硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)，所述硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)對應(yīng)于絲網(wǎng)印刷機入口的傳輸機構(gòu)設(shè)置，并且相對于所述絲網(wǎng)印刷機的入口定位設(shè)置，硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)包括至少一對氣流通道，每對氣流通道中的兩個氣流通道以傳輸機構(gòu)傳輸平面的垂直平分面為基準(zhǔn)對稱設(shè)置于傳輸機構(gòu)傳輸方向的兩側(cè)，該垂直平分面平行于傳輸機構(gòu)的傳輸方向；各氣流通道中的氣流方向垂直于所述傳輸機構(gòu)的傳輸方向，并且與傳輸機構(gòu)的傳輸平面之間夾角為銳角；每對氣流通道中兩個氣流通道的氣流方向的交點位于傳輸機構(gòu)上硅片的中心線上，該中心線平行于傳輸機構(gòu)的傳輸方向。
【專利說明】
娃片清潔降溫結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及太陽能電池，尤其涉及一種在絲網(wǎng)印刷之前硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡，在所有的可持續(xù)能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前，在所有的太陽電池中，晶體硅太陽電池是得到大范圍商業(yè)推廣的太陽能電池之一，這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲量，同時晶體硅太陽電池相比其他類型的太陽能電池有著優(yōu)異的電學(xué)性能和機械性能，因此，晶體硅太陽電池在光伏領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，晶體硅太陽能電池的制備工藝主要包括:清洗、去損傷層、制絨、擴散制結(jié)、刻蝕、沉積減反射膜、印刷、燒結(jié)、電池片測試。其中，印刷是晶體硅太陽能電池生產(chǎn)過程中的一個重要工序。絲網(wǎng)印刷機是太陽能行業(yè)應(yīng)用最多的一種印刷電池片電極的設(shè)備，絲網(wǎng)印刷對硅片的表面清潔度要求較高，若硅片表面有雜質(zhì)，容易扎破網(wǎng)版。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型的目的在于提供一種硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)。
[0005]為達(dá)到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是:一種硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)，所述硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)對應(yīng)于絲網(wǎng)印刷機入口的傳輸機構(gòu)設(shè)置，并且相對于所述絲網(wǎng)印刷機的入口定位設(shè)置，硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)包括至少一對氣流通道，每對氣流通道中的兩個氣流通道以傳輸機構(gòu)傳輸平面的垂直平分面為基準(zhǔn)對稱設(shè)置于傳輸機構(gòu)傳輸方向的兩側(cè)，該垂直平分面平行于傳輸機構(gòu)的傳輸方向；
[0006]各氣流通道中的氣流方向垂直于所述傳輸機構(gòu)的傳輸方向，并且與傳輸機構(gòu)的傳輸平面之間夾角為銳角；
[0007]每對氣流通道中兩個氣流通道的氣流方向的交點位于傳輸機構(gòu)上硅片的中心線上，該中心線平行于傳輸機構(gòu)的傳輸方向。
[0008]上述方案中，包括至少兩對氣流通道，各對氣流通道沿傳輸機構(gòu)的傳輸方向間隔布置。
[0009]上述方案中，相鄰兩對氣流通道之間的間距為30?60毫米。
[0010]上述方案中，所述傳輸機構(gòu)傳輸方向一側(cè)氣流通道出氣口的連線平行于另一側(cè)氣流通道出氣口的連線。
[0011]上述方案中，所述氣流通道中的氣流方向與傳輸機構(gòu)的傳輸平面之間夾角為50?60。。
[0012]上述方案中，所述氣流通道與壓縮空氣源連接。
[0013]上述方案中，對應(yīng)于所述氣流通道設(shè)置有調(diào)節(jié)閥。
[0014]上述方案中，所述傳輸機構(gòu)為傳送臂、傳送帶或傳送導(dǎo)軌。
[0015]由于上述技術(shù)方案運用，本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點:
[0016]1.本實用新型能夠吹掃硅片表面的雜質(zhì)，降低網(wǎng)版被扎破的幾率；
[0017]2.本實用新型能夠降低硅片表面的溫度，從而降低網(wǎng)版內(nèi)漿料有機物的揮發(fā)速率，能保持較好的印刷性能；
[0018]3.本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，便于維護(hù)，適于推廣。
【附圖說明】

[0019]圖1為本實用新型實施例一俯視示意圖。
[0020]圖2為圖1的A向視圖。
[0021]其中:1、傳輸機構(gòu);2、硅片;3、氣流通道。
【具體實施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進(jìn)一步描述:
[0023]實施例一:
