制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法
【專利摘要】一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括：在基板上提供有機(jī)發(fā)光部分；在所述基板上提供包括第一低溫粘度轉(zhuǎn)變(LVT)無機(jī)材料的第一無機(jī)層，以覆蓋所述有機(jī)發(fā)光部分；和使用氟類材料將氟化物加入所述第一無機(jī)層中，以使所述第一無機(jī)層轉(zhuǎn)變成包括包括第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的第二無機(jī)層。
【專利說明】制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法
[0001]本申請要求2013年7月25日申請的韓國專利申請10-2013-0088175的優(yōu)先權(quán)，及根據(jù)35U.S.C.§ 119法條所規(guī)定的所有權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用而合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式涉及制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。

【背景技術(shù)】
[0003]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備為包括有機(jī)發(fā)光器件的自發(fā)光型的顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光器件包括空穴注入電極、電子注入電極及空穴注入電極和電子注入電極之間的有機(jī)發(fā)光層，并且當(dāng)從空穴注入電極注出的空穴和從電子注入電極注出的電子在有機(jī)發(fā)光層中結(jié)合時產(chǎn)生激子，當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)落到基態(tài)時的發(fā)光。
[0004]作為自發(fā)光型顯示設(shè)備的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備不包括單獨(dú)的光源，以使可在低壓驅(qū)動所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，并可具有輕的重量和薄的厚度。此外，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備通常具有高級的特性，例如寬視角、高對比度、快響應(yīng)速度等。
[0005]在所述有機(jī)發(fā)光器件中，通常提供用于密封所述有機(jī)發(fā)光器件免受外部環(huán)境，例如氧氣、濕氣等損害的密封結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式包括制造具有改善的密封特性和簡單的密封過程的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。
[0007]其他的特性將在下面的【具體實(shí)施方式】中部分闡述并且將部分地從本公開中變得明顯，或者可以通過所描述的實(shí)施方式的實(shí)踐來領(lǐng)會。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法包括:在基板上提供有機(jī)發(fā)光部分；在所述基板上提供包括第一低溫粘度轉(zhuǎn)變(“LVT”)無機(jī)材料的第一無機(jī)層，以覆蓋所述有機(jī)發(fā)光部分；使用氟類材料將氟化物加入所述第一無機(jī)層中，以使所述第一無機(jī)層轉(zhuǎn)變成包括第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的第二無機(jī)層。
[0009]在示例性實(shí)施方式中，所述將氟化物加入所述第一無機(jī)層中可包括使用等離子體加工過程。
[0010]在示例性實(shí)施方式中，所述將氟化物加入所述第一無機(jī)層中可包括使用離子注入過程。
[0011]在示例性實(shí)施方式中，所述氟類材料可包括氟化硫(SF6)、氟化碳(CF4)或它們的組合。
[0012]在示例性實(shí)施方式中，所述第一 LVT無機(jī)材料可包括錫氧化物。
[0013]在示例性實(shí)施方式中，所述第一 LVT無機(jī)材料可包括錫氧化物(SnO)，并可進(jìn)一步包括磷氧化物(P2O5)、磷酸硼(BPO4)、銀氧化物(NbO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鈦(T12)、鶴氧化物(WO3)或它們的組合。
[0014]在示例性實(shí)施方式中，所述第二 LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可低于所述第一LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度。
[0015]在示例性實(shí)施方式中，所述第一無機(jī)層可包括磷酸錫玻璃(SnO-P2O5)。
[0016]在示例性實(shí)施方式中，所述第二無機(jī)層可包括磷酸氟化錫玻璃(SnO-P2O5-SnF2)。
[0017]在示例性實(shí)施方式中，所述基板可為柔性基板。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法包括:在基板上提供有機(jī)發(fā)光部分；在所述基板上提供包括第一 LVT無機(jī)材料的第一無機(jī)層，以覆蓋所述有機(jī)發(fā)光部分；使用氟類材料將氟化物加入所述第一無機(jī)層中，以使所述第一無機(jī)層轉(zhuǎn)變成包括第二 LVT無機(jī)材料的第二無機(jī)層；和通過在等于或高于所述第二 LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度的預(yù)定溫度下熱處理所述第二無機(jī)層而在所述第二無機(jī)層上進(jìn)行修復(fù)操作，以使所述第二無機(jī)層轉(zhuǎn)變成第三無機(jī)層。
[0019]在示例性實(shí)施方式中，可通過將氟化物摻雜到所述第一 LVT無機(jī)材料中或通過氟化物取代部分所述第一 LVT轉(zhuǎn)變無機(jī)材料而形成所述第二 LVT轉(zhuǎn)變無機(jī)材料。
[0020]在示例性實(shí)施方式中，所述預(yù)定溫度可低于所述有機(jī)發(fā)光部分的材料的變性溫度。
[0021 ] 在示例性實(shí)施方式中，可在真空氣氛或惰性氣體氣氛下進(jìn)行所述修復(fù)操作。
