一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，可以解決數(shù)據(jù)線發(fā)生斷路后數(shù)據(jù)信號無法導通的問題，提高了陣列基板的良品率。該制備方法包括在襯底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修復導線；在形成有所述修復導線的基板上形成包括源極、漏極、以及與所述源極電連接的數(shù)據(jù)線的源漏金屬層；所述數(shù)據(jù)線沿所述第一方向平行排布；其中，任一根所述修復導線與一根所述數(shù)據(jù)線垂直對應(yīng)，且直接接觸。用于陣列基板及包括該陣列基板的顯示裝置的制造。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，液晶顯示器技術(shù)發(fā)展迅速，己經(jīng)取代了傳統(tǒng)的顯像管顯示器而成為當下平板顯示器的主流。在液晶顯示器【技術(shù)領(lǐng)域】中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display,簡稱TFT-1XD)以其大尺寸、高度集成、功能強大、工藝靈活、低成本等優(yōu)勢成為了顯示器領(lǐng)域發(fā)展的主流趨勢。
[0003]隨著人們對TFT-1XD顯示圖像品質(zhì)的不斷追求，其分辨率在不斷地提高，單個像素的尺寸變得越來越小，相應(yīng)地，陣列基板中的數(shù)據(jù)線的線寬也在逐漸減小，其中，數(shù)據(jù)線(及源極、漏極)的制備過程通常是采用濕法刻蝕工藝形成的，由于濕法刻蝕難以達到絕對的均勻性，因此，當數(shù)據(jù)線的線寬不斷減小時，數(shù)據(jù)線發(fā)生斷路(Data open)的幾率也相應(yīng)地增大。
[0004]當數(shù)據(jù)線發(fā)生斷路時，數(shù)據(jù)信號無法傳輸?shù)较鄳?yīng)的像素區(qū)域，導致屏幕上出現(xiàn)一條亮線或暗線，影響了 TFT-1XD的圖像正常顯示?；诂F(xiàn)有生產(chǎn)工序所完成的陣列基板難以對發(fā)生斷路的數(shù)據(jù)線進行快速有效的修復，降低了陣列基板的良品率，從而限制了高分辨率TFT-1XD的發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可以解決數(shù)據(jù)線發(fā)生斷路后數(shù)據(jù)信號無法導通的問題，提高了所述陣列基板的良品率。
[0006]為達到上述目的， 本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]—方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制備方法，該方法包括:在襯底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修復導線；在形成有所述修復導線的基板上形成包括源極、漏極、以及與所述源極電連接的數(shù)據(jù)線的源漏金屬層；所述數(shù)據(jù)線沿所述第一方向平行排布；其中，任一根所述修復導線與一根所述數(shù)據(jù)線垂直對應(yīng)，且直接接觸。
[0008]優(yōu)選的，所述形成沿第一方向平行排布的多根修復導線，包括:采用一次構(gòu)圖工藝形成所述修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層；其中，所述源極和所述漏極與所述金屬氧化物半導體有源層直接接觸。
[0009]進一步優(yōu)選的，所述采用一次構(gòu)圖工藝形成所述修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層，具體包括:形成呈半導體特性的金屬氧化物薄膜，并在所述金屬氧化物薄膜之上形成光刻膠層；采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板對形成有所述光刻膠層的基板進行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成的所述金屬氧化物半導體有源層的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對應(yīng)待形成的所述修復導線的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)其他區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分露出的所述金屬氧化物薄膜，形成所述金屬氧化物半導體有源層和金屬氧化物半導體保留圖案；采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠，露出所述金屬氧化物半導體保留圖案；對露出的所述金屬氧化物半導體保留圖案進行金屬化處理，使所述金屬氧化物半導體保留圖案轉(zhuǎn)化為呈導體特性的所述修復導線；采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
[0010]可選的，所述金屬化處理包括等離子體處理、或離子注入。
[0011]可選的，在形成所述修復導線、與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層之后，形成包括所述源極、所述漏極、以及與所述源極電連接的所述數(shù)據(jù)線的源漏金屬層之前，所述方法還包括:形成刻蝕阻擋層；其中，所述刻蝕阻擋層包括第一刻蝕阻擋圖案，所述第一刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極之間的間隙對應(yīng)，且所述第一刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極、以及所述金屬氧化物半導體有源層均直接接觸。
[0012]優(yōu)選的，所述刻蝕阻擋層還包括第二刻蝕阻擋圖案；其中，所述第二刻蝕阻擋圖案與所述修復導線直接接觸，且沿與所述第一方向垂直的第二方向，所述第二刻蝕阻擋圖案露出所述修復導線的一部分，所述數(shù)據(jù)線與未被所述第二刻蝕阻擋圖案覆蓋的所述修復導線直接接觸。
[0013]可選的，在襯底基板上形成所述修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層，包括:在所述襯底基板的表面形成包括柵極、柵線的柵金屬層；在形成有包括所述柵極、所述柵線的柵金屬層的基板上形成柵絕緣層；在形成有所述柵絕緣層的基板上形成修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層。
