有機(jī)發(fā)光顯示面板及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板及其制作方法，在以噴墨印刷工藝制作有機(jī)發(fā)光元件的顯示面板中，本發(fā)明通過(guò)設(shè)計(jì)間隙物與具疏墨性材料的平坦層的特定相對(duì)位置，以使間隙物能在間隙物區(qū)內(nèi)穩(wěn)固定位于陣列基板上而不會(huì)從平坦層上掉落。本發(fā)明可以有效避免因?yàn)閷㈤g隙物制作在平坦層上而導(dǎo)致間隙物無(wú)法有效固定并容易發(fā)生掉落的問(wèn)題，因此可以提高產(chǎn)品良率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光顯示面板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示面板及其制作方法，尤其涉及一種以噴墨印刷工藝制作的有機(jī)發(fā)光顯示面板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]由于有機(jī)發(fā)光顯示面板具有有源發(fā)光、高對(duì)比、薄厚度與廣視角等優(yōu)點(diǎn)，可望成為新一代平面顯示面板的主流產(chǎn)品。在有機(jī)發(fā)光顯示面板的工藝中，可以利用蒸鍍或噴墨印刷(inkjet printing,以下簡(jiǎn)稱(chēng)IJP)工藝將有機(jī)發(fā)光元件的材料制作于陣列(array)基板上，其中，在IJP工藝中，為了使有機(jī)材料有良好的成形，需要使用與蒸鍍工藝不同的絕緣材料來(lái)定義發(fā)光區(qū)，然而，在IJP工藝中使用的絕緣材料會(huì)導(dǎo)致后續(xù)制作在其上方的間隙物(spacer)發(fā)生粘合不良或無(wú)法有效固著的情形。公知技術(shù)中，為了改善間隙物粘合不良的問(wèn)題，會(huì)選擇將間隙物制作在上蓋基板表面，但此工藝必須額外在基板表面制作對(duì)位標(biāo)記再進(jìn)行合板組裝，使工藝成本增加。因此，業(yè)界仍須持續(xù)研究如何以節(jié)省制作成本的方式來(lái)制作有機(jī)發(fā)光顯示面板。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的目的之一在于提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板及其制作方法，其通過(guò)設(shè)計(jì)具疏墨性材料的平坦層與間隙物的特定相對(duì)位置，以使間隙物能有效固著于陣列基板表面，提聞良率。
[0004]為達(dá)上述目的，本發(fā)明的一實(shí)施例揭示一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，其包括基板、平坦層、圖案化的第一導(dǎo)電層、至少一間隙物以及有機(jī)發(fā)光材料層。其中，基板具有至少一間隙物區(qū)與一發(fā)光(emission)區(qū)，平坦層覆蓋間隙物區(qū)但至少曝露出發(fā)光區(qū)，且平坦層包括疏墨性材料。圖案化的第一導(dǎo)電層設(shè)于基板表面，其中圖案化的第一導(dǎo)電層包括至少位于發(fā)光區(qū)內(nèi)的下電極以及設(shè)置于間隙物區(qū)的平坦層表面的固位元件，且固位元件與下電極電性絕緣。此外，間隙物設(shè)于固位兀件表面，而有機(jī)發(fā)光材料層設(shè)置于發(fā)光區(qū)內(nèi)的下電極表面。
[0005]為達(dá)上述目的，本發(fā)明的一實(shí)施例揭示一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，該方法包括先提供一基板，且基板具有至少一間隙物區(qū)、一開(kāi)關(guān)元件區(qū)與一發(fā)光區(qū)，接著于開(kāi)關(guān)元件區(qū)形成開(kāi)關(guān)元件，在基板上形成平坦層，平坦層覆蓋間隙物區(qū)與開(kāi)關(guān)元件，但至少曝露發(fā)光區(qū)，且平坦層曝露部分開(kāi)關(guān)元件并包括疏墨性材料。然后，于基板上形成圖案化的第一導(dǎo)電層。圖案化的第一導(dǎo)電層包括下電極與固位元件，其中下電極至少位于發(fā)光區(qū)內(nèi)并電連接于開(kāi)關(guān)元件，而固位元件設(shè)于間隙物區(qū)的平坦層表面，且固位元件與下電極電性絕緣。接著，于固位元件表面形成至少一間隙物。之后，利用噴墨印刷工藝形成有機(jī)發(fā)光材料層，有機(jī)發(fā)光材料層設(shè)于發(fā)光區(qū)內(nèi)并位于下電極表面。