[0022]在示例性實(shí)施方式中，所述第一 LVT轉(zhuǎn)變無機(jī)材料可包括磷酸錫玻璃(SnO-P2O5)。
[0023]在示例性實(shí)施方式中，所述第三無機(jī)層可包括磷酸氟化錫玻璃(SnO-P2O5-SnF2)。
[0024]在示例性實(shí)施方式中，所述將氟化物加入所述第一無機(jī)層中可包括使用等離子體加工過程。
[0025]在示例性實(shí)施方式中，所述第二 LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可低于所述第一LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度。
[0026]在示例性實(shí)施方式中，所述第二 LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可低于所述有機(jī)發(fā)光部分中所包括的材料的變性溫度。
[0027]在示例性實(shí)施方式中，所述有機(jī)發(fā)光部分可包括多個有機(jī)發(fā)光器件，其中，每個所述有機(jī)發(fā)光器件都包括第一電極、第二電極和布置在所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]通過參照附圖詳細(xì)說明示例性實(shí)施方式，上述和其它特征將變得顯而易見，其中:
[0029]圖1至5B為闡明根據(jù)本發(fā)明的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的示例性實(shí)施方式的示意性截面視圖；和
[0030]圖6為圖5中的部分I的放大的截面視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031]將參照其中顯示本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的附圖更全面地說明本發(fā)明。但這些示例性實(shí)施方式可以多種不同形式體現(xiàn)，且不應(yīng)被理解為僅限于此處所述實(shí)施方式。更而且，提供以下實(shí)施方式以使本公開全面且完整，并將本發(fā)明的范圍充分告知本領(lǐng)域技術(shù)人員。全文中相同的附圖標(biāo)記均指代相同的元件。
[0032]應(yīng)理解的是當(dāng)稱一個元件或?qū)釉诹硪粋€元件或?qū)印吧稀?，或者“連接至”或“結(jié)合至IJ”另一個元件或?qū)訒r，所述元件或?qū)涌芍苯釉谒銎渌驅(qū)由?，或直接連接或結(jié)合到所述其它元件或?qū)樱蛘呖纱嬖谥虚g元件或?qū)?。相反，?dāng)稱一個元件直接在另一個元件或?qū)印吧稀?，或者“直接連接至”或“直接結(jié)合到”另一個元件或?qū)訒r，不存在中間元件或?qū)?。相似的?shù)字表示相似的元件。如此處所用，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)列出項(xiàng)目的任意和全部組合。
[0033]應(yīng)理解，雖然這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各個元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層、圖案和/或部分不應(yīng)限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，下面說明的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0034]如圖中所闡述的，為了易于說明一個元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系，可使用空間相關(guān)術(shù)語，例如“下方”、“下面”、“下部”、“上面”、“上部”等。應(yīng)理解，除了圖中所繪的取向，空間相關(guān)術(shù)語旨在涵蓋使用或操作中的裝置的不同的取向。例如，如果翻轉(zhuǎn)圖中的裝置，說明為在其它元件或特征“下面”或“下部”的元件則取向?yàn)槠渌蛱卣鞯摹吧厦妗?。因此，示例性術(shù)語“下面”可涵蓋上面和下面兩種取向。所述裝置可另外取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它方向)，并相應(yīng)地解釋文中使用的空間相對說明。
[0035]文中使用的術(shù)語僅為說明特定示例性實(shí)施方式的目的，而不旨在限制本發(fā)明的范圍。如文中使用，單數(shù)形式“一個(a)”、“一個(an)”和“所述(the) ”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚地表明。將進(jìn)一步理解，當(dāng)術(shù)語“包括(includes)”和/或“包括(including)”用在說明書中時，指定了所述特征、整件、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或多個其它特征、整件、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或增加。
[0036]考慮到有問題的測量和與具體值的測量相關(guān)的誤差(即測量體系的局限性)，文中使用的“約”或“大致”包括所述的值，并指在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員確定的針對具體的值偏差的可接受范圍內(nèi)。例如，“約”可指在一個或多個標(biāo)準(zhǔn)方差內(nèi)或在所述值的±30%、20%、10%、5% 之內(nèi)。
[0037]除非另外定義，文中使用的全部術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解的相同的意思。應(yīng)進(jìn)一步理解，除非文中明確定義，例如常用的詞典所定義的那些術(shù)語應(yīng)被解釋為具有與在現(xiàn)有技術(shù)的語境中它們的意思一致的意思，不應(yīng)理想化或過于正式地解釋。
[0038]文中參照示意性說明本發(fā)明的理想化的實(shí)施方式的橫截面的描述(中間結(jié)構(gòu))，描述本發(fā)明的實(shí)施方式。因此，作為例如制造技術(shù)和/公差的結(jié)果，預(yù)期偏離說明的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施方式不應(yīng)解釋為限于這里說明的區(qū)域的具體形狀，而是包括由例如制造產(chǎn)生的形狀的變化。例如，描述或說明為平的區(qū)域通?？删哂写植诘暮?或非線性特征。此外，描述的銳角可為圓形的。因此，圖中說明的區(qū)域在性質(zhì)上為示意性，并且它們的形狀不旨在限制文中說明的權(quán)利要求的范圍。
