發(fā)光器件和制造發(fā)光器件的方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件包括：第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層；有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第一鈍化層，該第一鈍化層包圍第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二連接層，該第二連接層通過(guò)第一鈍化層而被電氣地連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二連接層和第一鈍化層上的第一光提取結(jié)構(gòu)層；第一電極層，該第一電極層被電氣地連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及第一光提取結(jié)構(gòu)層上的第二電極層。
【專利說(shuō)明】發(fā)光器件和制造發(fā)光器件的方法
[0001]本申請(qǐng)是2009年4月6日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?00980116970.5，發(fā)明名稱為“發(fā)光器件和制造發(fā)光器件的方法”的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]實(shí)施例涉及發(fā)光器件，和制造發(fā)光器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]最近，作為發(fā)光器件的發(fā)光二極管(LED)得以被關(guān)注。由于LED能夠高效率地將電能轉(zhuǎn)換為光能，并且具有大約5年或更長(zhǎng)的壽命，所以LED能夠顯著地減少能量消耗以及維修并且維護(hù)成本。因此，在下一代發(fā)光領(lǐng)域中關(guān)注LED。
[0004]將該種LED制備為包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光半導(dǎo)體層，其中有源層根據(jù)通過(guò)第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層施加到其上的電流而產(chǎn)生光。
[0005]同時(shí)，由于組成發(fā)光半導(dǎo)體層的材料具有低于外部空氣的折射率，所以從有源層產(chǎn)生的光沒(méi)有被有效地發(fā)射到外部，而是被從邊界表面全反射并且被壓制在發(fā)光半導(dǎo)體層的內(nèi)部。
[0006]為了解決此問(wèn)題，凹凸光提取結(jié)構(gòu)被形成在被提供在有源層的一側(cè)處的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層或者第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上。然而，由于光提取結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致降低LED的電氣特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007][技術(shù)問(wèn)題]
[0008]實(shí)施例提供具有新穎的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件和制造發(fā)光器件的方法。
[0009]實(shí)施例提供能夠提高電氣特性和光提取效率的發(fā)光器件和制造發(fā)光器件的方法。
[0010][技術(shù)解決方案]
[0011]根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括:第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層；有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第一鈍化層，該第一鈍化層包圍第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二連接層，該第二連接層通過(guò)第一鈍化層而被電氣地連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二連接層和第一鈍化層上的第一光提取結(jié)構(gòu)層；第一電極層，該第一電極層被電氣地連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及第一光提取結(jié)構(gòu)層上的第二電極層。
[0012]一種制造根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的方法可以包括下述步驟:在生長(zhǎng)襯底上形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成有源層、以及在有源層上形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；選擇性地移除第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層，使得第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層被部分地暴露；形成包圍第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一鈍化層；選擇性地移除第一鈍化層并且形成被電氣地連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二連接層；在第二連接層和第一鈍化層上形成具有凹凸結(jié)構(gòu)的第一光提取結(jié)構(gòu)層；以及在第一光提取結(jié)構(gòu)層上形成第二電極層并且形成被電氣地連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極層。[0013][有益效果]
