光半導(dǎo)體裝置本申請是申請日為2009年9月8日、申請?zhí)枮?00910170535.2、發(fā)明名稱為“光半導(dǎo)體裝置及其制造方法”的專利申請的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及能夠用于顯示裝置、照明器具、顯示器、液晶顯示器的背光燈光源等發(fā)光裝置、或能夠用于攝影機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等受光裝置等的光半導(dǎo)體裝置及其制造方法，尤其涉及薄型/小型之類的光的取出效率或?qū)Ρ榷葍?yōu)良、能夠得到良好成品率的光半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：
近年來，伴隨電子設(shè)備的小型化/輕量化，搭載于電子設(shè)備的發(fā)光裝置(發(fā)光二極管等)或受光裝置(CCD或光電二極管等)等光半導(dǎo)體裝置也逐漸向小型化開發(fā)。這些光半導(dǎo)體裝置例如在絕緣基板的雙面分別形成了一對金屬導(dǎo)體圖案的雙面通孔印制電路板上使用。具有如在雙面通孔印制電路板載置發(fā)光元件或受光元件等光半導(dǎo)體元件，使用絲等電導(dǎo)通金屬導(dǎo)通圖案和光半導(dǎo)體元件的構(gòu)造。但是，對于這種光半導(dǎo)體裝置，使用雙面通孔印制電路板是必要條件。該雙面通孔印制電路板至少具有0.1mm左右以上的厚度，因此，成為妨礙表面安裝型光半導(dǎo)體裝置徹底薄型化的原因。所以，需要開發(fā)不使用這種印制電路板的構(gòu)造的光半導(dǎo)體裝置(例如專利文獻(xiàn)1)?！緦＠墨I(xiàn)1】日本特開2005-79329號公報。在專利文獻(xiàn)1公開的發(fā)光裝置在基板上通過蒸鍍等形成薄的金屬膜作為電極，并與發(fā)光元件一起利用透光性樹脂密封，從而，與現(xiàn)有的表面安裝型的發(fā)光裝置相比，能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。但是，由于僅使用透光性樹脂，所以光從發(fā)光元件向下表面方向漏出，光的取出效率容易降低。雖然公開了設(shè)置研缽狀的金屬膜來反射光之類的構(gòu)造，但是，為了設(shè)置這種金屬膜必須在基板上設(shè)置凹凸。從而，由于發(fā)光裝置小型化，所以該凹凸極其微細(xì)，不僅加工困難，也容易產(chǎn)生由于凹凸構(gòu)造使得基板的剝離時容易破損而使成品率降低等問題。另外，用于顯示器等情況下，若僅使用透光性樹脂，則對比度容易變差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
為了解決以上課題，本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包括：在支承基板上形成多個相互遠(yuǎn)離的第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件的第一工序；在第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件之間設(shè)置由遮光性樹脂構(gòu)成的基體的第二工序；在第一及/或第二導(dǎo)電構(gòu)件上載置光半導(dǎo)體元件的第三工序；用由透光性樹脂構(gòu)成的密封構(gòu)件覆蓋光半導(dǎo)體元件的第四工序；除去支承基板之后，將光半導(dǎo)體裝置分片化的第五工序。由此，能夠容易地形成光取出效率優(yōu)良的薄型的光半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：光半導(dǎo)體元件；第一導(dǎo)電構(gòu)件，其上表面載置光半導(dǎo)體元件，下表面形成光半導(dǎo)體裝置的外表面；第二導(dǎo)電構(gòu)件，其遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電構(gòu)件，下表面形成光半導(dǎo)體裝置的外表面；基體，其設(shè)置在第一導(dǎo)電構(gòu)件和第二導(dǎo)電構(gòu)件之間且由遮光性樹脂構(gòu)成；密封構(gòu)件，其密封光半導(dǎo)體元件且由透光性樹脂構(gòu)成，第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件為鍍敷件。由此，能夠成為薄型的光半導(dǎo)體裝置。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠成品率良好地形成薄型的光半導(dǎo)體裝置。另外，即使為薄型的光半導(dǎo)體裝置，也能夠防止來自發(fā)光元件的光從下表面?zhèn)嚷┏?，得到光的取出效率提高了的光半?dǎo)體裝置及對比度提高了的光半導(dǎo)體裝置。附圖說明圖1A是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的整體及內(nèi)部的立體圖。圖1B是圖1A的光半導(dǎo)體裝置的A-A’截面的剖視圖及局部放大圖。圖2A～2H是說明本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序圖。圖3A是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的整體及內(nèi)部的立體圖。圖3B是圖3A的光半導(dǎo)體裝置的B-B’截面的剖視圖。圖4A～4D是說明本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的制造方法的工序圖。圖5是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的整體及內(nèi)部的立體圖。圖6A是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的立體圖。圖6B是圖6A的光半導(dǎo)體裝置的C-C’截面的剖視圖。圖7A是本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的剖視圖。圖7B是圖7A的光半導(dǎo)體裝置的局部放大剖視圖。符號說明：100、200、300、400、500-光半導(dǎo)體裝置(發(fā)光裝置)101、101’、201、301、401、501-第一導(dǎo)電構(gòu)件102、202、302、402、502-第二導(dǎo)電構(gòu)件103、203、303、403、503-光半導(dǎo)體元件(發(fā)光元件)104、204、304、404、504-密封構(gòu)件105、105’、205、205’、305、405、505-導(dǎo)電絲106、206、306、406、506-基體206a-基體的底面部206b-基體的突出部210、310-保護(hù)元件1000、2000-光半導(dǎo)體裝置的集合體1010、2010-第一導(dǎo)電構(gòu)件1020、2010-第二導(dǎo)電構(gòu)件1030、2030-光半導(dǎo)體元件(發(fā)光元件)1040、2040-密封構(gòu)件1050、2050-導(dǎo)電性絲1060、2060-基體2060a-基體的底部2060b-基體的突出部1070、2070-支承基板1080-保護(hù)膜(抗蝕劑)1090-掩膜X、Y-突起部S1、S2-凹部具體實施方式以下，參照附圖說明用于實施本發(fā)明的最佳方式。