有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：基板；顯示單元，在基板上并具有多個有機(jī)發(fā)光器件；包封層，密封顯示單元；和保護(hù)層，在顯示單元和包封層之間，其中，所述多個有機(jī)發(fā)光器件中的每個包括像素電極、在像素電極上并包括有機(jī)發(fā)射層的中間層以及在中間層上的對電極，保護(hù)層包括覆蓋對電極的覆蓋層和在覆蓋層上的阻擋層。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]本申請要求于2013年7月22日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0086253號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該申請的內(nèi)容通過引用全部包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明的一個或更多個實施例涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003]使用有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光顯示裝置能夠以比相當(dāng)?shù)囊壕э@示器(LCD)快的響應(yīng)速度播放視頻，因為自發(fā)射和高亮度而具有廣視角，正變成下一代顯示裝置。
[0004]有機(jī)發(fā)光器件通常包括像素電極、面對像素電極的對電極以及像素電極和對電極之間的發(fā)射層，發(fā)射層包括有機(jī)材料。由于有機(jī)發(fā)光器件對于濕氣、氧、光等非常敏感，因此當(dāng)發(fā)射區(qū)域在有機(jī)發(fā)光器件接觸濕氣、氧、光等時逐漸減小時，會出現(xiàn)像素收縮現(xiàn)象(pixelshrinkage phenomenon)。另外，由于像素電極被氧化,導(dǎo)致會出現(xiàn)像素收縮現(xiàn)象。
[0005]此外，當(dāng)氧、濕氣等擴(kuò)散到發(fā)射層中時，在電極和有機(jī)材料層之間的界面處出現(xiàn)電化學(xué)電荷移動反應(yīng)。這種反應(yīng)產(chǎn)生使有機(jī)材料層與像素電極或?qū)﹄姌O分離的氧化物，并且造成諸如暗點的現(xiàn)象，這使有機(jī)發(fā)光器件的壽命縮短。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實施例的方面涉及能夠通過改善像素收縮問題而延長其壽命的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
[0007]另外的方面將部分地在隨后的描述中闡述，并且部分地將根據(jù)描述而清楚，或者可以通過實踐提供的實施例而獲知。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:基板；顯示單元，在基板上并具有多個有機(jī)發(fā)光器件；包封層，密封顯示單元；和保護(hù)層，在顯示單元和包封層之間，其中，所述多個有機(jī)發(fā)光器件中的每個包括像素電極、在像素電極上并包括有機(jī)發(fā)射層的中間層以及在中間層上的對電極，保護(hù)層包括覆蓋對電極的覆蓋層和在覆蓋層上的阻擋層。
[0009]覆蓋層可以由有機(jī)材料形成。
[0010]阻擋層可以由氟化鋰(LiF)形成。
[0011]阻擋層可以覆蓋覆蓋層。
[0012]包封層可以具有至少包括順序地堆疊的第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層的結(jié)構(gòu)。
[0013]第一無機(jī)層可以由氧化鋁(AlOx)形成。
[0014]阻擋層可以覆蓋覆蓋層。
[0015]第一有機(jī)層的面積可以大于阻擋層的面積。
[0016]第一無機(jī)層的面積可以大于第一有機(jī)層的面積。
[0017]包封層還可以包括:第二有機(jī)層，在第二無機(jī)層上；和第三無機(jī)層，在第二有機(jī)層上。
[0018]第一無機(jī)層的面積可以大于第一有機(jī)層的面積。
[0019]阻擋層可以覆蓋覆蓋層，第一有機(jī)層的面積可以大于阻擋層的面積，第二有機(jī)層的面積可以大于第一有機(jī)層的面積。
[0020]第二無機(jī)層和第三無機(jī)層中的每個的面積可以大于第一無機(jī)層的面積。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:基板；顯示單元，在基板上并具有多個有機(jī)發(fā)光器件；包封層，密封顯示單元并且至少包括順序地堆疊的多孔無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層；和保護(hù)層，在顯示單元和包封層之間，其中，多個有機(jī)發(fā)光器件中的每個包括像素電極、在像素電極上并包括有機(jī)發(fā)射層的中間層和在中間層上的對電極，保護(hù)層包括覆蓋對電極的覆蓋層和在覆蓋層上的多孔阻擋層。
[0022]覆蓋層可以由有機(jī)材料形成。
[0023]多孔阻擋層可以由氟化鋰(LiF)形成。
[0024]多孔無機(jī)層可以由氧化鋁(AlOx)形成。
[0025]多孔阻擋層可以覆蓋覆蓋層。
[0026]第一有機(jī)層的面積可以大于多孔阻擋層的面積。
[0027]多孔無機(jī)層的面積可以大于第一有機(jī)層的面積。
[0028]包封層還可以包括:第二有機(jī)層，在第二無機(jī)層上；和第三無機(jī)層，在第二有機(jī)層上。
[0029]多孔無機(jī)層的面積可以大于第一有機(jī)層的面積。
[0030]多孔阻擋層可以覆蓋覆蓋層，第一有機(jī)層的面積可以大于多孔阻擋層的面積，第二有機(jī)層的面積可以大于第一有機(jī)層的面積。
[0031]第二無機(jī)層和第三無機(jī)層中的每個的面積可以大于多孔無機(jī)層的面積。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例，一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法包括:在基板上形成顯示單元，顯示單元限定有效區(qū)并且包括對電極；形成覆蓋層以覆蓋對電極；在覆蓋層上形成阻擋層；和在阻擋層上形成包封層以密封顯示單元。
[0033]可以由有機(jī)材料形成覆蓋層。
[0034]可以由氟化鋰(LiF)形成阻擋層。
[0035]可以將阻擋層形成為覆蓋覆蓋層。
[0036]形成包封層的步驟可以包括:在阻擋層上形成第一無機(jī)層；在第一無機(jī)層上形成第一有機(jī)層；和在第一有機(jī)層上形成第二無機(jī)層。
[0037]可以通過濺射法用氧化鋁(AlOx)形成第一無機(jī)層。
[0038]第一無機(jī)層的面積可以大于第一有機(jī)層的面積。
[0039]可以將阻擋層形成為覆蓋覆蓋層，第一有機(jī)層的面積可以大于阻擋層的面積。
