一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，提出一種新的具有半透半反功能的陣列基板結(jié)構(gòu)。所述陣列基板包括陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括反射區(qū)和透射區(qū)；針對(duì)任一個(gè)像素單元，所述陣列基板包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、以及相互電連接的反射電極和第一透明電極；在所述反射電極和所述第一透明電極之間還設(shè)置第一有機(jī)透明絕緣層，且所述反射電極位于所述第一有機(jī)透明絕緣層靠近所述襯底基板的一側(cè)；其中，所述反射電極位于所述反射區(qū)，所述第一透明電極位于所述透射區(qū)。用于顯示裝置的制造。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板。【背景技術(shù)】
[0002]所述半透半反式液晶顯示裝置在構(gòu)成其液晶顯示面板的顯示區(qū)域內(nèi)包括透射區(qū)和反射區(qū)；其中，所述透射區(qū)通過對(duì)來自背光源的光的透射量進(jìn)行控制而實(shí)現(xiàn)透射型顯示，所述反射區(qū)通過對(duì)來自外部環(huán)境的光的反射量進(jìn)行控制而實(shí)現(xiàn)反射型顯示。即，所述半透半反式液晶顯示裝置在較暗的環(huán)境下主要通過透射型顯示，而在較亮的環(huán)境下主要通過反射型顯示，從而確保顯示圖像的視認(rèn)性。
[0003]在設(shè)計(jì)半透半反式液晶顯示裝置時(shí)，需要將透射區(qū)和反射區(qū)的相位延遲R設(shè)置為相差2倍，例如可以將所述透射區(qū)的相位延遲設(shè)置為λ /2，將所述反射區(qū)的相位延遲設(shè)置為λ/4;其中，λ為對(duì)顯示有貢獻(xiàn)的光的波長。
[0004]目前，主要是通過控制所述透射區(qū)和所述反射區(qū)液晶層厚度d的不同，即控制所述透射區(qū)的液晶層厚度為所述反射區(qū)的液晶層厚度的2倍，來實(shí)現(xiàn)半透半反式顯示的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板，提出一種新的具有半透半反功能的陣列基板結(jié)構(gòu)。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]一方面，提供一種陣列基板，包括陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括反射區(qū)和透射區(qū)；針對(duì)任一個(gè)像素單元，所述陣列基板包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、以及相互電連接的反射電極和第一透明電極；在所述反射電極和所述第一透明電極之間還設(shè)置第一有機(jī)透明絕緣層，且所述反射電極位于所述第一有機(jī)透明絕緣層靠近所述襯底基板的一側(cè)；其中，所述反射電極位于所述反射區(qū)，所述第一透明電極位于所述透射區(qū)。
[0008]優(yōu)選的，所述反射區(qū)與所述薄膜晶體管的位置對(duì)應(yīng)。
[0009]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一透明電極通過設(shè)置在所述第一有機(jī)透明絕緣層中的過孔與所述反射電極接觸。
[0010]可選的，所述反射電極和所述第一透明電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0011]進(jìn)一步可選的，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述薄膜晶體管與所述反射電極之間的第二有機(jī)透明絕緣層；其中，所述反射電極通過設(shè)置在所述第二有機(jī)透明絕緣層中的過孔與所述漏極接觸。
[0012]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述第一透明電極上方的鈍化層和第二透明電極；其中，在所述反射電極和所述第一透明電極與所述薄膜晶體管的漏極之間無電連接的情況下，所述第二透明電極與所述漏極電連接。
[0013]另一方面，提供一種液晶顯示面板，包括對(duì)盒成型的陣列基板和彩膜基板，以及位于兩基板之間的液晶層；所述陣列基板為上述的陣列基板。
[0014]可選的，所述液晶顯示面板還包括設(shè)置在所述陣列基板背離所述液晶層一側(cè)的第一偏光片以及設(shè)置在所述彩膜基板背離所述液晶層一側(cè)的第二偏光片，所述第一偏光片和所述第二偏光片的透過軸相互垂直；其中，所述第一偏光片還包括內(nèi)置的第一 λ /4相位延遲膜；所述第二偏光片還包括內(nèi)置的第二 λ/4相位延遲膜。