但是，以下所示的方式僅是對本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置及其制造方法的例示，并不是將本發(fā)明限定于以下方式。另外，本說明書并沒有將權(quán)利要求書公開的構(gòu)件限定于實施方式的構(gòu)件。特別是，在實施方式記載的結(jié)構(gòu)部件的尺寸、材質(zhì)、形狀、其相對配置等只要沒有限定的記載，就不是將本發(fā)明的范圍限定于其的意思，僅僅是說明例。此外，各圖面所示的構(gòu)件的大小和位置關(guān)系等為了清楚地進(jìn)行說明而夸張示出。并且，在以下的說明中，對同一名稱、符號表示同一或相同性質(zhì)的構(gòu)件，適當(dāng)省略詳細(xì)說明。<實施方式1>在圖1A、圖1B示出了本實施方式的光半導(dǎo)體裝置(發(fā)光裝置)100。圖1A是發(fā)光裝置100的立體圖，圖1B是表示圖1A所示的發(fā)光裝置100的A-A’截面的剖視圖。在本實施方式中，如圖1A、圖1B所示，發(fā)光裝置100具有：發(fā)光元件103；與發(fā)光元件103電連接的第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’；與第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’遠(yuǎn)離，且載置有發(fā)光元件103的第二導(dǎo)電構(gòu)件102；覆蓋發(fā)光元件103，并且與第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’及第二導(dǎo)電構(gòu)件102相接的密封構(gòu)件104。并且，其特征在于，在第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’和第二導(dǎo)電構(gòu)件102之間具有由能夠遮擋來自發(fā)光元件103的光的樹脂構(gòu)成的基體106。(基體106)在本實施方式中，基體106為通過添加具有遮光性的各種填充材料等而能夠遮擋來自發(fā)光元件103的光的樹脂，其設(shè)置在第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’和第二導(dǎo)電構(gòu)件102之間。通過在上述位置設(shè)置遮光性的基體106，能夠抑制來自發(fā)光元件103的光從發(fā)光裝置100的下表面?zhèn)认蛲獠柯┏觯瑥亩軌蛱岣吖庀蛏媳砻娣较虻娜〕鲂?。基體106的厚度只要能夠抑制光向發(fā)光裝置100的下表面?zhèn)刃孤兜暮穸燃纯?。另外，基體106優(yōu)選設(shè)置為與第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’的側(cè)面和第二導(dǎo)電構(gòu)件102的側(cè)面兩方相接，即，密封構(gòu)件104不夾設(shè)在第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’與基體106、第二導(dǎo)電構(gòu)件102與基體106之間。第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’和第二導(dǎo)電構(gòu)件102的寬度與發(fā)光裝置100的寬度不同的情況下，例如，如圖1A所示，第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’的寬度比發(fā)光裝置100的寬度窄，該第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’的側(cè)面與發(fā)光裝置100的側(cè)面遠(yuǎn)離的情況下，也可以在該部分設(shè)置基體。通過如此設(shè)置，發(fā)光裝置100的下表面以第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’、基體106、第二導(dǎo)電構(gòu)件102作為外表面而形成，從而能夠有效抑制光向下表面方向的泄露。只要能夠遮擋來自發(fā)光元件的光，基體106可以使用任意構(gòu)件。但是，優(yōu)選與后述的支承基板的線膨脹系數(shù)的差小的構(gòu)件。進(jìn)而，優(yōu)選使用絕緣性構(gòu)件。作為優(yōu)選的材料，可以使用熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂等樹脂。特別是，導(dǎo)電構(gòu)件的膜厚為25μm～200μm左右的極薄的厚度的情況下，優(yōu)選熱硬化性樹脂，由此，能夠得到極其薄型的基體。進(jìn)而，具體而言，可以舉出如：(a)環(huán)氧樹脂組成物、(b)硅酮樹脂組成物、(c)硅酮改性環(huán)氧樹脂等改性環(huán)氧樹脂組成物、(d)環(huán)氧改性硅酮樹脂等改性硅酮樹脂組成物、(d)聚酰亞胺樹脂組成物、(f)改性聚酰亞胺樹脂組成物等。尤其優(yōu)選熱硬化性樹脂，優(yōu)選在日本特開2006-156704號公報記載的樹脂。例如，優(yōu)選熱硬化性樹脂中的環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、改性硅酮樹脂、丙烯酸酯樹脂、聚氨酯樹脂等。具體而言，優(yōu)選使用固態(tài)形狀環(huán)氧樹脂組成物，該固態(tài)形狀環(huán)氧樹脂組成物包含將(i)含有三縮水甘油異氰酸酯、氫化雙酚A二縮水甘油基醚的環(huán)氧樹脂和(ii)含有六氫對苯二甲酸酐、3-甲基六氫對苯二甲酸酐、4-甲基六氫對苯二甲酸酐的酸酐物以成為當(dāng)量的方式溶解混合的無色透明的混合物。并且優(yōu)選，相對于這些混合物100重量份，添加作為硬化催化劑的DBU(1，8-Diazabicyclo(5，4，0)undecene-7)0.5重量份、作為助催化劑的乙二醇1重量份、氧化鈦顏料10重量份、玻璃纖維50重量份，并通過加熱使其局部硬化反應(yīng)，B步驟化的固態(tài)形狀環(huán)氧樹脂組成物。另外，優(yōu)選國際公開號WO2007/015426號公報記載的、以含有三嗪衍生物環(huán)氧樹脂的環(huán)氧樹脂作為必要成分的熱硬化性環(huán)氧樹脂組成物。例如，優(yōu)選含有1，3，5-三嗪核衍生物環(huán)氧樹脂。特別是，具有異氰酸酯環(huán)的環(huán)氧樹脂在耐光性和電絕緣性方面優(yōu)異。相對于一個異氰酸酯環(huán)，優(yōu)選具有2價的，更優(yōu)選具有3價的環(huán)氧基。具體而言，可以使用三(2，3-環(huán)氧丙醇)異氰酸酯、三(α-甲基縮水甘油)異氰酸酯等。優(yōu)選三嗪衍生物環(huán)氧樹脂的軟化點為90～125℃。另外，對這些三嗪衍生物環(huán)氧樹脂也可以并用氫化環(huán)氧樹脂或其他環(huán)氧樹脂。進(jìn)而，硅酮樹脂組成物的情況下，優(yōu)選含有甲基硅酮樹脂的硅酮樹脂。特別是，對使用三嗪衍生物環(huán)氧樹脂的情況進(jìn)行具體說明。優(yōu)選對三嗪衍生物環(huán)氧樹脂使用用作硬化劑的酸酐物。特別是，通過使用非芳香族，且不具有碳碳雙鍵的酸酐物能夠提高耐光性。具體而言，可例舉六氫對苯二甲酸酐、甲基六氫對苯二甲酸酐、三烷基四氫苯二甲酸酐、氫化甲基4-降冰片烯-1，2-二羧酸酐物等。尤其優(yōu)選甲基六氫對苯二甲酸酐。另外，優(yōu)選使用抗氧化劑，例如，可以使用苯酚系、硫系的抗氧化劑。另外，作為硬化催化劑，可以使用作為環(huán)氧樹脂組成物的硬化催化劑公知的催化劑。并且，可以向這些樹脂中混入賦予遮光性的填充劑或根據(jù)需要混入各種添加劑。