[0014]實(shí)施例可以提供具有新穎的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件和制造發(fā)光器件的方法。
[0015]實(shí)施例提供能夠提高電氣特性和光提取效率的發(fā)光器件和制造發(fā)光器件的方法。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖；
[0017]圖2至圖9是示出用于制造根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的程序的截面圖；以及
[0018]圖10是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]在實(shí)施例的描述中，將會(huì)理解的是，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案、或結(jié)構(gòu)被稱為在另一個(gè)襯底、另一個(gè)層(或膜)、另一個(gè)區(qū)域、另一個(gè)墊、或另一個(gè)圖案“上”或“下”時(shí)，它能夠“直接”或“間接”在另一個(gè)襯底上、層(或膜)、區(qū)域、墊、或圖案上，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。已經(jīng)參考附圖描述了該種層的位置。
[0020]為了方便或清楚起見(jiàn)，附圖所示的每個(gè)層的厚度和尺寸可以被夸大、省略、或示意性繪制。另外，元件的尺寸沒(méi)有完全反映真實(shí)尺寸。
[0021]圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。 [0022]參考圖1，緩沖層201被形成在生長(zhǎng)襯底10上，并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20、有源層30、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40的發(fā)光半導(dǎo)體層被形成在緩沖層201上。
[0023]通過(guò)MESA蝕刻來(lái)部分地移除發(fā)光半導(dǎo)體層，并且第一電流擴(kuò)展層401被形成在通過(guò)MESA蝕刻暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20上。另外，第二電流擴(kuò)展層501被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40上。
[0024]形成第一鈍化層502，以包圍發(fā)光半導(dǎo)體層，以及第一和第二電流擴(kuò)展層401和501。被形成在第一和第二電流擴(kuò)展層401和501上的第一鈍化層502被選擇性地移除，使得導(dǎo)通孔被形成。第一連接層403和第二連接層503被形成在導(dǎo)通孔中。
[0025]第一光提取結(jié)構(gòu)層504被形成在第一鈍化層502和被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40上的第二連接層503上。
[0026]另外，第一電極層70被形成在第一連接層403上，并且第二電極層60被形成在第一光提取結(jié)構(gòu)層504上。
[0027]此外，第二光提取結(jié)構(gòu)層110被形成在生長(zhǎng)襯底10下面，并且反射層120被形成在第二光提取結(jié)構(gòu)層110下面。
[0028]更加詳細(xì)地，例如，生長(zhǎng)襯底10可以包括A1203、SiC、S1、AIN、GaN、AlGaN,玻璃、以及GaAs中的一個(gè)。
[0029]在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20被生長(zhǎng)之前，緩沖層201被形成在生長(zhǎng)襯底10上。例如，緩沖層201可以包括InGaN、AIN、SiC、SiCN、以及GaN中的至少一個(gè)。
[0030]包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20、有源層30、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40的發(fā)光半導(dǎo)體層可以包括III族氮化物基半導(dǎo)體材料。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20可以包括如下的氮化鎵層，所述氮化鎵層包括諸如Si的η型雜質(zhì)，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40可以包括如下的氮化鎵層，所述氮化鎵層包括諸如Mg的P型雜質(zhì)。另外，通過(guò)電子和空穴的重組產(chǎn)生光的有源層30可以包括InGaN、AlGaN, GaN、以及AlInGaN中的一個(gè)。根據(jù)組成有源層30的材料的類型來(lái)確定從發(fā)光器件發(fā)射的光的波長(zhǎng)。