[0006]為達(dá)上述目的，本發(fā)明的另一實(shí)施例揭示一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，其包括基板、下電極、至少一間隙物、平坦層以及有機(jī)發(fā)光材料層。其中，基板具有至少一間隙物區(qū)與一發(fā)光區(qū)，下電極設(shè)于基板表面并至少位于發(fā)光區(qū)內(nèi)，而間隙物設(shè)于間隙物區(qū)。平坦層設(shè)于基板表面并覆蓋間隙物，且平坦層至少曝露出發(fā)光區(qū)，而有機(jī)發(fā)光材料層至少設(shè)置于發(fā)光區(qū)內(nèi)的下電極表面，并且覆蓋部分平坦層。
[0007]為達(dá)上述目的，本發(fā)明的另一實(shí)施例揭示一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，該方法包括先提供一基板，其具有至少一間隙物區(qū)、一開(kāi)關(guān)元件區(qū)與一發(fā)光區(qū)，然后于開(kāi)關(guān)元件區(qū)形成開(kāi)關(guān)元件，再于基板上形成下電極，下電極至少位于發(fā)光區(qū)內(nèi)并電連接于開(kāi)關(guān)元件。接著，于間隙物區(qū)形成至少一間隙物，于基板上形成平坦層，使平坦層覆蓋間隙物與開(kāi)關(guān)元件，但至少曝露出發(fā)光區(qū)，其中平坦層包括疏墨性材料。然后利用噴墨印刷工藝形成有機(jī)發(fā)光材料層，其至少設(shè)于發(fā)光區(qū)內(nèi)并位于下電極表面與部分平坦層表面。
[0008]由上述可知，本發(fā)明在具疏墨性材料的平坦層上方先制作圖案化的第一導(dǎo)電層，再于圖案化的第一導(dǎo)電層上制作間隙物，或是先制作間隙物之后再于間隙物上側(cè)制作具疏墨性材料的平坦層，可以有效避免公知技術(shù)中因?yàn)閷㈤g隙物制作在平坦層上而導(dǎo)致間隙物無(wú)法有效固定并容易發(fā)生掉落的問(wèn)題，因此可以提高產(chǎn)品良率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板的第一實(shí)施例的俯視示意圖。
[0010]圖2為沿著圖1所示A-A’切線(xiàn)與B-B’切線(xiàn)的剖面示意圖。
[0011]圖3至圖6為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的第一實(shí)施例的工藝示意圖。
[0012]圖7至圖8為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的第二實(shí)施例的工藝示意圖，且圖8顯示本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板的第二實(shí)施例的部分剖面意圖。
[0013]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
[0014]10、10’有機(jī)發(fā)光顯不面板
[0015]12 基板
[0016]14間隙物區(qū)
[0017]16發(fā)光區(qū)
[0018]18開(kāi)關(guān)元件區(qū)
[0019]20薄膜晶體管
[0020]22 柵極
[0021]24 漏極
[0022]26 源極
[0023]28半導(dǎo)體通道層
[0024]30平坦層
[0025]30a 開(kāi) 口
[0026]32柵極絕緣層
[0027]34圖案化的第一導(dǎo)電層
[0028]34’第一導(dǎo)電層
[0029]36下電極
[0030]38固位元件
[0031]40、40’ 接觸洞
[0032]42間隙物[0033]44間隙物材料層
[0034]46有機(jī)發(fā)光材料層
[0035]48上電極
[0036]50保護(hù)層
[0037]52第二導(dǎo)電層
[0038]54柵極線(xiàn)
[0039]56第三導(dǎo)電層
[0040]58源極線(xiàn)
[0041]60絕緣層
[0042]62接觸洞
【具體實(shí)施方式】
[0043]請(qǐng)參考圖1與圖2，圖1為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板的第一實(shí)施例的俯視示意圖，而圖2沿著圖1所示A-A’切線(xiàn)與B-B’切線(xiàn)的剖面示意圖。本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板特別適合于利用IJP工藝制作有機(jī)發(fā)光元件材料的應(yīng)用中。