[0040]形成包封層的步驟還可以包括:在第二無機(jī)層上形成第二有機(jī)層；在第二有機(jī)層上形成第三無機(jī)層，其中，通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法形成第二無機(jī)層和第三無機(jī)層。
[0041]第一無機(jī)層的面積可以大于第一有機(jī)層的面積。
[0042]可將阻擋層形成為覆蓋覆蓋層，第一有機(jī)層的面積可以大于阻擋層的面積，第二有機(jī)層的面積可以大于第一有機(jī)層的面積。
[0043]第二無機(jī)層和第三無機(jī)層中的每個的面積可以大于第一無機(jī)層的面積。
[0044]可以由具有針孔結(jié)構(gòu)的LiF形成阻擋層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]通過下面結(jié)合附圖對實施例的描述，這些和/或其它方面將變得清楚并且更容易理解，其中:
[0046]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性俯視圖；
[0047]圖2是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的沿著線Ι-Γ區(qū)的剖視圖；
[0048]圖3是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的沿著線ΙΙ-ΙΓ區(qū)的剖視圖；
[0049]圖4是圖3中的區(qū)域Pl的放大視圖；
[0050]圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；
[0051]圖6是圖5的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的區(qū)域的剖視放大圖；
[0052]圖7是圖6中的區(qū)域P2的放大視圖；和
[0053]圖8至圖10是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于描述制造圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的示意性剖視圖。

【具體實施方式】
[0054]現(xiàn)在，將詳細(xì)參照實施例，在附圖中示出實施例的示例，其中，同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件。就這點而言，給出的實施例可以具有不同形式并且不應(yīng)該被理解為限于這里闡述的描述。因此，通過參照附圖在下面僅描述實施例，以說明本說明書的各方面。在下面的描述中，沒有詳細(xì)描述公知的功能或構(gòu)造，從而不會用不必要的細(xì)節(jié)使本發(fā)明變得模糊不清。
[0055]將理解的是，盡管這里可以使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種組件，但這些組件不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只是用于將一個組件與另一個區(qū)分開。
[0056]應(yīng)該理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱為“形成在”另一個層、區(qū)域或組件上時，它可以直接或間接形成在另一個層、區(qū)域或組件上。也就是說，例如，可以存在中間層、區(qū)域或組件。
[0057]現(xiàn)在，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的實施例。附圖中同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件，因此將不再提供對其的重復(fù)描述。在附圖中，為了便于描述，夸大了一些層和區(qū)域的厚度。為了清晰起見，還放大了一些層和區(qū)域。
[0058]如這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)所列項的任意和全部組合。當(dāng)諸如“…中的至少一個(種)(者)”的表述在一列元件之后時，修飾的是整列元件而不是修飾該列元件中的單個元件。
[0059]另外，當(dāng)描述本發(fā)明的實施例時使用“可以(可)”是指“本發(fā)明的一個或更多個實施例”。
[0060]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的示意性俯視圖，圖2是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的沿著線Ι-Γ的剖視圖，圖3是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的沿著ΙΙ-ΙΓ線的剖視圖，圖4是圖3中的區(qū)域Pl的放大視圖。
[0061]參照圖1至圖4，根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10可以包括基板101、在基板101上限定有效區(qū)AA的顯示單元200、密封顯示單元200的包封層300。
[0062]基板101可以是柔性基板，并且可以由具有良好耐熱性和耐久性的塑料諸如聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亞胺等形成。然而，本發(fā)明的一個或更多個實施例不限于此，基板101可以由各種其它合適的材料諸如金屬、玻璃等形成。
[0063]在一些實施例中，顯示單元200限定基板101上的有效區(qū)AA，并可以包括薄膜晶體管TFT和與薄膜晶體管TFT電連接的有機(jī)發(fā)光器件0LED。焊盤部I可以圍繞有效區(qū)AA設(shè)置，以將電信號從電源裝置或信號產(chǎn)生裝置傳輸?shù)接行^(qū)AA。
[0064]現(xiàn)在，將參照圖3更詳細(xì)地描述顯示單元200。
[0065]緩沖層201可以形成在基板101上。在這種情況下，緩沖層201形成在基板101的整個表面上，即，形成在有效區(qū)AA中和有效區(qū)AA外部的外部區(qū)域中。在一些實施例中，緩沖層201被形成為在基板101上提供平面化平面，并且用于有效地防止雜質(zhì)元素通過基板101的滲入。緩沖層201可以由適于用在有機(jī)發(fā)光器件中的各種材料形成。
[0066]例如，緩沖層201可以包括無機(jī)材料諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦等或有機(jī)材料諸如聚酰亞胺、聚酯、亞克力等，并且可以通過堆疊上述材料之中的多種材料形成。
[0067]薄膜晶體管TFT可以形成在緩沖層201上。薄膜晶體管TFT可以包括有源層202、柵電極204、源電極206和漏電極207。
[0068]有源層202可以由無機(jī)半導(dǎo)體諸如非晶硅或多晶硅、有機(jī)半導(dǎo)體、或氧化物半導(dǎo)體形成，并且可以包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)。