[0015]優(yōu)選的，與所述陣列基板的透射區(qū)對(duì)應(yīng)的液晶層厚度等于與所述陣列基板的反射區(qū)對(duì)應(yīng)的液晶層厚度。
[0016]再一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括形成陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括透射區(qū)和反射區(qū)；針對(duì)任一個(gè)像素單元，所述方法包括:在襯底基板上形成薄膜晶體管、相互電連接的反射電極和第一透明電極、以及位于所述反射電極和所述第一透明電極之間的第一有機(jī)透明絕緣層；其中，所述反射電極位于所述第一有機(jī)透明絕緣層的下方，所述第一透明電極位于所述第一有機(jī)透明絕緣層的上方；所述反射電極形成在所述反射區(qū)，所述第一透明電極形成在所述透射區(qū)。
[0017]優(yōu)選的，所述反射區(qū)與所述薄膜晶體管的位置對(duì)應(yīng)。
[0018]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一透明電極通過形成在所述第一有機(jī)透明絕緣層中的過孔與所述反射電極接觸。
[0019]可選的，所述反射電極和所述第一透明電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0020]進(jìn)一步可選的，所述方法還包括在所述薄膜晶體管與所述反射電極之間形成第二有機(jī)透明絕緣層；其中，所述反射電極通過形成在所述第二有機(jī)透明絕緣層中的過孔與所述漏極接觸。
[0021]進(jìn)一步的，所述方法還包括在所述第一透明電極上方依次形成鈍化層和第二透明電極；其中，在所述反射電極和所述第一透明電極與所述薄膜晶體管的漏極之間無電連接的情況下，所述第二透明電極與所述漏極電連接。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板；所述陣列基板包括陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括反射區(qū)和透射區(qū)；針對(duì)任一個(gè)像素單元，所述陣列基板包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、以及相互電連接的反射電極和第一透明電極；在所述反射電極和所述第一透明電極之間還設(shè)置第一有機(jī)透明絕緣層，且所述反射電極位于所述第一有機(jī)透明絕緣層靠近所述襯底基板一側(cè)；其中，所述反射電極位于所述反射區(qū)，所述第一透明電極位于所述透射區(qū)。
[0023]通過在所述反射區(qū)設(shè)置所述反射電極，在所述透射區(qū)設(shè)置所述第一透明電極，并使所述反射電極和所述第一透明電極不同層設(shè)置(所述反射電極靠近所述襯底基板，所述第一透明電極遠(yuǎn)離所述襯底基板)，來使所述反射區(qū)的所述反射電極和所述第二透明電極之間的間距大于所述透射區(qū)的所述第一透明電極和所述第二透明電極之間的間距；在此基礎(chǔ)上，由于所述反射電極和所述第二透明電極之間的間距與所述第一透明電極和所述第二透明電極之間的間距的不同在于位于所述反射電極和所述第一透明電極之間的第一有機(jī)透明絕緣層，因此本發(fā)明實(shí)施例中，在所述反射電極和所述第二透明電極之間的電壓與所述第一透明電極和所述第二透明電極之間的電壓相等的情況下，通過控制該第一有機(jī)透明絕緣層的介電常數(shù)與厚度之間的關(guān)系，便可以使所述透射區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度為所述反射區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度的2倍，從而可以使所述透射區(qū)的液晶的相位延遲為所述反射區(qū)的液晶的相位延遲的2倍；基于此，當(dāng)所述陣列基板應(yīng)用于液晶顯示面板時(shí)，便可以在較暗的環(huán)境下通過透射背光源的光進(jìn)行顯示，而在較亮的環(huán)境下通過反射外部環(huán)境的光進(jìn)行顯示，從而可以降低能耗，提聞光的利用率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0026]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0027]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0028]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0029]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖五；
