晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)以及測(cè)試方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法，測(cè)試結(jié)構(gòu)包括測(cè)試機(jī)臺(tái)，串聯(lián)于待測(cè)晶體管的源極與漏極之間，用于產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)，并測(cè)量待測(cè)晶體管源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容；偏置電壓源，與待測(cè)晶體管的柵極耦接，用于使待測(cè)晶體管保持關(guān)閉狀態(tài)；以及第一電阻，串聯(lián)于待測(cè)晶體管的柵極與偏置電壓源之間，用于使測(cè)試機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)流向源極。測(cè)試方法包括：提供待測(cè)晶體管；在待測(cè)晶體管的源極和漏極之間設(shè)置測(cè)試機(jī)臺(tái)；通過(guò)測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)量源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容；在待測(cè)晶體管的柵極上耦接偏置電壓源；在柵極與偏置電壓源之間串聯(lián)第一電阻，用于使測(cè)試機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)流向源極。本發(fā)明能在測(cè)試過(guò)程中使得晶體管的關(guān)態(tài)電容更接近真實(shí)值。
【專利說(shuō)明】晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)以及測(cè)試方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)以及測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]為了檢驗(yàn)制得的晶體管是否符合設(shè)計(jì)規(guī)范，并達(dá)到預(yù)期的效能，本領(lǐng)域技術(shù)人員需要對(duì)這些晶體管進(jìn)行相應(yīng)的測(cè)試。
[0003]例如，在射頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，關(guān)態(tài)電容(Coff)是考量器件隔離特性的重要參數(shù)。關(guān)態(tài)電容越小則說(shuō)明隔離度越好，也就是說(shuō)射頻開(kāi)關(guān)在關(guān)斷時(shí)的隔離信號(hào)的能力越強(qiáng)。
[0004]關(guān)斷電容主要包括漏極與體區(qū)的結(jié)電容、源極與體區(qū)的結(jié)電容，柵極與漏極覆蓋區(qū)域的電容、柵極與源極覆蓋區(qū)域的電容，以及體區(qū)與柵之間的耦合電容。
[0005]參考圖1所示為現(xiàn)有的測(cè)量晶體管源極32與漏極31之間的關(guān)態(tài)電容的電路示意圖，此時(shí)晶體管的襯底為懸浮狀態(tài)(body floating)。在測(cè)量時(shí)，在晶體管的源極32與漏極31之間連接測(cè)試機(jī)臺(tái)40，并以所述A、B兩端之間的電容值作為晶體管30的源極32與漏極31之間的關(guān)態(tài)電容。
[0006]同理，參考圖2為在晶體管的襯底單獨(dú)引出并接地(body contact)的情況下，現(xiàn)有的測(cè)量源極12與漏極11之間電容的電路示意圖，同樣的，將測(cè)試機(jī)臺(tái)20連接在晶體管10的源極12與漏極11之間，并以所述A'、B'兩端之間的電容值作為晶體管10的源極12與漏極11之間的關(guān) 態(tài)電容。
[0007]一般情況下，晶體管源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容可以等效于圖3所示的電路圖。圖3中的E、F兩端分別表示圖1中的A、B兩端，或者圖2中的A'、B'兩端，圖3中的電容C1至C5分別表示晶體管30中柵極33與漏極31、襯底與漏極31、柵極33與襯底、柵極33與源極32以及襯底與源極32之間的電容，而上述的電容C1至C5的總和為晶體管源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容。也就是說(shuō)，所述的測(cè)試機(jī)臺(tái)將測(cè)試得到的C1至C5的總和作為晶體管的源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容。
[0008]但是，由于在實(shí)際測(cè)量過(guò)程中晶體管的柵極需要加載偏壓，也就是說(shuō)，加在漏極上的測(cè)試信號(hào)有一部分從柵極的接地端流出，導(dǎo)致到達(dá)源極的測(cè)試信號(hào)發(fā)生變化，也就是說(shuō)，實(shí)際測(cè)得的晶體管源極與漏極之間的電容不再是圖3中示出的等效電路，因而與需要測(cè)得的關(guān)態(tài)電容存在較大差距。
[0009]因此，如何盡量準(zhǔn)確的測(cè)得晶體管源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容大小，以便于后期布置電路時(shí)針對(duì)晶體管的特性進(jìn)行相應(yīng)的布局或者調(diào)整，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)以及測(cè)試方法，以提高晶體管源極與漏極之間關(guān)態(tài)電容的測(cè)試準(zhǔn)確度。