[0069]柵極絕緣層203可以形成在有源層202上。在一些實施例中，柵極絕緣層203被形成為對應(yīng)于基板101的整個表面。也就是說，在一些實施例中，柵極絕緣層203被形成為對應(yīng)于有效區(qū)AA和有效區(qū)AA外部的外部區(qū)域。柵極絕緣層203可以提供有源層202和柵電極204之間的絕緣，并且可以由有機(jī)材料或無機(jī)材料諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(S12)形成。
[0070]柵電極204可以形成在柵極絕緣層203上。柵電極204可以包括金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鑰(Mo)或合金諸如Al:釹(Nd)合金、Mo:鎢(W)合金等。然而，柵電極204不限于此，并且可以通過考慮設(shè)計條件由各種合適的材料形成。
[0071]層間絕緣層205可以形成在柵電極204上。在本發(fā)明的實施例中，層間絕緣層205被形成為對應(yīng)于基板101的整個表面。也就是說，在一些實施例中，層間絕緣層205被形成為對應(yīng)于有效區(qū)AA和有效區(qū)AA外部的外部區(qū)域。
[0072]在一些實施例中，層間絕緣層205設(shè)置在柵電極204和源電極206之間，并且在一些實施例中，設(shè)置在柵電極204和漏電極207之間，以用于其間的絕緣，并且可以由無機(jī)材料諸如31隊、5102等形成。在當(dāng)前實施例中，層間絕緣層205可以由SiNx形成，或者可以是由SiNx層和S12層形成的兩層結(jié)構(gòu)。
[0073]源電極206和漏電極207可以形成在層間絕緣層205上。在一些實施例中，層間絕緣層205和柵極絕緣層203被形成為暴露有源層202的源區(qū)和漏區(qū)，源電極206和漏電極207被形成為接觸有源層202的被暴露的源區(qū)和漏區(qū)。
[0074]盡管圖3示出了順序地包括有源層202、柵電極204及源電極206和漏電極207的頂柵型薄膜晶體管TFT，本發(fā)明的以上實施例中的一個或更多個不限于此，柵電極204可以設(shè)置在有源層202下方。
[0075]薄膜晶體管TFT電連接到有機(jī)發(fā)光器件OLED以驅(qū)動有機(jī)發(fā)光器件0LED，并且被覆蓋薄膜晶體管TFT的鈍化層208保護(hù)。
[0076]鈍化層208可以包括無機(jī)絕緣層和/或有機(jī)絕緣層。無機(jī)絕緣層的非限制性示例包括氧化娃(S12)、氮化娃(SiNx)、氮氧化娃(S1N)、氧化招(Al2O3)、氧化鈦(T12)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鉿(HfO2)、氧化鋯(ZrO2)、錫鈦酸鋇(BST)、鋯鈦酸鉛(PZT)等，有機(jī)絕緣層的非限制性示例包括典型的通用聚合物(聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯?；惥酆衔铩嗸０奉惥酆衔?、芳基醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物、其共混物等?？梢酝ㄟ^堆疊無機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層形成鈍化層208。
[0077]有機(jī)發(fā)光器件OLED可以形成在鈍化層208上，并可以包括像素電極211、中間層214和對電極215。
[0078]像素電極211可以形成在鈍化層208上。例如，鈍化層208可以被形成為暴露漏電極207的設(shè)定或預(yù)定的區(qū)域而沒有覆蓋整個漏電極207，像素電極211可以被形成為連接到漏電極207的被暴露的區(qū)域。
[0079]在一個實施例中，像素電極211可以是反射電極，并且可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、銥(Ir)、鉻(Cr)、其混合物等形成的反射層和形成在反射層上的透明或半透明電極層。透明或半透明電極層可以包括從由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋁鋅(AZO)組成的組中選擇的至少一種。
[0080]被設(shè)置成面對像素電極211的對電極215可以是透明或半透明電極，并且可以由具有低逸出功的金屬薄膜形成，所述金屬薄膜包括鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/Ca、LiF/Al、Al、Ag、鎂(Mg)或其混合物。對電極215可以形成為具有大約5nm至大約20nm的厚度。另外，可以進(jìn)一步包括輔助電極層或匯流電極，輔助電極層或匯流電極可以由用于形成透明電極的材料諸如ITO、IZO、ZnO, In2O3等形成。
[0081]在一些實施例中，對電極215可以允許中間層214的有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光穿過。有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光可以直接朝對電極215發(fā)射，或者可以被包括反射電極的像素電極211反射，然后朝對電極215發(fā)射。
[0082]然而，根據(jù)當(dāng)前實施例的柔性顯示裝置10不限于頂部發(fā)射型，作為底部發(fā)射型，有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光可以朝基板101發(fā)射。在這種情況下，像素電極211可以包括透明或半透明電極，對電極215可以包括反射電極。柔性顯示裝置10可以是在兩個方向上(即，向著頂部和底部)都發(fā)射光的雙側(cè)發(fā)射型裝置。
[0083]像素限定層213可以形成在像素電極211上，像素限定層213可以由任何合適的絕緣材料形成。在一些實施例中，像素限定層213暴露像素電極211的設(shè)定或預(yù)定的區(qū)域，包括有機(jī)發(fā)射層的中間層214位于被暴露的區(qū)域中。
[0084]有機(jī)發(fā)射層可以由低分子有機(jī)材料或高分子有機(jī)材料形成。除了有機(jī)發(fā)射層之夕卜，中間層214還可以選擇性地包括功能層，諸如空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等。
[0085]包封層300可以形成在對電極215上。包封層300可以至少包括第一無機(jī)層301、第一有機(jī)層302、第二無機(jī)層303?？梢赃M(jìn)一步在包封層300和顯示單元200之間形成保護(hù)層 220。
[0086]現(xiàn)在，將參照圖4更詳細(xì)地描述保護(hù)層220。
[0087]保護(hù)層220可以包括覆蓋對電極215的覆蓋層(capping layer) 222和形成在覆蓋層 222 上的阻擋層(blocking layer) 224。