[0031]有源層30和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40被形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20的一部分上。換言之，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20的一部分接觸有源層30，并且第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20的剩余部分被暴露在外部。
[0032]盡管未示出，界面修改層可以進(jìn)一步被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40上。
[0033]界面修改層可以包括超晶格結(jié)構(gòu)、被摻雜有第一導(dǎo)電雜質(zhì)的InGaN、GaN、AlInN、AIN、InN、以及AlGaN中的一個(gè)、被摻雜有第二導(dǎo)電雜質(zhì)的InGaN、GaN、AlInN、AlN、InN、以及AlGaN中的一個(gè)、或者具有氮極性表面的III族氮化物基元素中的一個(gè)。特別地，具有超晶格結(jié)構(gòu)的界面修改層可以包括如下的氮化物或者氮化碳，所述氮化物或者氮化碳包括I1、
II1、或者IV族元素。
[0034]第一電流擴(kuò)展層401被部分地形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20上，并且第二電流擴(kuò)展層501被部分地或者整體地形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40上。
[0035]沒(méi)有必要要求同時(shí)具有第一和第二電流擴(kuò)展層401和501。即，第一和第二電流擴(kuò)展層401和501中的至少一個(gè)可以被省略。
[0036]第一和第二電 流擴(kuò)展層401和501能夠被制備為包括從由ITO(氧化銦錫)、被摻雜的ZnO (被摻雜的氧化鋅)、TiN (氮化鈦)、ΙΖ0 (氧化銦鋅)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、NiO (氧化鎳)、RuO2 (氧化釕)、IrO2 (氧化銥)、被摻雜的In2O3 (被摻雜的氧化銦)、Au、Ag、被摻雜的SnO2 (被摻雜的氧化錫)、GITO (鎵銦錫氧化物)、PdO (氧化鈀)、PtO (氧化鉬)、Ag2O (氧化銀)、以及被摻雜的TiO2 (被摻雜的氧化鈦)組成的組中選擇的至少一個(gè)的多層結(jié)構(gòu)或者單層結(jié)構(gòu)。
[0037]第一和第二電流擴(kuò)展層401和501均勻地?cái)U(kuò)展被施加到第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層20和40的電流，從而提高發(fā)光效率。另外，第一和第二電流擴(kuò)展層401和501允許第一和第二電極層70和60以被充分地分別結(jié)合到第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層20和40。
[0038]第一鈍化層502被形成在包括除了第一和第二電流擴(kuò)展層401和501的一些部分之外的第一和第二電流擴(kuò)展層401和501的發(fā)光半導(dǎo)體層上。第一鈍化層502防止發(fā)光器件被物理地、化學(xué)地、或者電氣地?fù)p壞。
[0039]第一鈍化層502包括透明電絕緣材料。例如，第一鈍化層502包括SiO2 (二氧化硅)、SiNx (氮化硅)、MgF2 (氟化鎂)、Cr2O3 (氧化鉻)、Al2O3 (氧化鋁)、Ti02、ZnS (硫化鋅)、ZnO (氧化鋅)、CaF2 (氟化鈣)、A1N (氮化鋁)、以及CrN (氮化鉻)中的至少一個(gè)。
[0040]第一和第二連接層403和405分別被形成在第一和第二電流擴(kuò)展層401和501上，同時(shí)經(jīng)過(guò)第一鈍化層502。詳細(xì)地，被形成在第一和第二電流擴(kuò)展層401和501上的第一鈍化層502具有導(dǎo)通孔，并且導(dǎo)通孔被填充有導(dǎo)電材料以形成第一和第二連接層403和405。[0041 ] 根據(jù)實(shí)施例，多個(gè)導(dǎo)通孔被形成在第一鈍化層502中，所述第一鈍化層502被形成在第二電流擴(kuò)展層501上，但是實(shí)施例不限于此。例如，可以在被形成在第二電流擴(kuò)展層501上的第一鈍化層502中僅僅形成一個(gè)導(dǎo)通孔，以形成第一連接層403。
[0042]沒(méi)有必要要求第一連接層403。即，第一連接層403能夠被省略。
[0043]通過(guò)使用包括從由ITO (氧化銦錫)、被摻雜的ZnO (被摻雜的氧化鋅)、TiN (氮化鈦)、ΙΖ0 (氧化銦鋅)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、NiO (氧化鎳)、Ru02 (氧化釕)、IrO2 (氧化銥)、被摻雜的In2O3 (被摻雜的氧化銦)、Au、Ag、被摻雜的SnO2 (被摻雜的氧化錫)、GIT0 (鎵銦錫氧化物)、PdO (氧化鈀)、PtO (氧化鉬)、Ag2O (氧化銀)、以及被摻雜的TiO2 (被摻雜的氧化鈦)組成的組中選擇的至少一個(gè)的透明導(dǎo)電材料，能夠?qū)⒌谝缓偷诙溄訉?03和503制備為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。