在第一實(shí)施例中，本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板10包括一基板12，其表面具有至少一間隙物區(qū)14與至少一發(fā)光區(qū)16，由于一般有機(jī)發(fā)光顯示面板10是由多個(gè)排列成陣列的像素所組成，各像素皆包括至少一開(kāi)關(guān)元件與一有機(jī)發(fā)光元件設(shè)置于基板12上，因此基板12可稱(chēng)為陣列基板，且基板12另具有至少一開(kāi)關(guān)元件區(qū)18設(shè)于發(fā)光區(qū)16的一側(cè)。在本實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)元件舉例為薄膜晶體管(thinfilm transistor, TFT) 20，其包括柵極22、漏極24、源極26及半導(dǎo)體通道層28，其中漏極24、源極26分別與半導(dǎo)體通道層28相接觸，而半導(dǎo)體通道層28與柵極22之間設(shè)有一柵極絕緣層32。半導(dǎo)體通道層28可以由非晶硅材料、多晶硅材料或金屬氧化物半導(dǎo)體材料所構(gòu)成，但不以此為限。本實(shí)施例以薄膜晶體管20為氧化物TFT為例，因此半導(dǎo)體通道層28的材料舉例包含氧化銦嫁鋒(indium gallium zinc oxide, InGaZnO,以下簡(jiǎn)稱(chēng)IGZO)。
[0044]此外,有機(jī)發(fā)光顯不面板10另包括平坦層30、圖案化的第一導(dǎo)電層34、至少一間隙物42及至少一有機(jī)發(fā)光材料層46。平坦層30覆蓋了間隙物區(qū)14且具有至少一開(kāi)口30a，平坦層30的開(kāi)口 30a至少曝露出發(fā)光區(qū)16。根據(jù)本實(shí)例，有機(jī)發(fā)光顯示面板10可以利用平坦層30定義出發(fā)光區(qū)16的位置，亦即后續(xù)有機(jī)材料或發(fā)光元件形成的位置。由于本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板10以IJP工藝在發(fā)光區(qū)16形成至少一種有機(jī)材料，因此平坦層30較佳包括疏墨性材料，以使后續(xù)形成在發(fā)光區(qū)16的有機(jī)材料可以因具有疏墨特性的平坦層30而呈現(xiàn)圓弧表面，其中平坦層30的材料舉例可含氟光致抗蝕劑材料或其他疏墨性材料。此外，設(shè)于基板12表面的圖案化的第一導(dǎo)電層34包括至少一下電極36與至少一固位元件38，其中下電極36至少位于發(fā)光區(qū)16內(nèi)，且下電極36的一部分可延伸至開(kāi)關(guān)元件區(qū)18而電連接于漏極24。另一方面，固位元件38設(shè)于間隙物區(qū)14的平坦層30上，覆蓋部分平坦層30，且固位元件38不連接于下電極36，并且電性絕緣于下電極36。間隙物42設(shè)置于間隙物區(qū)14，并且設(shè)于固位元件38表面，其中間隙物42由一間隙物材料層44所構(gòu)成，舉例可包括光致抗蝕劑間隙物材料。有機(jī)發(fā)光材料層46設(shè)置于發(fā)光區(qū)16內(nèi)，并位于下電極36的表面。此外，有機(jī)發(fā)光材料層46可包括不只一層有機(jī)材料層,例如可包括空穴注入層(hole injection layer, HIL)、空穴傳輸層(hole transport layer, HTL)、發(fā)光層(emissive layer, EML)、電子傳輸層(electron transport layer, ETL)及電子注入層(electron injection layer, EIL),根據(jù)本實(shí)施例,上述有機(jī)材料層的至少其中一種是由IJP工藝所制作，例如HIL層、HTL層及EML層，但不以此為限。需注意的是，間隙物材料層44可選擇性地另包括形成于發(fā)光區(qū)16的部分周?chē)蛉恐車(chē)采w部分下電極36，在此情況下，后續(xù)形成的有機(jī)發(fā)光材料層46會(huì)直接與間隙物材料層44相接觸，因此間隙物材料層44較佳包括(但不限于)含氟光致抗蝕劑材料或其他疏墨性材料，以使以IJP工藝制作的部分或全部有機(jī)發(fā)光材料層46有較良好的成形。需注意的是，由于下電極36不會(huì)完全包圍發(fā)光區(qū)16的周?chē)?，因此間隙物材料層44僅需設(shè)于發(fā)光區(qū)16外圍具有下電極36的部分，即可使有機(jī)發(fā)光材料層46有良好的成形，而在發(fā)光區(qū)16外圍沒(méi)有設(shè)置下電極36的部分，有機(jī)發(fā)光材料層46會(huì)與具疏墨性材料的平坦層30直接相接觸，但不以此為限。然而，在不同實(shí)施例中，間隙物材料層44也可以不設(shè)置在發(fā)光區(qū)16的周?chē)虼擞袡C(jī)發(fā)光材料層46會(huì)直接與發(fā)光區(qū)16周?chē)牟糠窒码姌O36與平坦層30相接觸。