[0088]覆蓋層222可以被形成為覆蓋對電極215。覆蓋層222可以由有機(jī)材料諸如a_鄰苯二酚二磺酸釹(8-冊0)、隊^-二苯基-隊& -二(1-萘基)(1,1'-聯(lián)苯基)-4，4' -二胺(NPB)、N，N' -二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)(1，I'-聯(lián)苯基)-4，4' -二胺(TPD)、4,4/ ,4''-三(苯基-間甲苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、銅酞菁(CuPc)等形成，并且可以用于不僅保護(hù)有機(jī)發(fā)光器件0LED，而且有助于有機(jī)發(fā)光器件OLED產(chǎn)生的光的有效發(fā)射。覆蓋層222可以形成為具有大約20nm至大約200nm的厚度。從對電極215的邊緣到覆蓋層222的邊緣的距離可以是大約50 μ m至大約150 μ m。
[0089]阻擋層224可以由無機(jī)材料諸如LiF、MgF2、CaF2等形成。阻擋層224用于有效地防止在形成第一無機(jī)層301的過程中使用的等離子體等滲入有機(jī)發(fā)光器件OLED中，從而不損害中間層214、對電極215等。阻擋層224可以形成為具有大約30nm至大約200nm的厚度。從覆蓋層222的邊緣到阻擋層224的邊緣的距離可以為大約50 μ m至大約150 μ m。
[0090]阻擋層224可以具有大偶極矩。在實施例中，當(dāng)阻擋層224接觸對電極215時，阻擋層224的大偶極矩影響對電極215，結(jié)果，在對電極215的表面上可能出現(xiàn)氧化反應(yīng)。對電極215的氧化會導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光器件OLED的像素收縮現(xiàn)象。例如，當(dāng)對電極215由Mg形成并且阻擋層224由LiF形成時，可能出現(xiàn)按照化學(xué)式I進(jìn)行的氧化反應(yīng)。
[0091]2LiF+Mg ^ MgF2+2Li (化學(xué)式 I)
[0092]按照化學(xué)式I進(jìn)行的對電極215的氧化會導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光器件OLED的像素收縮現(xiàn)象。根據(jù)本發(fā)明的實施例，覆蓋層222被形成為完全覆蓋對電極215，從而有效地防止阻擋層224與對電極215接觸。因此，可以有效地防止阻擋層224和對電極215之間的表面反應(yīng)和隨后對電極215的氧化。因此，可以有效地防止由于對電極215的氧化而導(dǎo)致出現(xiàn)的像素收縮現(xiàn)象。
[0093]在一些實施例中，第一無機(jī)層301形成在保護(hù)層220上。第一無機(jī)層301可以由例如氧化鋁(AlOx)形成。
[0094]第一有機(jī)層302可以形成在第一無機(jī)層301上，第一有機(jī)層302可以由高分子有機(jī)化合物形成。第一有機(jī)層302可以被形成為具有設(shè)定或預(yù)定的厚度，以平面化(平坦化)由于像素限定層213導(dǎo)致的高度差(level difference)。第一有機(jī)層302可以包括環(huán)氧樹月旨、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的任一種。第一有機(jī)層302的面積可以小于第一無機(jī)層301的面積。第一有機(jī)層302的面積可以大于阻擋層224的面積。因此,第一有機(jī)層302的面積擴(kuò)大可以有效地防止?jié)駳鈴拿姘逋獠繚B入有機(jī)發(fā)光器件中。
[0095]在一些實施例中，第二無機(jī)層303被形成為圍繞第一無機(jī)層301和第一有機(jī)層
302。因此，由于整個第一有機(jī)層302被第一無機(jī)層301和第二無機(jī)層303圍繞，因此可以有效地防止外部濕氣和氧滲入有機(jī)發(fā)光器件中。
[0096]第二無機(jī)層303可以由例如SiNx或S1x形成，并且可以通過化學(xué)氣相沉積(CVD)被形成為具有設(shè)定或預(yù)定的厚度。因此，即使在第一有機(jī)層302上存在顆粒，由于顆粒而形成的高度差也可以被充分覆蓋。另外，由于是通過不使用等離子體的CVD形成第二無機(jī)層303，因此可以保護(hù)第一有機(jī)層302使其在形成第二無機(jī)層303時免于受損，并且可以有效地防止從第一有機(jī)層302釋放氣體。
[0097]第二無機(jī)層303可以被形成為比第一無機(jī)層301大，并且可以直接接觸有效區(qū)AA外部的層間絕緣層205。另外，第二無機(jī)層303可以由與層間絕緣層205相同的材料形成。因此，第二無機(jī)層303和層間絕緣層205之間的結(jié)合力可以增大。
[0098]第二有機(jī)層304和第三無機(jī)層305可以形成在第二無機(jī)層303上，盡管未示出，但可以在包封層300的外表面上進(jìn)一步形成AlOx的第四無機(jī)層。
[0099]第二有機(jī)層304可以包括環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的任一種，并且可以被形成為具有設(shè)定或預(yù)定的厚度。在一些實施例中，第二有機(jī)層304減輕了施加到第一無機(jī)層301上的膜應(yīng)力，即使存在顆粒等，第二有機(jī)層304也覆蓋了顆粒等以實現(xiàn)平面化。第二有機(jī)層304的面積可以大于第一有機(jī)層302的面積。因此，第二有機(jī)層304的面積擴(kuò)大可以有效地防止?jié)駳鈴拿姘逋獠繚B入有機(jī)發(fā)光器件中。
[0100]在一些實施例中，第三無機(jī)層305覆蓋第二有機(jī)層304。第三無機(jī)層305可以由與第二無機(jī)層303相同的材料形成。第三無機(jī)層305可以被形成為比第二無機(jī)層303大，并且可以直接接觸有效區(qū)AA外部的層間絕緣層205。另外，第三無機(jī)層305可以由與層間絕緣層205相同的材料形成。因此，第三無機(jī)層305和層間絕緣層205之間的結(jié)合力可以增大。
[0101]包封層300還可以包括交替堆疊的多個另外的無機(jī)層和多個另外的有機(jī)層，無機(jī)層和有機(jī)層的堆疊的數(shù)量不限于本發(fā)明的實施例。
[0102]在一個實施例中，保護(hù)膜附著于包封層300的上表面。然而，當(dāng)保護(hù)膜的附著力強(qiáng)時，當(dāng)去除保護(hù)膜時，包封層300會被剝離。因此，可以進(jìn)一步形成與保護(hù)膜的附著力弱的AlOx的第四無機(jī)層以解決這個問題。
[0103]圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置20的示意性剖視圖，圖6是圖5的有機(jī)發(fā)光顯示裝置20的一部分的剖視圖，圖7是圖6中的部分P2的放大視圖。
[0104]參照圖5至圖7，根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置20可以包括基板101、在基板101上限定有效區(qū)AA的顯示單元200、密封顯示單元200的包封層2300。
[0105]基板101可以是柔性基板。然而，本發(fā)明的一個或更多個實施例不限于此，基板101可以由各種合適的材料諸如金屬、玻璃等形成。