[0011]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括:[0012]測(cè)試機(jī)臺(tái)，串聯(lián)于待測(cè)晶體管的源極與漏極之間，用于產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)，并測(cè)量所述待測(cè)晶體管源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容；
[0013]偏置電壓源，與所述待測(cè)晶體管的柵極耦接，用于使所述待測(cè)晶體管保持關(guān)閉狀態(tài)；
[0014]以及:
[0015]第一電阻，串聯(lián)于所述待測(cè)晶體管的柵極與所述偏置電壓源之間，用于使測(cè)試機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)流向源極。
[0016]可選的，所述測(cè)試機(jī)臺(tái)包括:信號(hào)源，用于產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)；信號(hào)發(fā)送端，用于將所述信號(hào)源產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)發(fā)送至所述待測(cè)晶體管；信號(hào)接收端，用于接收流經(jīng)所述待測(cè)晶體管的測(cè)試信號(hào)。
[0017]可選的，所述待測(cè)晶體管的漏極與所述信號(hào)發(fā)送端連接，所述待測(cè)晶體管的源極與所述信號(hào)接收端連接。
[0018]可選的，所述信號(hào)源產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)源為交流信號(hào)。
[0019]可選的，所述待測(cè)晶體管的襯底單獨(dú)引出并接于地端；所述測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括--第二電阻，所述第二電阻串聯(lián)于所述待測(cè)晶體管的襯底與地端之間。
[0020]可選的，所述第一電阻或者第二電阻的電阻值不小于50K歐姆。
[0021 ] 可選的，所述 偏置電壓源為直流偏置電壓源。
[0022]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種晶體管的測(cè)試方法，包括:
[0023]提供待測(cè)晶體管；
[0024]在所述待測(cè)晶體管的源極和漏極之間設(shè)置測(cè)試機(jī)臺(tái)；通過(guò)所述測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)量所述源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容；
[0025]在所述待測(cè)晶體管的柵極上耦接偏置電壓源；
[0026]在所述柵極與偏置電壓源之間串聯(lián)第一電阻，用于使測(cè)試機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)流向源極。
[0027]可選的，提供待測(cè)晶體管的步驟包括，將所述待測(cè)晶體管的襯底單獨(dú)引出并接于地端，并在所述襯底與地端之間串聯(lián)第二電阻。
[0028]可選的，所述第一電阻或者第二電阻的電阻值不小于50K歐姆。
[0029]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0030]通過(guò)在所述待測(cè)晶體管的柵極與地端之間串聯(lián)所述第一電阻，使所述測(cè)試機(jī)臺(tái)輸出的測(cè)試信號(hào)基本不會(huì)經(jīng)由柵極流出，而是使測(cè)試信號(hào)流向源極。這樣能夠使測(cè)試機(jī)臺(tái)較為準(zhǔn)確地測(cè)量出所述源極與柵極之間的電容，進(jìn)而測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)得的所述待測(cè)晶體管的柵極與源極之間的電容值更加接近待測(cè)晶體管本身的關(guān)態(tài)電容。
[0031]進(jìn)一步，當(dāng)所述待測(cè)晶體管的襯底接地時(shí)，通過(guò)在襯底與地之間串聯(lián)所述第二電阻，使得所述信號(hào)源的測(cè)試信號(hào)基本不會(huì)直接經(jīng)由所述襯底的接地端流出，而是從襯底流向所述待測(cè)晶體管的源極，使晶體管的襯底與所述源極之間、襯底與漏極之間以及襯底與柵極之間的結(jié)電容能夠被測(cè)試機(jī)臺(tái)準(zhǔn)確地測(cè)量到，從而使所述測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)得的待測(cè)晶體管的源極以及漏極之間的關(guān)態(tài)電容值更加接近真實(shí)值。
[0032]進(jìn)一步，使所述第一電阻以及所述第二電阻的電阻值不小于50K歐姆，可以使所述信號(hào)源所產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)基本不從所述待測(cè)晶體管的柵極以及襯底流出?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1以及圖2是現(xiàn)有的測(cè)試晶體管源極與漏極之間電容采用的電路示意圖；
[0034]圖3是一般情況下晶體管源極與漏極之間關(guān)態(tài)電容的等效電路圖；