再者，有機(jī)發(fā)光顯示面板10可另包括一上電極48,設(shè)置于有機(jī)發(fā)光材料層46上。在本實(shí)施例中，上電極48、有機(jī)發(fā)光材料層46及下電極36可視為一有機(jī)發(fā)光元件，下電極36可當(dāng)作有機(jī)發(fā)光元件的陽(yáng)極，而上電極48當(dāng)作陰極；或是下電極36可當(dāng)作有機(jī)發(fā)光元件的陰極，而上電極48當(dāng)作陽(yáng)極。此外，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示面板10為頂部發(fā)光顯示面板時(shí)，下電極36或圖案化的第一導(dǎo)電層34可以包括透明度較低的導(dǎo)電材料，例如包括招釹(aluminum neodymium, AlNd)材料,而上電極48包含透光性較良好的材料,例如氧化銦錫(indium tin oxide, ITO),但不以此為限。另一方面，若有機(jī)發(fā)光顯示面板10為底部發(fā)光顯示面板，則下電極36可包括如ITO等透明導(dǎo)電材料，上電極48可包括透光性較低的導(dǎo)電材料，但不以此為限。
[0045]本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板10可另包括保護(hù)層50設(shè)于基板12表面，其中保護(hù)層50位于平坦層30下側(cè)，并覆蓋發(fā)光區(qū)16、間隙物區(qū)14以及部分薄膜晶體管20，且保護(hù)層50與平坦層30具有接觸洞40曝露出部分漏極24，使下電極36可通過(guò)接觸洞40而電連接于漏極24。保護(hù)層50的材料舉例可為氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)及氧化鋁(ΑΙΟχ)，但不以此為限。由于本實(shí)施例的薄膜晶體管20為氧化物TFT，因此保護(hù)層50舉例為氧化鋁。再者，本實(shí)施例的柵極22可由一第二導(dǎo)電層52所構(gòu)成，并且第二導(dǎo)電層52可另包括至少一柵極線(xiàn)54，柵極線(xiàn)54舉例可與間隙物42部分重疊，但不以此為限。此外，漏極24與源極26由同一第三導(dǎo)電層56所構(gòu)成,第三導(dǎo)電層56可另包括至少一源極線(xiàn)58,與柵極線(xiàn)54相交但電性絕緣。第二導(dǎo)電層52與第三導(dǎo)電層56可另外分別包括至少一部分設(shè)于間隙物區(qū)14，位于間隙物42與基板12之間并被保護(hù)層50所覆蓋，如圖2中以符號(hào)52與56所標(biāo)示者。需注意的是，在本發(fā)明的變化實(shí)施例中，間隙物區(qū)14的間隙物42下方可以設(shè)有柵極線(xiàn)、源極線(xiàn)、虛設(shè)金屬層的其中一種或多種，上述元件的設(shè)置有助于平坦化基板12表面的膜層，然而，在不同實(shí)施例中，間隙物42下方也可以不設(shè)置任何導(dǎo)電材料層。
[0046]請(qǐng)參考圖3至圖6，圖3至圖6為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的第一實(shí)施例的工藝示意圖。請(qǐng)參考圖3，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，首先提供基板12，且基板12具有至少一間隙物區(qū)14、至少一開(kāi)關(guān)元件區(qū)18與至少一發(fā)光區(qū)16，接著于基板12表面形成圖案化的第二導(dǎo)電層52，其中第二導(dǎo)電層52包括柵極22設(shè)置于開(kāi)關(guān)元件區(qū)18，并且，根據(jù)第一實(shí)施例，第二導(dǎo)電層52另包括一部分設(shè)置于間隙物區(qū)14。第二金屬層52的材料舉例如鋁、銅、鑰、氮化鑰、鈦及ΙΤ0，但不以此為限。然后請(qǐng)參考圖4，在基板12表面形成柵極絕緣層32，覆蓋第二導(dǎo)電層52，再于柵極絕緣層32上制作半導(dǎo)體材料層，經(jīng)圖案化后在開(kāi)關(guān)元件區(qū)18形成半導(dǎo)體通道層28。其中，柵極絕緣層32的材料舉例為SiOx、SiNx或AlOx，但不以此為限，半導(dǎo)體通道層28的材料可以為任何已知的半導(dǎo)體材料，如前所述，本實(shí)施例中半導(dǎo)體通道層28的材料以金屬氧化物為例，例如IGZ0，但不以此為限。