[0039]除非另外表示，或被語境另外清楚地表明，可以合適的順序執(zhí)行文中說明的全部方法。任何和全部實(shí)施例，或示例性語言(例如“譬如”)的使用，旨在僅用于更好地描述本發(fā)明，并不造成對本發(fā)明的范圍的限制，除非另外要求。如文中使用，說明書中語言不應(yīng)解釋表示對本發(fā)明的實(shí)踐必要的未要求保護(hù)的任何元件。
[0040]下文，將參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)地說明本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。
[0041]圖1、2A、和3至圖5A為闡明根據(jù)本發(fā)明的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10的方法的示例性實(shí)施方式的示意性截面視圖，并且圖6為圖5的部分I的放大的截面視圖。圖2B和圖5B分別為圖2A的部分A和圖5B的部分B的放大的視圖。
[0042]參照圖1，在制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的示例性實(shí)施方式中，提供了，例如在基板11上形成的有機(jī)發(fā)光部分13。
[0043]在一個示例性實(shí)施方式中，例如，基板11可為玻璃材料基板，但不限于此。在備選的示例性實(shí)施方式中，基板11可包括金屬或塑料。在該實(shí)施方式中，基板11可為可彎曲的柔性基板。
[0044]有機(jī)發(fā)光部分13用于顯示圖像。如圖6顯示，在示例性實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光部分13包括具有其中第一電極221、有機(jī)發(fā)光層220和第二電極222依次堆疊在基板11上的結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光器件0LED。在該實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光部分13可包括多個有機(jī)發(fā)光器件OLED0后面將參照圖6更詳細(xì)地說明有機(jī)發(fā)光部分13。
[0045]參照圖2A和圖2B，提供了，例如形成在有機(jī)發(fā)光部分13和基板11上的第一無機(jī)層16a。第一無機(jī)層16a基本完全覆蓋有機(jī)發(fā)光部分13,以使有機(jī)發(fā)光部分13被第一無機(jī)層16a和基板11密封。第一無機(jī)層16a包括第一低溫粘度轉(zhuǎn)變(“LVT”)無機(jī)材料。文中，LVT無機(jī)材料是指具有低的粘度轉(zhuǎn)變溫度的無機(jī)材料。
[0046]將理解，如文中使用的“粘度轉(zhuǎn)變溫度”不表示LVT無機(jī)材料的粘度完全從“固體”轉(zhuǎn)變成“液體”的溫度，而是表示為LVT無機(jī)材料提供流動性的最低溫度。
[0047]如下面描述，可通過在液化后固化而形成LVT無機(jī)材料，并且LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可低于有機(jī)發(fā)光部分13中所包括的材料的變性溫度。
[0048]將理解，文中使用的“有機(jī)發(fā)光部分13中所包括的材料的變性溫度”表示有機(jī)發(fā)光部分13中包括的材料的化學(xué)和/或物理變性溫度。例如，“有機(jī)發(fā)光部分13中所包括的材料的變性溫度”可表不包括在有機(jī)發(fā)光部分13的有機(jī)發(fā)光層220中的有機(jī)材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg?？赏ㄟ^例如使用熱重量分析(“TGA”)或差示掃描量熱法(“DSC”)JnTGA或DSC預(yù)定條件下使用TGA或DSC對有機(jī)發(fā)光部分13中所包括的材料進(jìn)行熱分析的結(jié)果而獲得玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg，并可易于被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員識別，所述預(yù)定條件例如為N2氣氛、一定溫段(對于TGA為正常溫度至約600°C (10°C /分鐘)，對于DSC為正常溫度至約400°C )、托盤類型(在TGA中為一次性鋁(Al)托盤中的鉬(Pt)托盤，在DSC中為一次性Al托盤)。
[0049]有機(jī)發(fā)光部分13中包括的材料的變性溫度可超過，例如約130°C，但不限于此。如上述，可通過對例如有機(jī)發(fā)光部分13中所包括的材料進(jìn)行TGA分析容易地測量有機(jī)發(fā)光部分13中所包括的材料的變性溫度。
[0050]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，第一 LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可等于或高于約80°C，例如可在約80°C至約130°C的范圍內(nèi)，但不限于此。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，對于第一 LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可在約80°C至約120°C的范圍內(nèi)，但不限于此。
[0051]在示例性實(shí)施方式中，第一 LVT無機(jī)材料可包括單個化合物或多個化合物的組合(例如混合物)。
[0052]在示例性實(shí)施方式中，第一 LVT無機(jī)材料可包括錫氧化物(例如SnO或SnO2)。
[0053]在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谝?LVT無機(jī)材料可包括SnO時，基于第一 LVT無機(jī)材料的總重量，SnO含量可在約20重量百分比(wt%)至約100wt%的范圍內(nèi)。
[0054]在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第一 LVT無機(jī)材料可進(jìn)一步包括磷氧化物(例如P2O5)、磷酸硼(BPO4)、氟化錫(例如SnF2)、鈮氧化物(例如NbO)、鎢氧化物(例如WO3)、氧化鋅(例如ZnO)、氧化鈦(例如T12)或它們的組合，但是不限于此。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，所述第一 LVT無機(jī)材料可包括磷酸錫玻璃(SnO-P2O5)。