[0030]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0031]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0032]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯不面板的結(jié)構(gòu)不意圖二 ；
[0033]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板的透射區(qū)實(shí)現(xiàn)亮態(tài)和暗態(tài)的示意圖；
[0034]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板的反射區(qū)實(shí)現(xiàn)亮態(tài)和暗態(tài)的示意圖。
[0035]附圖標(biāo)記:
[0036]10-陣列基板；IOa-反射區(qū)；IOb-透射區(qū)；101-襯底基板；102-薄膜晶體管；1021-柵極；1022_柵絕緣層；1023_半導(dǎo)體有源層；1024_源極；1025_漏極；103_反射電極；104_第一透明電極；105_第一有機(jī)透明絕緣層；106_第二有機(jī)透明絕緣層；107_粘附層；108-鈍化層；109-第二透明電極；20_彩膜基板；30_液晶層；40_第一偏光片；50_第二偏光片。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板10，如圖1至圖4所示，包括陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括反射區(qū)IOa和透射區(qū)10b。針對(duì)任一個(gè)像素單元，所述陣列基板10包括襯底基板101、設(shè)置在所述襯底基板101上的薄膜晶體管102、以及相互電連接的反射電極103和第一透明電極104 ;在所述反射電極103和所述第一透明電極104之間還設(shè)置第一有機(jī)透明絕緣層105，且所述反射電極103位于所述第一有機(jī)透明絕緣層105靠近所述襯底基板101的一側(cè)。其中，所述反射電極103位于所述反射區(qū)10a，所述第一透明電極104位于所述透射區(qū)10b。
[0039]當(dāng)所述陣列基板10應(yīng)用于液晶顯示面板時(shí)，所述液晶顯示面板還應(yīng)包括第二透明電極109 ;這樣，所述反射區(qū)IOa便可以包括所述反射電極103和所述第二透明電極109 ；所述透射區(qū)IOb便可以包括所述第一透明電極104和所述第二透明電極109。
[0040]根據(jù)半透半反式液晶顯示面板的設(shè)計(jì)原理，需要將所述透射區(qū)IOb的相位延遲設(shè)定為所述反射區(qū)IOa的相位延遲的2倍，即(I1X An1=ZXd2X An2 ;其中，dl為所述透射區(qū)IOb的液晶層厚度，An1為所述透射區(qū)IOb的液晶的相位延遲，d2為所述反射區(qū)IOa的液晶層厚度，Δη2為所述反射區(qū)IOa的液晶的相位延遲。
[0041]基于此，本發(fā)明實(shí)施例通過控制所述透射區(qū)IOb的液晶的相位延遲為所述反射區(qū)IOa的液晶的相位延遲的2倍，即Λni=2 An2，來實(shí)現(xiàn)半透半反功能。其中，所述透射區(qū)IOb的液晶層厚度與所述反射區(qū)IOa的液晶層厚度相等，即Cl1=C^
[0042]在此基礎(chǔ)上，由于所述液晶的相位延遲是由施加于液晶層的電場(chǎng)強(qiáng)度決定的，為了使所述透射區(qū)IOb的液晶的相位延遲為所述反射區(qū)IOa的液晶的相位延遲的2倍，便需要使所述透射區(qū)IOb的電場(chǎng)強(qiáng)度為所述反射區(qū)IOa的電場(chǎng)強(qiáng)度的2倍。[0043]具體的，根據(jù)電壓與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系式:U= ε。ε ED ;其中，U為兩電極(反射電極103和第二透明電極109，或第一透明電極104和第二透明電極109)之間的電壓，E為形成于兩電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度，D為兩電極之間的間距，^為真空介電常數(shù)，ε為兩電極之間的介質(zhì)層的介電常數(shù)。由此可知，在相同的電壓下，電場(chǎng)強(qiáng)度與兩電極之間的間距以及位于兩電極之間的介質(zhì)層有關(guān)；其中，電場(chǎng)強(qiáng)度與兩電極之間的間距和位于兩電極之間的介質(zhì)層的介電常數(shù)的乘積成反比。因此，要使所述透射區(qū)IOb的電場(chǎng)強(qiáng)度為所述反射區(qū)IOa的電場(chǎng)強(qiáng)度的2倍，可以通過控制兩電極之間的間距以及位于兩電極之間的介質(zhì)層，即控制參數(shù)ε D實(shí)現(xiàn)。
