一種超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝，依次包括去損傷及雙面制絨、正面沉積SiNx保護(hù)膜、背面腐蝕減薄、去除正面SiNx保護(hù)膜、擴(kuò)散制結(jié)、刻邊與PSG去除、沉積SiNx減反膜、絲網(wǎng)印刷電極、共燒結(jié)等步驟。本發(fā)明通過背面腐蝕減薄工藝能獲得50-120μm的硅片，使硅片的彎曲度得到增加，并且該方法有效的避免了批量生產(chǎn)時(shí)碎片的發(fā)生，提高了成品率，同時(shí)通過降低背面鋁背場的厚度，高溫?zé)Y(jié)后降低了柔性太陽能電池片的翹曲度，減少了碎片率。該工藝所制備出的電池片具備輕質(zhì)量、高效率、可彎曲等眾多優(yōu)勢，可以應(yīng)用到某些特殊領(lǐng)域，如單兵裝備、平流層飛艇、無人機(jī)等。
【專利說明】—種超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于太陽能電池【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種超薄晶硅柔性太陽能電池片的制造工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽在晶體硅太陽電池的應(yīng)用過程中，為增加太陽能電池的應(yīng)用范圍和提高太陽電池效率的工作一直沒有停止過。近年來隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，新的形勢下對太陽能電池的應(yīng)用提出新需求。目前一般的晶硅太陽電池組件是把鋼化玻璃、常規(guī)晶硅電池片陣列、黏合劑和透明薄膜整合在一起，并在四周裝配邊框以保護(hù)玻璃，這種裝置僅適用于太陽能電站、屋頂?shù)却笮徒ㄖI(lǐng)域。盡管以后出現(xiàn)了一系列改進(jìn)，但晶體硅太陽電池的基本特征至今仍為在剛性底板上安裝電池片陣列。上述傳統(tǒng)的太陽電池不僅具有剛性底板，而且重量較大，這些特點(diǎn)限制了其使用范圍，在很多特殊環(huán)境下，如在飛艇、帳篷等曲面物體上不能適用。
[0003]目前，基于非晶硅薄膜和銅銦鎵硒薄膜的太陽能電池，雖然具有柔性和小面積比功率高的特點(diǎn)，但是由于其太陽能電池芯片效率很低，當(dāng)大面積使用時(shí)，其重量比功率降低，在一些對鋪設(shè)面積有嚴(yán)格要求的領(lǐng)域無法使用，如太陽能飛機(jī)和太陽能飛艇。
[0004]生產(chǎn)電池片的工藝比較復(fù)雜，一般要經(jīng)過硅片檢測、表面制絨、擴(kuò)散制結(jié)、去磷硅玻璃、等離子刻蝕、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、快速燒結(jié)和檢測分裝等主要步驟，下面介紹幾個(gè)主要步驟:
[0005]一、表面制絨
[0006]單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價(jià)的濃度約為I %的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85°C。為了獲得均勻的絨面，還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進(jìn)行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20?25 μ m，在腐蝕絨面后，進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。經(jīng)過表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應(yīng)盡快擴(kuò)散制結(jié)。
[0007]二、擴(kuò)散制結(jié)
[0008]太陽能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽能電池PN結(jié)的專用設(shè)備。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850—900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。經(jīng)過一定時(shí)間，磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散，形成了 N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界面，也就是PN結(jié)。這種方法制出的PN結(jié)均勻性好，方塊電阻的不均勻性小于百分之十，少子壽命可大于10ms。制造PN結(jié)是太陽電池生產(chǎn)最基本也是最關(guān)鍵的工序。因?yàn)檎荘N結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導(dǎo)線將電流引出，就是直流電。