[0055]在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第一 LVT無機(jī)材料可包括:SnO ；SnO和P2O5 ；SnO和 BPO4 ;SnO、P2O5 和 NbO ;或 SnO、P2O5 和 WO3,但不限于此。
[0056]在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第一 LVT無機(jī)材料可包括組合物，所述組合物包括 SnO (約 100wt%)、SnO (約 80wt%)和 P2O5 (約 20wt%)的混合物或 SnO (約 90wt%)和 BPO4 (約10wt%)的混合物,但不限于此。這里，wt%基于第一 LVT無機(jī)材料的總重量。
[0057]在一個示例性實(shí)施方式中，第一無機(jī)層16a的厚度可在約I微米(μ m)至約30 μ m的范圍內(nèi)。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第一無機(jī)層16a的厚度可在約Ιμπι至約5μπι的范圍內(nèi)。在該實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谝粺o機(jī)層16a的厚度滿足約Iym至約5 μ m時,有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可為具有彎曲特性的柔性有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
[0058]在一個示例性實(shí)施方式中，可通過電阻加熱氣相沉積、濺射。真空氣相沉積、低溫氣相沉積、電子束涂布、離子電鍍或它們的組合形成第一無機(jī)層16a。
[0059]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，可通過等離子體化學(xué)氣相沉積(“PCVD”)或等離子體離子輔助沉積(“PIAD”)形成第一無機(jī)層16a。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，可通過以使用直流電(“DC”)脈沖能源的雙旋轉(zhuǎn)靶方法或面對靶的方法在有機(jī)發(fā)光部分13上派射LVT無機(jī)材料以提供第一無機(jī)層16a。在不例性實(shí)施方式中，可使用等離子體以真空沉積方法或大氣沉積方法產(chǎn)生第一無機(jī)層16a。
[0060]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，當(dāng)形成第一無機(jī)層16a時，可使用在移動基板11的同時掃描的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個不例性實(shí)施方式，當(dāng)沉積第一無機(jī)層16a時，可通過調(diào)節(jié)氧氣注入容量而改變LVT材料的組成。
[0061]在該實(shí)施方式中，如圖2B顯示，第一無機(jī)層16a可包括缺陷，例如LVT無機(jī)材料沉積成分162和針孔161。LVT無機(jī)材料沉積成分162表示其中凝聚了未有助于LVT無機(jī)材料的沉積的LVT無機(jī)材料的顆粒，并且小孔161表示其中沒有LVT無機(jī)材料的空的區(qū)域。LVT無機(jī)材料沉積元素162的存在可有助于小孔161的存在。
[0062]參照圖3和圖4，通過例如將氟化物摻雜到第一無機(jī)層16a中而提供第二無機(jī)層16b。
[0063]在不例性實(shí)施方式中，將圖3中顯不的其上包括有第一無機(jī)層16a的基板11插入等離子體室，其中氟類材料為等離子體狀態(tài)，然后可進(jìn)行等離子體氟化過程。在該實(shí)施方式中，氟化物以氟原子(F)、氟離子(F+*F_)、或亞穩(wěn)態(tài)的氟原子(F*)存在。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，氟類材料可包括氟化硫(SF6)和氟化碳(CF4)的至少一種。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，氟類材料可包括sf6、CF4或它們的組合。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，氟類材料可與惰性氣體，例如氬(Ar) —起使用。
[0064]在備選的示例性實(shí)施方式中，可進(jìn)行將氟離子注入第一無機(jī)層16a中的離子注入過程。
[0065]在其中基板11為柔性基板的示例性實(shí)施方式中，可以卷對卷過程進(jìn)行該氟化物處理過程。
[0066]在該過程中，第一無機(jī)層16a的小孔161可提供使氟化物大幅地深深浸潤在第一無機(jī)層16a中的路徑。因此，包括在第一無機(jī)層16a中的第一 LVT無機(jī)材料可轉(zhuǎn)變成包括氟化物的第二 LVT無機(jī)材料。在該實(shí)施方式中，第二 LVT無機(jī)材料可為氟化物摻雜或氟化物取代的，即通過將氟化物摻雜至第一 LVT無機(jī)材料中或通過用氟化物取代部分第一 LVT無機(jī)材料而形成第二 LVT無機(jī)材料。在該實(shí)施方式中，第二 LVT無機(jī)材料可形成為參照用氟化物進(jìn)一步摻雜的第一 LVT無機(jī)材料所說明的組合物。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施方式，第二無機(jī)層16b可包括磷酸氟化錫玻璃(SnO-P2O5-SnF2)。
[0067]在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第二 LVT無機(jī)材料可包括:SnO和SnF2的混合物；SnO、SnF2和P2O5的混合物；SnO、SnF2和BPO4的混合物；SnO、SnF2、P2O5和NbO的混合物；或SnO、SnF2、P2O5和WO3的混合物，但不限于此。
[0068]第二 LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可低于第一 LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度。
[0069]通常，包括氟化物的LVT無機(jī)材料具有比無氟化物的LVT無機(jī)材料更低的粘度轉(zhuǎn)變溫度。當(dāng)LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度低時，當(dāng)用LVT無機(jī)材料密封有機(jī)發(fā)光部分13時，有機(jī)發(fā)光部分13可不被損壞。
[0070]因此，當(dāng)在真空沉積方法，例如氣相沉積、濺射等中形成包括氟化物的LVT無機(jī)材料時，如果在沉積中升高溫度，由于具有低熔點(diǎn)的LVT無機(jī)材料的化合物，例如SnF2等首先熔化，可有效地進(jìn)行均勻地沉積。