[0044]在此基礎(chǔ)上，由于設(shè)置在所述第一透明電極104和所述第二透明電極109之間的其余圖案層，在所述透射區(qū)IOb和所述反射區(qū)IOa的介電常數(shù)和間距相等，因此所述反射電極103和所述第二透明電極109之間的電場(chǎng)強(qiáng)度與所述第一透明電極104和所述第二透明電極109之間的電場(chǎng)強(qiáng)度的差異，僅在于位于所述反射電極103和所述第一透明電極104之間的第一有機(jī)透明絕緣層105 ;基于此，可以通過控制所述第一有機(jī)透明絕緣層105的厚度和介電常數(shù)，以使所述透射區(qū)IOb的電場(chǎng)強(qiáng)度為所述反射區(qū)IOa的電場(chǎng)強(qiáng)度的2倍，從而實(shí)現(xiàn)半透半反功能。
[0045]需要說明的是，第一，基于所述反射區(qū)IOa與所述透射區(qū)IOb光源的不同，所述反射電極103可以為不透明材質(zhì)，例如具有高反射率的金屬電極，所述第一透明電極104可以為透明材質(zhì)，例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide,簡稱ITO)電極。
[0046]第二，每個(gè)所述像素單元均可以包括所述反射區(qū)IOa和所述透射區(qū)10b，在本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)于所述反射區(qū)IOa和所述透射區(qū)IOb的相對(duì)位置不作具體限定；即，可以是所述反射區(qū)IOa與所述薄膜晶體管102的位置相對(duì)應(yīng)，也可以是所述透射區(qū)IOb與所述薄膜晶體管102的位置相對(duì)應(yīng)。
[0047]第三，本發(fā)明實(shí)施例中僅限定了所述反射電極103和所述第一透明電極104之間的電連接關(guān)系，但對(duì)于其與所述薄膜晶體管102的漏極1025之間的電連接關(guān)系并未作限定。也就是說，所述反射電極103和所述第一透明電極104與所述漏極1025之間可以電連接，也可以無電連接。
[0048]在所述反射電極103和所述第一透明電極104與所述漏極1025之間電連接的情況下，參考圖1至圖3所示，所述反射電極103和所述第一透明電極104可以作為所述陣列基板10的像素電極；此時(shí)，所述陣列基板10或者彩膜基板還可以包括第二透明電極109作為公共電極。
[0049]在所述反射電極103和所述第一透明電極104與所述漏極1025之間無電連接的情況下，參考圖4所示，所述反射電極103和所述第一透明電極104可以作為所述陣列基板10的公共電極；此時(shí)，所述陣列基板10還需包括與所述漏極1025電連接的第二透明電極109作為像素電極。
[0050]其中，當(dāng)所述反射電極103和所述第一透明電極104作為公共電極，所述第二透明電極109作為所述像素電極時(shí)，由于所述第二透明電極109位于所述反射電極103和所述第一透明電極104的上方，要實(shí)現(xiàn)所述第二透明電極109與所述漏極1025之間的電連接，便需要在位于所述第二透明電極109和所述漏極1025之間的圖案層例如所述反射電極103和所述第一有機(jī)透明絕緣層105中設(shè)置過孔。這里，參考圖4所示，基于所述薄膜晶體管102中源極1024和漏極1025的等效性，可以將所述源極1024和所述漏極1025之間的相對(duì)位置互換。
[0051]具體的，在實(shí)現(xiàn)所述第二透明電極109與所述漏極1025之間的電連接的過程中，可以在所述反射電極103中形成一個(gè)尺寸相對(duì)較大的過孔，這樣，在形成所述第一有機(jī)透明絕緣層105時(shí)，其材料例如透明樹脂便可以灌注到所述反射電極103的過孔中，然后在所述第一有機(jī)透明絕緣層105中再形成一個(gè)尺寸相對(duì)較小的過孔；這樣便可以保證當(dāng)所述第二透明電極109通過所述反射電極103中的過孔與所述漏極1025之間電連接時(shí)，所述第二透明電極109與所述反射電極103之間的電絕緣。
[0052]第四，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述薄膜晶體管102可以為頂柵型薄膜晶體管，也可以為底柵型薄膜晶體管，具體不做限定。