[0009]三、去磷硅玻璃
[0010]該工藝用于太陽能電池片生產(chǎn)制造過程中，通過化學(xué)腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)合物六氟硅酸，以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴(kuò)散過程中，POCl3與O2反應(yīng)生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應(yīng)又生成S12和磷原子,這樣就在娃片表面形成一層含有磷兀素的S12,稱之為磷娃玻璃。去磷娃玻璃的設(shè)備一般由本體、清洗槽、伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、機(jī)械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動(dòng)配酸系統(tǒng)等部分組成，主要?jiǎng)恿υ从袣浞?、氮?dú)狻嚎s空氣、純水，熱排風(fēng)和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因?yàn)闅浞崤c二氧化硅反應(yīng)生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。若氫氟酸過量，反應(yīng)生成的四氟化硅會進(jìn)一步與氫氟酸反應(yīng)生成可溶性的絡(luò)合物六氟硅酸。
[0011]四、等離子刻蝕
[0012]由于在擴(kuò)散過程中，即使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。因此，必須對太陽能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結(jié)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應(yīng)氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產(chǎn)生電離并形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應(yīng)腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉(zhuǎn)變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團(tuán)。活性反應(yīng)基團(tuán)由于擴(kuò)散或者在電場作用下到達(dá)Si02表面，在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并形成揮發(fā)性的反應(yīng)生成物脫離被刻蝕物質(zhì)表面，被真空系統(tǒng)抽出腔體。
[0013]五、鍍減反射膜
[0014]拋光硅表面的反射率為35%，為了減少表面反射，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要沉積一層氮化硅減反射膜。現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學(xué)的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當(dāng)?shù)奶崧劇?br> [0015]六、絲網(wǎng)印刷
[0016]太陽電池經(jīng)過制絨、擴(kuò)散及PECVD等工序后，已經(jīng)制成PN結(jié)，可以在光照下產(chǎn)生電流，為了將產(chǎn)生的電流導(dǎo)出，需要在電池表面上制作正、負(fù)兩個(gè)電極。制造電極的方法很多，而絲網(wǎng)印刷是目前制作太陽電池電極最普遍的一種生產(chǎn)工藝。絲網(wǎng)印刷是采用壓印的方式將預(yù)定的圖形印刷在基板上，該設(shè)備由電池背面銀鋁漿印刷、電池背面鋁漿印刷和電池正面銀漿印刷三部分組成。其工作原理為:利用絲網(wǎng)圖形部分網(wǎng)孔透過漿料，用刮刀在絲網(wǎng)的漿料部位施加一定壓力，同時(shí)朝絲網(wǎng)另一端移動(dòng)。油墨在移動(dòng)中被刮刀從圖形部分的網(wǎng)孔中擠壓到基片上。由于漿料的粘性作用使印跡固著在一定范圍內(nèi)，印刷中刮板始終與絲網(wǎng)印版和基片呈線性接觸，接觸線隨刮刀移動(dòng)而移動(dòng)，從而完成印刷行程。
[0017]七、快速燒結(jié)形成歐姆接觸