[0071]此外，當(dāng)產(chǎn)生包括氟化物的用于LVT的無機(jī)材料的濺射靶時，可在高溫進(jìn)行燒結(jié)等工藝，從而熔化LVT無機(jī)材料的化合物，例如SnF2等。
[0072]在示例性實(shí)施方式中，可在等離子體氟化物處理過程中提供包括的氟化物的第二LVT無機(jī)材料，以便可簡化產(chǎn)生包括氟化物的第二 LVT無機(jī)材料的過程，并且可解決上述問題。
[0073]參照圖5A，通過修復(fù)操作，例如通過熱處理所述第二無機(jī)層16b而提供第三無機(jī)層16c。在備選的實(shí)施方式中，可省略修復(fù)操作。
[0074]在等于或高于包括在第二無機(jī)層16b中所包括的第二 LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度的溫度下進(jìn)行修復(fù)操作。可在不損壞有機(jī)發(fā)光部分13的溫度下進(jìn)行修復(fù)操作。在一個示例性實(shí)施方式中，例如可通過在等于或高于第二 LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度并低于有機(jī)發(fā)光部分13中所包括的材料的變性溫度的溫度下熱處理第二無機(jī)層16b而進(jìn)行修復(fù)操作?！暗诙?LVT無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度”可根據(jù)第二 LVT無機(jī)材料的組成而變化，并且“有機(jī)發(fā)光部分13中所包括的材料的變性溫度”可根據(jù)有機(jī)發(fā)光部分13中使用的材料而變化，但應(yīng)理解，可易于從第二 LVT無機(jī)材料的組成和用在有機(jī)發(fā)光部分13中的材料的組分而得出該溫度。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，可通過評估從有機(jī)發(fā)光部分所包括的材料的TGA結(jié)果所得出的有機(jī)材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg而得到該溫度。
[0075]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，可在約80°C至約130°C的溫度范圍內(nèi)通過熱處理所述第二無機(jī)層16b約I個小時至3個小時(例如在100°C下2個小時)而進(jìn)行修復(fù)操作，但不限于此。當(dāng)修復(fù)操作的溫度在上述范圍內(nèi)時，第二無機(jī)層16b中所包括的第二 LVT無機(jī)材料可而被液化，并且可有效防止有機(jī)發(fā)光部分13的變性。
[0076]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，可在真空氣氛或惰性氣氛(例如N2氣氛、Ar氣氛等)在紅外線(“IR”)烘箱中進(jìn)行修復(fù)操作。
[0077]第二無機(jī)層16b仍可包括缺陷，例如沉積元素(未顯示)和小孔(未顯示)。
[0078]在修復(fù)操作中，可在第二無機(jī)層16b的小孔中填充液化的第二 LVT無機(jī)材料，或者可液化所述沉積元素并填充在小孔中。在熱處理后，當(dāng)溫度降低時，液化的第二 LVT無機(jī)材料被再次轉(zhuǎn)變成固相。
[0079]結(jié)果，如圖5B顯示，可有效地消除第二無機(jī)層16b的缺陷，從而提供具有精細(xì)的膜質(zhì)量的第三無機(jī)層16c。
[0080]圖6為圖5的部分的放大的截面視圖。
[0081]參照圖6，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10的示例性實(shí)施方式可包括基板11、緩沖層211、薄膜晶體管TR、有機(jī)發(fā)光器件0LED、像素限定層219和第三無機(jī)層16c。
[0082]在一個示例性實(shí)施方式中，例如，基板11可為玻璃材料基板，但不限于此。在替代的示例性實(shí)施方式，基板11可為金屬或塑料基板。在示例性實(shí)施方式中，基板11可為可彎曲的柔性基板。
[0083]緩沖層211可有效地防止在基板11的上表面上的雜質(zhì)離子的擴(kuò)散，有效地防止?jié)駳饣蛲獠靠諝?open air)的滲透，并有效地使它的表面平面化。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，緩沖層211可包括:無機(jī)材料，例如硅氧化物、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦等；有機(jī)材料，例如聚酰亞胺、聚酯、亞克力等或它們的組合。在備選的示例性實(shí)施方式中，可省略緩沖層211。
[0084]薄膜晶體管TR可包括有源層212、柵極214、源極216和漏極217。柵絕緣層213被插入有源層212和柵極214之間，以使它們之間絕緣。
[0085]可在緩沖層211上提供有源層212。有源層212可包括:無機(jī)半導(dǎo)體，例如非晶硅或多晶硅；或有機(jī)半導(dǎo)體。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，有源層212可包括氧化物半導(dǎo)體。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，所述氧化物半導(dǎo)體可包括12族、13族或14族的金屬元素，例如(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)、鍺(Ge)或鉿(Hf)或它們的氧化物。
[0086]在緩沖層211上提供柵絕緣層213，并且柵絕緣層213覆蓋有源層212，并在柵絕緣層213上提供柵極214。
[0087]在該實(shí)施方式中，可在柵絕緣層213上提供中間層絕緣層215，以覆蓋柵極214，并且可在中間層絕緣層215上提供源極216和柵極217，源極216和柵極217通過相應(yīng)的接觸孔接觸有源層212，所述接觸孔穿過柵絕緣層213和中間層絕緣層215而形成。
[0088]在示例性實(shí)施方式中，薄膜晶體管TR的結(jié)構(gòu)不限于具體的結(jié)構(gòu)，而是可具有各自結(jié)構(gòu)。在一個示例性實(shí)施方式中，如圖6顯示，例如，薄膜晶體管TR可具有頂柵結(jié)構(gòu)。在備選的實(shí)施方式中，薄膜晶體管TR可具有底柵結(jié)構(gòu)，其中柵極214布置在有源層212的下面。
[0089]可在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10中與薄膜晶體管TR—起提供包括電容器的像素電路(未顯示)。