[0053]在所述薄膜晶體管102為底柵型薄膜晶體管的情況下，其例如可以依次包括柵極1021、柵絕緣層1022、半導(dǎo)體有源層1023、以及源極1024和漏極1025。此時(shí)，參考圖1所示，所述反射電極103可以通過搭橋的方式直接與所述漏極1025接觸以實(shí)現(xiàn)電連接；或者，參考圖2所示，所述反射電極103可以通過位于所述反射電極103和所述漏極1025之間的圖案層中的過孔與所述漏極1025實(shí)現(xiàn)電連接。這里，所述反射電極103與所述漏極1025的具體連接方式需根據(jù)所述陣列基板10的實(shí)際結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)。
[0054]在所述薄膜晶體管102為頂柵型薄膜晶體管的情況下，其例如可以依次包括半導(dǎo)體有源層1023、源極1024和漏極1025、柵絕緣層1022、以及柵極1021 ;此時(shí)，由于所述源極1024和所述漏極1025位于所述柵絕緣層1022的下方,而所述反射電極103需與所述漏極1025之間電連接，因此，所述柵絕緣層1022應(yīng)該包括用于實(shí)現(xiàn)所述反射電極103和所述漏極1025之間電連接的過孔。
[0055]考慮到制備工藝的簡化，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選所述薄膜晶體管102為底柵型薄膜晶體管。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板10，包括陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括反射區(qū)IOa和透射區(qū)10b。針對(duì)任一個(gè)像素單元，所述陣列基板10包括襯底基板101、設(shè)置在所述襯底基板101上的薄膜晶體管102、相互電連接的反射電極103和第一透明電極104 ;在所述反射電極103和所述第一透明電極104之間還設(shè)置第一有機(jī)透明絕緣層105，且所述反射電極103位于所述第一有機(jī)透明絕緣層105靠近所述襯底基板101的一側(cè)。其中，所述反射電極103位于所述反射區(qū)10a，所述第一透明電極104位于所述透射區(qū) IOb0
[0057]通過在所述反射區(qū)IOa設(shè)置所述反射電極103，在所述透射區(qū)IOb設(shè)置所述第一透明電極104，并使所述反射電極103和所述第一透明電極104不同層設(shè)置(所述反射電極103靠近所述襯底基板101，所述第一透明電極104遠(yuǎn)離所述襯底基板101)，來使所述反射區(qū)IOa的所述反射電極103和所述第二透明電極109之間的間距大于所述透射區(qū)IOb的所述第一透明電極104和所述第二透明電極109之間的間距；在此基礎(chǔ)上，由于所述反射電極103和所述第二透明電極109之間的間距與所述第一透明電極104和所述第二透明電極109之間的間距的不同在于位于所述反射電極103和所述第一透明電極104之間的第一有機(jī)透明絕緣105層，因此本發(fā)明實(shí)施例中，在所述反射電極103和所述第二透明電極109之間的電壓與所述第一透明電極104和所述第二透明電極109之間的電壓相等的情況下，通過控制該第一有機(jī)透明絕緣層105的介電常數(shù)與厚度之間的關(guān)系，便可以使所述透射區(qū)IOb的電場(chǎng)強(qiáng)度為所述反射區(qū)IOa的電場(chǎng)強(qiáng)度的2倍，從而使所述透射區(qū)IOb的液晶的相位延遲為所述反射區(qū)IOa的液晶的相位延遲的2倍；基于此，當(dāng)所述陣列基板10應(yīng)用于液晶顯示面板時(shí)，便可以在較暗的環(huán)境下通過透射背光源的光進(jìn)行顯示，而在較亮的環(huán)境下通過反射外部環(huán)境的光進(jìn)行顯示，從而可以降低能耗，提高光的利用率。
[0058]基于上述描述可知，所述反射區(qū)IOa和所述透射區(qū)IOb的相對(duì)位置可以互換；但考慮到所述反射區(qū)IOa為不透光區(qū)，且與所述薄膜晶體管102的位置對(duì)應(yīng)的區(qū)域也不透光，因此優(yōu)選的，所述反射區(qū)IOa與所述薄膜晶體管102的位置對(duì)應(yīng)；這樣有利于提高液晶顯示面板的開口率。
[0059]考慮到所述反射電極103和所述第一透明電極104之間設(shè)置有所述第一有機(jī)透明絕緣層105，為了實(shí)現(xiàn)所述反射電極103和所述第一透明電極104之間的電連接，優(yōu)選的，參考圖1至圖4所示，所述第一透明電極104可以通過設(shè)置在所述第一有機(jī)透明絕緣層105中的過孔與所述反射電極103接觸，從而實(shí)現(xiàn)電連接關(guān)系。
[0060]進(jìn)一步的，參考圖1至圖3所示，所述反射電極103和所述第一透明電極104可以與所述薄膜晶體管102的漏極1025電連接。在此情況下，所述反射電極103和所述第一透明電極104便可以作為所述陣列基板10的像素電極。