[0047]接著，請(qǐng)參考圖5，在基板12表面形成絕緣層60，經(jīng)圖案化工藝后在絕緣層60中形成二接觸洞62，然后在基板12表面形成圖案化的第三導(dǎo)電層56，其中第三導(dǎo)電層56的材料可包括金屬材料，但不以此為限。圖案化的第三導(dǎo)電層56包括設(shè)于開(kāi)關(guān)元件區(qū)18的源極26與漏極24，分別通過(guò)一接觸洞62而電連接于半導(dǎo)體通道層28。此外，根據(jù)本實(shí)施例，圖案化的第三導(dǎo)電層56可選擇性地另包括一部分設(shè)置于間隙物區(qū)14。在形成源極26與漏極24后，本發(fā)明方法大體上完成開(kāi)關(guān)元件20的制作。圖案化的第三導(dǎo)電層56的制作方式可選擇性地先在絕緣層60上形成整面的導(dǎo)電層，再經(jīng)由光刻暨蝕刻工藝來(lái)圖案化該導(dǎo)電層以形成源極26與漏極24，其中絕緣層60可用來(lái)當(dāng)作蝕刻工藝的蝕刻停止層。此外，絕緣層60的材料舉例為Si0x、SiNx或AlOx，而第三金屬層56的材料舉例如鋁、銅、鑰、氮化鑰、鈦及ΙΤ0，但不以此為限。接著，可選擇性地在基板12表面形成保護(hù)層50，其覆蓋發(fā)光區(qū)16、間隙物區(qū)14以及部分薄膜晶體管20，其中保護(hù)層50的材料如前所述，舉例為SiOx、SiNx或AlOx，但不以此為限。
[0048]然后請(qǐng)參考圖6，在基板12上形成平坦層30，其覆蓋于保護(hù)層50，經(jīng)圖案化工藝后，平坦層30會(huì)覆蓋間隙物區(qū)14與開(kāi)關(guān)元件區(qū)18，但至少曝露出發(fā)光區(qū)16，且平坦層30與保護(hù)層50具有接觸洞40，曝露出薄膜晶體管20的部分漏極24。其中，平坦層30包括疏墨性材料，例如為含氟光致抗蝕劑或其他疏墨性材料。接著，于基板12表面形成第一導(dǎo)電層34’，第一導(dǎo)電層34’的一部分會(huì)填于接觸洞40中而與漏極24相接觸。
[0049]接著，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D2，對(duì)第一導(dǎo)電層34’進(jìn)行圖案化工藝而形成圖案化的第一導(dǎo)電層34，其包括下電極36與固位元件38，兩者互相絕緣。然后，在基板12表面形成圖案化的間隙物材料層44，其包括至少一間隙物42設(shè)置于固位元件38表面，且間隙物材料層44可另包括一部分設(shè)置于發(fā)光區(qū)16的部分周?chē)?，覆蓋在部分下電極36的表面，其中，間隙物材料層44較佳包括含氟光致抗蝕劑材料或其他疏墨性材料。最后，利用IJP工藝在發(fā)光區(qū)16的下電極36表面形成至少一有機(jī)材料層,例如形成有機(jī)發(fā)光材料層46或有機(jī)發(fā)光材料層46的至少一部分,再選擇性地于有機(jī)發(fā)光材料層46上形成上電極48,完成有機(jī)發(fā)光兀件的制作。之后，可選擇性地進(jìn)一步在基板12表面另外設(shè)置蓋板(圖未示)，便完成本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板10。
[0050]根據(jù)本實(shí)施例，由于在制作間隙物42之前先在間隙物區(qū)14形成固位元件38，因此后續(xù)形成的間隙物42制作于固位元件38表面，而不是直接制作在平坦層30表面，亦即使固位元件38設(shè)置在具疏墨性材料的平坦層30與間隙物42之間，此設(shè)計(jì)使間隙物42能在固位元件38表面有較佳的附著與固定，可以有效避免公知技術(shù)中當(dāng)間隙物42直接制作在平坦層30上而導(dǎo)致容易掉落的問(wèn)題，也不需改變間隙物42的工藝而將其另外制作在蓋板表面，因此可以有效降低工藝成本。
[0051]本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示面板及其制作方法并不以上述實(shí)施例為限。下文將繼續(xù)揭示本發(fā)明的其它實(shí)施例或變化形，然為了簡(jiǎn)化說(shuō)明并突顯各實(shí)施例或變化之間的差異，下文中使用相同標(biāo)號(hào)標(biāo)注相同元件，并不再對(duì)重復(fù)部分作贅述。[0052]請(qǐng)參考圖7與圖8，圖7至圖8為本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法的第二實(shí)施例的工藝示意圖，且圖8顯示本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示面板的第二實(shí)施例的部分剖面意圖，其中在第二實(shí)施例中，圖7是接續(xù)圖5的工藝。本發(fā)明第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同處在于先制作間隙物42再制作平坦層30。如圖8所示，在制作完薄膜晶體管20與保護(hù)層50后，于基板12上形成圖案化的第一導(dǎo)電層34，其中圖案化的第一導(dǎo)電層34包括下電極36，其至少位于發(fā)光區(qū)內(nèi)16并通過(guò)保護(hù)層50的接觸洞40’而電連接于薄膜晶體管20的漏極