[0090]在示例性實(shí)施方式中，可在中間絕緣層215上提供覆蓋包括所述薄膜晶體管TR的像素電路的平面化層218。平面化層218可作用為去除水平差異，并使所述像素電路平面化，以增加其上提供的有機(jī)發(fā)光器件OLED的發(fā)光效率。
[0091]平面化層218可包括無機(jī)材料和/或有機(jī)材料。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，平面化層218可包括光致抗蝕劑、丙烯醛基聚合物、聚酰亞胺類聚合物、聚酰胺類聚合物、硅氧烷類聚合物、包括光敏丙烯酸基的聚合物、酚醛清漆樹脂、堿溶性樹脂、硅氧化物、氮化娃、氮氧化娃、碳氧化娃、碳氮化娃、招(Al)、鎂(Mg)、Zn、Hf、錯(Zr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿、氧化鋯或它們的組合。
[0092]在平面化層218上布置有機(jī)發(fā)光器件0LED，并且所述有機(jī)發(fā)光器件OLED包括第一電極221、有機(jī)發(fā)光層220和第二電極222。像素限定層219被布置在平面化層218和第一電極221上，并限定有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10的像素區(qū)域和非像素區(qū)域。
[0093]有機(jī)發(fā)光層220可包括低分子有機(jī)材料或高分子有機(jī)材料。在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)有機(jī)發(fā)光層220包括低分子有機(jī)材料時，有機(jī)發(fā)光層220可包括可彼此堆疊的空穴注入層(“HIL”)、空穴傳輸層(“HTL”)、發(fā)光層(“EML”)、電子傳輸層(“ETL”)、電子注入層(“EIL”)等，每種可具有單層結(jié)構(gòu)或例如多層結(jié)構(gòu)的復(fù)合結(jié)構(gòu)?？墒褂谜婵粘练e方法提供所述低分子有機(jī)材料。在該實(shí)施方式中，可為每個紅色(“R”)、綠色(“G”)和藍(lán)色(“B”)的像素獨(dú)立地提供EML，并且HIL、HTL、ETL、EIL等(為像素的共同的層)可共同或同時提供給R、G和B像素。
[0094]在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)有機(jī)發(fā)光層220包括高分子有機(jī)材料時，除了 EML，有機(jī)發(fā)光層220可在基于EML的第一電極221的方向上僅包括HTL。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，可使用聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(“PED0T”)、聚苯胺(“PANI”)等以噴墨印刷或旋涂方法在第一電極221上提供HTL。在該實(shí)施方式中，高分子有機(jī)材料可為聚苯撐乙烯撐(“PPV”)類、聚芴類等，并可通過例如噴墨印刷、旋涂、使用激光的熱轉(zhuǎn)印等提供彩色圖案，本領(lǐng)域技術(shù)人員可不需要過多的實(shí)驗(yàn)而確定它們的細(xì)節(jié)。
[0095]在示例性實(shí)施方式中，HIL可包括例如銅酞菁(“CuPc”)等的酞菁化合物或者例如4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(“m-MTDATA”)、1，3，5-三[4-(3-甲基苯基苯基氨基)苯基]苯(“m-MTDAPB”)等的星芒型胺(starburst-type amine)形成。
[0096]在備選的示例性實(shí)施方式中，HTL可包括N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-[1，1-聯(lián)苯基]-4，4’-二胺(“TPD”)、N，N’_:(萘 _1_ 基)-N，N’- 二苯基聯(lián)苯胺(“ a -NPD”)等。
[0097]在示例性實(shí)施方式中，可使用例如氟化鋰(LiF)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)、8_羥基喹啉合鋰(Liq)等材料提供EIL。
[0098]在示例性實(shí)施方式中，可使用三(8-羥基喹啉)鋁(“Alq3”)提供ETL。
[0099]在示例性實(shí)施方式中，EML可包括主體材料和摻雜材料。
[0100]在該實(shí)施方式中，EML的主體材料可包括例如Alq3、9，10-二(萘_2_基)蒽(“AND”)、3_ 叔丁基-9，10- 二(萘-2-基)蒽(“TBADN”)、4，4’ -雙(2，2- 二苯基-乙烯-1-基)-4，4’-二甲基苯(“DPVBi ”)、4，4，-雙(2，2-二苯基-乙烯-1-基)-4，4’- 二甲基苯 Cip-DMDPVBi ”)、叔(9，9- 二芳基芴)(“TDAF”)、2_ (9，9’ -螺二芴 _2_ 基)-9，9’ -螺二芴(“BSDF”)、2，7-雙(9，9’ -螺二芴-2-基)-9，9’ -螺二芴(“TSDF”)、雙(9，9- 二芳基芴)(“BDAF”)、4，4，-雙(2，2- 二苯基-乙烯-1-基)_4，4’ - 二 -(叔丁基)苯(“p-TDPVBi ”)、1，3_ 雙(咔唑-9-基)苯(“mCP”)、l，3，5-三(咔唑 _9_ 基)苯(“tCP”)、TcTa、4, 4’-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(“CBP”)、4，4’-雙(9-咔唑基)-2，2’-二甲基聯(lián)苯(“CBDP”)、4，4’-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基芴(“DMFL-CBP”)、4，4’_ 雙(咔唑-9-基)-9，9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(“FL-4CBP”)、4，4’ -雙(咔唑-9-基)-9，9- 二甲苯基芴(“DPFL-CBP”)、9，9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(“FL-2CBP” )等。
[0101]在該實(shí)施方式中，EML的摻雜材料可包括例如4，4’ -雙[4_( 二-對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(“DPAVBi” )、9，10- 二(萘-2-基)蒽(“AND” )、TBADN 等。
[0102]第一電極221被布置在平面化層218上，并可通過由平面化層218限定的通孔208電連接至薄膜晶體管TR的漏極217。
[0103]在示例性實(shí)施方式中，第一電極221可作用為陽極，并且第二電極222可作用為陰極，但不限于此。在備選的示例性實(shí)施方式中，第一電極221可作用為陰極，并且第二電極222可作用為陽極。