[0014]可選的，所述方法還包括:在形成有包括所述源極、所述漏極、以及與所述源極電連接的所述數(shù)據(jù)線的源漏金屬層的基板上依次形成柵絕緣層、以及包括柵極、柵線的柵金屬層。
[0015]一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括:襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管的源極電連接的沿第一方向平行排布數(shù)據(jù)線；所述陣列基板還包括位于所述數(shù)據(jù)線下方的沿所述第一方向平行排布的多根修復導線；其中，任一根所述修復導線與一根所述數(shù)據(jù)線垂直對應(yīng)，且直接接觸。
[0016]優(yōu)選的，所述薄膜晶體管的有源層為金屬氧化物半導體有源層；所述修復導線與所述薄膜晶體管的金屬氧化物半導體有源層同層設(shè)置；其中，所述薄膜晶體管的源極和漏極與所述金屬氧化物半導體有源層直接接觸。
[0017]進一步優(yōu)選的，所述修復導線為對與所述金屬氧化物半導體有源層同層的金屬氧化物半導體保留圖案進行金屬化處理后得到的呈導體特性的所述修復導線。
[0018]可選的，所述陣列基板還包括:位于包括所述修復導線、以及與所述修復導線同層的所述金屬氧化物半導體有源層的圖案層之上的刻蝕阻擋層；其中，所述刻蝕阻擋層包括第一刻蝕阻擋圖案，所述第一刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極之間的間隙對應(yīng)，且所述第一刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極、所述金屬氧化物半導體有源層均直接接觸。
[0019]優(yōu)選的，所述刻蝕阻擋層還包括第二刻蝕阻擋圖案；其中，所述第二刻蝕阻擋圖案與所述修復導線直接接觸，且沿與所述第一方向垂直的第二方向，所述第二刻蝕阻擋圖案露出所述修復導線的一部分，所述數(shù)據(jù)線與未被所述第二刻蝕阻擋圖案覆蓋的所述修復導線直接接觸。
[0020]另一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的所述的陣列基板。[0021]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，該制備方法包括在襯底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修復導線；在形成有所述修復導線的基板上形成包括源極、漏極、以及與所述源極電連接的數(shù)據(jù)線的源漏金屬層；所述數(shù)據(jù)線沿所述第一方向平行排布；其中，任一根所述修復導線與一根所述數(shù)據(jù)線垂直對應(yīng)，且直接接觸。
[0022]一方面，由于所述修復導線形成于所述數(shù)據(jù)線的下方，且所述數(shù)據(jù)線與所述修復導線直接接觸電連接，即所述修復導線與所述數(shù)據(jù)線之間的等效電路關(guān)系為并聯(lián)關(guān)系，二者并聯(lián)后的總電阻值小于所述修復導線和所述數(shù)據(jù)線中的任一個，有利于減少由于所述陣列基板中數(shù)據(jù)線電阻較大而產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號延遲現(xiàn)象。
[0023]另一方面，當任一根所述數(shù)據(jù)線發(fā)生斷路無法導通數(shù)據(jù)信號時，由于任一根所述修復導線即對應(yīng)一根所述數(shù)據(jù)線，發(fā)生斷路的所述數(shù)據(jù)線仍能夠通過與所述數(shù)據(jù)線并聯(lián)的所述修復導線將所述數(shù)據(jù)信號導通至相應(yīng)的像素區(qū)域，從而保證了所述陣列基板應(yīng)用于顯示裝置時的圖像正常顯示，并提高了所述陣列基板的良品率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2 (a)為本發(fā)明實施例提供的一種形成有金屬氧化物薄膜及光刻膠層的基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0027]圖2(b)為本發(fā)明實施例提供的一種形成有金屬氧化物薄膜及光刻膠層的基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0028]圖3(a)為采用半色調(diào)掩模板對圖2(a)所示的基板進行曝光、顯影后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3(b)為采用半色調(diào)掩模板對圖2(b)所示的基板進行曝光、顯影后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖4 (a)為對圖3 (a)所示的基板進行刻蝕后形成金屬氧化物半導體有源層和金屬氧化物半導體保留圖案的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4(b)為對圖3(b)所示的基板進行刻蝕后形成金屬氧化物半導體有源層和金屬氧化物半導體保留圖案的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖5(a)為對圖4(a)所示的基板進行灰化工藝后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖5(b)為對圖4(b)所示的基板進行灰化工藝后形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖6 (a)為對圖5 (a)所示的基板進行金屬化處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖6(b)為對圖5(b)所示的基板進行金屬化處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖7(a)為采用剝離工藝去除圖6(a)所示的基板上的光刻膠后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖7(b)為采用剝離工藝去除圖6(b)所示的基板上的光刻膠后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖8(a)為在圖7(a)所示的基板上形成第一刻蝕阻擋圖案后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖8(b)為在圖7(b)所示的基板上形成第一刻蝕阻擋圖案后的結(jié)構(gòu)示意圖；[0040]圖9(a)為在圖8(a)所示的基板上形成第二刻蝕阻擋圖案后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖9(b)為在圖8(b)所示的基板上形成第二刻蝕阻擋圖案后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖10為本發(fā)明實施例提供的一種第二刻蝕阻擋圖案與修復導線搭接方式示意圖；