24。然后在基板12上形成間隙物材料層44，其包括至少一間隙物42設(shè)置于間隙物區(qū)14。
[0053]然后如圖8所示，在基板12上形成平坦層30，覆蓋間隙物42、部分保護(hù)層50、薄膜晶體管20與部分下電極36，且平坦層30的開(kāi)口 30a曝露并定義出發(fā)光區(qū)16。之后，再依序于發(fā)光區(qū)16制作有機(jī)發(fā)光材料層46與上電極48,便完成本發(fā)明第二實(shí)施例的觸控面板10’的制作。其中，有機(jī)發(fā)光材料層46以IJP工藝所形成，與部分平坦層30相接觸，而平坦層30包括疏墨性材料，使機(jī)發(fā)光材料層46能具有較佳的表面形狀。
[0054]根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，先于基板12上制作間隙物42，再在間隙物42上制作平坦層30，因此制作在保護(hù)層50表面的間隙物42可以有良好的固著性，且由于平坦層30設(shè)置于間隙物42表面，平坦層30可進(jìn)一步保護(hù)間隙物42使其不會(huì)從基板12表面掉落。在本實(shí)施例中，由于間隙物材料層44不會(huì)直接與有機(jī)發(fā)光材料層46相接觸，因此間隙物材料層44可以包括各種適合的間隙物材料，例如有機(jī)光致抗蝕劑材料，但不以此為限，間隙物材料層44也可以為含氟光致抗蝕劑。此外，本實(shí)施例中各膜層的材料可參考第一實(shí)施例，因此不再贅述。
[0055]綜上所述，本發(fā)明揭示的有機(jī)發(fā)光顯示面板及其制作方法避免在具疏墨性材料的平坦層上直接制作間隙物，可以有效避免公知技術(shù)中間隙物無(wú)法有效固著于陣列基板上的問(wèn)題，因此無(wú)須另外將間隙物制作于上蓋板，進(jìn)一步省略了對(duì)位工藝并可有效節(jié)省工藝成本。本發(fā)明的精神包括在制作下電極時(shí)，一并于平坦層上方制作固位元件，或是先制作間隙物再制作平坦層。根據(jù)本發(fā)明的精神，上述揭示內(nèi)容可以應(yīng)用于具有共平面(coplanar)型、蝕刻阻障層(etching stop layer,ES)型及背通道蝕刻(back channel etch,BCE)型氧化物TFT結(jié)構(gòu)的顯示面板中，但不以此為限。由上述可知，本發(fā)明所揭示內(nèi)容能兼顧間隙物的制作良率以及利用具疏墨性材料的平坦層達(dá)到使IJP工藝中的有機(jī)發(fā)光材料可以有良好外形的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)改善產(chǎn)品良率與有機(jī)發(fā)光顯示面板的顯視效果。
[0056]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯不面板，包括: 一基板，其具有至少一間隙物區(qū)與一發(fā)光區(qū)； 一平坦層，覆蓋該間隙物區(qū)但至少曝露該發(fā)光區(qū)，該平坦層包括疏墨性材料； 一圖案化的第一導(dǎo)電層，設(shè)于該基板表面，且該圖案化的第一導(dǎo)電層包括: 一下電極，至少位于該發(fā)光區(qū)內(nèi)；以及 一固位元件，設(shè)于該間隙物區(qū)的該平坦層表面，其中該固位元件與該下電極電性絕緣； 至少一間隙物，設(shè)于該固位元件表面；以及 一有機(jī)發(fā)光材料層，設(shè)于該發(fā)光區(qū)內(nèi)的該下電極表面。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該基板另具有一開(kāi)關(guān)元件區(qū)，該有機(jī)發(fā)光顯示面板另包括至少一薄膜晶體管設(shè)于該開(kāi)關(guān)元件區(qū)，該薄膜晶體管包括一柵極、一漏極、一源極及一半導(dǎo)體通道層，該漏極電連接于該下電極。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其另包括一保護(hù)層設(shè)于該基板表面并位于該平坦層下側(cè)，該保護(hù)層覆蓋該發(fā)光區(qū)、該間隙物區(qū)以及部分該薄膜晶體管，且該保護(hù)層與該平坦層具有一接觸洞曝露出部分該漏極，該下電極通過(guò)該接觸洞而電連接于該漏極。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該半導(dǎo)體通道層包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料。