[0104]在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谝浑姌O221作用為陽極時，第一電極221可包括具有大功函的氧化銦錫(“ΙΤ0”)、氧化銦鋅(“ΙΖ0”)、氧化鋅(“ZnO”)、氧化銦(In2O3)等。在示例性實(shí)施方式中，其中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10為在與基板11相反的方向顯示圖像的頂發(fā)光類型，第一電極221可進(jìn)一步包括含有例如銀(Ag)、鎂(Mg)、Al、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)'L1、鐿(Yb)、鈣(Ca)等的反射層。所述反射層可包括上述金屬的組合。第一電極221可具有含有上述金屬和/或合金的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，第一電極221可包括作為反射電極的IT0/Ag/IT0結(jié)構(gòu)。
[0105]在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙姌O222作用為陰極時，第二電極222可包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、Li或Ca的金屬。在示例性實(shí)施方式中，其中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10為頂發(fā)光類型,第二電極222可為可透光的(photo-transmissible)。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，第二電極222可包括透明導(dǎo)電氧化物，例如ΙΤ0、ΙΖ0、氧化鋅錫(“ΖΤ0” )、ZnO、In2O3 等。
[0106]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，第二電極222可包括含L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、Yb或它們的組合的薄膜。在一個示例性實(shí)施方式中，例如，第二電極222可形成在包括Mg:Ag、Ag:Yb和/或Ag的單層或多層結(jié)構(gòu)中。在示例性實(shí)施方式中，為每個像素提供的第二電極222可彼此連接，以在全部的像素上施加共同的電壓。
[0107]像素限定層219具有暴露第一電極221的孔，并限定有機(jī)發(fā)光器件OLED的像素區(qū)域和非像素區(qū)域。在該實(shí)施方式中，像素限定層219可具有多個對應(yīng)于多個像素區(qū)域的開口。第一電極221、有機(jī)發(fā)光層220和第二電極222在像素限定層219的開口中依次堆疊，從而使有機(jī)發(fā)光層220發(fā)光。在該實(shí)施方式中，其中提供像素限定層219的部分基本為非像素區(qū)域，并且像素限定層219的開口基本為像素區(qū)域。
[0108]在包括多個開口的示例性實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10可包括多個對應(yīng)于被所述開口限定的多個像素或像素區(qū)域的有機(jī)發(fā)光器件0LED。在該實(shí)施方式中，每個有機(jī)發(fā)光器件OLED可對應(yīng)于多個像素中的每個像素，并且每個像素可顯示紅色、綠色、藍(lán)色或白色。
[0109]在備選的示例性實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10可包括為了基本覆蓋平面化層218的整個表面而提供的單個有機(jī)發(fā)光層220，而不考慮每個像素的位置。在該實(shí)施方式中，可通過垂直地堆疊或混合包括發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光或其它顏色的光的組合的材料的層而提供有機(jī)發(fā)光層220以發(fā)射白光。在該實(shí)施方式中，可進(jìn)一步包括可將發(fā)射的白光轉(zhuǎn)換成預(yù)定顏色的顏色轉(zhuǎn)換層或?yàn)V色片。
[0110]保護(hù)層223可被布置在有機(jī)發(fā)光器件OLED和像素限定層219上，并可覆蓋并保護(hù)有機(jī)發(fā)光器件0LED。保護(hù)層223可包括無機(jī)絕緣層和/或有機(jī)絕緣層。在該實(shí)施方式中，無機(jī)絕緣層可包括例如硅氧化物(S12)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(S1N)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(T12)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鉿(HfO2)、氧化錯(ZrO2)、鈦酸銀鋇(“BST”)、錯鈦酸鉛(“PZT”)或它們的組合。在該實(shí)施方式中，有機(jī)絕緣層可包括常用的聚合物(例如聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰基聚合物、酰亞胺類聚合物、芳基醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物或它們的混合物。可通過各種氣相沉積方法，例如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(“PECVD”)方法、大氣壓化學(xué)氣相沉積(“APCVD”)方法、低壓化學(xué)氣相沉積(“LPCVD”)方法等沉積保護(hù)層223。
[0111]如上述，第三無機(jī)層16c被布置在有機(jī)發(fā)光器件OLED上，以有效防止外部氧氣和濕氣滲透所述有機(jī)發(fā)光器件OLED。在示例性實(shí)施方式中，第三無機(jī)層16c具有比第一無機(jī)層16a更低的LVT溫度，并且從而當(dāng)密封有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10時基本使有機(jī)發(fā)光器件OLED的變性最小化。
[0112]如文中使用，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實(shí)施方式，制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法可包括在密封有機(jī)發(fā)光部分的過程中，將氟組分加入LVT無機(jī)材料中的過程，而不需要產(chǎn)生單獨(dú)的濺射靶。因此，可大幅簡化所述方法。