[0106]顯示單元200限定基板101上的有效區(qū)AA，并且可以包括薄膜晶體管TFT和與薄膜晶體管TFT電連接的有機(jī)發(fā)光器件OLED。焊盤部I可以圍繞有效區(qū)AA設(shè)置，以將電信號從電源裝置或信號產(chǎn)生裝置傳輸?shù)接行^(qū)AA。
[0107]現(xiàn)在，將參照圖6更詳細(xì)地描述顯示單元200。
[0108]緩沖層201可以形成在基板101上。
[0109]薄膜晶體管TFT可以形成在緩沖層201上。薄膜晶體管TFT可以包括有源層202、柵電極204、源電極206和漏電極207。
[0110]柵極絕緣層203可以形成在有源層202上。在一些實施例中，柵極絕緣層203被形成為對應(yīng)于基板101的整個表面。
[0111]柵電極204可以形成在柵極絕緣層203上。
[0112]層間絕緣層205可以形成在柵電極204上。在一些實施例中，層間絕緣層205被形成為對應(yīng)于基板101的整個表面。也就是說，層間絕緣層205被形成為對應(yīng)于有效區(qū)AA和有效區(qū)AA外部的外部區(qū)域。
[0113]層間絕緣層205可以由無機(jī)材料諸如51隊、5102等形成。在當(dāng)前實施例中，層間絕緣層205可以由SiNx形成，或者可以是包括SiNx層和S12層的兩層結(jié)構(gòu)。
[0114]源電極206和漏電極207可以形成在層間絕緣層205上。
[0115]盡管圖6示出了順序地包括有源層202、柵電極204及源電極206和漏電極207的頂柵型薄膜晶體管TFT，但本發(fā)明的以上實施例中的一個或更多個不限于此，柵電極204可以設(shè)置在有源層202下方。
[0116]薄膜晶體管TFT電連接到有機(jī)發(fā)光器件OLED以驅(qū)動有機(jī)發(fā)光器件0LED，并且被覆蓋薄膜晶體管TFT的鈍化層208保護(hù)。
[0117]鈍化層208可以包括無機(jī)絕緣層和/或有機(jī)絕緣層。鈍化層208可以被形成為無機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層的復(fù)合堆疊體。
[0118]有機(jī)發(fā)光器件OLED可以形成在鈍化層208上，并可以包括像素電極211、中間層214和對電極215。
[0119]像素電極211可以形成在鈍化層208上，以面對像素電極211。對電極215可以是透明或半透明電極，并且可以由具有低逸出功的金屬薄膜形成，所述金屬薄膜包括L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其混合物。對電極215可以形成為具有大約5nm至大約20nm
的厚度。
[0120]因此，對電極215可以允許中間層214中包括的有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光穿過。也就是說，有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光可以直接朝對電極215發(fā)射，或者可以被包括反射電極的像素電極211反射,然后朝對電極215發(fā)射。
[0121]然而，根據(jù)當(dāng)前實施例的柔性顯示裝置20不限于頂部發(fā)射型，作為底部發(fā)射型，有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光可以朝基板101發(fā)射。在這種情況下，像素電極211可以包括透明或半透明電極，對電極215可以包括反射電極。柔性顯示裝置20可以是在兩個方向上(即，向著頂部和底部)都發(fā)射光的雙側(cè)發(fā)射型。
[0122]像素限定層213可以形成在像素電極211上。
[0123]中間層214中包括的有機(jī)發(fā)射層可以由低分子有機(jī)材料或高分子有機(jī)材料形成。除了有機(jī)發(fā)射層之外，中間層214還可以選擇性地包括功能層，諸如HTL、HIL、ETL、EIL等。
[0124]與對電極215相對地設(shè)置包封層2300。包封層2300可以至少包括多孔無機(jī)層2301、第一有機(jī)層302、第二無機(jī)層303?？梢赃M(jìn)一步在包封層2300和顯示單元200之間形成保護(hù)層2220。
[0125]現(xiàn)在，將參照圖7更詳細(xì)地描述保護(hù)層2220。
[0126]保護(hù)層2220可以包括覆蓋對電極215的覆蓋層222和形成在覆蓋層222上的多孔阻擋層2224。
[0127]覆蓋層222可以被形成為覆蓋對電極215。覆蓋層222可以由有機(jī)材料諸如a-NPD、NPB、TPD、m_MTDATA、Alq3、CuPc等形成，并且可以用于不僅保護(hù)有機(jī)發(fā)光器件0LED，而且有助于有機(jī)發(fā)光器件OLED產(chǎn)生的光的有效發(fā)射。覆蓋層222可以形成為具有大約20nm至大約200nm的厚度。從對電極215的邊緣到覆蓋層222的邊緣的距離可以是大約50 μ m至大約150 μ m。
[0128]多孔阻擋層2224可以由無機(jī)材料諸如LiF、MgF2、CaF2等形成。在一些實施例中，多孔阻擋層2224用于阻擋在形成第一無機(jī)層2301的過程中使用的等離子體等滲入有機(jī)發(fā)光器件OLED中，從而不損害中間層214、對電極215等。多孔阻擋層2224可以形成為具有大約30nm至大約200nm的厚度。從覆蓋層222的邊緣到多孔阻擋層2224的邊緣的距離可以為大約50 μ m至大約150 μ m。在當(dāng)前實施例中，多孔阻擋層2224可以由具有針孔結(jié)構(gòu)的LiF形成。
[0129]多孔阻擋層2224可以具有大偶極矩。在實施例中，當(dāng)多孔阻擋層2224接觸對電極215時，多孔阻擋層2224的大偶極矩影響對電極215，結(jié)果，在對電極215的表面上可能出現(xiàn)氧化反應(yīng)。對電極215的氧化會導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光器件OLED的像素收縮現(xiàn)象。例如，當(dāng)對電極215由Mg形成并且多孔阻擋層2224由LiF形成時，可能出現(xiàn)按照化學(xué)式I進(jìn)行的氧化反應(yīng)。
[0130]2LiF+Mg — MgF2+2Li (化學(xué)式 I)
[0131]這里，按照化學(xué)式I進(jìn)行的對電極215的氧化反應(yīng)會導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光器件OLED的像素收縮現(xiàn)象。根據(jù)本發(fā)明的實施例，覆蓋層222被形成為完全覆蓋對電極215，從而有效地防止多孔阻擋層2224與對電極215接觸。因此，可以有效地防止多孔阻擋層2224和對電極215之間的表面反應(yīng)和隨后對電極215的氧化。因此，可以有效地防止由于對電極215的氧化而導(dǎo)致出現(xiàn)的像素收縮現(xiàn)象。