[0044]第一光提取結(jié)構(gòu)層504被設(shè)置在第一鈍化層502和被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40上的第二連接層503上。能夠在形成第一光提取結(jié)構(gòu)層504的同時(shí)，使其接觸多個(gè)第二連接層503。
[0045]第一光提取結(jié)構(gòu)層504可以包括具有高的光透射率的導(dǎo)電材料，并且能夠被形成為在其表面上帶有具有圓柱形或者圓錐形的凹凸結(jié)構(gòu)504a。
[0046]例如，第一光提取結(jié)構(gòu)層504可以包括如下的I1-VI族化合物或者II1-V族化合物，其中，所述I1-VI族化合物包括ZnO或者M(jìn)gZnO，所述II1-V族化合物包括GaN或者A1N。第一光提取結(jié)構(gòu)層504可以包括六邊形的晶體材料。另外，第一光提取結(jié)構(gòu)層504可以包括 TiO2 或者 Al2O3。
[0047]第一電極層70被形成在第一連接層403的一部分上。如果第一連接層403和第一電流擴(kuò)展層501被省略,那么第一電極層70可以接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20。
[0048]為了形成相對(duì)于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20具有優(yōu)秀的粘合性能的界面，第一電流擴(kuò)展層401、或者第一連接層403、第一電極層70可以包括如下的材料，所述材料形成相對(duì)于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20、第一電流擴(kuò)展層401、或者第一連接層403的歐姆接觸界面。例如，第一電極層70可以包括T1、Al、Cr、V、Au、以及Nb中的一個(gè)。另外，通過(guò)使用硅化物能夠形成第一電極70。
[0049]第二電極層60被形成在第一光提取結(jié)構(gòu)層504的一部分上。
[0050]第二電極層60可以包括如下的材料,所述材料形成相對(duì)于第一光提取結(jié)構(gòu)504表現(xiàn)出優(yōu)秀的粘合性能的界面或者肖特基接觸界面。例如，第二電極層60可以包括N1、Al、Cr、Cu、Pt、Au、Pd、IT0、Zn0、ZIT0、TiN、以及IZO中的至少一個(gè)。另外，通過(guò)使用硅化物能夠形成第二電極層60。
[0051]第二光提取結(jié)構(gòu)層110被形成在生長(zhǎng)襯底10的下面。與第一光提取結(jié)構(gòu)層504相類似，第二光提取結(jié)構(gòu)層110可以具有凹凸結(jié)構(gòu)110a。
[0052]通過(guò)使用具有高的反射率的材料，反射層120被形成在第二光提取結(jié)構(gòu)層110下面。例如，反射層120可以包括Ag、Al、Rh、Pd、N1、Au、DBR (分布布喇格反射器)、以及ODR(全方位反射鏡)中的至少一個(gè)。
[0053]圖2至圖9是示出用于制造根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的程序的截面圖。
[0054]參考圖2，緩沖層201被形成在生長(zhǎng)襯底10上，并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20、有源層30、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40的發(fā)光半導(dǎo)體層被形成在緩沖層201上。盡管在附圖中沒(méi)有示出，界面修改層能夠進(jìn)一步被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40上。
[0055]參考圖3，通過(guò)MESA蝕刻工藝部分地移除發(fā)光半導(dǎo)體層，使得能夠部分地暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20。
[0056]參考圖4，第一電流擴(kuò)展層401被形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20上，并且第二電流擴(kuò)展層501被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40上。第一和第二電流擴(kuò)展層401和501能夠通過(guò)物理氣相沉積(PVD)或者化學(xué)氣相沉積(CVD)來(lái)形成。[0057]參考圖5，第一鈍化層502被形成在包括第一和第二電流擴(kuò)展層401和501的發(fā)光半導(dǎo)體層上。第一鈍化層502能夠通過(guò)物理氣相沉積(PVD)或者化學(xué)氣相沉積(CVD)來(lái)形成。
[0058]參考圖6，第一鈍化層502被選擇性地移除，使得導(dǎo)通孔被形成以暴露第一和第二電流擴(kuò)展層401和501。
[0059]另外，第一和第二連接層403和405被形成在導(dǎo)通孔中。
[0060]參考圖7，第一光提取結(jié)構(gòu)層504被形成在第一鈍化層502和第二連接層503上。
[0061]通過(guò)諸如MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)、MBE (分子束外延)、PLD (脈沖激光沉積)、濺射、ALD (原子層沉積)、或者CVD (化學(xué)氣相沉積)的沉積或者生長(zhǎng)方案，能夠形成第一光提取結(jié)構(gòu)層504。
[0062]參考圖8,在形成第一光提取結(jié)構(gòu)層504和第二電極層60之后,第一電極層70被形成在第一連接層403上。
[0063]參考圖9，第二光提取結(jié)構(gòu)層110和反射層120被最終地形成在生長(zhǎng)襯底10下面。