[0113]在該實(shí)施方式中，可用具有低粘度轉(zhuǎn)變溫度的LVT無機(jī)材料密封所述有機(jī)發(fā)光部分，以使所述有機(jī)發(fā)光部分的變性可被有效地最小化。
[0114]應(yīng)理解的是這里描述的示例性實(shí)施方式僅從說明的意義上考慮，而非限制的目的。在每個實(shí)施方式內(nèi)的特征或方面的說明通常應(yīng)被認(rèn)為是對其它實(shí)施方式中的其它相似的特性或方面是有效的。
[0115]雖然已經(jīng)參照【專利附圖】

【附圖說明】了一個或多個示例性實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解其中可作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變，而不會背離由以下權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括: 在基板上提供有機(jī)發(fā)光部分； 在所述基板上提供包括第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的第一無機(jī)層，以覆蓋所述有機(jī)發(fā)光部分；和 使用氟類材料將氟化物加入所述第一無機(jī)層中，以使所述第一無機(jī)層轉(zhuǎn)變成包括第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的第二無機(jī)層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述將氟化物加入所述第一無機(jī)層中包括使用等離子體加工過程。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述將氟化物加入所述第一無機(jī)層中包括使用離子注入過程。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述氟類材料包括氟化硫SF6、氟化碳CF4或它們的組合。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料包括錫氧化物。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料包括錫氧化物SnO,并進(jìn)一步包括磷氧化物P2O5、磷酸硼B(yǎng)PO4、鈮氧化物NbO、氧化鋅ZnO、氧化鈦T12、鎢氧化物WO3或它們的組合。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度低于所述第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一無機(jī)層包括磷酸錫玻璃Sn0-P205。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二無機(jī)層包括磷酸氟化錫玻璃SnO-P2O5-SnF2。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基板為柔性基板。
11.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括: 在基板上提供有機(jī)發(fā)光部分； 在所述基板上提供包括第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的第一無機(jī)層，以覆蓋所述有機(jī)發(fā)光部分； 使用氟類材料將氟化物加入所述第一無機(jī)層中，以使所述第一無機(jī)層轉(zhuǎn)變成包括第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的第二無機(jī)層；和 通過在等于或高于所述第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度的預(yù)定溫度下熱處理所述第二無機(jī)層而在所述第二無機(jī)層上進(jìn)行修復(fù)操作，以使所述第二無機(jī)層轉(zhuǎn)變成第三無機(jī)層。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，通過將氟化物摻雜到所述第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料中或用氟化物取代部分所述第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料而形成所述第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述預(yù)定溫度低于所述有機(jī)發(fā)光部分的材料的變性溫度。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，在真空氣氛或惰性氣體氣氛下進(jìn)行所述修復(fù)操作。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料包括磷酸錫玻璃 SnO-P2O5。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第三無機(jī)層包括磷酸氟化錫玻璃SnO-P2O5-SnF2。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述將氟化物加入所述第一無機(jī)層中包括使用等離子體加工過程。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度低于所述第一低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度。
19.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第二低溫粘度轉(zhuǎn)變無機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度低于所述有機(jī)發(fā)光部分的材料的變性溫度。
20.如權(quán)利要求11所述的方法，其中， 所述有機(jī)發(fā)光部分包括多個有機(jī)發(fā)光器件， 其中，每個所述有機(jī)發(fā)光器件包括第一電極、第二電極和布置在所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層。
【文檔編號】H01L51/52GK104347666SQ201410085408
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年3月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月25日
【發(fā)明者】崔宰赫 申請人:三星顯示有限公司