[0035]圖4是本發(fā)明晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的電路示意圖；
[0036]圖5是本發(fā)明晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的電路示意圖；
[0037]圖6是本發(fā)明晶體管的測(cè)試方法一實(shí)施例的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]由于現(xiàn)有的測(cè)量晶體管源極與漏極之間關(guān)態(tài)電容的方法需要在晶體管的柵極連接偏置電壓源，從而導(dǎo)致一側(cè)分測(cè)試信號(hào)直接從柵極流出，導(dǎo)致源極與漏極之間的電容不能被完全的體現(xiàn)，使測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)得的源極與漏極之間的電容與圖3中所示的晶體管源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容等效電路之間存在較大差距，進(jìn)而不能盡量準(zhǔn)確的得到晶體管的源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容的真實(shí)值。
[0039]為了解決所述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)。參考圖4為本發(fā)明晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的電路示意圖。本第一實(shí)施例測(cè)試以襯底懸浮(也就是bodyfloating)時(shí)的晶體管的源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容為例，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括:
[0040]測(cè)試機(jī)臺(tái)(圖中未標(biāo)出)，串聯(lián)于待測(cè)晶體管300的源極320與漏極310之間，用于產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)，并測(cè)量所述待測(cè)晶體管300源極320與漏極310之間的關(guān)態(tài)電容；
[0041]偏置電壓源200，與所述待測(cè)晶體管300的柵極330耦接，用于使所述待測(cè)晶體管300保持關(guān)閉狀態(tài)；
[0042]以及:
[0043]第一電阻400，串聯(lián)于所述待測(cè)晶體管300的柵極330與所述偏置電壓源200之間，用于使測(cè)試機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)基本流向源極320。
[0044]結(jié)合參考圖3，通過(guò)所述的第一電阻400減小測(cè)試機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)經(jīng)過(guò)柵極330的幾率，從而可以使測(cè)試機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)基本不再經(jīng)過(guò)柵極330，而是改為流向源極320，也就是說(shuō)，所述第一電阻400可以改變測(cè)試信號(hào)的流向，使原本從柵極330流出的部分測(cè)試信號(hào)改為由源極320流出，從而可以在測(cè)試過(guò)程中使源極320與柵極330之間的電容在測(cè)試時(shí)能夠得到較完整的體現(xiàn)，進(jìn)而使所述測(cè)試機(jī)臺(tái)能夠更加準(zhǔn)確的測(cè)到通過(guò)柵極330與源極320之間的電容，最終使得測(cè)試機(jī)臺(tái)所測(cè)得的晶體管300源極320與漏極310之間的電容與圖3中的等效電路更加接近，也就是說(shuō)更加接近真實(shí)值。
[0045]在本實(shí)施例中，所述測(cè)試機(jī)臺(tái)包括:
[0046]信號(hào)源100，所述信號(hào)源100用于產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)，串聯(lián)于所述待測(cè)晶體管300的源極320與漏極310之間；
[0047]信號(hào)發(fā)送端(圖未示)，用于將所述信號(hào)源100產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)發(fā)送至所述待測(cè)晶體管300，在本實(shí)施例中，所述信號(hào)發(fā)送端與待測(cè)晶體管300的漏極310連接；
[0048]信號(hào)接收端(圖未示)，用于接收流經(jīng)所述待測(cè)晶體管300的測(cè)試信號(hào)，在本實(shí)施例中，所述信號(hào)接收端與所述待測(cè)晶體管300的源極320連接。
[0049]在本實(shí)施例中，所述測(cè)試機(jī)臺(tái)的型號(hào)可以為HP4284，但是本發(fā)明對(duì)此不作限定。[0050]進(jìn)一步，在本實(shí)施例中，所述信號(hào)源100為交流信號(hào)源，也就是說(shuō)，產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)為交流信號(hào)。
[0051]在本實(shí)施例中，所述偏置電壓源200為直流偏置電壓源。