[0043]圖11 (a)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板沿圖1中A_A’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖一;
[0044]圖11 (b)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板沿圖1中A-A’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0045]圖12為本發(fā)明實施例提供的一種具有底柵型薄膜晶體管的陣列基板的制備流程圖。
[0046]附圖標記:
[0047]01-陣列基板；10-襯底基板；20-修復導線;201_第一邊；202~第二邊;30_薄膜晶體管；301_源極；302_漏極；303_柵極；304_柵絕緣層；40_數(shù)據(jù)線；50_金屬氧化物薄膜；501_金屬氧化物半導體有源層；502_金屬氧化物半導體保留圖案；60_光刻膠層；601-光刻膠完全保留部分；602_光刻膠半保留部分；603_光刻膠完全去除部分；70_半色調(diào)掩模板；701_掩膜板完全不透明部分；702_掩膜板半透明部分；703_掩膜板完全透明部分；801_第一刻蝕阻擋圖案；802_第二刻蝕阻擋圖案；90_像素電極。
【具體實施方式】
[0048]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0049]本發(fā)明實施例提供了一種如圖1所示的陣列基板01的制備方法，該方法包括:
[0050]S01、在襯底基板10上形成沿第一方向平行排布的多根修復導線20。
[0051]S02、在形成有所述修復導線20的基板上形成包括源極301、漏極302、以及與所述源極301電連接的數(shù)據(jù)線40的源漏金屬層；所述數(shù)據(jù)線40沿所述第一方向平行排布。
[0052]其中，任一根所述修復導線20與一根所述數(shù)據(jù)線40垂直對應(yīng)，且直接接觸。
[0053]需要說明的是，第一，在所述步驟SOl中，所述在襯底基板10上形成沿第一方向平行排布的多根修復導線20，例如可以是在所述襯底基板10的表面上直接形成所述修復導線20，也可以是在具有圖案的所述襯底基板10上形成所述修復導線20，即包括所述修復導線20的圖案層與所述襯底基板10之間還包括所述陣列基板01中的其他圖案層，在此不作限定。
[0054]第二，在所述步驟S02中，所述直接接觸是指相鄰層的兩種導電圖案通過搭接等方式直接接觸而電連接，與直接接觸相對應(yīng)的是通過過孔接觸，即:兩種導電圖案分別為不相鄰的兩層薄膜上的圖案，且上述不相鄰的兩層薄膜之間設(shè)置有能夠起到絕緣作用的保護層，通過在該保護層上設(shè)置過孔使得不相鄰的兩層薄膜上的導電圖案電性連接。
[0055]第三，在本發(fā)明實施例提供的所述陣列基板01中，包括所述修復導線20的圖案層可以為單獨的一層圖案層，也可以與所述陣列基板01結(jié)構(gòu)中其他圖案層位于同層，在此不作限定，以能夠使陣列基板Ol正常工作并可使發(fā)生斷路的所述數(shù)據(jù)線40的信號導通為準。
[0056]第四，本領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員應(yīng)當理解，上述步驟SO1、S02僅提供了所述陣列基板01中形成用于修復發(fā)生斷路的數(shù)據(jù)線40的所述修復導線20的步驟，制備所述陣列基板01的方法當然還包括形成柵極、柵線、柵絕緣層、以及與所述漏極302電相連的像素電極的步驟。
[0057]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板01的制備方法，所述制備方法包括在襯底基板10上形成沿第一方向平行排布的多根修復導線20 ;在形成有所述修復導線20的基板上形成包括源極301、漏極302、以及與所述源極301電連接的數(shù)據(jù)線40的源漏金屬層；所述數(shù)據(jù)線40沿所述第一方向平行排布；其中，任一根所述修復導線20與一根所述數(shù)據(jù)線40垂直對應(yīng)，且直接接觸。
[0058]一方面，由于所述修復導線20形成位于所述數(shù)據(jù)線40的下方，且所述數(shù)據(jù)線40通過與所述修復導線20直接接觸電連接，即所述修復導線20與所述數(shù)據(jù)線40之間的等效電路關(guān)系為并聯(lián)關(guān)系，二者并聯(lián)后的總電阻值小于所述修復導線20和所述數(shù)據(jù)線40中的任一個，有利于減少由于所述陣列基板01中數(shù)據(jù)線電阻較大而產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號延遲(簡稱RC-Loading)現(xiàn)象。
[0059]另一方面，當任一根所述數(shù)據(jù)線40發(fā)生斷路無法導通數(shù)據(jù)信號時，由于任一根所述修復導線20即對應(yīng)一根所述數(shù)據(jù)線40，發(fā)生斷路的所述數(shù)據(jù)線40仍能夠通過與所述數(shù)據(jù)線40并聯(lián)的所述修復導線20將所述數(shù)據(jù)信號導通至相應(yīng)的像素區(qū)域，從而保證了所述陣列基板01應(yīng)用于顯示裝置時的圖像正常顯示，并提高了所述陣列基板01的良品率。
[0060]在上述基礎(chǔ)上，考慮到形成所述修復層后的所述陣列基板01整體應(yīng)具有較小的厚度，且使得任一根所述數(shù)據(jù)線40發(fā)生斷路無法導通數(shù)據(jù)信號時，仍能夠通過與發(fā)生斷路的所述數(shù)據(jù)線40并聯(lián)的一根所述修復導線20將數(shù)據(jù)信號導通至相應(yīng)的像素區(qū)域。
[0061]因此，本發(fā)明實施例進一步優(yōu)選的，所述在襯底基板10上形成沿第一方向平行排布的多根修復導線20，包括:
[0062]采用一次構(gòu)圖工藝形成所述修復導線20、以及與所述修復導線20同層的金屬氧化物半導體有源層501 ;其中，所述源極301和所述漏極302與所述金屬氧化物半導體有源層501直接接觸。
[0063]此處，所述一次構(gòu)圖工藝是對應(yīng)于一次掩膜工藝來說的，S卩，應(yīng)用一次掩膜板來制作完成某些圖案稱為進行了一次構(gòu)圖工藝。
[0064]由于相比于傳統(tǒng)的非晶硅材料作為薄膜晶體管的有源層時，非晶硅的載流子遷移率僅為0.1?1.0cmVv *s，難以滿足大尺寸顯示裝置的驅(qū)動頻率要求，因此，本發(fā)明實施例中采用具有更高載流子遷移率的金屬氧化物半導體作為所述陣列基板01中的待形成的薄膜晶體管30的有源層。
[0065]本發(fā)明實施例對所述金屬氧化物半導體有源層501采用的材料不做限定，所述金屬氧化物半導體有源層501例如可以是銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,簡稱IGZO)，其載流子遷移率可達90cm2/V.S、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，簡稱ΙΖ0)、氧化鋅(ZincOxide,簡稱ZnO),其載流子遷移率可達100cm2/V.S、氧化鋅的摻雜氧化物，如:氮氧化鋅(Nitrogen-Doped Zinc Oxide,簡稱ZnON)、氧化銦的金屬摻雜氧化物,其載流子遷移率可達20?50cm2/V.s,如:錫摻雜氧化銦(Stannum-Doped Indium Oxide,簡稱In2O3-Sn)、鑰慘雜氧化銦(Molybdenum-Doped Indium Oxide,簡稱 In2O3-Mo)等具有較高載流子遷移率的金屬氧化物半導體材料。
[0066]這里，采用一次構(gòu)圖工藝形成所述修復導線20、以及與所述修復導線20同層的金屬氧化物半導體有源層501，具體包括:
[0067]S101、形成呈半導體特性的金屬氧化物薄膜50，并在所述金屬氧化物薄膜上方形成光刻膠層60。
[0068]需要說明是，本發(fā)明實施例不對所述陣列基板01中的待形成的所述薄膜晶體管30的類型做限定，根據(jù)薄膜晶體管的不同類型，所述形成呈半導體特性的金屬氧化物薄膜50，具體可以分為例如以下兩種情況:
[0069]如圖2(a)所示，針對所述陣列基板01中待形成的所述薄膜晶體管30的類型為底柵型的情況，在所述襯底基板10的表面先依次形成所述薄膜晶體管30 (圖中未標示出)的柵極303、以及柵絕緣層304，當然，形成所述柵極303的同時也包括形成與所述柵極303同層的柵線、柵線引線；其次，在形成有所述薄膜晶體管30的柵極203和柵絕緣層204的基板上形成上述的呈半導體特性的所述金屬氧化物薄膜50。
[0070]如圖2(b)所示，針對所述陣列基板01中待形成的所述薄膜晶體管30的類型為頂柵型的情況，在所述襯底基板10的表面可直接形成所述金屬氧化物薄膜50。
[0071]上述的形成呈半導體特性的所述金屬氧化物薄膜50可以采用多種方法，在此不作限定，例如可以采用具有成膜均勻、膜層表面平整以及膜厚可控等優(yōu)點的磁控濺射法。
[0072]S102、如圖3(a)或圖3(b)所示，采用半色調(diào)掩模板70或灰色調(diào)掩模板對形成有所述光刻膠層60的基板進行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分601、光刻膠半保留部分602和光刻膠完全去除部分603。
[0073]其中，所述光刻膠完全保留部分601對應(yīng)待形成的所述金屬氧化物半導體有源層501的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分602對應(yīng)待形成的所述修復導線40的區(qū)域，所述光刻膠完全去除603部分對應(yīng)其他區(qū)域。
[0074]此處，首先對上述構(gòu)圖工藝中所使用的上述半色調(diào)掩膜板70或灰色調(diào)掩模板的工作原理加以說明:
[0075]以半色調(diào)掩膜板70為例，參考圖3 (a)或圖3 (b)所示，所述半色調(diào)掩膜板70是指在透明襯底材料上的某些區(qū)域形成不透光的遮光金屬層，在另外一些區(qū)域形成半透光的遮光金屬層，其他區(qū)域不形成任何遮光金屬層。
[0076]其中，半透光的遮光金屬層的厚度小于完全不透光的遮光金屬層的厚度，這樣可以通過調(diào)節(jié)半透光的遮光金屬層的厚度來改變半透光的遮光金屬層對紫外光的透過率，即:所述半色調(diào)掩膜板70包括掩膜板完全不透明部分701、掩膜板半透明部分702以及掩膜板完全透明部分703這三種不同透光率的部分。
[0077]基于此，當采用所述半色調(diào)掩模板70對形成有所述光刻膠層60的基板進行曝光、顯影后，將形成與所述半色調(diào)掩膜板70的所述掩膜板完全不透明部分701、所述掩膜板半透明部分702以及所述掩膜板完全透明部分703分別對應(yīng)的光刻膠完全保留部分601、光刻膠半保留部分602、光刻膠完全去除部分603。
[0078]因此在對上述經(jīng)曝光、顯影后的基板進行刻蝕后，所述光刻膠完全保留部分601和所述光刻膠半保留部分602下覆蓋的薄膜均會被保留，而沒有被光刻膠覆蓋的薄膜則通過刻蝕工藝形成特定的圖案；此后，由于光刻膠完全保留部分601的厚度大于所述光刻膠半保留部分602的厚度，當把所述光刻膠半保留部分602的光刻膠通過灰化等工藝去除后，光刻膠完全保留部分601的光刻膠還存在，而沒有被光刻膠覆蓋的薄膜則可以進行后續(xù)的工藝處理，從而通過一次構(gòu)圖工藝可以使所述光刻膠層60覆蓋的薄膜上不同的區(qū)域進行不同的工藝處理，從而得到具有不同結(jié)構(gòu)的圖案層。
[0079]所述灰色調(diào)掩膜板的原理與所述半色調(diào)掩膜板70的原理類似，此處不再贅述，僅對所述灰色調(diào)掩膜板與所述半色調(diào)掩膜板70不同之處加以說明:
[0080]上述的所述半色調(diào)掩膜板70的所述掩膜板半透明部分702，是通過在所述透明襯底材料上形成厚度相對較薄的半透光的遮光金屬層，即，通過控制金屬層的厚度來調(diào)節(jié)紫外光的透過率，從而使與該部分對應(yīng)的光刻膠的曝光量與其他區(qū)域的曝光量不同；而所述灰色調(diào)掩模板的半透明部分，是通過在所述透明襯底材料上制作一些窄條形的狹縫結(jié)構(gòu)，當紫外光通過狹縫結(jié)構(gòu)時，光線將發(fā)生散射、衍射等變化，從而使所述灰色調(diào)掩膜板上的半透明部分對應(yīng)的光刻膠的曝光量與所述灰色調(diào)掩膜板上的完全透明部分對應(yīng)的光刻膠的曝光量不同，即完成上述的選擇性曝光的目的。
