極。
【具體實施方式】
[0019]參見說明書附圖2和附圖3所示的封裝結構，圖中所表示為剖面結構，為了清楚顯示圖像，沒有畫出剖面線。圖中所示的封裝結構，它主要包括作為載體的金屬板11、通過膠體封裝在該金屬板上的芯片8，以及用于芯片8對外電氣連接的錫球9。
[0020]其中，關于金屬板11，它具有第一面和與第一面相對的第二面，該金屬板11的主要作用是支撐作用，用于支撐芯片或者晶圓。另外金屬普遍具有良好的導熱性，有利于散熱，因此，利用其良好的導熱性把芯片工作時產生的熱量導出，提高芯片的工作性能，在下文中還涉及到金屬板11的其他作用，于具體的實施例中體現。
[0021]關于膠體，圖中含有兩個部分，及底膠體12和側膠體10，匹配金屬板11，為能用于金屬粘接的黑膠，如E-305A膠。
[0022]其中，底膠體12，貼于第一面，具體理解應為下述的芯片8通過底膠體12貼裝在金屬板11的第一面上，所使用的膠體可以把芯片8與金屬板11很好的結合在一體。
[0023]配置側膠體10，圍在底膠體12的周邊，從而與底膠體12構成槽型結構，從而形成能夠容納芯片8的槽型結構。
[0024]進而，關于芯片8，容納在所述槽型結構內，同上芯片8在圖中所示的上表面與側膠體10的上表面同面。
[0025]最后配置植球，產生錫球9，植在芯片的預定位置，用于與外部器件的連接，如與PCB (Printed Circuit Board,印刷電路板)連接，電路導通。
[0026]依據前述結構，通過具有一定機械強度和剛度的金屬板作為支撐，并通過膠體封裝的結構，厚度相比于圖1所示的已知的封裝結構大大減少，因而具有“小”、“輕”、“薄”的特點。
[0027]如圖2所示，在優(yōu)選的實施例中，所述金屬板11為黑色的金屬板，從而，所述第二面為激光打標(laser mark,又叫印子)面。[0028]黑色的金屬板選材范圍比較窄，經過試驗和篩選，可以進行激光打標，通常進行激光打標的對象都需要有如圖3所示的結構，單獨構造一個激光打標層13，通常是貼布層，貼布層的存在不僅增加了 一道工序，而且會增加整個封裝結構的厚度。
[0029]另外，貼布層的存在會增加用膠量，環(huán)境友好型差。另外，還需要考慮金屬膠的粘性問題已經產生的氣泡問題。
[0030]直接選材黑色的金屬板，如黑色鋁合金，作為激光打標對象則能夠解決上述問題，減少一層，使整體厚度減小，不必增加用膠量，且省略了一道工序。
[0031]另外，貼布層的去除也有利于散熱。
[0032]金屬板11的選材，主要考慮一下性質，需要有足夠的結構可靠性和較小的熱膨脹系數，并利于激光打標:
熱膨脹系數:0.5Χ10Ε-6/Κ;
延展性:在標準大氣壓下，室溫20°C，延性抽絲直徑不小于l/500mm，展性厚度不小于1/1000mm ；
硬度:15-25HBW (布氏硬度)。
[0033]承接前述的內容，在一些實施例中，可以設置貼裝在第二面上的激光打標層13，依據此結構，對金屬板的選材要求就大大降低了，諸如可以采用強度、剛度更高的金屬材料，從而在一定程度和可以減小金屬板11的厚度。
[0034]參見說明書附圖1和附圖2，底膠體，12與芯片8在金屬板11第一面上的投影一致，側膠體10與底膠體12恰好覆蓋第一面，整體的封裝結構相對比較緊湊。
[0035]所述芯片8還包括延展到側膠體12上的電極14，并在電極14上植有錫球，電極14可以采用鋁電極，將所有的焊點都引出到側膠體上，提高整體的散熱能力。
[0036]電極14可以做的橫截面較大，從而具有更小的電阻，增加芯片的使用壽命。
[0037]關于膠體，最好采用具有良好耐水性、具有較高高溫(適應使用環(huán)境，如某些應用中工作溫度為35攝氏度，那么膠體所耐受的溫度不能低于70攝氏度)耐受力的膠體。
【權利要求】
1.一種封裝結構，其特征在于，包括: 金屬板(11)，具有第一面和與第一面相對的第二面； 底膠體(12)，貼于第一面； 側膠體(10)，圍在底膠體(12)的周邊，從而與底膠體(12)構成槽型結構； 芯片(8)，容納在所述槽型結構內；以及 錫球(9)，植在芯片的預定位置。
2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬板(11)為黑色的金屬板，從而，所述第二面為激光打標面。
3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬板所采用金屬的性質如下: 熱膨脹系數:0.5Χ10Ε-6/Κ; 延展性:在標準大氣壓下，室溫20°C，延性抽絲直徑不小于l/500mm，展性厚度不小于1/1000mm ； 硬度:15-25HBW。
4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，還包括貼裝在第二面上的激光打標層(13)。
5.根據權利要求1至4任一所述的封裝結構，其特征在于，底膠體(12)與芯片(8)在金屬板(11)第一面上的投影一致，側膠體(10)與底膠體(12)恰好覆蓋第一面。
6.根據權利要求1至4任一所述的封裝結構，其特征在于，所述芯片(8)還包括延展到側膠體(12 )上的電極(14 )，并在電極(14 )上植有錫球。
【文檔編號】H01L23/28GK103972194SQ201410196355
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年5月9日 優(yōu)先權日:2014年5月9日
【發(fā)明者】楊懷維 申請人:山東華芯微電子科技有限公司