[0024]參見圖1?2所示，一種硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)，所述硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)對應(yīng)于絲網(wǎng)印刷機入口的傳輸機構(gòu)I設(shè)置，并且相對于所述絲網(wǎng)印刷機的入口定位設(shè)置，硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)包括五對氣流通道3，各對氣流通道3沿傳輸機構(gòu)I的傳輸方向間隔布置，傳輸機構(gòu)I的傳輸方向如圖1中箭頭所示，每對氣流通道3中的兩個氣流通道3以傳輸機構(gòu)I傳輸平面的垂直平分面為基準(zhǔn)對稱設(shè)置于傳輸機構(gòu)I傳輸方向的兩側(cè)，該垂直平分面平行于傳輸機構(gòu)I的傳輸方向；
[0025]所述垂直平分面指的是:將傳輸機構(gòu)I的傳輸平面平分并且垂直于該傳輸平面的平面；
[0026]各氣流通道3中的氣流方向垂直于所述傳輸機構(gòu)I的傳輸方向，并且與傳輸機構(gòu)I的傳輸平面之間夾角為55°;實際應(yīng)用中，該夾角也可以選取其他角度，于50?60°之間為宜。
[0027]每對氣流通道3中兩個氣流通道3的氣流方向的交點位于傳輸機構(gòu)I上硅片2的中心線上，該中心線平行于傳輸機構(gòu)I的傳輸方向。
[0028]相鄰兩對氣流通道3之間的間距為50毫米。
[0029]所述傳輸機構(gòu)I傳輸方向一側(cè)氣流通道3出氣口的連線平行于另一側(cè)氣流通道3出氣口的連線。
[0030]所述氣流通道3與壓縮空氣源連接。
[0031 ]對應(yīng)于所述氣流通道3設(shè)置有調(diào)節(jié)閥。
[0032]所述傳輸機構(gòu)I為傳送臂、傳送帶或傳送導(dǎo)軌。
[0033]所述氣流通道3相對于絲網(wǎng)印刷機的入口定位設(shè)置，傳輸機構(gòu)I承載著硅片2并將硅片2送入絲網(wǎng)印刷機，在硅片2運送過程中，硅片2相對于氣流通道3移動，氣流通道3中的氣流將硅片2上的雜質(zhì)吹掃干凈，同時降低硅片2的溫度。
[0034]本實施例中氣流通道3的數(shù)量設(shè)置為五對，實際應(yīng)用中，可以根據(jù)硅片2的尺寸設(shè)置不同數(shù)量的氣流通道3以及氣流通道3出氣口的高度、氣流方向的角度;氣流通道3的數(shù)量可以設(shè)置為一對、兩對或者更多，當(dāng)設(shè)置一對氣流通道3時，氣流通道3的出氣口為扁平狀為佳。
【主權(quán)項】
1.一種硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)對應(yīng)于絲網(wǎng)印刷機入口的傳輸機構(gòu)設(shè)置，并且相對于所述絲網(wǎng)印刷機的入口定位設(shè)置，硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)包括至少一對氣流通道，每對氣流通道中的兩個氣流通道以傳輸機構(gòu)傳輸平面的垂直平分面為基準(zhǔn)對稱設(shè)置于傳輸機構(gòu)傳輸方向的兩側(cè)，該垂直平分面平行于傳輸機構(gòu)的傳輸方向； 各氣流通道中的氣流方向垂直于所述傳輸機構(gòu)的傳輸方向，并且與傳輸機構(gòu)的傳輸平面之間夾角為銳角； 每對氣流通道中兩個氣流通道的氣流方向的交點位于傳輸機構(gòu)上硅片的中心線上，該中心線平行于傳輸機構(gòu)的傳輸方向。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括至少兩對氣流通道，各對氣流通道沿傳輸機構(gòu)的傳輸方向間隔布置。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)，其特征在于:相鄰兩對氣流通道之間的間距為30?60毫米。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述傳輸機構(gòu)傳輸方向一側(cè)氣流通道出氣口的連線平行于另一側(cè)氣流通道出氣口的連線。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述氣流通道中的氣流方向與傳輸機構(gòu)的傳輸平面之間夾角為50?60°。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述氣流通道與壓縮空氣源連接。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)，其特征在于:對應(yīng)于所述氣流通道設(shè)置有調(diào)節(jié)閥。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片清潔降溫結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述傳輸機構(gòu)為傳送臂、傳送帶或傳送導(dǎo)軌。
【文檔編號】H01L21/02GK205692800SQ201620622875
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年6月22日 公開號201620622875.X, CN 201620622875, CN 205692800 U, CN 205692800U, CN-U-205692800, CN201620622875, CN201620622875.X, CN205692800 U, CN205692800U
【發(fā)明人】謝金晶, 衡陽, 周彬, 鄭旭然
【申請人】蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司