在本發(fā)明中，包含這些而稱為構(gòu)成基體106的遮光性樹脂。例如，作為填充材料(填充劑)混入TiO2、SiO2、Al2O3、MgO、MgCO3、CaCO3、Mg(OH)2、Ca(OH)2等微粒子等，從而能夠調(diào)整透光率。優(yōu)選調(diào)整為遮擋來自發(fā)光元件的光的約60％以上，更優(yōu)選遮擋約90％。此外，可以通過基體106對光進(jìn)行反射或吸收。將光半導(dǎo)體裝置用于照明等用途時，與吸收相比，優(yōu)選通過反射來遮光。該情況下，優(yōu)選針對來自發(fā)光元件的光的反射率為60％以上，更優(yōu)選90％以上。如上所述的各種填充材料可以僅使用一種、或者組合兩種以上來使用。例如，可以采用將用于調(diào)整反射率的填充材料和后述的用于調(diào)整線膨脹系數(shù)的填充材料并用等使用方法。例如，使用TiO2作為白色的填充劑時，優(yōu)選的是以10～30wt％進(jìn)行配合，更優(yōu)選的是以15～25wt％進(jìn)行配合。TiO2可以使用金紅石形、銳鈦形任一種。從遮光性或耐光性的觀點出發(fā)優(yōu)選金紅石形。進(jìn)而，在想要提高分散性、耐光性的情況下，可以使用利用表面處理而改性的填充材料。對含有TiO2的填充材料的表面處理可以使用氧化鋁、二氧化硅、氧化鋅等水合氧化物、氧化物等。另外，除這些之外，作為填充劑優(yōu)選將SiO2設(shè)在60～80wt％范圍內(nèi)使用，更優(yōu)選以65～75wt％使用。另外，作為SiO2，優(yōu)選比結(jié)晶性二氧化硅線膨脹系數(shù)小的非晶質(zhì)二氧化硅。另外，優(yōu)選粒徑為100μm以下的填充材料，更優(yōu)選為60μm以下的填充材料。并且，優(yōu)選形狀為球形的填充材料，由此，能夠提高基體成型時的填充性。另外，在用于顯示器等情況下，打算提高對比度時，優(yōu)選來自發(fā)光元件的光的吸收率為60％以上，更優(yōu)選吸收90％以上的填充材料。在這種情況下，作為填充材料，可以根據(jù)目的使用(a)乙炔黑、活性炭、石墨等碳、或(b)氧化鐵、二氧化錳、氧化鈷、氧化鉬等過渡金屬氧化物、或(c)有色有機(jī)顏料等。另外，基體的線膨脹系數(shù)優(yōu)選控制為與進(jìn)行分片化之前除去(剝離)的支承基板的線膨脹系數(shù)的差小?；w的線膨脹系數(shù)相對于支承基板的線膨脹系數(shù)優(yōu)選為0.5～2倍。另外，基體的線膨脹系數(shù)和支承基板的線膨脹系數(shù)的差優(yōu)選為30％以下，更優(yōu)選10％以下的差。作為支承基板使用SUS板的情況下，優(yōu)選線膨脹系數(shù)的差為20ppm以下，更優(yōu)選10ppm以下。該情況下，優(yōu)選將填充材料配合為70wt％以上，優(yōu)選配合為85wt％以上。由此，能夠控制(緩和)支承基板與基體的殘余應(yīng)力，因此，能夠減少分片化前的光半導(dǎo)體的集合體的翹曲。通過減少翹曲，能夠降低導(dǎo)電性絲的切斷等內(nèi)部損傷，另外，能夠抑制進(jìn)行分片化時的位置偏移，從而成品率良好地進(jìn)行制造。例如，優(yōu)選將基體的線膨脹系數(shù)調(diào)整為5～25×10-6/K，更優(yōu)選調(diào)整為7～15×10-6/K。由此，能夠容易地抑制在基體成型后、冷卻時產(chǎn)生的翹曲，能夠成品率良好地進(jìn)行制造。此外，在本說明書中，基體的線膨脹系數(shù)是指包含被各種填充劑等調(diào)整了的遮光性樹脂的基體的玻璃轉(zhuǎn)移溫度以下的線膨脹系數(shù)。該溫度區(qū)域中的基體的線膨脹系數(shù)優(yōu)選接近支承基板的線膨脹系數(shù)。另外，從其他觀點出發(fā)，基體的線膨脹系數(shù)優(yōu)選控制為與第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件的線膨脹系數(shù)的差小。相對于導(dǎo)電構(gòu)件的線膨脹系數(shù)，基體的線膨脹系數(shù)優(yōu)選為0.5～2倍。另外，基體的線膨脹系數(shù)與第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件的線膨脹系數(shù)的差優(yōu)選為40％以下，更優(yōu)選為20％以下的差。由此，在分片化后的光半導(dǎo)體裝置中，抑制了第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件與基體剝離的情況，能夠得到可靠性優(yōu)良的光半導(dǎo)體裝置。(第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’/第二導(dǎo)電構(gòu)件102)第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件作為用于向光半導(dǎo)體元件通電的一對電極發(fā)揮作用。在本方式中，第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’使用光半導(dǎo)體元件(發(fā)光元件)和導(dǎo)電絲或撞擊件等進(jìn)行電連接，作為用于從外部供給電力的電極發(fā)揮作用。另外，第二導(dǎo)電構(gòu)件102是將發(fā)光元件直接或通過輔助固定件等其他構(gòu)件間接載置于其上的構(gòu)件，作為支承體發(fā)揮作用。第二導(dǎo)電構(gòu)件可以僅起到載置發(fā)光元件的作用而對通電不作貢獻(xiàn)?；蛘撸诙?dǎo)電構(gòu)件也可以對向發(fā)光元件或保護(hù)元件的通電起作用(即，作為電極發(fā)揮作用)。在實施方式1中，第二導(dǎo)電構(gòu)件作為不對導(dǎo)通起作用的支承體發(fā)揮作用。在本方式中，第一導(dǎo)電構(gòu)件、第二導(dǎo)電構(gòu)件均以在光半導(dǎo)體裝置(發(fā)光裝置)的下表面形成外表面的方式，即沒有被密封構(gòu)件等覆蓋地露出在外部(下表面)的方式設(shè)置。對第一導(dǎo)電構(gòu)件、第二導(dǎo)電構(gòu)件的俯視下的形狀、大小等均可以根據(jù)發(fā)光裝置的大小或載置的發(fā)光元件等的數(shù)量和大小等任意選擇。另外，對于膜厚，優(yōu)選第一導(dǎo)電構(gòu)件和第二導(dǎo)電構(gòu)件為大致相等的膜厚。具體而言，優(yōu)選為25μm以上200μm以下，更優(yōu)選50μm以上100μm以下。具有這種厚度的導(dǎo)電構(gòu)件優(yōu)選為通過鍍敷方法而形成的鍍敷件(鍍敷層)，尤其優(yōu)選層疊而成的鍍敷件(層)。(第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’)在本方式中，如圖1A所示，第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’在俯視下大致四邊形的發(fā)光裝置100的對置的兩個邊側(cè)各設(shè)置一個。將第二導(dǎo)電構(gòu)件102夾在第一導(dǎo)電構(gòu)件101和第一導(dǎo)電構(gòu)件101’之間。在第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’和第二導(dǎo)電構(gòu)件102之間夾設(shè)基體106。在此，第二導(dǎo)電構(gòu)件102不對通電作貢獻(xiàn)而作為發(fā)光元件103的支承體起作用，因此，用兩個第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’構(gòu)成正負(fù)一對電極來發(fā)揮作用。