[0052]另外，為了使第一電阻400的電阻值盡量大，從而迫使所述測(cè)試機(jī)臺(tái)的信號(hào)源100發(fā)出的測(cè)試信號(hào)基本全部經(jīng)過(guò)待測(cè)晶體管300的源極320，在本實(shí)施例中，使所述第一電阻400的電阻值不小于50K歐姆。
[0053]這樣的好處在于，足夠大的第一電阻400能夠使所述測(cè)試信號(hào)基本全部經(jīng)過(guò)待測(cè)晶體管300的源極320，從而使測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)得的待測(cè)晶體管的源極與漏極之間的電容更加接近圖3中的等效電路，所述測(cè)試機(jī)臺(tái)的測(cè)量值盡量接近真實(shí)值。
[0054]但是，本發(fā)明對(duì)此不做限定，因?yàn)樗龅谝浑娮?00的電阻值越大，占用的面積也會(huì)相應(yīng)的變大。所以，在實(shí)際操作中，第一電阻400的電阻值也可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。
[0055]另外，參考圖5，示出了本發(fā)明晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的電路示意圖。本發(fā)明所述的測(cè)量結(jié)構(gòu)相較于上述的第一實(shí)施例的區(qū)別在于，本第二實(shí)施例所述測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:在所述襯底上還連接有第二電阻500。
[0056]這樣好處在于,第二電阻500能盡量改變測(cè)試信號(hào)的流向，使一部分原本從襯底流出的測(cè)試信號(hào)改為由源極320流出，使襯底與源極320之間的結(jié)電容、襯底與漏極310之間的結(jié)電容、襯底與柵極330之間的結(jié)電容、能夠盡量體現(xiàn)從而被準(zhǔn)確的測(cè)量到，也就是說(shuō)，測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)得的源極320與漏極310之間的電容值更加接近圖3中所示的晶體管關(guān)態(tài)電容的等效電路，使測(cè)試機(jī)臺(tái)的測(cè)量值更加接近所述待測(cè)晶體管300的真實(shí)值。
[0057]在本第二實(shí)施例中，所述第二電阻500的電阻值可以不小于50K歐姆。但是，需要說(shuō)明的是，與上述的第一實(shí)施例相同，所述第二電阻500旨在提供足夠大的電阻從而迫使測(cè)試機(jī)臺(tái)的信號(hào)源100的正弦交流信號(hào)從源極320流出，也就是說(shuō)本發(fā)明對(duì)所述第二電阻500的電阻值不做限定，也可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整為其他電阻值。
[0058]本實(shí)施例中，所述第二電阻500 —端與襯底相連，另一端與源極320相連，但是本發(fā)明對(duì)此不作限制，在其他實(shí)施例中，所述待測(cè)晶體管300的襯底還可以單獨(dú)引出并接于地端(為晶體管300的body contact情況),所述第二電阻500連接于所述襯底與地端之間。
[0059]此外，本發(fā)明還提供一種晶體管的測(cè)試方法，參考圖6，示出了本發(fā)明晶體管的測(cè)試方法一實(shí)施例的流程示意圖。本實(shí)施例以待測(cè)晶體管的襯底懸浮的情況為例，所述測(cè)試方法包括以下步驟:
[0060]步驟SI，提供待測(cè)晶體管；
[0061]步驟S2，在所述待測(cè)晶體管的源極和漏極之間設(shè)置測(cè)試機(jī)臺(tái)；通過(guò)所述測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)量所述源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容；
[0062]在本實(shí)施例中，所述測(cè)試機(jī)臺(tái)還用于產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)。所述測(cè)試信號(hào)為交流信號(hào)，進(jìn)一步可以是正弦交流/[目號(hào)。
[0063]步驟S3，在所述待測(cè)晶體管的柵極上耦接偏置電壓源，所述偏置電壓源用于使所述待測(cè)晶體管保持關(guān)閉狀態(tài)；
[0064]步驟S4，在所述柵極與偏置電壓源之間串聯(lián)第一電阻，用于使測(cè)試機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)流向源極。[0065]具體地，所述第一電阻用于使測(cè)試機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)由原先的部分由柵極流出，改為基本由源極流出，使得待測(cè)晶體管的源極與柵極之間的電容能夠盡量得到體現(xiàn)，從而被測(cè)試機(jī)臺(tái)所測(cè)得，進(jìn)而使得測(cè)試機(jī)臺(tái)最后測(cè)得的源極與漏極之間的電容接近圖3所示的等效電路，也就是更加接近待測(cè)晶體管的關(guān)態(tài)電容的真實(shí)值。
[0066]在本實(shí)施例中，所述第一電阻的電阻值可以不小于50K歐姆，從而使所述測(cè)試機(jī)臺(tái)的測(cè)試信號(hào)基本不會(huì)由待測(cè)晶體管的柵極泄漏掉。但是本發(fā)明對(duì)此不作限定，也可以更具實(shí)際情況將所述第一電阻的電阻值調(diào)整為其他數(shù)值。
[0067]上述情況為待測(cè)晶體管的襯底懸浮(body floating)的情況。