[0081]這里，本發(fā)明實施例中涉及的所述光刻膠層60均采用正性光刻膠材料，即所述光刻膠層60在曝光前不溶解于顯影液，經(jīng)過紫外線曝光后，所述光刻膠層60轉(zhuǎn)變?yōu)槟軌蛉芙庥陲@影液中的物質(zhì)。
[0082]S103、如圖4(a)或圖4(b)所示，采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分603露出的所述金屬氧化物薄膜50 (圖中均未標示出)，形成所述金屬氧化物半導體有源層501和金屬氧化物半導體保留圖案502。
[0083]S104、如圖5(a)或圖5(b)所示，采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分602的光刻膠，露出所述金屬氧化物半導體保留圖案502。
[0084]S105、如圖6(a)或圖6(b)所示，對露出的所述金屬氧化物半導體保留圖案502(圖中均未標示出)進行金屬化處理，轉(zhuǎn)化為呈導體特性的所述修復導線40。
[0085]這里，所述金屬化處理，是指對露出的所述金屬氧化物半導體保留圖案502通過一定的工藝處理，從而使其內(nèi)部的載流子濃度提高，呈現(xiàn)導體特性，形成可以導通數(shù)據(jù)信號的所述修復導線20，而位于所述光刻膠完全保留部分601下的金屬氧化物薄膜由于未進行金屬化處理，其載流子濃度較低，即所述金屬氧化物半導體有源層501仍保留半導體特性。
[0086]S106、如圖7(a)或圖7(b)所示，采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分601的光刻膠。
[0087]通過上述步驟SlOl?S106，便可以通過一次構(gòu)圖工藝形成所述修復導線20以及與所述修復導線20同層設(shè)置的所述金屬氧化物半導體有源層501。
[0088]其中，所述修復導線20由經(jīng)過金屬化處理而具有導體特性的材料形成，所述金屬氧化物半導體有源層501由未經(jīng)過金屬化處理具有半導體特性的金屬氧化物薄膜50形成。這樣，能夠在不增加所述陣列基板01的整體構(gòu)圖工藝次數(shù)的基礎(chǔ)上形成用于修復發(fā)生斷路的數(shù)據(jù)線的所述修復導線20，提高了所述陣列基板01的制備效率。
[0089]進一步地，上述的步驟S105中，對露出的所述金屬氧化物半導體保留圖案502進行金屬化處理，具體可以包括以下兩種方式:
[0090]第一種方式:將形成有露出所述金屬氧化物半導體保留圖案502的基板置于真空腔室中，采用氫氣等離子體或含氫還原性氣氛等離子體處理。
[0091]其中，所述等離子體處理中涉及的真空腔室內(nèi)的壓力以及等離子的氣體流量等參數(shù)應(yīng)根據(jù)所述金屬氧化物薄膜的具體類型靈活調(diào)整。
[0092]第二種方式:對形成有露出所述金屬氧化物半導體保留圖案502的基板進行離子注入，使得經(jīng)離子注入摻雜所形成的所述修復導線40具有較高的載流子濃度提高，即呈現(xiàn)導體特性。
[0093]其中，所述離子注入中涉及的離子種類及摻雜的注入濃度等參數(shù)應(yīng)根據(jù)所述金屬氧化物薄膜的具體類型靈活調(diào)整。
[0094]需要說明的是，本發(fā)明實施例對露出的所述金屬氧化物半導體保留圖案502進行金屬化處理的方法不限于上述兩種方式中的任一種方式處理，還可以是上述兩種方式的綜合使用，如先采用離子注入再進行等離子體處理等，或者采用其它方式，只要是有利于將具有半導體特性的金屬氧化物薄膜50轉(zhuǎn)化為具有導體特性的材料即可。
[0095]在上述基礎(chǔ)上，由于在所述金屬氧化物半導體有源層501之上形成源漏金屬層后需要通過濕法刻蝕工藝形成具有特定圖案的所述薄膜晶體管30的源極301、漏極302、以及與所述源極301電連接的數(shù)據(jù)線40 ;而濕法刻蝕工藝中應(yīng)用的刻蝕液體一般為硝酸(HNO3)、磷酸(H3PO4)、醋酸(CH3COOH)等酸性刻蝕液，在上述的酸性環(huán)境中，采用金屬氧化物(如IGZO等)材料制成的有源層很容易被刻蝕，甚至造成過刻蝕，導致薄膜晶體管的成品率下降。
[0096]因此，在形成所述修復導線20、與所述修復導線20同層的金屬氧化物半導體有源層501之后，形成包括所述源極301、所述漏極302、以及與所述源極301電連接的所述數(shù)據(jù)線40的源漏金屬層之前，所述方法還包括:形成刻蝕阻擋層；其中，所述刻蝕阻擋層包括第一刻蝕阻擋圖案801。
[0097]具體的，如圖8(a)或圖8(b)所示，所述第一刻蝕阻擋圖案801與所述源極301和所述漏極302之間的間隙對應(yīng)，且所述第一刻蝕阻擋圖案801與所述源極301和所述漏極302、以及所述金屬氧化物半導體有源層501均直接接觸。
[0098]因此，所述第一刻蝕阻擋圖案801能夠起到阻擋形成所述源極301、所述漏極302、以及與所述源極301電連接的所述數(shù)據(jù)線40的刻蝕液對所述金屬氧化物半導體有源層501的腐蝕，從而確保待形成的所述薄膜晶體管30具有良好的性能。
[0099]需要說明的是，本發(fā)明實施例不對所述刻蝕阻擋層采用的材料加以限制，例如可以采用結(jié)構(gòu)致密的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁等材料。
[0100]進一步的，為了防止后續(xù)濕法刻蝕工藝中應(yīng)用的刻蝕液體對經(jīng)過所述金屬化處理形成的所述修復導線20產(chǎn)生刻蝕，因此，所述刻蝕阻擋層還包括第二刻蝕阻擋圖案802。
[0101]具體的，如圖9(a)或圖9(b)所示，所述第二刻蝕阻擋圖案802與所述修復導線20直接接觸，且沿與所述第一方向垂直的第二方向，所述第二刻蝕阻擋圖案802露出所述修復導線20的一部分，所述數(shù)據(jù)線40與未被所述第二刻蝕阻擋圖案802覆蓋的所述修復導線20直接接觸。
[0102]這里，由于待形成的所述數(shù)據(jù)線40與所述修復導線20需要通過接觸使二者電連接，從而使得當任一根所述數(shù)據(jù)線40發(fā)生斷路后，通過與發(fā)生斷路的所述數(shù)據(jù)線40并聯(lián)的所述修復導線20實現(xiàn)數(shù)據(jù)信號的導通，因此，所述第二刻蝕阻擋圖案802需露出所述修復導線20 —部分。
[0103]相應(yīng)的，為了保證待形成的所述數(shù)據(jù)線40與所述修復導線20電連接后，所述修復導線40對發(fā)生斷路的所述數(shù)據(jù)線40的數(shù)據(jù)信號導通不會受到所述數(shù)據(jù)線40上斷路點位置的限制，因此，所述第二刻蝕阻擋圖案802與所述修復導線20可以通過例如圖10所示的搭接的方式直接接觸，且沿與所述第一方向垂直的第二方向，所述第二刻蝕阻擋圖案802露出所述修復導線20的一部分，即:未被所述第二刻蝕阻擋圖案802覆蓋的所述修復導線20的部分為所述修復導線20平行于所述第一方向的第一邊201與平行于所述第二方向的第二邊202的一部分圍成的區(qū)域(如圖中虛線部分所示)。