第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’具有經(jīng)由導(dǎo)電性絲105、105’和發(fā)光元件103電連接的上表面和形成發(fā)光裝置100的外表面的下表面。即，第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’被設(shè)置為沒有被基體106覆蓋而露出在外部。第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’的上表面是接合用于與發(fā)光元件103電連接的導(dǎo)電絲105、105’的部分，其至少具有接合所需的面積即可。另外，第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’的上表面可以如圖1B等所示為平坦的平面，或者也可以有微細(xì)的凹凸、槽或孔等。另外，在不使用導(dǎo)電性絲，將發(fā)光元件的電極和第一導(dǎo)電構(gòu)件直接電連接的情況下，以具有能夠接合發(fā)光元件的電極的區(qū)域的大小的方式來設(shè)置第一導(dǎo)電構(gòu)件。第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’的下表面形成光半導(dǎo)體裝置的外表面，優(yōu)選實質(zhì)上平坦的面。但是，也可以形成微細(xì)的凹凸等。另外，第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’的側(cè)面均可以為平坦的面。但是，若考慮與基體106的密接性等，優(yōu)選在第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’的內(nèi)側(cè)的側(cè)面具有如圖1A的局部放大圖所示的突起部X。突起部X優(yōu)選設(shè)置在遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’的下表面的位置，由此，不易發(fā)生第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’從基體106脫落等問題。另外，代替突起部，使第一導(dǎo)電構(gòu)件和第二導(dǎo)電構(gòu)件的側(cè)面傾斜以使第一導(dǎo)電構(gòu)件和第二導(dǎo)電構(gòu)件的下表面比上表面窄，從而能夠抑制上述脫落。只要是第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’的周圍中與發(fā)光裝置100的外表面不同的位置，突起部X可以設(shè)置在任意位置。例如，可以僅設(shè)置在俯視下四邊形的導(dǎo)電構(gòu)件的對置的兩個側(cè)面等局部地設(shè)置。另外，為了更可靠地防止脫落，優(yōu)選除形成外表面的面，在遍及導(dǎo)電構(gòu)件的周圍整體形成。(第二導(dǎo)電構(gòu)件102)在本方式中，如圖1B所示，第二導(dǎo)電構(gòu)件102是具有載置發(fā)光元件103的上表面和形成發(fā)光裝置100的外表面的下表面。另外，在本方式中，第二導(dǎo)電構(gòu)件102不作為電極發(fā)揮作用。因此，如圖1A所示，可以設(shè)置為其側(cè)面完全被基體106覆蓋，即，設(shè)置為遠(yuǎn)離發(fā)光裝置100的側(cè)面。由此，在通過切斷而得到分片化的發(fā)光裝置之際，能夠以切斷刃不與第二導(dǎo)電構(gòu)件102接觸的方式進(jìn)行切斷，因此，容易切斷。另外，第二導(dǎo)電構(gòu)件102的一部分形成發(fā)光裝置100的外表面，即，可以設(shè)置為到達(dá)發(fā)光裝置100的側(cè)面(未圖示)。第二導(dǎo)電構(gòu)件102搭載有發(fā)光元件103，因此，可以通過加大面積，提高散熱性。第二導(dǎo)電構(gòu)件102的上表面具有能夠載置發(fā)光元件103的面積以上的面積即可。除如圖1A所示的俯視下的大致四邊形外，可以為多邊形、波形、或有切口的形狀等各種形狀。另外，優(yōu)選載置發(fā)光元件103的區(qū)域為平坦的面。在第二導(dǎo)電構(gòu)件102的上表面除發(fā)光元件外，還可載置保護(hù)元件等。第二導(dǎo)電構(gòu)件102的側(cè)面可以為平坦的面，但考慮與基體106的密接性等情況，優(yōu)選與第一導(dǎo)電構(gòu)件相同，具有如圖1B所示的突起部X。該突起部X優(yōu)選設(shè)置在遠(yuǎn)離第二導(dǎo)電構(gòu)件102的下表面的位置，由此，不易產(chǎn)生第二導(dǎo)電構(gòu)件102從基體106脫落等問題。突起部X可以設(shè)置在第二導(dǎo)電構(gòu)件102的周圍的任意位置。例如，可以僅設(shè)置在俯視下四邊形的第二導(dǎo)電構(gòu)件102的對置的兩個側(cè)面等，進(jìn)行局部地設(shè)置。另外，為了更可靠地防止脫落，優(yōu)選遍及第二導(dǎo)電構(gòu)件102的周圍整體形成。第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’和第二導(dǎo)電構(gòu)件102優(yōu)選使用相同材料，由此能夠減少工序。但是，也可以使用不同的材料。作為具體的材料，可舉出：銅、鋁、金、銀、鎢、鉬、鐵、鎳、鈷等金屬或這些的合金(鐵-鎳合金等)、磷青銅、含鐵銅(鉄入り銅)、Au-Sn等共晶軟釬料、SnAgCu、SnAgCuIn等軟釬料、ITO等。軟釬料材料中，優(yōu)選調(diào)整為：軟釬料粒子暫時熔融凝固，利用軟釬焊而接合的金屬和軟釬料合金化而使融點上升，回流安裝時等追加的熱處理時也不會再溶解的組成。這些可以作為單體或合金使用。進(jìn)而，也可以進(jìn)行層疊(鍍敷)等設(shè)置多層。例如，使用發(fā)光元件作為半導(dǎo)體元件時，優(yōu)選在導(dǎo)電構(gòu)件的最表面使用能夠反射來自發(fā)光元件的光的材料。具體而言，優(yōu)選金、銀、銅、Pt、Pd、Al、W、Mo、Ru、Rh等。進(jìn)而，最表面的導(dǎo)電構(gòu)件優(yōu)選為高反射率、高光澤的構(gòu)件。具體而言，可視區(qū)域的反射率優(yōu)選為70％以上，上述情況下，優(yōu)選使用Ag、Ru、Rh、Pt、Pd等。另外，優(yōu)選導(dǎo)電構(gòu)件的表面光澤好。優(yōu)選的光澤度為0.5以上，更優(yōu)選為1.0以上。在此示出的光澤度是使用日本電色工業(yè)制的微小面色差計VSR300A在45°照射、測定區(qū)域為Φ0.2mm、垂直受光的情況下得到的數(shù)字。另外，優(yōu)選在導(dǎo)電構(gòu)件的支承基板側(cè)使用向電路基板等的安裝有利的Au、Sn、Sn合金、AuSn等共晶軟釬料鍍敷件等材料。另外，可以在導(dǎo)電構(gòu)件的最表面(最上層)和支承基板側(cè)(最下層)之間形成中間層。為了提高導(dǎo)電構(gòu)件和發(fā)光裝置的機(jī)械強(qiáng)度，優(yōu)選將耐腐蝕性高的金屬例如Ni用于中間層。另外，為了提高散熱性，優(yōu)選將熱傳導(dǎo)系數(shù)高的銅用于中間層。從而，優(yōu)選根據(jù)目的或用途，將適當(dāng)?shù)牟牧嫌糜谥虚g層。對于該中間層，除上述的金屬之外，也可以使用Pt、Pd、Al、W、Ru、Pd等。