[0132]在一些實施例中，多孔無機(jī)層2301形成在保護(hù)層2220上。多孔無機(jī)層2301可以由例如AlOx形成。多孔無機(jī)層2301可以通過濺射法形成為具有設(shè)定或預(yù)定的厚度。在一些實施例中，多孔無機(jī)層2301可以形成在多孔阻擋層2224上。當(dāng)多孔無機(jī)層2301形成在多孔阻擋層2224上時，多孔無機(jī)層2301根據(jù)多孔阻擋層2224的晶體結(jié)構(gòu)來生長。也就是說，在具有針孔結(jié)構(gòu)的多孔阻擋層2224的多孔LiF上形成的多孔無機(jī)層2301上可能出現(xiàn)細(xì)小裂縫。
[0133]第一有機(jī)層302可以形成在多孔無機(jī)層2301上。第一有機(jī)層302可以由高分子有機(jī)化合物形成。在一些實施例中，高分子有機(jī)化合物可能釋氣，釋放的氣體可能向著有機(jī)發(fā)光器件OLED滲透。如果由于顆粒等導(dǎo)致無機(jī)層斷裂或破裂，則從高分子有機(jī)化合物釋放的氣體會聚集到無機(jī)層上的裂縫中，因此，有機(jī)發(fā)光器件OLED的對電極215的相應(yīng)點會被氧化，從而造成暗點。
[0134]然而，根據(jù)當(dāng)前實施例，由于多孔無機(jī)層2301和多孔阻擋層2224具有細(xì)小裂縫，因此從第一有機(jī)層302釋放的氣體沒有聚集到任一點中。因為多孔無機(jī)層2301和多孔阻擋層2224上存在的細(xì)小裂縫，所以從第一有機(jī)層302釋放的氣體可以大范圍散布，因此可以保護(hù)對電極215免于只在任一點被氧化，因此，可以有效地防止暗點的形成。也就是說，因為平均效果，所以可以有效地防止損害對電極215和中間層214的物質(zhì)(例如從第一有機(jī)層302釋放的氣體等)聚集到某一部分，因此可以抑制對電極215和中間層214的局部受損，從而延遲暗點。在本申請中，“平均效果”是指釋氣產(chǎn)生的物質(zhì)沒有聚集到一部分中而是基本上散布開的事實。相比之下，當(dāng)使用釋氣產(chǎn)生的物質(zhì)難以通過其散布的精密膜而不是多孔膜時，釋氣產(chǎn)生的物質(zhì)會通過由于外來物質(zhì)或刮擦導(dǎo)致的精密膜的缺陷部分(即，針孔)而集中，因此會聚集到缺陷部分中。結(jié)果，對電極215和像素電極211之間的中間層214會受損并且會出現(xiàn)暗點。在一些情況下，會出現(xiàn)連續(xù)生長的暗點、所謂的進(jìn)行性暗點(progressive dark spot)。然而,在本發(fā)明的實施例中，通過使用多孔阻擋層2224和多孔無機(jī)層2301，釋氣產(chǎn)生的物質(zhì)由于平均效果而沒有局部集中到缺陷部分中，而是總體上、均勻地散布，沒有出現(xiàn)進(jìn)行性暗點。因此，有機(jī)發(fā)光顯示裝置20的壽命可以延長，從而提高產(chǎn)品的可靠性。
[0135]在一些實施例中，第一有機(jī)層302形成在多孔無機(jī)層2301上。第一有機(jī)層302可以被形成為具有設(shè)定或預(yù)定的厚度，以平面化由于像素限定層213導(dǎo)致的高度差。第一有機(jī)層302可以包括環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的任一種。第一有機(jī)層302的面積可以小于多孔無機(jī)層2301的面積。第一有機(jī)層302的面積可以大于多孔阻擋層2224的面積。因此，第一有機(jī)層302的面積擴(kuò)大可以有效地防止?jié)駳鈴拿姘逋獠繚B入有機(jī)發(fā)光器件中。
[0136]在一些實施例中，第二無機(jī)層303被形成為圍繞多孔無機(jī)層2301和第一有機(jī)層302。因此，由于整個第一有機(jī)層302被多孔無機(jī)層2301和第二無機(jī)層303圍繞，因此可以有效地防止外部濕氣和氧滲入有機(jī)發(fā)光器件中。
[0137]第二無機(jī)層303可以由例如SiNx或S1x形成，并且可以通過CVD被形成為具有設(shè)定或預(yù)定的厚度。因此，即使在第一有機(jī)層302上存在顆粒，由于顆粒而形成的高度差也可以被充分覆蓋。另外，由于是通過不使用等離子體的CVD形成第二無機(jī)層303，因此可以保護(hù)第一有機(jī)層302使其在形成第二無機(jī)層303時免于受損，并且可以有效地防止從第一有機(jī)層302釋放氣體。
[0138]第二無機(jī)層303可以被形成為比多孔無機(jī)層2301大，并且可以直接接觸有效區(qū)AA外部的層間絕緣層205。另外，第二無機(jī)層303可以由與層間絕緣層205相同的材料形成。因此，第二無機(jī)層303和層間絕緣層205之間的結(jié)合力可以增大。
[0139]第二有機(jī)層304和第三無機(jī)層305可以形成在第二無機(jī)層303上，盡管未示出，但可以在包封層2300的外表面上進(jìn)一步形成AlOx的第四無機(jī)層。
[0140]第二有機(jī)層304可以包括環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的任一種，并且可以被形成為具有設(shè)定或預(yù)定的厚度。在一些實施例中，第二有機(jī)層304減輕了施加到多孔無機(jī)層2301上的膜應(yīng)力，即使存在顆粒等，第二有機(jī)層304也覆蓋了顆粒等以實現(xiàn)平面化。第二有機(jī)層304的面積可以大于第一有機(jī)層302的面積。因此，第二有機(jī)層304的面積擴(kuò)大可以有效地防止?jié)駳鈴拿姘逋獠繚B入有機(jī)發(fā)光器件中。
[0141]在一些實施例中，第三無機(jī)層305覆蓋第二有機(jī)層304。第三無機(jī)層305可以由與第二無機(jī)層303相同的材料形成。第三無機(jī)層305可以被形成為比第二無機(jī)層303大，并且可以直接接觸有效區(qū)AA外部的層間絕緣層205。另外，第三無機(jī)層305可以由與層間絕緣層205相同的材料形成。因此，第三無機(jī)層305和層間絕緣層205之間的結(jié)合力可以增大。
[0142]包封層2300還可以包括交替堆疊的多個另外的無機(jī)層和多個另外的有機(jī)層，無機(jī)層和有機(jī)層的堆疊的數(shù)量不限于本發(fā)明的實施例。
[0143]在一些實施例中，保護(hù)膜附著于包封層2300的上表面。然而，如果保護(hù)膜的附著力強(qiáng)，則當(dāng)去除保護(hù)膜時，包封層2300會被剝離。因此，可以進(jìn)一步形成與保護(hù)膜的附著力弱的由AlOx形成的第四無機(jī)層以解決這個問題。
[0144]圖8至圖10是根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于描述制造圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的方法的示意性剖視圖。由于顯示單元200與參照圖3描述的基本上相同，因此在圖8至圖10中不再提供對顯示單元200的構(gòu)造的詳細(xì)描述。
[0145]現(xiàn)在，將一起參照圖8至圖10和圖4描述制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的方法。