[0061]這里，所述反射電極103和所述第一透明電極104可以均為板狀電極。
[0062]在此基礎(chǔ)上，所述反射電極103與所述漏極1025之間的電連接方式可以包括圖1所示的直接搭橋連接和圖2所示的通過過孔連接兩種方式。考慮到所述反射區(qū)IOa的有效面積，可選的，所述陣列基板10還可以包括設(shè)置在所述薄膜晶體管102與所述反射電極103之間的第二有機(jī)透明絕緣層106 ;其中，所述反射電極103可以通過設(shè)置在所述第二有機(jī)透明絕緣層106中的過孔與所述漏極1025接觸。
[0063]這樣，通過設(shè)置所述第二有機(jī)透明絕緣層106，不僅可以增加所述陣列基板10的平整度，還可以減小位于所述陣列基板10上的數(shù)據(jù)線與所述第一透明電極104之間的寄生電容。
[0064]對(duì)于底柵型薄膜晶體管而言，所述薄膜晶體管102可以包括依次設(shè)置在所述襯底基板101上的柵極1021、柵絕緣層1022、半導(dǎo)體有源層1023、以及源極1024和漏極1025 ；這樣，當(dāng)所述第二有機(jī)透明絕緣層106直接設(shè)置在所述源極1024和所述漏極1025上方時(shí)，由于所述有機(jī)透明絕緣層106的材料例如樹脂材料與所述源極1024和所述漏極1025的材料例如金屬材料之間的粘附性不好，可能會(huì)產(chǎn)生結(jié)合不良的問題；基于此，如圖5所示，所述陣列基板10還可以包括設(shè)置在所述薄膜晶體管102的源極1024和漏極1025與所述第二有機(jī)透明絕緣層106之間的粘附層107。
[0065]其中，所述粘附層107用于增加所述第二有機(jī)透明絕緣層106與源漏金屬層之間的結(jié)合強(qiáng)度，其材質(zhì)可以選用例如氮化硅或氧化硅、以及氮氧化硅等鈍化層材質(zhì)中的一種。
[0066]進(jìn)一步的，為了避免對(duì)液晶顯示面板的透過率產(chǎn)生影響，所述第一有機(jī)透明絕緣層105和所述第二有機(jī)透明絕緣層106優(yōu)選為具有高透過率的透明樹脂層。
[0067]其中，所述透明樹脂層的材料可以包括聚酰亞胺類樹脂或丙烯酸類樹脂材料中的一種。
[0068]這里，所述透明樹脂層不僅具有透過率高的特點(diǎn)，其厚度還可以設(shè)置的相對(duì)較厚。基于此，當(dāng)所述反射電極103和所述第二透明電極109之間的間距需要調(diào)整時(shí)，便可以通過調(diào)整所述透明樹脂層的厚度實(shí)現(xiàn)。
[0069]當(dāng)所述陣列基板10包括設(shè)置在所述襯底基板101上的薄膜晶體管102、與所述薄膜晶體管102的漏極1025電連接的反射電極103和第一透明電極104、位于所述反射電極103和所述第一透明電極104之間的第一有機(jī)透明絕緣層105、以及位于所述薄膜晶體管102和所述反射電極103之間的第二有機(jī)透明絕緣層106時(shí)，所述陣列基板101為一種扭曲向列型(Twist Nematic，簡稱TN)陣列基板。但受限于TN型陣列基板的特性，隨著視角范圍的變化，所述TN型陣列基板可能會(huì)發(fā)生灰階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，從而導(dǎo)致視角范圍變窄。
[0070]在此基礎(chǔ)上，參考圖3至圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選所述陣列基板10還包括依次設(shè)置在所述第一透明電極104上方的鈍化層108和第二透明電極109 ;其中，在所述反射電極103和所述第一透明電極104與所述薄膜晶體管102的漏極1025之間無電連接的情況下，所述第二透明電極109還可以與所述漏極1025電連接。
[0071]這里，所述第二透明電極109可以包括多個(gè)電連接的條狀電極。
[0072]當(dāng)所述反射電極103和所述第一透明電極104與所述漏極1025之間電連接時(shí)，所述反射電極103和所述第一透明電極104可以作為像素電極、所述第二透明電極109可以作為公共電極。
[0073]當(dāng)所述反射電極103和所述第一透明電極104與所述漏極1025之間無電連接時(shí)，所述第二透明電極109與所述漏極1025之間電連接、可以作為像素電極，所述反射電極103和所述第一透明電極104可以作為公共電極。
[0074]這樣，所述陣列基板10為一種高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換型(Advanced Super DimensionalSwitching,簡稱ADS)陣列基板。對(duì)于高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換型陣列基板，所述第二透明電極109與所述反射電極103或所述第一透明電極104均設(shè)置在所述陣列基板10上，通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高顯示面板的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點(diǎn)。