作為中間層，可以層疊與最上層和最下層的金屬密接性好的金屬。對中間層的膜厚，優(yōu)選形成為比最上層和最下層厚。特別是，優(yōu)選以導(dǎo)電構(gòu)件整體膜厚的80％～99％的范圍的比率形成，更優(yōu)選在90％～99％的范圍。特別是，在由金屬構(gòu)成鍍敷層的情況下，根據(jù)其組成規(guī)定線膨脹系數(shù)，因此，優(yōu)選最下層和中間層比較接近支承基板的線膨脹系數(shù)。例如，作為支承基板，使用線膨脹系數(shù)為10.4×10-6/K的SUS430的情況下，其上的導(dǎo)電構(gòu)件可以設(shè)為含有如下所述的金屬(作為主要成分)的層疊構(gòu)造。優(yōu)選為從最下層側(cè)開始層疊線膨脹系數(shù)14.2×10-6/K的Au(0.04～0.1μm)、作為第一中間層的線膨脹系數(shù)12.8×10-6/K的Ni(或線膨脹系數(shù)16.8×10-6/K的Cu)(25～100μm)、作為第二中間層的Au(0.01～0.07μm)、作為最上層的線膨脹系數(shù)119.7×10-6/K的Ag(2～6μm)等層疊構(gòu)造。最上層的Ag的線膨脹系數(shù)與其他層的金屬有較大不同，但是，以來自發(fā)光元件的光的反射率為優(yōu)先，因此使用Ag。將最上層的Ag設(shè)置為極其薄的厚度，因此，針對翹曲的影響極其微弱。從而，實用上沒有問題。(密封構(gòu)件104)密封構(gòu)件104覆蓋發(fā)光元件，并且，與第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’及第二導(dǎo)電構(gòu)件102相接。密封構(gòu)件是保護(hù)發(fā)光元件、受光元件、保護(hù)元件、導(dǎo)電性絲等電子部件不受塵埃、水分、外力等侵入的構(gòu)件。作為密封構(gòu)件104的材料，優(yōu)選具有使來自發(fā)光元件103的光能夠透過的透光性，并且，在上述基礎(chǔ)上具有不易劣化的耐光性。作為具體的材料，可以例舉硅酮樹脂組成物、改性硅酮樹脂組成物、環(huán)氧樹脂組成物、改性環(huán)氧樹脂組成物、丙烯樹脂組成物等具有能夠使來自發(fā)光元件的光透過的透光性的絕緣樹脂組成物。另外，可以使用硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂、脲醛樹脂、氟樹脂及包含至少一種以上這些樹脂的混合樹脂等。此外，并不限于上述有機(jī)物，也可以使用玻璃、二氧化硅溶膠等無機(jī)物。除上述材料之外，根據(jù)需要，也可以含有著色劑、光擴(kuò)散劑、光反射材料、各種填充劑、波長變換構(gòu)件(熒光構(gòu)件)等。密封構(gòu)件的填充量為覆蓋上述電子部件的量即可。密封構(gòu)件104的外表面的形狀可以根據(jù)配光特性等進(jìn)行各種選擇。例如，可以通過將上表面設(shè)置為凸?fàn)钔哥R形狀、凹狀透鏡形狀、菲涅耳透鏡形狀等調(diào)整指向特性。另外，除密封構(gòu)件104之外，也可以設(shè)置透鏡構(gòu)件。并且，在使用加入熒光體的成形體(例如，加入熒光體的板狀成形體、加入熒光體的穹頂狀成形體等)情況下，作為密封構(gòu)件104優(yōu)選選擇與加入熒光體的成形體的密接性優(yōu)良的材料。作為加入熒光體的成形體除樹脂組成物之外，還可以使用玻璃等無機(jī)物。此外，主要對用于發(fā)光裝置的密封構(gòu)件104進(jìn)行說明，但對受光裝置也大致與上述相同。受光裝置的情況下，以提高光的入射效率、或避免在受光裝置內(nèi)部的2次反射為目的，在密封構(gòu)件也可以含有白色或黑色等有色填充劑。另外，優(yōu)選在紅外線發(fā)光裝置和紅外線檢測裝置中，為避免可視光的影響使用含有黑色的有色填充劑的密封構(gòu)件。(接合構(gòu)件)接合構(gòu)件(未圖示)是用于在第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’和第二導(dǎo)電構(gòu)件102上載置并連接發(fā)光元件、受光元件、保護(hù)元件等的構(gòu)件?？梢愿鶕?jù)載置的元件的基板選擇導(dǎo)電性接合構(gòu)件或絕緣性接合構(gòu)件的任一種。例如，在作為絕緣性基板的藍(lán)寶石上層疊氮化物半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體發(fā)光元件的情況下，接合構(gòu)件可以為絕緣性或?qū)щ娦?。使用SiC基板等導(dǎo)電性基板的情況下，可以通過使用導(dǎo)電性的接合構(gòu)件實現(xiàn)導(dǎo)通。作為絕緣性的接合構(gòu)件，可以使用環(huán)氧樹脂組成物、硅酮樹脂組成物、聚酰亞胺樹脂組成物、它們的改性樹脂、混合樹脂等。使用上述樹脂的情況下，考慮因來自半導(dǎo)體發(fā)光元件的光和熱而產(chǎn)生的劣化，可以在發(fā)光元件背面設(shè)置Al或Ag膜等反射率高的金屬層或電介質(zhì)反射膜。在該情況下，可以使用蒸鍍、濺射、將薄膜接合等方法。另外，作為導(dǎo)電性的接合構(gòu)件，可以使用銀、金、鈀等導(dǎo)電性膏劑、或Au-Sn共晶等軟釬料、低融點金屬等釬料。進(jìn)而，在這些接合構(gòu)件中，尤其使用透光性的接合構(gòu)件時，其中也可以含有吸收來自半導(dǎo)體發(fā)光元件的光發(fā)出不同的波長的光的熒光構(gòu)件。(導(dǎo)電性絲105、105’)作為連接發(fā)光元件103的電極和第一導(dǎo)電構(gòu)件101、101’或第二導(dǎo)電構(gòu)件102的導(dǎo)電性絲，可以使用金、銅、鉑、鋁等金屬及它們的合金。尤其優(yōu)選使用熱阻等優(yōu)良的金。(波長變換構(gòu)件)在上述密封構(gòu)件中，作為波長變換構(gòu)件，可以含有吸收來自半導(dǎo)體發(fā)光元件的光的至少一部分并發(fā)出具有不同的波長的光的熒光構(gòu)件。作為熒光構(gòu)件，將來自半導(dǎo)體發(fā)光元件的光變換為更長的波長的情況有效。但是，并不限于此，可以使用將來自半導(dǎo)體發(fā)光元件的光變換為短波長、或者將通過其他熒光構(gòu)件變換的光進(jìn)一步變換等各種熒光構(gòu)件。這種熒光構(gòu)件可以為將一種熒光物質(zhì)等以單層形成，也可以將兩種以上的熒光物質(zhì)等混合的單層來形成，可以將含有一種熒光物質(zhì)等的單層層疊兩層以上，也可以將兩種以上的熒光物質(zhì)等分別混合的單層層疊兩層以上。作為發(fā)光元件使用將氮化物系半導(dǎo)體作為發(fā)光層的半導(dǎo)體發(fā)光元件的情況下，可以使用吸收來自該發(fā)光元件的光變換為不同的波長的光的熒光構(gòu)件。例如，可以使用以Eu、Ce等鑭系元素為主被賦予活性的氮化物系熒光體或氧氮化物熒光體。更具體而言，優(yōu)選從下述選出一項以上，(a)Eu被賦予活性的α或β硅鋁氧氮陶瓷熒光體、各種堿土金屬氮化硅酸鹽、各種堿土金屬氮化鋁硅(例：CaSiAlN3：Eu、SrAlSi4N7：Eu等)、(b)Eu等鑭系元素、利用Mn等過渡金屬系的元素主要賦予活性的堿土金屬鹵代磷灰石、堿土金屬的鹵代硅酸鹽、堿土金屬硅酸鹽、堿土金屬硼酸鹵、堿土金屬鋁酸鹽、堿土金屬硫化物、堿土金屬硫代棓酸酯、堿土金屬氮化硅、鍺酸鹽、或(c)以Ce等鑭系元素為主被賦予活性的稀土類鋁酸塩、稀土類硅酸鹽、堿土金屬稀土類硅酸鹽、(d)以Eu等鑭系元素為主被賦予活性的有機(jī)及有機(jī)絡(luò)合物等。優(yōu)選的是，以Ce等鑭系元素為主被賦予活性的稀土類鋁酸鹽熒光體即YAG系熒光體。