[0064]與第一光提取結(jié)構(gòu)層504相類似，通過(guò)沉積或者生長(zhǎng)方案能夠形成第二光提取結(jié)構(gòu)層110。通過(guò)PVD [0065]圖10是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的視圖。
[0066]根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件具有與根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件相類似的結(jié)構(gòu)。因此，下面的描述將會(huì)集中于與根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的不同之處，以避免重復(fù)。
[0067]參考圖10，緩沖層201被形成在生長(zhǎng)襯底10上，并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20、有源層30、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40的發(fā)光半導(dǎo)體層被形成在緩沖層201上。
[0068]通過(guò)MESA蝕刻工藝來(lái)部分地移除發(fā)光半導(dǎo)體層，并且第一電流擴(kuò)展層401被形成在通過(guò)MESA蝕刻工藝而暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層20上。另外，第二電流擴(kuò)展層501被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40上。
[0069]第一鈍化層502被形成，以包圍發(fā)光半導(dǎo)體層以及第一和第二電流擴(kuò)展層401和501。被形成在第一和第二電流擴(kuò)展層401和501上的第一鈍化層502被選擇性地移除以形成導(dǎo)通孔，并且第一和第二連接層403和503被形成在導(dǎo)通孔中。
[0070]第一光提取結(jié)構(gòu)層504被形成在第一鈍化層502和被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層40上的第二連接層503上。
[0071]另外，第二鈍化層90被形成在第一光提取結(jié)構(gòu)層504上，并且第三光提取結(jié)構(gòu)層100被形成在第二鈍化層90上。
[0072]此外，第一電極層70被形成在第一連接層403上，并且第二電極層60被形成在第二鈍化層90和第三光提取結(jié)構(gòu)層100被選擇性地移除的區(qū)域上，使得第二電極層60被電氣地連接到第一光提取結(jié)構(gòu)層504。
[0073]另外，第二光提取結(jié)構(gòu)層110被形成在生長(zhǎng)襯底110下面，并且反射層120被形成在第二光提取結(jié)構(gòu)層110下面。
[0074]第二鈍化層90包括透明電絕緣材料。例如，第二鈍化層90包括SiO2(二氧化硅)、SiNx (氮化硅)、MgF2 (氟化鎂)、Cr203 (氧化鉻)、A1203 (氧化鋁)、Ti02、ZnS (硫化鋅)、ZnO (氧化鋅)、CaF2 (氟化鈣)、A1N (氮化鋁)、以及CrN (氮化鉻)中的至少一個(gè)。
[0075]第三光提取結(jié)構(gòu)層100具有凹凸結(jié)構(gòu)100a。第三光提取結(jié)構(gòu)層100可以包括諸如ZnO的I1-VI族化合物，或者諸如GaN的II1-V族化合物。另外，第三光提取結(jié)構(gòu)層100可以包括六邊形的晶體材料。
[0076]另外，第三光提取結(jié)構(gòu)層100可以包括Ti02、Al203、Si02、SiNx、MgF2 (氟化鎂)、Cr203(氧化鉻)、ZnS (硫化鋅)、ZnO (氧化鋅)、CaF2 (氟化鈣)、AlN (氮化鋁)、以及CrN (氮化鉻)中的一個(gè)。
[0077]盡管未示出，制造根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的方法與第一實(shí)施例的相類似。
[0078]詳細(xì)地，在執(zhí)行圖2至圖7中所示的工藝之后，第二鈍化層90和第三光提取結(jié)構(gòu)層100被形成在圖7中所示的第一光提取結(jié)構(gòu)層504上。然后，第二鈍化層90和第三光提取結(jié)構(gòu)層100被選擇性地移除以暴露第一光提取結(jié)構(gòu)層504。
[0079]另外，在形成第一光提取結(jié)構(gòu)層504和第二電極層60之后,第一電極層70被形成在第一連接層403上。
[0080]最后，第二光提取結(jié)構(gòu)層110和反射層120被形成在生長(zhǎng)襯底10上。
[0081]盡管參考大量的示例性實(shí)施例已經(jīng)描述實(shí)施例，但是應(yīng)理解的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠設(shè)計(jì)將落入本公開(kāi)的原理的范圍和精神內(nèi)的其它的修改和實(shí)施例。
[0082]工業(yè)實(shí)用性