5.如權(quán)利要求2所述的有`機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該柵極由一第二導(dǎo)電層所構(gòu)成，而該漏極與該源極由同一第三導(dǎo)電層所構(gòu)成，且該第二導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層分別包括至少一部分設(shè)于該間隙物區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該平坦層包括含氟光致抗蝕劑材料。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該間隙物由光致抗蝕劑間隙物材料所形成。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該光致抗蝕劑間隙物材料另包括形成于該發(fā)光區(qū)的周?chē)采w部分該下電極，且該光致抗蝕劑間隙物材料包括含氟光致抗蝕劑材料或其他疏墨性材料。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該有機(jī)發(fā)光材料層的至少一部分材料層由噴墨印刷工藝所形成。
10.一種有機(jī)發(fā)光顯不面板的制作方法，其包括: 提供一基板，該基板具有至少一間隙物區(qū)、一開(kāi)關(guān)元件區(qū)與一發(fā)光區(qū)； 于該開(kāi)關(guān)元件區(qū)形成一開(kāi)關(guān)元件； 于該基板上形成一平坦層，覆蓋該間隙物區(qū)與該開(kāi)關(guān)元件但至少曝露該發(fā)光區(qū)，且該平坦層曝露部分該開(kāi)關(guān)元件，其中該平坦層包括疏墨性材料； 于該基板上形成一圖案化的第一導(dǎo)電層，其包括: 一下電極，至少位于該發(fā)光區(qū)內(nèi)，該下電極電連接于該開(kāi)關(guān)元件；以及 一固位元件，設(shè)于該間隙物區(qū)的該平坦層表面，其中該固位元件與該下電極電性絕緣； 于該固位元件表面形成至少一間隙物；以及 利用一噴墨印刷工藝形成一有機(jī)發(fā)光材料層，設(shè)于該發(fā)光區(qū)內(nèi)并位于該下電極表面。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，其中該開(kāi)關(guān)元件為一薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括一柵極、一漏極、一源極及一半導(dǎo)體通道層。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，其另包括在形成該平坦層之前，先于該基板表面形成一保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋該發(fā)光區(qū)、該間隙物區(qū)以及部分該薄膜晶體管，且該保護(hù)層與該平坦層具有一接觸洞曝露出部分該漏極，該下電極通過(guò)該接觸洞而電連接于該漏極。
13.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，其中該半導(dǎo)體通道層包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料。
14.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，其中該平坦層包括含氟光致抗蝕劑材料。
15.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，其中該間隙物由光致抗蝕劑間隙物材料所形成。
16.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，其中該光致抗蝕劑間隙物材料另包括形成于該發(fā)光區(qū)的周?chē)采w部分該下電極，且該光致抗蝕劑間隙物材料包括含氟光致抗蝕劑材料或其他疏墨性材料。
17.—種有機(jī)發(fā)光顯不面板,包括: 一基板，其具有至少一間隙物區(qū)與一發(fā)光區(qū)； 一下電極，設(shè)于該基板表面并至少位于該發(fā)光區(qū)內(nèi)；以及 至少一間隙物，設(shè)于該間隙物區(qū)； 一平坦層，設(shè)于該基板表面并覆蓋該間隙物，且該平坦層至少曝露該發(fā)光區(qū)；以及 一有機(jī)發(fā)光材料層，至少設(shè)于該發(fā)光區(qū)內(nèi)的該下電極表面并覆蓋部分該平坦層。
18.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該基板另具有一開(kāi)關(guān)元件區(qū)，該有機(jī)發(fā)光顯示面板另包括至少一薄膜晶體管設(shè)于該開(kāi)關(guān)元件區(qū)，該薄膜晶體管包括一柵極、一漏極、一源極及一半導(dǎo)體通道層，且該漏極電連接于該下電極。