YAG系熒光體用Y3Al5O12：Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12：Ce、(Y，Gd)3(Al，Ga)5O12等組合式表示。另外，也有將Y的一部分或全部用Tb、Lu等置換的Tb3Al5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce等。并且，也可以使用上述熒光體以外的熒光體，即使用具有同樣的性能、作用、效果的熒光體。另外，可以使用將熒光體涂敷在玻璃、樹脂組成物等其他成形體。并且，也可以使用放入熒光體的成形體。具體而言，可以使用放入熒光體的玻璃、YAG燒結(jié)體、YAG和Al2O3、SiO2、B2O3等燒結(jié)體、無機(jī)融液中析出YAG的結(jié)晶化無機(jī)松散體等。也可以使用將熒光體用環(huán)氧、硅酮、混合樹脂等一體成形的材料。(半導(dǎo)體元件103)在本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體元件103可以使用在同一面?zhèn)刃纬烧?fù)電極的構(gòu)造、或在不同的面形成正負(fù)電極的構(gòu)造、貼合與成長基板不同的基板的構(gòu)造等各種構(gòu)造的半導(dǎo)體元件。優(yōu)選使用具有上述構(gòu)造的半導(dǎo)體發(fā)光元件(簡稱發(fā)光元件或發(fā)光二極管)或半導(dǎo)體受光元件(簡稱受光元件)。半導(dǎo)體發(fā)光元件103可以選擇任意的波長的元件。例如，對藍(lán)色、綠色的發(fā)光元件可以使用ZnSe、氮化物系半導(dǎo)體(InXAlYGa1-X-YN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1)、GaP。另外，作為紅色的發(fā)光元件可以使用GaAlAs、AlInGaP等。并且，也可以使用包含除此之外的材料的半導(dǎo)體發(fā)光元件。使用的發(fā)光元件的組成或發(fā)光色、大小、個數(shù)等可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。具有熒光物質(zhì)的發(fā)光裝置的情況下，優(yōu)選能夠?qū)⒃摕晒馕镔|(zhì)有效地激勵的能夠發(fā)出短波長的光的氮化物半導(dǎo)體(InXAlYGa1-X-YN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1)?？梢愿鶕?jù)半導(dǎo)體層的材料和其混晶度對發(fā)光波長進(jìn)行各種選擇。另外，不僅可視光區(qū)域的光，也可以使用輸出紫外線或紅外線的發(fā)光元件。并且，也可以與發(fā)光元件一起或單獨(dú)搭載受光元件等。作為受光元件，可以舉出光集成電路、光電二極管、光電晶體管、CCD(電荷耦合器件)攝像傳感器、CMOS攝像傳感器、Cd元件等。(支承基板)支承基板(在圖1A、1B中未圖示)是為了形成第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件而使用的板狀或片狀構(gòu)件。支承基板在進(jìn)行分片化之前除去，因此，光半導(dǎo)體裝置不具備支承基板。作為支承基板，除SUS板等具有導(dǎo)電性的金屬板以外，可以使用通過濺射法或蒸鍍法在聚酰亞胺等絕緣性板形成導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)，或者，可以使用能夠粘貼金屬薄膜等的絕緣性板狀構(gòu)件。在任一種情況下，支承基板均在工序的最終階段除去。即，支承基板必須從第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件101，101’、102和基體106剝下。因此，作為支承基板，必須使用能夠折彎的構(gòu)件，優(yōu)選根據(jù)材料使用膜厚10μm～300μm左右的板狀構(gòu)件。作為支承基板，除上述的SUS板之外，優(yōu)選鐵、銅、銀、科瓦鐵鎳鈷合金、鎳等金屬板、或能夠粘貼金屬薄膜等的含有聚酰亞胺的樹脂片等。尤其優(yōu)選馬氏體系、鐵素體系、奧氏體系等各種不銹鋼。尤其優(yōu)選的是鐵素體系的不銹鋼。特別優(yōu)選的是，400系、300系的不銹鋼。更加具體而言，優(yōu)選使用SUS430(10.4×10-6/K)、SUS444(10.6×10-6/K)、SUS303(18.7×10-6/K)、SUS304(17.3×10-6/K)等。400系的不銹鋼在作為鍍敷的前處理進(jìn)行酸處理時，與300系相比，表面容易粗糙。從而，在進(jìn)行了酸処理的400系的不銹鋼上形成鍍敷層時，該鍍敷層的表面也容易變得粗糙。由此，能夠使密封構(gòu)件和構(gòu)成基體的樹脂的密接性良好。另外，300系在酸處理時，表面不易粗糙。因此，如果使用300系的不銹鋼，則容易提高鍍敷層的表面的光澤度，由此，能夠提高來自發(fā)光元件的反射率成為光取出效率高的發(fā)光裝置。另外，在提高第一、第二導(dǎo)電構(gòu)件的表面光澤的情況下，使用鍍敷、蒸鍍、濺射等方法來形成。為了進(jìn)一步提高光澤度，支承基板的表面優(yōu)選平滑的表面。例如，作為支承基板使用SUS的情況下，通過使用晶界比較小的第300號SUS，能夠得到表面光澤好的導(dǎo)電構(gòu)件的最表面。另外，為了緩和樹脂成形后的翹曲，可以對支承基板實施切口、槽、波形狀的加工。<制造方法1-1>以下，結(jié)合附圖說明本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法。圖2A～2H是說明形成發(fā)光裝置的集合體1000的工序的圖。通過切斷該集合體1000進(jìn)行分片化，能夠得到實施方式1說明的發(fā)光裝置100。1.第一工序首先，如圖2A所示，準(zhǔn)備由金屬板等構(gòu)成的支承基板1070。在該支承基板的表面涂敷抗蝕劑1080作為保護(hù)膜。根據(jù)該抗蝕劑1080的厚度調(diào)整之后形成的第一導(dǎo)電構(gòu)件和第二導(dǎo)電構(gòu)件的厚度。此外，在此，僅在支承基板1070的上表面(形成第一導(dǎo)電構(gòu)件等一側(cè)的面)設(shè)置抗蝕劑1080，也可以進(jìn)一步在下表面(相反側(cè)的面)形成。該情況下，通過在相反側(cè)的面的大致整個面設(shè)置抗蝕劑，從而能夠防止因后述的鍍敷而在下表面形成導(dǎo)電構(gòu)件的情況。此外，使用的保護(hù)膜(抗蝕劑)是用光刻法形成的抗蝕劑的情況下，可以使用正型、負(fù)型的任一種。在此，對使用正型的抗蝕劑的方法進(jìn)行說明，當(dāng)然也可以將正型、負(fù)型組合使用。另外，可以使用利用絲網(wǎng)印刷形成的抗蝕劑或粘貼片狀的抗蝕劑等方法。將涂敷的抗蝕劑干燥后，直接或間接地在其上部配置具有開口部的掩膜1090，如圖中的鍵頭所示照射紫外線而曝光。在此使用的紫外線可以根據(jù)抗蝕劑1070的靈敏度等選擇適當(dāng)?shù)牟ㄩL。然后，通過用蝕刻劑處理，形成如圖2B所示具有開口部K的抗蝕劑1080。在此，若需要可以進(jìn)行酸活性處理等。接著，使用金屬進(jìn)行鍍敷，如圖2C所示，在抗蝕劑1080的開口部K內(nèi)形成第一導(dǎo)電構(gòu)件1010和第二導(dǎo)電構(gòu)件1020。此時，通過調(diào)整鍍敷條件，可以比抗蝕劑1080的膜厚厚地進(jìn)行鍍敷。由此，將導(dǎo)電構(gòu)件形成到抗蝕劑(保護(hù)膜)的上表面，從而可以形成如圖1A所示的突起部X。