[0083]實(shí)施例可應(yīng)用于 被用作光源的發(fā)光器件。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件，包括: 發(fā)光半導(dǎo)體層，所述發(fā)光半導(dǎo)體層包括，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；有源層，所述有源層在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上；以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層在所述有源層上； 第一電流擴(kuò)展層，所述第一電流擴(kuò)展層在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上； 第二電流擴(kuò)展層，所述第二電流擴(kuò)展層在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上； 第一鈍化層，所述第一鈍化層包圍所述發(fā)光半導(dǎo)體層、以及所述第一和第二電流擴(kuò)展層； 多個(gè)導(dǎo)通孔，所述多個(gè)導(dǎo)通孔在所述第一鈍化層中； 第一連接層，所述第一連接層在所述第一電流擴(kuò)展層上； 多個(gè)第二連接層，所述多個(gè)第二連接層在所述第二電流擴(kuò)展層上； 第一光提取結(jié)構(gòu)層，所述第一光提取結(jié)構(gòu)層在所述第一鈍化層和所述第二連接層上； 第一電極層，所述第一電極層在所述第一連接層上； 第二電極層，所述第二電極層在所述第一光提取結(jié)構(gòu)層上，以及 其中，所述第一連 接層和所述第二連接層形成在所述導(dǎo)通孔中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電流擴(kuò)展層允許所述第一電極層被結(jié)合到所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電流擴(kuò)展層允許所述第二電極層被結(jié)合到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一光提取結(jié)構(gòu)層在其頂表面上形成有凹凸結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第二連接層通過(guò)所述第一鈍化層而被電氣地連接到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一連接層通過(guò)在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的第一鈍化層而被電氣地連接到所述第一電極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述發(fā)光半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層之下的生長(zhǎng)襯底。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述生長(zhǎng)襯底之下的具有凹凸結(jié)構(gòu)的第二光提取結(jié)構(gòu)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述生長(zhǎng)襯底之下的反射層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第一光提取結(jié)構(gòu)層上的第二鈍化層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第二鈍化層上的第三光提取結(jié)構(gòu)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，通過(guò)使用從由ITO(氧化銦錫)、被摻雜的ZnO (被摻雜的氧化鋅)、TiN (氮化鈦)、ΙΖ0 (氧化銦鋅)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、NiO (氧化鎳)、Ru02 (氧化釕)、IrO2 (氧化銥)、被摻雜的In2O3 (被摻雜的氧化銦)、Au、Ag、被摻雜的SnO2(被摻雜的氧化錫)、GITO (鎵銦錫氧化物)、PdO (氧化鈀)、PtO (氧化鉬)、Ag2O (氧化銀)、以及被摻雜的TiO2 (被摻雜的氧化鈦)組成的組中選擇的至少一個(gè)，將所述第二電流擴(kuò)展層制備為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，通過(guò)使用從由ITO(氧化銦錫)、被摻雜的ZnO (被摻雜的氧化鋅)、TiN (氮化鈦)、ΙΖ0 (氧化銦鋅)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、NiO (氧化鎳)、Ru02 (氧化釕)、IrO2 (氧化銥)、被摻雜的In2O3 (被摻雜的氧化銦)、Au、Ag、被摻雜的SnO2(被摻雜的氧化錫)、GITO (鎵銦錫氧化物)、PdO (氧化鈀)、PtO (氧化鉬)、Ag2O (氧化銀)、以及被摻雜的TiO2 (被摻雜的氧化鈦)組成的組中選擇的至少一個(gè)，將所述第二連接層制備為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一光提取結(jié)構(gòu)層包括如下的I1-VI族化合物、II1-V族化合物、TiO2、以及Al2O3的中的一個(gè)，其中所述I1-VI族化合物包括ZnO或者M(jìn)gZnO，所述II1-V族 化合物包括GaN或者A1N。
【文檔編號(hào)】H01L33/44GK104022205SQ201410136675
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2009年4月6日 優(yōu)先權(quán)日:2008年4月5日
【發(fā)明者】宋俊午 申請(qǐng)人:宋俊午