[0104]此處，圖10僅示意性地提供了所述第二刻蝕阻擋圖案802與所述修復導線20直接接觸的方式之一，本發(fā)明實施例不限于此。
[0105]在上述基礎(chǔ)上，針對所述陣列基板01中待形成的所述薄膜晶體管30為底柵型的情況，在襯底基板10上形成所述修復導線20、以及與所述修復導線20同層的金屬氧化物半導體有源層501，包括:
[0106]在形成有所述柵絕緣層的基板上形成修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層。
[0107]S201、在襯底基板10的表面形成包括柵極303、柵線的柵金屬層。
[0108]S202、在形成有包括所述柵極303、所述柵線的柵金屬層的基板上形成柵絕緣層304。
[0109]S203、在形成有所述柵絕緣層304的基板上形成所述修復導線20、以及與所述修復導線20同層的金屬氧化物半導體有源層501 ;具體過程可參見所述步驟SlOl?S106，在此不再贅述。
[0110]這里，在所述步驟S203之后，所述方法當然還包括在形成有所述修復導線20、以及與所述修復導線20同層的基板上形成包括源極301、漏極302、以及與所述源極301電連接的數(shù)據(jù)線40的源漏金屬層，從而形成如圖11(a)所示的具有底柵型薄膜晶體管30(圖中未標示出)的所述陣列基板01。
[0111]針對所述陣列基板01中待形成的所述薄膜晶體管30為頂柵型的情況，所述方法還包括:
[0112]如圖11(b)所示,在形成有包括所述源極301、所述漏極302、以及與所述源極301電連接的所述數(shù)據(jù)線40的源漏金屬層的基板上依次形成柵絕緣層304、以及包括柵極303、柵線的柵金屬層，從而形成如圖所示的具有頂柵型薄膜晶體管30 (圖中未標示出)的所述陣列基板01。
[0113]下面提供一具體的實施例，對具有底柵型薄膜晶體管的所述陣列基板01的制備方法進行說明。如圖12所示，該方法具體包括如下步驟:
[0114]S301、在襯底基板10的表面依次形成包括柵極303、柵線的柵金屬層、以及柵絕緣層 304。
[0115]S302、參考圖2(a)所示，采用磁控濺射法，在完成上述步驟S301的基板上沉積一層IGZO金屬氧化物薄膜50，并在所述IGZO金屬氧化物薄膜50之上涂覆厚度均勻的一層光刻膠層60。
[0116]S303、參考圖3(a)所示，采用半色調(diào)掩模板70對形成有所述光刻膠層60的上述基板進行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分601、光刻膠半保留部分602和光刻膠完全去除部分603。
[0117]其中，所述光刻膠完全保留部分601對應(yīng)待形成的所述金屬氧化物半導體有源層501的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分602對應(yīng)待形成的所述修復導線40的區(qū)域，所述光刻膠完全去除603部分對應(yīng)其他區(qū)域。
[0118]S304、參考圖4(a)所示，采用刻蝕工藝去除上述基板上的所述光刻膠完全去除部分603露出的所述金屬氧化物薄膜50 (圖中均未標示出)，形成所述金屬氧化物半導體有源層501和金屬氧化物半導體保留圖案502。
[0119]S305、參考圖5(a)所示，采用灰化工藝去除上述基板上的所述光刻膠半保留部分602的光刻膠，露出所述金屬氧化物半導體保留圖案502。
[0120]S306、參考圖6(a)所示，將完成上述步驟S305的基板置于真空腔室中，對露出的所述金屬氧化物半導體保留圖案502(圖中均未標示出)進行氫氣等離子體處理，將所述半導體保留圖案502轉(zhuǎn)化為呈導體特性的所述修復導線20。
[0121]S307、參考圖7(a)所示，采用剝離工藝去除完成上述步驟S306的基板上的所述光刻膠完全保留部分601的光刻膠。
[0122]通過上述步驟S301?S307，便可以通過一次構(gòu)圖工藝形成所述IGZO金屬氧化物半導體有源層501以及與所述IGZO金屬氧化物半導體有源層501同層設(shè)置的所述修復導線20。
[0123]其中，所述修復導線20由經(jīng)過金屬化處理而具有導體特性的材料形成，所述金屬氧化物半導體有源層501由未經(jīng)過金屬化處理具有半導體特性的IGZO金屬氧化物薄膜50形成。
[0124]S308、參考圖9(a)所示，在完成上述步驟S307的基板上形成一層厚度均勻的由氧化硅材料構(gòu)成的刻蝕阻擋層，通過一次構(gòu)圖工藝形成第一刻蝕阻擋圖案801和第二刻蝕阻擋圖案802。
[0125]其中，所述第一刻蝕阻擋圖案801與源極301和漏極302之間的間隙對應(yīng)，且所述第一刻蝕阻擋圖案801與所述源極301和所述漏極302、以及形成的所述金屬氧化物半導體有源層501均直接接觸。
[0126]所述第二刻蝕阻擋圖案802與形成的所述修復導線20直接接觸，且沿與所述第一方向垂直的第二方向，所述第二刻蝕阻擋圖案802露出所述修復導線20的一部分，待形成的所述數(shù)據(jù)線40與未被所述第二刻蝕阻擋圖案802覆蓋的所述修復導線20直接接觸。
[0127]S309、參考圖11(a)所示，在完成上述步驟S308的基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成所述源極201、所述漏極202以及所述數(shù)據(jù)線40。
[0128]通過上述步驟S301?S309，便可得到參考圖1所示的具有底柵型薄膜晶體管30的陣列基板01。由于所述修復導線20形成位于所述數(shù)據(jù)線40的下方，且所述數(shù)據(jù)線40通過與所述修復導線20直接接觸電連接，即所述修復導線20與所述數(shù)據(jù)線40之間的等效電路關(guān)系為并聯(lián)關(guān)系，使得二者并聯(lián)后的總電阻值小于所述修復導線20和所述數(shù)據(jù)線40中的任一個，有利于減少由于所述陣列基板01中數(shù)據(jù)線電阻較大而產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號延遲(簡稱 RC-Loading)現(xiàn)象。
[0129]當任一根所述數(shù)據(jù)線40發(fā)生斷路無法導通數(shù)據(jù)信號時，由于任一根所述修復導線20即對應(yīng)一根所述數(shù)據(jù)線40，發(fā)生斷路的所述數(shù)據(jù)線40仍能夠通過與所述數(shù)據(jù)線40并聯(lián)的所述修復導線20將所述數(shù)據(jù)信號導通至相應(yīng)的像素區(qū)域，從而保證了所述陣列基板01應(yīng)用于顯示裝置時的圖像正常顯示，并提高了所述陣列基板01的良品率。