19.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其另包括一保護(hù)層設(shè)于該基板表面并位于該平坦層下側(cè)，該保護(hù)層覆蓋該發(fā)光區(qū)、該間隙物區(qū)以及部分該薄膜晶體管，且該保護(hù)層與該平坦層具有一接觸洞曝露出部分該漏極，該下電極通過(guò)該接觸洞而電連接于該漏極。
20.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該半導(dǎo)體通道層包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料。
21.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該柵極由一第二導(dǎo)電層所構(gòu)成，而該漏極與該源極由同一第三導(dǎo)電層所構(gòu)成，且該第二導(dǎo)電層與該第三導(dǎo)電層分別包括至少一部分設(shè)于該間隙物區(qū)。
22.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該平坦層包括含氟光致抗蝕劑材料或其他疏墨性材料。
23.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該間隙物由光致抗蝕劑間隙物材料所形成，且該光致抗蝕劑間隙物材料包括有機(jī)光致抗蝕劑材料或含氟光致抗蝕劑材料。
24.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其中該有機(jī)發(fā)光材料層的至少一部分材料層由噴墨印刷工藝所形成。
25.—種有機(jī)發(fā)光顯不面板的制作方法,其包括:提供一基板，該基板具有至少一間隙物區(qū)、一開(kāi)關(guān)元件區(qū)與一發(fā)光區(qū)； 于該開(kāi)關(guān)元件區(qū)形成一開(kāi)關(guān)元件； 于該基板上形成一下電極，至少位于該發(fā)光區(qū)內(nèi)，該下電極電連接于該開(kāi)關(guān)元件； 于該間隙物區(qū)形成至少一間隙物； 于該基板上形成一平坦層，覆蓋該間隙物與該開(kāi)關(guān)元件但至少曝露該發(fā)光區(qū)，其中該平坦層包括疏墨性材料；以及 利用一噴墨印刷工藝形成一有機(jī)發(fā)光材料層，該有機(jī)發(fā)光材料層至少設(shè)于該發(fā)光區(qū)內(nèi)并位于該下電極表面與部分該平坦層表面。
26.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，其中該開(kāi)關(guān)元件為一薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括一柵極、一漏極、一源極及一半導(dǎo)體通道層。
27.如權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，其另包括在形成該間隙物之前，先于該基板表面形成一保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋該發(fā)光區(qū)、該間隙物區(qū)以及部分該薄膜晶體管，且該保護(hù)層具有一接觸洞曝露出部分該漏極，該下電極通過(guò)該接觸洞而電連接于該漏極。
28.如權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，其中該半導(dǎo)體通道層包括金屬氧化物半導(dǎo)體材料。
29.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，其中該平坦層包括含氟光致抗蝕劑材料。
30.如權(quán)利要求25所`述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法，其中該間隙物由光致抗蝕劑間隙物材料所形成，且該光致抗蝕劑間隙物材料包括有機(jī)光致抗蝕劑材料或含氟光致抗蝕劑材料。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103872093SQ201410136669
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2014年4月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月26日
【發(fā)明者】方紹為, 曾偉豪, 呂嘉揚(yáng), 陳建道, 石宗祥, 丁宏哲 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司