[0146]如圖8中所示,在基板101上形成限定有效區(qū)AA的顯示單元200。由于顯示單元200可以具有圖3中示出的構(gòu)造并且各種合適的有機(jī)發(fā)光顯示器可以應(yīng)用于此，因此這里不提供制造顯示單元200的詳細(xì)方法。在一些實施例中，顯示單元200包括形成至有效區(qū)AA的外部區(qū)域的緩沖層201、柵極絕緣層203、層間絕緣層205。在一些實施例中，層間絕緣層205設(shè)置在柵電極(圖3的204)和源電極(圖3的206)之間，并且在一些實施例中，設(shè)置在柵電極(圖3的204)和漏電極(圖3的207)之間，以用于其間的絕緣，并且可以由無機(jī)材料諸如SiNx、S12等形成。
[0147]如圖9中所示，可以在顯示單元200上形成保護(hù)層220。
[0148]在一些實施例中，保護(hù)層220包括可以由有機(jī)材料諸如a-NPD、NPB, TPD、m-MTDATA, Alq3^CuPc等形成的覆蓋層222和可以由LiF形成的阻擋層224。
[0149]在一些實施例中，覆蓋層222被形成為覆蓋對電極215。在一些實施例中，覆蓋層222被形成為完全覆蓋對電極215，從而有效地防止阻擋層224接觸對電極215。因此，可以有效地防止阻擋層224和對電極215之間的表面反應(yīng)和隨后對電極215的氧化。因此，可以有效地防止由于對電極215的氧化而導(dǎo)致出現(xiàn)的像素收縮現(xiàn)象。
[0150]如圖10中所示，可以順序地形成第一無機(jī)層301、第一有機(jī)層302、第二無機(jī)層
303、第二有機(jī)層304和第三無機(jī)層305。
[0151]第一無機(jī)層301可以由AlOx形成，并且可以通過濺射法形成為具有設(shè)定或預(yù)定的厚度。
[0152]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，通過使LiF總體上具有針孔結(jié)構(gòu)并且根據(jù)阻擋層224的晶體結(jié)構(gòu)生長在阻擋層224上沉積的第一無機(jī)層301，來形成第一無機(jī)層301上的細(xì)小裂縫。因此，即使從第一無機(jī)層301上形成的第一有機(jī)層302等釋放氣體，釋放的氣體可以大范圍散布在第一無機(jī)層301上存在的細(xì)小裂縫中，并且阻擋層224可以有效地防止釋放的氣體聚集到任一點(平均效果)。因此，可以有效地防止對電極215被氧化并由此出現(xiàn)暗點。
[0153]第一有機(jī)層302可以被形成為具有設(shè)定或預(yù)定的厚度，以平面化由于像素限定層(圖3的213)導(dǎo)致的高度差。第一有機(jī)層302可以包括環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的任一種。第一有機(jī)層302的面積可以大于阻擋層224的面積并且小于第一無機(jī)層301的面積。因此，第一有機(jī)層302的面積擴(kuò)大可以有效地防止?jié)駳鈴拿姘逋獠繚B入有機(jī)發(fā)光器件中。
[0154]第二無機(jī)層303被形成為圍繞第一無機(jī)層301和第一有機(jī)層302。也就是說，由于整個第一有機(jī)層302被第一無機(jī)層301和第二無機(jī)層303圍繞，因此可以有效地防止外部濕氣和氧滲入。
[0155]第二無機(jī)層303可以通過CVD由例如SiNx形成為具有設(shè)定或預(yù)定的厚度。因此，即使在第一有機(jī)層302上存在顆粒，由于顆粒而形成的高度差也可以被充分覆蓋。另外，由于是通過不使用等離子體的CVD形成第二無機(jī)層303，因此可以保護(hù)第一有機(jī)層302使其在形成第二無機(jī)層303時免于受損，從而有效地防止從第一有機(jī)層302釋放氣體。
[0156]在一些實施例中，第二無機(jī)層303被形成為比第一無機(jī)層301大并且直接接觸有效區(qū)AA外部的層間絕緣層205。另外，第二無機(jī)層303可以由與層間絕緣層205相同的材料形成。在這種情況下，第二無機(jī)層303和層間絕緣層205之間的結(jié)合力可以增大。因此，由于第二無機(jī)層303被形成為具有足以覆蓋顆粒的厚度，因此即使當(dāng)膜應(yīng)力增加時，也可以保護(hù)第二無機(jī)層303免于被剝離，因此，可以有效地防止外部濕氣和氧滲入有機(jī)發(fā)光器件中。
[0157]第二有機(jī)層304可以包括環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的任一種并且可以被形成為具有設(shè)定或預(yù)定的厚度。在一些實施例中，第二有機(jī)層304減輕了施加到第一無機(jī)層301上的膜應(yīng)力，即使存在顆粒等，第二有機(jī)層304也覆蓋了顆粒等以實現(xiàn)平面化。
[0158]在一些實施例中，第三無機(jī)層305覆蓋第二有機(jī)層304。第三無機(jī)層305可以通過CVD形成，從而有效防止第二有機(jī)層304受損。
[0159]包封層300還可以包括交替堆疊的多個另外的無機(jī)層和多個另外的有機(jī)層，無機(jī)層和有機(jī)層的堆疊的數(shù)量不限于本發(fā)明的實施例。
[0160]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的以上實施例中的一個或更多個，可以有效地防止對電極的氧化，從而改善像素收縮問題。
[0161]另外，可以延遲進(jìn)行性暗點的出現(xiàn)，從而提高有機(jī)發(fā)光顯示裝置的壽命。
[0162]應(yīng)該理解，本文描述的示例性實施例應(yīng)該僅以描述性含義來考慮而不是出于限制目的。對各實施例中的特征或方面的描述通常應(yīng)該被視為可用于其它實施例中的其它類似特征或方面。
[0163]雖然已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的一個或更多個實施例，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離如權(quán)利要求書及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 基板； 顯示單元，在基板上并具有多個有機(jī)發(fā)光器件； 包封層，密封顯示單元；和 保護(hù)層，在顯示單元和包封層之間， 其中，所述多個有機(jī)發(fā)光器件中的每個包括: 像素電極， 中間層，在像素電極上，中間層包括有機(jī)發(fā)射層，和對電極，在中間層上； 保護(hù)層包括: 覆蓋層，覆蓋對電極，和 阻擋層，在覆蓋層上。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，覆蓋層由有機(jī)材料形成。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，阻擋層由氟化鋰形成。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，阻擋層覆蓋覆蓋層。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，包封層具有包括順序地堆疊的第一無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層的結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第一無機(jī)層由氧化鋁形成。