[0018]經(jīng)過絲網(wǎng)印刷后的硅片，不能直接使用，需經(jīng)燒結(jié)爐快速燒結(jié)，將有機(jī)樹脂粘合劑燃燒掉，剩下幾乎純粹的、由于玻璃質(zhì)作用而密合在硅片上的銀電極。當(dāng)銀電極和晶體硅在溫度達(dá)到共晶溫度時(shí)，晶體硅原子以一定的比例融入到熔融的銀電極材料中去，從而形成上下電極的歐姆接觸，提高電池片的開路電壓和填充因子兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，使其具有電阻特性，以提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。燒結(jié)爐分為預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。預(yù)燒結(jié)階段目的是使?jié){料中的高分子粘合劑分解、燃燒掉，此階段溫度慢慢上升；燒結(jié)階段中燒結(jié)體內(nèi)完成各種物理化學(xué)反應(yīng)，形成電阻膜結(jié)構(gòu)，使其真正具有電阻特性，該階段溫度達(dá)到峰值；降溫冷卻階段，玻璃冷卻硬化并凝固，使電阻膜結(jié)構(gòu)固定地粘附于基片上。
[0019]常規(guī)的晶體硅電池片厚度從220 μ m到180 μ m不等，晶體硅電池片展現(xiàn)的是脆性，彎曲時(shí)容易斷裂；當(dāng)晶體硅電池片厚度從200 μ m下降到120 μ m以下時(shí)，能展現(xiàn)良好的可彎曲特性，研究一種合適的制備工藝用來制備出超薄晶硅柔性太陽能電池具有重要意義。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]針對現(xiàn)有技術(shù)中晶體硅電池片為脆性，彎曲時(shí)容易斷裂等不足，本申請旨在提供一種功率高質(zhì)量輕，比功率大于750W/Kg，并且有效防止因彎曲裂片的超薄晶硅柔性太陽能電池制造工藝。
[0021]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
[0022]一種超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝，依次包括以下步驟:在硅片表面制絨、擴(kuò)散制PN結(jié)、刻邊與去除磷硅玻璃、PECVD沉積SiNx減反射膜、制備正面電極和鋁背場、共燒形成歐姆接觸；在所述表面制絨與擴(kuò)散制PN結(jié)之間增加了以下步驟:
[0023]首先，通過PECVD方法在制絨后的硅片正面沉積SiNx保護(hù)膜，控制SiNx保護(hù)膜的膜層厚度為150-200nm，折射率控制在2.0-2.2之間；
[0024]其次，用質(zhì)量濃度為5% -10%的氫氧化鈉溶液對正面沉積SiNx保護(hù)膜后的硅片進(jìn)行背面腐蝕減薄，腐蝕時(shí)間為20min-30min,控制娃片的厚度在50-120 μ m之間；
[0025]最后，用質(zhì)量濃度為8% -12%的氫氟酸溶液去除硅片的正面SiNx保護(hù)膜，反應(yīng)時(shí)間為 5min_15min0
[0026]優(yōu)選的方案，超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝，具體步驟為:
[0027](I)表面制絨:將去損傷后的硅片置于制絨液中，在80°C -90°C下反應(yīng)20-30分鐘，在硅片表面形成絨面；所述硅片為厚度130-180 μ m,電阻率0.5-3 Ω.cm的單晶硅片；所述制絨液中含有氫氧化鈉和異丙醇，所述氫氧化鈉的質(zhì)量濃度為0.5% -1.5%,所述異丙醇的質(zhì)量濃度為5% -10% ;
[0028](2)PECVD正面沉積SiNx保護(hù)膜:通過PECVD方法在制絨后的硅片正面沉積SiNx保護(hù)膜，控制SiNx保護(hù)膜的膜層厚度為150-200nm，折射率控制在2.0-2.2之間；
[0029](3)背面腐蝕減薄:用質(zhì)量濃度為5% -10%的氫氧化鈉溶液對正面沉積SiNx保護(hù)膜后的娃片進(jìn)行背面腐蝕減薄，腐蝕時(shí)間為20min-30min,控制娃片的厚度在50-100 μ m之間；
[0030](4)去除正面SiNx保護(hù)膜:用質(zhì)量濃度為8%-12%的氫氟酸溶液去除硅片的正面SiNx保護(hù)膜，反應(yīng)時(shí)間為5min-15min ；
[0031](5)擴(kuò)散制PN結(jié):采用三氯氧磷為液態(tài)源，液態(tài)源由N2攜帶方式進(jìn)入擴(kuò)散爐，在氧氣氛圍下進(jìn)行擴(kuò)散，形成PN結(jié)；
[0032](6)刻邊與去除磷硅玻璃；
[0033](7)PECVD沉積SiNx減反射膜:膜厚控制在70nm_80nm之間，折射率控制在2.0-2.2之間；
[0034](8)制備正面電極和鋁背場，所述鋁背場的厚度控制在1_5μπι ;