[0068]另外，本發(fā)明所述的晶體管的測(cè)試方法在待測(cè)晶體管的襯底單獨(dú)引出并接地(body contact)的情況下,還包括以下步驟:
[0069]在所述襯底與所述地端之間還串聯(lián)第二電阻；
[0070]通過(guò)所述第二電阻盡量使測(cè)試信號(hào)從源極流出，使原本可能從襯底流出的測(cè)試信號(hào)改為由基本從源極所流出，使得原本難以被體現(xiàn)的襯底與源極、漏極以及柵極之間的結(jié)電容均能夠較好的得到體現(xiàn)從而被測(cè)試機(jī)臺(tái)所測(cè)得。也就是說(shuō)，測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)得的源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容的測(cè)量值更加接近真實(shí)值。
[0071]另外，在本實(shí)施例中，所述第二電阻的電阻值不小于50K歐姆。但是，需要說(shuō)明的是，與上述的第一電阻相同，本發(fā)明對(duì)此不作限制，也可以根據(jù)實(shí)際情況對(duì)所述第二電阻的電阻值進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。
[0072]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶體管的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 測(cè)試機(jī)臺(tái)，串聯(lián)于待測(cè)晶體管的源極與漏極之間，用于產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)，并測(cè)量所述待測(cè)晶體管源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容； 偏置電壓源，與所述待測(cè)晶體管的柵極耦接，用于使所述待測(cè)晶體管保持關(guān)閉狀態(tài)； 以及: 第一電阻，串聯(lián)于所述待測(cè)晶體管的柵極與所述偏置電壓源之間，用于使測(cè)試機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)流向源極。
2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測(cè)試機(jī)臺(tái)包括: 信號(hào)源，用于產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)； 信號(hào)發(fā)送端，用于將所述信號(hào)源產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)發(fā)送至所述待測(cè)晶體管； 信號(hào)接收端，用于接收流經(jīng)所述待測(cè)晶體管的測(cè)試信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述待測(cè)晶體管的漏極與所述信號(hào)發(fā)送端連接，所述待測(cè)晶體管的源極與所述信號(hào)接收端連接。
4.如權(quán)利要求2所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述信號(hào)源產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)源為交流信號(hào)。
5.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述待測(cè)晶體管的襯底單獨(dú)引出并接于地端； 所述測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括:第二電阻，所述第二電阻串聯(lián)于所述待測(cè)晶體管的襯底與地端之間。
6.如權(quán)利要求5所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電阻或者第二電阻的電阻值不小于50K歐姆。
7.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述偏置電壓源為直流偏置電壓源。
8.一種晶體管的測(cè)試方法，其特征在于，包括: 提供待測(cè)晶體管； 在所述待測(cè)晶體管的源極和漏極之間設(shè)置測(cè)試機(jī)臺(tái)；通過(guò)所述測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)量所述源極與漏極之間的關(guān)態(tài)電容； 在所述待測(cè)晶體管的柵極上耦接偏置電壓源； 在所述柵極與偏置電壓源之間串聯(lián)第一電阻，用于使測(cè)試機(jī)臺(tái)產(chǎn)生的測(cè)試信號(hào)流向源極。
9.如權(quán)利要求8所述的測(cè)試方法，其特征在于，提供待測(cè)晶體管的步驟包括，將所述待測(cè)晶體管的襯底單獨(dú)引出并接于地端，并在所述襯底與地端之間串聯(lián)第二電阻。
10.如權(quán)利要求9所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述第一電阻或者第二電阻的電阻值不小于50K歐姆。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK103811372SQ201410084281
【公開(kāi)日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月7日
【發(fā)明者】劉張李 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司