[0130]本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板01，參考圖1所示，所述陣列基板01包括:襯底基板10，設(shè)置在所述襯底基板10上的薄膜晶體管30、與所述薄膜晶體管30的源極301電連接的沿第一方向平行排布數(shù)據(jù)線40 ;所述陣列基板01還包括位于所述數(shù)據(jù)線40下方的沿所述第一方向平行排布的多根修復導線20 ;其中，任一根所述修復導線20與一根所述數(shù)據(jù)線40垂直對應(yīng)，且直接接觸。
[0131]一方面，由于所述修復導線20形成位于所述數(shù)據(jù)線40的下方，且所述數(shù)據(jù)線40通過與所述修復導線20直接接觸電連接，即所述修復導線20與所述數(shù)據(jù)線40之間的等效電路關(guān)系為并聯(lián)關(guān)系，使得二者并聯(lián)后的總電阻值小于所述修復導線20和所述數(shù)據(jù)線40中的任一個，有利于減少由于所述陣列基板01中數(shù)據(jù)線電阻較大而產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號延遲(簡稱 RC-Loading)現(xiàn)象。
[0132]另一方面，當任一根所述數(shù)據(jù)線40發(fā)生斷路無法導通數(shù)據(jù)信號時，由于任一根所述修復導線20即對應(yīng)一根所述數(shù)據(jù)線40，發(fā)生斷路的所述數(shù)據(jù)線40仍能夠通過與所述數(shù)據(jù)線40并聯(lián)的所述修復導線20將所述數(shù)據(jù)信號導通至相應(yīng)的像素區(qū)域，從而保證了所述陣列基板01應(yīng)用于顯示裝置時的圖像正常顯示，并提高了所述陣列基板01的良品率。
[0133]這里，考慮到形成所述陣列基板01的整體應(yīng)具有較小的厚度，所述修復導線20與所述薄膜晶體管30的有源層501同層設(shè)置。
[0134]由于金屬氧化物半導體材料相比于傳統(tǒng)的非晶硅材料具有更高的載流子遷移率，能夠更好地滿足大尺寸顯示裝置的驅(qū)動頻率要求，因此，本發(fā)明實施例進一步優(yōu)選為，參考圖11 (a)或圖11 (b)所示，所述有源層501為金屬氧化物半導體有源層501，其中，所述薄膜晶體管30的源極301和漏極302與所述金屬氧化物半導體有源層501直接接觸。
[0135]所述修復導線20為對與所述金屬氧化物半導體有源層501同層的金屬氧化物半導體保留圖案502(圖中均為標示出)進行金屬化處理得到的呈導體特性的所述修復導線20。
[0136]這樣，能夠在不增加所述陣列基板01的整體構(gòu)圖工藝次數(shù)的基礎(chǔ)上形成用于修復發(fā)生斷路的所述數(shù)據(jù)線40的所述修復導線20，提高了所述陣列基板01的制備效率。
[0137]其中，根據(jù)所述薄膜晶體管30的類型不同，所述陣列基板01的具體結(jié)構(gòu)可以包括以下兩種情況:
[0138]針對所述陣列基板01中的所述薄膜晶體管30的類型為底柵型的情況，參考圖11(a)所示，所述陣列基板01的具體結(jié)構(gòu)在此不再贅述。
[0139]針對所述陣列基板01中待形成的所述薄膜晶體管30的類型為頂柵型的情況，參考圖11 (b)所示，所述薄膜晶體管30的源極301和漏極302設(shè)置在所述金屬氧化物半導體有源層501之上，所述薄膜晶體管30的柵極303設(shè)置在包括所述源極301、所述漏極302、以及與所述源極301電連接的所述數(shù)據(jù)線40的圖案層之上。
[0140]在上述基礎(chǔ)上，為了防止?jié)穹涛g工藝中形成所述源極301、所述漏極302、以及與所述源極301電連接的所述數(shù)據(jù)線40的圖案層時，采用金屬氧化物(如IGZO等)材質(zhì)制成的有源層被刻蝕，甚至造成過刻蝕，導致薄膜晶體管的成品率下降。[0141]因此，本發(fā)明實施例優(yōu)選的，參考圖8(a)或圖8(b)所示，所述陣列基板01還包括位于包括所述修復導線20、以及與所述修復導線20同層的所述金屬氧化物半導體有源層501的圖案層之上的刻蝕阻擋層。
[0142]其中，所述刻蝕阻擋層包括第一刻蝕阻擋圖案801，所述第一刻蝕阻擋圖案801與所述源極301和所述漏極302之間的間隙對應(yīng)，且所述第一刻蝕阻擋圖案801與所述源極301和所述漏極302、以及所述金屬氧化物半導體有源層501均直接接觸。
[0143]進一步的，為了防止?jié)穹涛g工藝中應(yīng)用的刻蝕液體對經(jīng)過所述金屬化處理形成的所述修復導線20產(chǎn)生刻蝕，參考圖9(a)或圖9(b)所示，所述刻蝕阻擋層還包括第二刻蝕阻擋圖案802。
[0144]其中，所述第二刻蝕阻擋圖案802與所述修復導線20直接接觸，且沿與所述第一方向垂直的第二方向，所述第二刻蝕阻擋圖案802露出所述修復導線20的一部分，所述數(shù)據(jù)線40與未被所述第二刻蝕阻擋圖案802覆蓋的所述修復導線20直接接觸。
[0145]這里，參考圖1所示，所述陣列基板01還包括與所述薄膜晶體管30的所述漏極302電連接的像素電極90。
[0146]本發(fā)明實施例又提供了一種顯示裝置，包括上述的所述陣列基板01。
[0147]所述顯示裝置可以為:液晶面板、0LED、電子紙、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0148]需要說明的是，本發(fā)明所有附圖是所述陣列基板及其制備過程的簡略的示意圖，只為清楚描述本方案體現(xiàn)了與發(fā)明點相關(guān)的結(jié)構(gòu)，對于其他的與發(fā)明點無關(guān)的結(jié)構(gòu)是現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，在附圖中并未體現(xiàn)或只體現(xiàn)部分。