7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，阻擋層覆蓋覆蓋層。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第一有機(jī)層的面積大于阻擋層的面積。
9.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第一無機(jī)層的面積大于第一有機(jī)層的面積。
10.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，包封層還包括: 第二有機(jī)層，在第二無機(jī)層上；和 第三無機(jī)層，在第二有機(jī)層上。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第一無機(jī)層的面積大于第一有機(jī)層的面積。
12.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，阻擋層覆蓋覆蓋層，第一有機(jī)層的面積大于阻擋層的面積，第二有機(jī)層的面積大于第一有機(jī)層的面積。
13.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第二無機(jī)層和第三無機(jī)層中的每個的面積大于第一無機(jī)層的面積。
14.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 基板； 顯示單元，在基板上并具有多個有機(jī)發(fā)光器件； 包封層，密封顯示單元，并包括順序地堆疊的多孔無機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無機(jī)層；和 保護(hù)層，在顯示單元和包封層之間， 其中，多個有機(jī)發(fā)光器件中的每個包括: 像素電極， 中間層，在像素電極上，中間層包括有機(jī)發(fā)射層，和對電極，在中間層上， 保護(hù)層包括: 覆蓋層，覆蓋對電極，和 多孔阻擋層，在覆蓋層上。
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，覆蓋層由有機(jī)材料形成。
16.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，多孔阻擋層由氟化鋰形成。
17.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，多孔無機(jī)層由氧化鋁形成。
18.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，多孔阻擋層覆蓋覆蓋層。
19.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第一有機(jī)層的面積大于多孔阻擋層的面積。
20.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，多孔無機(jī)層的面積大于第一有機(jī)層的面積。
21.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，包封層還包括: 第二有機(jī)層，在第二無機(jī)層上；和 第三無機(jī)層，在第二有機(jī)層上。
22.如權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，多孔無機(jī)層的面積大于第一有機(jī)層的面積。
23.如權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，多孔阻擋層覆蓋覆蓋層，第一有機(jī)層的面積大于多孔阻擋層的面積，第二有機(jī)層的面積大于第一有機(jī)層的面積。
24.如權(quán)利要求21所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第二無機(jī)層和第三無機(jī)層中的每個的面積大于多孔無機(jī)層的面積。
25.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括下述步驟: 在基板上形成顯示單元，顯示單元限定有效區(qū)并且包括對電極； 形成覆蓋層以覆蓋對電極； 在覆蓋層上形成阻擋層；和 在阻擋層上形成包封層以密封顯示單元。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，由有機(jī)材料形成覆蓋層。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，由氟化鋰形成阻擋層。
28.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，將阻擋層形成為覆蓋覆蓋層。
29.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，形成包封層的步驟包括: 在阻擋層上形成第一無機(jī)層； 在第一無機(jī)層上形成第一有機(jī)層；和 在第一有機(jī)層上形成第二無機(jī)層。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中，通過濺射法用氧化鋁形成第一無機(jī)層。
31.如權(quán)利要求29所述的方法，其中，第一無機(jī)層的面積大于第一有機(jī)層的面積。
32.如權(quán)利要求29所述的方法，其中，將阻擋層形成為覆蓋覆蓋層，第一有機(jī)層的面積大于阻擋層的面積。
33.如權(quán)利要求29所述的方法，其中，形成包封層的步驟還包括: 在第二無機(jī)層上形成第二有機(jī)層；和 在第二有機(jī)層上形成第三無機(jī)層， 其中，通過化學(xué)氣相沉積法形成第二無機(jī)層和第三無機(jī)層。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其中，第一無機(jī)層的面積大于第一有機(jī)層的面積。
35.如權(quán)利要求33所述的方法，其中，將阻擋層形成為覆蓋覆蓋層，第一有機(jī)層的面積大于阻擋層的面積，第二有機(jī)層的面積大于第一有機(jī)層的面積。
36.如權(quán)利要求33所述的方法，其中，第二無機(jī)層和第三無機(jī)層中的每個的面積大于第一無機(jī)層的面積。
37.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，由具有針孔結(jié)構(gòu)的LiF形成阻擋層。
【文檔編號】H01L27/32GK104332483SQ201410174638
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年4月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月22日
【發(fā)明者】閔庚秀, 康東旭, 柳然赫 申請人:三星顯示有限公司