作為鍍敷方法，可以根據(jù)所使用的金屬或根據(jù)目的的膜厚或平坦度用該領(lǐng)域公知的方法進(jìn)行適當(dāng)選擇。例如，可以使用電鍍、非電鍍等。尤其優(yōu)選使用電鍍，由此，容易除去抗蝕劑(保護(hù)膜)，并容易以均一的形狀形成導(dǎo)電構(gòu)件。另外，為了提高與最表層(例如Ag)的密接性，優(yōu)選通過觸擊電鍍在其下層形成中間層(例如Au、Ag)。在鍍敷后，通過清洗保護(hù)膜1080而進(jìn)行除去，從而，形成如圖2D所示相互遠(yuǎn)離的第一導(dǎo)電構(gòu)件1010及第二導(dǎo)電構(gòu)件1020。此外，該突起部X除上述的鍍敷之外，可以通過壓潰加工、金屬膏劑印刷后的燒結(jié)加工方法等來形成。2.第二工序接著，如圖2E所示，在第一導(dǎo)電構(gòu)件1010和第二導(dǎo)電構(gòu)件1020之間設(shè)置能夠反射來自發(fā)光元件的光的基體1060?；w可以通過注射成形、壓鑄成形、擠壓成形等方法來形成。例如，在通過壓鑄成形來形成基體1060時，將形成了多個第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件的支承基板以插入包括上模及下模的模具內(nèi)的方式進(jìn)行安置。此時，可以通過脫模片等安置于模具內(nèi)。在模具內(nèi)插入作為基體的原料的樹脂顆粒，加熱支承基板和樹脂顆粒。在樹脂顆粒熔融后，進(jìn)行加壓將其填充于模具內(nèi)。加熱溫度和加熱時間以及壓力等可以根據(jù)所使用的樹脂的組成等進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。硬化后從模具取出，從而能夠得到圖2E所示的成形件。3.第三工序接著，如圖2F所示，使用結(jié)合構(gòu)件(未圖示)將發(fā)光元件1030接合到第二導(dǎo)電構(gòu)件1020上，并使用導(dǎo)電性絲1050與第一導(dǎo)電構(gòu)件1010連接。此外，在此，使用在同一面?zhèn)染哂姓?fù)電極的發(fā)光元件，但是，也可以使用正負(fù)電極在不同的面形成的發(fā)光元件。4.第四工序然后，通過壓鑄成形、澆灌、印刷等方法形成密封構(gòu)件1040，以覆蓋發(fā)光元件1030、導(dǎo)電性絲1050。此外，在此，密封構(gòu)件為一層構(gòu)造，但是，也可以為組成、特性不同的兩層以上的多層構(gòu)造。將密封構(gòu)件1040硬化后，如圖2G所示，剝開支承基板1070并除去。5.第五工序經(jīng)由以上的工序，能夠得到圖2H所示的半導(dǎo)體裝置(發(fā)光裝置)的集合體1000。最后，在圖2H中的虛線所示的位置進(jìn)行切斷并分片化，從而能夠得到例如圖1A所示的發(fā)光裝置100。作為分片化的方法，可以使用由刀片進(jìn)行的切割、由激光進(jìn)行的切割等各種方法。此外，在圖2H中，在包括導(dǎo)電構(gòu)件的位置進(jìn)行切斷，但是，并不限于此，也可以在從導(dǎo)電構(gòu)件遠(yuǎn)離的位置進(jìn)行切斷。若在包括導(dǎo)電構(gòu)件的位置進(jìn)行切斷，則在光半導(dǎo)體裝置的側(cè)面露出導(dǎo)電構(gòu)件，軟釬料等變得容易接合。另外，在從導(dǎo)電構(gòu)件遠(yuǎn)離的位置切斷的情況下，被切斷的僅為基體或密封構(gòu)件等樹脂，因此，與將導(dǎo)電構(gòu)件(金屬)和樹脂一起切斷相比，能夠容易地切斷。<制造方法1-2>在制造方法1-2中，對利用蝕刻法形成第一導(dǎo)電構(gòu)件及第二導(dǎo)電構(gòu)件的方法進(jìn)行說明。在聚酰亞胺等絕緣性構(gòu)件構(gòu)成的板狀的支承基板上粘貼銅箔等導(dǎo)電性構(gòu)件的薄膜。并且，在該導(dǎo)電性構(gòu)件上粘貼片狀的保護(hù)膜(干燥抗蝕劑片等)，使用具有開口部的掩膜進(jìn)行曝光，使用弱堿溶液等清洗液除去曝光了的部分的保護(hù)膜。由此，在導(dǎo)電性構(gòu)件上形成具有開口部的保護(hù)膜。接著，通過支承基板浸漬于能夠?qū)?dǎo)電性構(gòu)件進(jìn)行蝕刻的蝕刻液中，對導(dǎo)電構(gòu)件進(jìn)行蝕刻。最后，通過除去保護(hù)膜，在支承基板上形成相互遠(yuǎn)離的第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件。<實施方式2>圖3A、圖3B示出了實施方式2的光半導(dǎo)體裝置(發(fā)光裝置)200。圖3A是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置200的內(nèi)部的立體圖，圖3B是密封了圖3A的發(fā)光裝置200的凹部的狀態(tài)的B-B’截面的剖視圖。在實施方式2中，發(fā)光裝置200具有：(a)發(fā)光元件203及保護(hù)元件210、(b)與發(fā)光元件203及保護(hù)元件210電連接的第一導(dǎo)電構(gòu)件201、(c)遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電構(gòu)件201并載置發(fā)光元件203的第二導(dǎo)電構(gòu)件202、(d)覆蓋發(fā)光元件203并且與第一導(dǎo)電構(gòu)件201及第二導(dǎo)電構(gòu)件202相接的密封構(gòu)件204。第一導(dǎo)電構(gòu)件201及第二導(dǎo)電構(gòu)件202的各自的下表面形成發(fā)光裝置200的外表面。并且，第一導(dǎo)電構(gòu)件201和第二導(dǎo)電構(gòu)件202的側(cè)面的一部分也形成發(fā)光裝置200的外表面。并且，在第一導(dǎo)電構(gòu)件201和第二導(dǎo)電構(gòu)件202之間，形成由能夠遮擋來自發(fā)光元件203的光的樹脂構(gòu)成的基體206。該基體206具有在第一導(dǎo)電構(gòu)件201和第二導(dǎo)電構(gòu)件202之間形成的底面部206a，并且在遠(yuǎn)離發(fā)光元件203的位置，具有比第一導(dǎo)電構(gòu)件201及第二導(dǎo)電構(gòu)件202的上表面高的突出部206b。由此，利用基體206的突出部206b，在發(fā)光裝置200形成凹部S1。利用凹部S1抑制向發(fā)光裝置200的側(cè)面?zhèn)确懦龉獾那闆r，從而能夠朝向上表面方向放出光。如圖3B所示，突出部206b優(yōu)選以形成朝向上表面擴(kuò)寬的凹部S1的方式使內(nèi)表面成為傾斜面。由此，能夠使光容易地向發(fā)光裝置的上表面方向反射。此外，在實施方式2中使用的構(gòu)件等可以使用與實施方式1相同的構(gòu)件。<制造方法2>以下，結(jié)合附圖說明本發(fā)明的發(fā)光裝置200的制造方法。圖4A～4D是對形成發(fā)光裝置的集合體2000的工序進(jìn)行說明的圖，通過切斷該集合體2000能夠得到實施方式2中說明的發(fā)光裝置200。1.第一工序在制造方法2中，第一工序也可以與制造方法1-1、1-2相同地進(jìn)行。2.第二工序第二工序如圖4A所示，在第二工序中，形成基體的底面部2060a之際，同時形成突出部2060b。此外，盡管在此同時形成，但也可以先形成底面部2060a，接著形成突出部2060b，或者，首先形成突出部2060b，之后形成底面部2060a。兩者優(yōu)選使用同一遮光性樹脂，但是，可以根據(jù)目的和用途使用不同的遮光性樹脂。突出部2060b的形成方法與基體的底面部2060a相同，可以通過使用模具的壓鑄成形等來形成。