[0149]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修復導線； 在形成有所述修復導線的基板上形成包括源極、漏極、以及與所述源極電連接的數(shù)據(jù)線的源漏金屬層；所述數(shù)據(jù)線沿所述第一方向平行排布； 其中，任一根所述修復導線與一根所述數(shù)據(jù)線垂直對應(yīng)，且直接接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述形成沿第一方向平行排布的多根修復導線，包括； 采用一次構(gòu)圖工藝形成所述修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層； 其中，所述源極和所述漏極與所述金屬氧化物半導體有源層直接接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述采用一次構(gòu)圖工藝形成所述修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層，具體包括: 形成呈半導體特性的金屬氧化物薄膜，并在所述金屬氧化物薄膜之上形成光刻膠層； 采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板對形成有所述光刻膠層的基板進行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成的所述金屬氧化物半導體有源層的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對應(yīng)待形成的所述修復導線的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)其他區(qū)域； 采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分露出的所述金屬氧化物薄膜，形成所述金屬氧化物半導體有源層和金屬氧化物半導體保留圖案； 采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠，露出所述金屬氧化物半導體保留圖案； 對露出的所述金屬氧化物半導體保留圖案進行金屬化處理，使所述金屬氧化物半導體保留圖案轉(zhuǎn)化為呈導體特性的所述修復導線； 采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述金屬化處理包括等離子體處理、或離子注入。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，在形成所述修復導線、與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層之后，形成包括所述源極、所述漏極、以及與所述源極電連接的所述數(shù)據(jù)線的源漏金屬層之前，所述方法還包括:形成刻蝕阻擋層； 其中，所述刻蝕阻擋層包括第一刻蝕阻擋圖案，所述第一刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極之間的間隙對應(yīng)，且所述第一刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極、以及所述金屬氧化物半導體有源層均直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層還包括第二刻蝕阻擋圖案； 其中，所述第二刻蝕阻擋圖案與所述修復導線直接接觸，且沿與所述第一方向垂直的第二方向，所述第二刻蝕阻擋圖案露出所述修復導線的一部分，所述數(shù)據(jù)線與未被所述第二刻蝕阻擋圖案覆蓋的所述修復導線直接接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，在襯底基板上形成所述修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層，包括:在所述襯底基板的表面形成包括柵極、柵線的柵金屬層； 在形成有包括所述柵極、所述柵線的柵金屬層的基板上形成柵絕緣層； 在形成有所述柵絕緣層的基板上形成修復導線、以及與所述修復導線同層的金屬氧化物半導體有源層。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述方法還包括: 在形成有包括所述源極、所述漏極、以及與所述源極電連接的所述數(shù)據(jù)線的源漏金屬層的基板上依次形成柵絕緣層、以及包括柵極、柵線的柵金屬層。
9.一種陣列基板，其特征在于，包括:襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管的源極電連接的沿第一方向平行排布數(shù)據(jù)線； 所述陣列基板還包括位于所述數(shù)據(jù)線下方的沿所述第一方向平行排布的多根修復導線.其中，任一根所述修復導線與一根所述數(shù)據(jù)線垂直對應(yīng)，且直接接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的有源層為金屬氧化物半導體有源層； 所述修復導線與所述薄膜晶體管的金屬氧化物半導體有源層同層設(shè)置； 其中，所述薄膜 晶體管的源極和漏極與所述金屬氧化物半導體有源層直接接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述修復導線為對與所述金屬氧化物半導體有源層同層的金屬氧化物半導體保留圖案進行金屬化處理后得到的呈導體特性的所述修復導線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括:位于包括所述修復導線、以及與所述修復導線同層的所述金屬氧化物半導體有源層的圖案層之上的刻蝕阻擋層； 其中，所述刻蝕阻擋層包括第一刻蝕阻擋圖案，所述第一刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極之間的間隙對應(yīng)，且所述第一刻蝕阻擋圖案與所述源極和所述漏極、所述金屬氧化物半導體有源層均直接接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層還包括第二刻蝕阻擋圖案； 其中，所述第二刻蝕阻擋圖案與所述修復導線直接接觸，且沿與所述第一方向垂直的第二方向，所述第二刻蝕阻擋圖案露出所述修復導線的一部分，所述數(shù)據(jù)線與未被所述第二刻蝕阻擋圖案覆蓋的所述修復導線直接接觸。
14.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求9至13任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK103838047SQ201410069289
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2014年2月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月27日
【發(fā)明者】曹占鋒, 丁錄科, 李正亮, 張峰, 孔祥春, 姚琪 申請人:京東方科技集團股份有限公司