[0075]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示面板,如圖6和圖7所示,所述液晶顯示面板包括對(duì)盒成型的陣列基板10和彩膜基板20，以及位于兩基板之間的液晶層30 ;其中，所述陣列基板10為上述的陣列基板。
[0076]當(dāng)所述液晶顯示面板為TN模式時(shí)，參考圖7所示，所述陣列基板10僅包括反射電極103和第一透明電極104，所述彩膜基板20包括第二透明電極109 ;其中，所述第二透明電極109可以為板狀電極。
[0077]當(dāng)所述液晶顯示面板為ADS模式時(shí),參考圖6所示,所述陣列基板10包括反射電極103和第一透明電極104、以及第二透明電極109 ;其中，所述第二透明電極109可以為多個(gè)電連接的條狀電極。
[0078]基于上述描述可知，所述反射電極103和所述第二透明電極109之間的間距與所述第一透明電極104和所述第二透明電極109之間的間距不等；其中，所述反射電極103和所述第二透明電極109之間的介質(zhì)層包括第一有機(jī)透明絕緣層105和鈍化層108、以及液晶層30 ;所述第一透明電極104和所述第二透明電極109之間的介質(zhì)層包括鈍化層108和液
晶層30。
[0079]根據(jù)電壓與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系式:U= ED;當(dāng)位于兩電極之間的介質(zhì)層包括多種介質(zhì)時(shí)，所述反射區(qū)IOa的電壓可以表述為:U= ε。( ε PE2DP+ ε LE2DL+ ε KE2DK)，所述透射區(qū)IOb的電壓可以表述為:U= ε。( ε J5E1Dp+ε J1D1)。其中，ε。為真空介電常數(shù)；ε ρ為鈍化層108的介電常數(shù)，ε j^為液晶層的介電常數(shù)，ε κ為第一有機(jī)透明絕緣層的介電常數(shù)，Dp為鈍化層108的厚度，Dl為液晶層的厚度，De為第一有機(jī)透明絕緣層的厚度，U為兩電極之間的電壓，E1為透射區(qū)IOb的電場(chǎng)強(qiáng)度，E2為反射區(qū)IOa的電場(chǎng)強(qiáng)度。
[0080]在實(shí)現(xiàn)半透半反 式顯示時(shí)具有如下關(guān)系:Ε1=2Ε2 ;因此在相同的電壓下，可以推導(dǎo)出以下結(jié)論:eKDK= SpDp+因此，所述液晶層30和所述鈍化層108確定之后，便可以根據(jù)所述第一有機(jī)透明絕緣層105的實(shí)際材質(zhì)設(shè)定其厚度。
[0081]這里，所述鈍化層108的材質(zhì)可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材質(zhì)中的一種，其介電常數(shù)相對(duì)較大，例如氮化硅的介電常數(shù)通常在6.5~6.8之間；所述第一有機(jī)透明絕緣層105的材質(zhì)可以包括聚酰亞胺、聚碳酸酯等透明樹脂材料中的一種，其介電常數(shù)相對(duì)較小，通常在3~4之間。
[0082]進(jìn)一步的，如圖8所示，所述液晶顯示面板還可以包括設(shè)置在所述陣列基板10背離所述液晶層30 —側(cè)的第一偏光片40以及設(shè)置在所述彩膜基板20背離所述液晶層30 —側(cè)的第二偏光片50,所述第一偏光片40和所述第二偏光片50的透過軸相互垂直；其中，所述第一偏光片40還包括內(nèi)置的第一 λ/4相位延遲膜；所述第二偏光片50還包括內(nèi)置的第
二λ/4相位延遲膜。
[0083]以所述液晶顯示面板包括高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換型陣列基板、所述第一偏光片40的偏振方向?yàn)樗椒较?0°偏光片)、所述第二偏光片50的偏振方向?yàn)樨Q直方向(90°偏光片)為例，對(duì)所述液晶顯示面板實(shí)現(xiàn)亮態(tài)顯示和暗態(tài)顯示的原理進(jìn)行說明；其中，圖9為所述透射區(qū)IOb實(shí)現(xiàn)亮態(tài)和暗態(tài)的示意圖，圖10為所述反射區(qū)IOa實(shí)現(xiàn)亮態(tài)和暗態(tài)的示意圖。
[0084]一方面，當(dāng)所述液晶顯示面板未加電壓時(shí)，所述反射區(qū)IOa和所述透射區(qū)IOb均呈暗態(tài)顯示，其具體的光線模擬情況如圖9和圖10中暗態(tài)一欄所示。