[0035](9)共燒形成歐姆接觸。
[0036]優(yōu)選方案:步驟(8)所述制備正面電極和鋁背場,大于80μηι厚度硅片采用絲網(wǎng)印刷設(shè)備印刷正背面銀電極和鋁背場，80 μ m以下的厚度硅片采用噴墨打印技術(shù)非接觸打印正背面銀電極和鋁背場。
[0037]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)勢在于:
[0038]1、本發(fā)明超薄晶硅柔性太陽能電池片通過背面腐蝕減薄工藝能獲得50-120 μ m的硅片，使硅片的彎曲度得到增加。
[0039]2、本發(fā)明的方法有效的避免了批量生產(chǎn)時(shí)碎片的發(fā)生，提高了成品率，成品率從80%提聞到95 % ο
[0040]3、本發(fā)明通過降低背面鋁背場的厚度，高溫?zé)Y(jié)后降低了柔性太陽能電池片的翹曲度，減少了碎片率，碎片率從15%下降到5%。
[0041]該柔性太陽能電池片制造工藝是制備柔性晶體硅電池組件的關(guān)鍵工藝，所制備出的電池組件具備輕質(zhì)量、高效率、可彎曲等眾多優(yōu)勢，可以應(yīng)用到某些特殊領(lǐng)域，如單兵裝備、平流層飛艇、無人機(jī)等。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0042]圖1是超薄晶體硅柔性太陽能電池片的生產(chǎn)工藝流程。
【具體實(shí)施方式】
[0043]下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步的說明，實(shí)施例中所述濃度為質(zhì)量百分濃度。
[0044]實(shí)施例1:
[0045]采用156X156cm2單晶娃片，厚度150μηι,采用上述工藝過程I進(jìn)行去損傷和絨面化過程，單晶硅:0.5-3 Ω.cm，氫氧化鈉的濃度:1%，異丙醇的濃度5%，在85°C下反應(yīng)25分鐘，在硅表面形成大小均勻的絨面。
[0046]采用上述PECVD沉積工藝在正面制備SiNx保護(hù)膜:SiNx的膜厚lOOnm。折射率控制在2.1。
[0047]采用上述背面腐蝕減薄和去除正面的SiNx保護(hù)膜工藝:腐蝕槽中為高濃度的氫氧化鈉溶液，其濃度為10%，反應(yīng)時(shí)間為35mins，晶硅片的厚度從150 μ m，減薄后厚度減小到70 μ H1清洗槽中為10%氫氟酸溶,反應(yīng)時(shí)間為1mins,去除SiNx保護(hù)膜
[0048]采用上述擴(kuò)散制結(jié)工藝，采用濕法刻蝕設(shè)備刻邊并去除PSG。擴(kuò)散制結(jié)工藝參數(shù):擴(kuò)散溫度 840°C -890°C，進(jìn)爐:5-8min，大氮 18L/min ;回溫:10_20min，大氮 18L/min，干氧
0.8-1.8L/min ;擴(kuò)散:30_40min,大氮 18L/min,干氧 0.5-1.5L/min,小氮 0.5-1.5L/min ;推進(jìn):8-10min,大氮 18L/min,干氧 0.5-1.5L/min ;出爐:5_8min,大氮 18L/min。擴(kuò)散后電池方阻 60-90 Ω / 口，結(jié)深 0.3-0.5 μ m。
[0049]PECVD按上述工藝，沉積SiNx膜的厚度80nm，折射率2.0。
[0050]采用噴墨打印設(shè)備非接觸式打印前后電極和鋁背場。
[0051]燒結(jié)、效率測試分檔。燒結(jié)溫度:1區(qū):300。。，2區(qū):300。。，3區(qū):300。。，4區(qū):450°C,5 區(qū):460°C，6 區(qū):480°C，7 區(qū):620°C，8 區(qū):800°C，9 區(qū):910°C。
[0052]曲率測試:本發(fā)明制備出的太陽能電池片，彎曲度可達(dá)0.3，比功率大于750W/Kg。
[0053]實(shí)施例2:
[0054]采用156X156cm2單晶娃片，厚度150μηι,采用上述工藝過程I進(jìn)行去損傷和絨面化過程，單晶硅:0.5-3Ω.cm，氫氧化鈉的濃度:1%，異丙醇的濃度5%，在85°C下反應(yīng)25分鐘，在硅表面形成大小均勻的絨面。
[0055]采用上述PECVD沉積工藝在正面制備SiNx保護(hù)膜:SiNx的膜厚150nm。折射率控制在2.1。
[0056]采用上述背面腐蝕減薄和去除正面的SiNx保護(hù)膜工藝:腐蝕槽中為高濃度的氫氧化鈉溶液其濃度為10%，反應(yīng)時(shí)間為30mins，晶硅片的厚度從150 μ m，減薄后厚度減小到100 μ m。清洗槽中為10%氫氟酸溶,反應(yīng)時(shí)間為15mins,去除SiNx保護(hù)膜
[0057]采用上述擴(kuò)散制結(jié)工藝，采用濕法刻蝕設(shè)備刻邊并去除PSG。擴(kuò)散制結(jié)工藝參數(shù):擴(kuò)散溫度 840°C -890°C，進(jìn)爐:5-8min，大氮 18L/min ;回溫:10_20min，大氮 18L/min，干氧