此時，作為模具使用具有凹凸的上模，從而能夠形成如圖4A所示的突出部2060b。3.第三工序在第三工序中，如圖4B所示，在突出部2060b所圍成的區(qū)域的第一導(dǎo)電構(gòu)件2010上載置發(fā)光元件2030。導(dǎo)電性絲2050與由相同的突出部2060b圍成的區(qū)域的第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件2010的上表面連接。4.第四工序在第四工序中，如圖4C所示，向突出部2060b包圍而形成的凹部填充由透光性樹脂構(gòu)成的密封構(gòu)件。由此，用密封構(gòu)件覆蓋發(fā)光元件。在此，密封構(gòu)件2040設(shè)為與突出部2060b大致相同高度，但是，并不限于此，也可以形成為比突出部低或高。另外，如上所述，上表面可以為平坦的面，或者，可以形成為中央凹下或突出的曲面狀。5.第五工序在第五工序中，通過在圖4D所示的虛線部，即切斷突出部2060b的位置進(jìn)行切斷而分片化，從而成為圖3A所示的光半導(dǎo)體裝置200。在此，通過設(shè)置在切斷突出部2060b而不切斷密封構(gòu)件2040的位置，能夠?qū)⒐獾娜〕龇较騼H限定在光半導(dǎo)體裝置(發(fā)光裝置)200的上方向。由此，有效進(jìn)行向上方的光的取出。此外，在此，切斷突出部2060，但是，也可以在切斷密封構(gòu)件2040的位置進(jìn)行切斷。<實施方式3>圖5是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的立體圖，且是為了顯示基體306的內(nèi)部而切下一部分的圖。在實施方式3中，如圖5所示，其特征在于，在基體的突出部306圍成的凹部S2內(nèi)載置發(fā)光元件303，并且，保護(hù)元件310埋設(shè)在基體的突出部306。圖5是能夠看到如圖3A所示的大致長方體的光半導(dǎo)體裝置的基體306的一部分的內(nèi)部的圖。在第二工序中，在形成基體之前，在第二導(dǎo)電構(gòu)件302上載置保護(hù)元件310，并且，使用導(dǎo)電性絲305預(yù)先與第一導(dǎo)電構(gòu)件301接合。由此，可以成為保護(hù)元件310埋設(shè)在基體306內(nèi)的構(gòu)造。在實施方式1中，在第二工序形成基體后，在第三工序載置發(fā)光元件和保護(hù)元件。在本實施方式中，在不同的工序設(shè)置發(fā)光元件和保護(hù)元件。如本實施方式所示，通過以埋設(shè)在基體內(nèi)的方式設(shè)置保護(hù)元件，可以將光半導(dǎo)體裝置自身進(jìn)一步小型化。<實施方式4>圖6A是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的立體圖，圖6B是圖6A的C-C’截面的剖視圖。在實施方式4中，如圖6A、圖6B所示，其特征在于，基體406設(shè)置為到達(dá)光半導(dǎo)體元件403的側(cè)面。在此，比第一導(dǎo)電構(gòu)件和第二導(dǎo)電構(gòu)件的上表面突出的突出部遍及基體406的整體設(shè)置。上述結(jié)構(gòu)可以通過將第三工序在第二工序之前進(jìn)行而得到，第三工序即在第一及/或第二導(dǎo)電構(gòu)件上載置光半導(dǎo)體元件的工序，第二工序即在第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件之間設(shè)置由光遮光性樹脂構(gòu)成的基體的工序。如圖6A、圖6B所示，通過與光半導(dǎo)體元件(發(fā)光元件)403大致相同高度的方式設(shè)置基體406，從而僅從發(fā)光元件的上表面放出光。由此，能夠更有效地取出光。另外，在此，將基體(突出部)406設(shè)置為與發(fā)光元件403大致相同高度，但是，不限于此，可以是比發(fā)光元件403低的高度。設(shè)置上述的基體406的情況下，密封構(gòu)件404可以通過滴下、印刷等在發(fā)光元件403和基體406上硬化。另外，可以采用將在其他工序形成且硬化結(jié)束的密封構(gòu)件404粘接于基體406和發(fā)光元件403等方法。例如，可以通過擠壓成形等將Al2O3粉末和YAG熒光體粉末成形為平板狀，作為密封構(gòu)件404，使用粘接劑粘貼于發(fā)光元件和基體上。另外，在實施方式4中，不使用導(dǎo)電性絲，使用導(dǎo)電性接合構(gòu)件將發(fā)光元件403的正負(fù)電極直接接合于第一及第二導(dǎo)電構(gòu)件。在基體406的形成前載置光半導(dǎo)體元件403的情況下，通過上述不使用絲的載置方法，由此防止因模具導(dǎo)致的絲的變形等。<實施方式5>圖7A是表示本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的剖視圖，圖7B是圖7A的局部放大圖。實施方式5的光半導(dǎo)體裝置具有與圖3A所示的光半導(dǎo)體裝置相同的外觀，在發(fā)光元件503的周圍形成以突出部506b作為側(cè)壁的凹部。在該凹部內(nèi)，設(shè)置有比成為凹部的側(cè)壁的突出部506b的高度低的底面部506a。另一方面，本實施方式的光半導(dǎo)體裝置在第一導(dǎo)電構(gòu)件501與第二導(dǎo)電構(gòu)件502之間形成的基體506的底面部506a比第一導(dǎo)電構(gòu)件501及第二導(dǎo)電構(gòu)件502的上表面高的這一點與圖3A的光半導(dǎo)體裝置不同。另外，如圖7B所示，在該底面部506a以覆蓋第一導(dǎo)電構(gòu)件501、第二導(dǎo)電構(gòu)件502的上表面的一部分的方式形成有突起部Y。通過如此設(shè)置，在制造工序內(nèi)除去支承基板時，可以抑制基體506a的底面部506a被剝下的情況。并且，可以將接近發(fā)光元件503的位置的基體506的底面部506a作厚，因此，能夠抑制來自發(fā)光元件503的光向底面?zhèn)嚷┏?，能夠有效地反射光。如此的在第一?dǎo)電構(gòu)件和第二導(dǎo)電構(gòu)件之間設(shè)置的基體506具有的底面部506a包含突起部Y，優(yōu)選設(shè)置為導(dǎo)電絲505不接觸的程度的高度。另外，優(yōu)選以覆蓋第一導(dǎo)電構(gòu)件501、第二導(dǎo)電構(gòu)件502兩方的導(dǎo)電構(gòu)件的上表面的一部分的方式形成突起部Y，也可以僅覆蓋任一方。另外，該覆蓋的區(qū)域的大小、寬度、位置等也可以根據(jù)需要形成。并且，也可以代替這種在第一導(dǎo)電構(gòu)件501和第二導(dǎo)電構(gòu)件502之間設(shè)置基體的底面部506a，將其他構(gòu)件例如由Si構(gòu)成的輔助安裝件等以從第一導(dǎo)電構(gòu)件橫跨第二導(dǎo)電構(gòu)件的方式載置，在其上載置發(fā)光元件。由此，能夠抑制來自發(fā)光元件的光向底面?zhèn)嚷┏?，能夠更有效地反射光?！井a(chǎn)業(yè)上的可利用性】根據(jù)本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠容易地得到小型輕量且光取出效率或?qū)Ρ榷葍?yōu)良的光半導(dǎo)體裝置。所述光半導(dǎo)體裝置可以用于(a)各種顯示裝置、(b)照明器具、(c)顯示器、(d)液晶顯示器的背光燈光源、以及(e)數(shù)碼攝影機(jī)、傳真機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃描設(shè)備等圖像讀取裝置、(f)投影裝置等。