0.8-1.8L/min ;擴(kuò)散:30_40min,大氮 18L/min,干氧 0.5-1.5L/min,小氮 0.5-1.5L/min ;推進(jìn):8-10min,大氮 18L/min,干氧 0.5-1.5L/min ;出爐:5_8min,大氮 18L/min。擴(kuò)散后電池方阻 60-90 Ω / 口，結(jié)深 0.3-0.5 μ m。
[0058]PECVD按上述工藝，沉積SiNx膜的厚度80nm，折射率2.0。
[0059]采用絲網(wǎng)印刷設(shè)備非接觸式打印前后電極和鋁背場。
[0060]燒結(jié)、效率測試分檔。燒結(jié)溫度:1區(qū):300°C，2區(qū):300°C，3區(qū):300°C，4區(qū):450°C，5 區(qū):460°C，6 區(qū):480°C，7 區(qū):620°C，8 區(qū):800°C，9 區(qū):910°C。
[0061]曲率測試:本發(fā)明制備出的太陽能電池片，彎曲度可達(dá)0.2，比功率大于750W/Kg。
【權(quán)利要求】
1.一種超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝，依次包括以下步驟:在硅片表面制絨、擴(kuò)散制PN結(jié)、刻邊與去除磷硅玻璃、PECVD沉積SiNx減反射膜、制備正面電極和鋁背場、共燒形成歐姆接觸；其特征是，在所述表面制絨與擴(kuò)散制PN結(jié)之間增加了以下步驟: 首先，通過PECVD方法在制絨后的硅片正面沉積SiNx保護(hù)膜，控制SiNx保護(hù)膜的膜層厚度為150-200nm，折射率控制在2.0-2.2之間； 其次，用質(zhì)量濃度為5% -10%的氫氧化鈉溶液對正面沉積SiNx保護(hù)膜后的硅片進(jìn)行背面腐蝕減薄，腐蝕時(shí)間為20min-30min,控制娃片的厚度在50-120 μ m之間；最后,用質(zhì)量濃度為8% -12%的氫氟酸溶液去除硅片的正面SiNx保護(hù)膜，反應(yīng)時(shí)間為5min-15min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝，其特征是，具體步驟為: (1)表面制絨:將去損傷后的硅片置于制絨液中，在80°C-90°C下反應(yīng)20-30分鐘，在硅片表面形成絨面；所述硅片為厚度130-180 μ m,電阻率0.5-3 Ω -cm的單晶硅片；所述制絨液中含有氫氧化鈉和異丙醇，所述氫氧化鈉的質(zhì)量濃度為0.5% -1.5%，所述異丙醇的質(zhì)量濃度為5% -10% ; (2)PECVD正面沉積SiNx保護(hù)膜:通過PECVD方法在制絨后的硅片正面沉積SiNx保護(hù)膜，控制SiNx保護(hù)膜的膜層厚度為150-200nm，折射率控制在2.0-2.2之間； (3)背面腐蝕減薄:用質(zhì)量濃度為5%-10%的氫氧化鈉溶液對正面沉積SiNx保護(hù)膜后的娃片進(jìn)行背面腐蝕減薄，腐蝕時(shí)間為20min-30min,控制娃片的厚度在50-100μηι之間； (4)去除正面SiNx保護(hù)膜:用質(zhì)量濃度為8%-12%的氫氟酸溶液去除硅片的正面SiNx保護(hù)膜，反應(yīng)時(shí)間為5min-15min ； (5)擴(kuò)散制PN結(jié):采用三氯氧磷為液態(tài)源，液態(tài)源由N2攜帶方式進(jìn)入擴(kuò)散爐，在氧氣氛圍下進(jìn)行擴(kuò)散，形成PN結(jié)； (6)刻邊與去除磷硅玻璃； (7)PECVD沉積SiNx減反射膜:膜厚控制在70nm-80nm之間，折射率控制在2.0-2.2之間； (8)制備正面電極和鋁背場，所述鋁背場的厚度控制在1_5μπι; (9)共燒形成歐姆接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述超薄晶體硅柔性太陽電池片的制造工藝，其特征是，步驟(8)所述制備正面電極和鋁背場，大于80 μ m厚度硅片采用絲網(wǎng)印刷設(shè)備印刷正背面銀電極和鋁背場，80 μ m以下的厚度硅片采用噴墨打印技術(shù)非接觸打印正背面銀電極和鋁背場。
【文檔編號】H01L31/18GK104037262SQ201410192511
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年5月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月8日
【發(fā)明者】劉文峰, 陸運(yùn)章, 楊曉生, 姬常曉, 成文 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所