[0085]在所述反射區(qū)IOa內(nèi)，外部環(huán)境的光為自然光。當(dāng)外部環(huán)境的光經(jīng)過所述第二偏光片50(例如90°偏光片)時(shí)會(huì)產(chǎn)生和所述第二偏光片50的透過軸方向平行的線偏振光，再經(jīng)過所述第二 λ/4相位延遲膜，便可以產(chǎn)生左旋圓偏振光；當(dāng)該左旋圓偏振光經(jīng)過所述液晶層30時(shí)，由于所述液晶層30中的液晶分子未有電場(chǎng)影響，則對(duì)該左旋圓偏振光無延遲作用；然后該左旋圓偏振光進(jìn)入所述反射電極103，經(jīng)過所述反射電極103的λ /2延遲后，該左旋圓偏振光變成右旋圓偏振光；該右旋圓偏振光再次進(jìn)入所述液晶層30，無延遲并再次經(jīng)過所述第二 λ /4相位延遲膜，變成和所述第二偏光片50的透過軸方向垂直的線偏振光，因此無法從所述第二偏光片50射出，從而形成所述反射區(qū)IOa的暗態(tài)。
[0086]在所述透射區(qū)IOb內(nèi)，背光源發(fā)出的光近似于自然光。當(dāng)背光源發(fā)出的光經(jīng)過所述第一偏光片40 (例如0°偏光片)時(shí)會(huì)產(chǎn)生和所述第一偏光片40的透過軸方向平行的線偏振光，再經(jīng)過所述第一 λ/4相位延遲膜，便可以產(chǎn)生右旋圓偏振光；當(dāng)該右旋圓偏振光經(jīng)過所述液晶層30時(shí)，由于所述液晶層30中的液晶分子未有電場(chǎng)影響，則對(duì)該右旋圓偏振光無延遲作用；然后該右旋圓偏振光進(jìn)入所述第二 λ/4相位延遲膜，變成和所述第二偏光片50的透過軸垂直的線偏振光，因此無法從所述第二偏光片50射出，從而形成所述透射區(qū)IOb的暗態(tài)。
[0087]需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中的液晶顯示面板中，所述第一 λ/4相位延遲膜復(fù)合在所述第一偏光片40中，即所述第一 λ /4相位延遲膜屬于所述第一偏光片40的一部分；所述第二 λ /4相位延遲膜復(fù)合在所述第二偏光片50中，即所述第二 λ /4相位延遲膜屬于所述第二偏光片50的一部分。但為了清楚地描述本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施過程，按照對(duì)光的不同作用分開進(jìn)行描述。當(dāng)然，在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述λ/4相位延遲膜和所述偏光片也可以分開形成。
[0088]另一方面，當(dāng)所述液晶顯示面板外加電壓時(shí)，所述反射區(qū)IOa和所述透射區(qū)IOb均呈亮態(tài)顯示，其具體的光線模擬情況如圖9和圖10中亮態(tài)一欄所示。
[0089]在所述反射區(qū)IOa內(nèi)，外部環(huán)境的光經(jīng)過所述第二偏光片50時(shí)會(huì)產(chǎn)生和所述第二偏光片50的透過軸方向平行的線偏振光，再經(jīng)過所述第二 λ /4相位延遲膜，便會(huì)產(chǎn)生左旋圓偏振光；當(dāng)該左旋圓偏振光經(jīng)過所述液晶層30時(shí)，由于液晶層30中的液晶分子的λ /4相位延遲作用，所述左旋圓偏振光便會(huì)變成偏振方向和所述第二偏光片50的透過軸方向垂直的線偏振光；然后該線偏振光進(jìn)入所述反射電極103，經(jīng)過所述反射電極103的λ/2延遲后，依然為偏振方向和所述第二偏光片50的透過軸方向垂直的線偏振光；該線偏振光再次進(jìn)入所述液晶層30經(jīng)過延遲后，變成右旋圓偏振光；再次經(jīng)過所述第二 λ/4相位延遲膜，變成偏振方向和所述第二偏光片50的光透過軸方向平行的線偏振光,便可以從所述第二偏光片50射出，從而形成所述反射區(qū)IOa的亮態(tài)。
[0090]在所述透射區(qū)IOb內(nèi)，背光源發(fā)出的光經(jīng)過所述第一偏光片40時(shí)會(huì)產(chǎn)生和所述第一偏光片40的透過軸方向平行的線偏振光，再經(jīng)過所述第一 λ/4相位延遲膜，便可以產(chǎn)生右旋圓偏振光；當(dāng)該右旋圓偏振光經(jīng)過所述液晶層30時(shí)，由于所述液晶層30中的液晶分子的λ/2相位延遲作用，變成左旋圓偏振光；該左旋圓偏振光進(jìn)入所述第二 λ/4相位延遲膜，變成偏振方向和所述第二偏光片50的透過軸方向平行的線偏振光，便可以從所述第二偏光片50射出，從而形成所述透射區(qū)IOb的亮態(tài)。
[0091]在此基礎(chǔ)上，優(yōu)選的，與所述陣列基板10的透射區(qū)IOb對(duì)應(yīng)的液晶層厚度等于與所述陣列基板10的反射區(qū)IOa對(duì)應(yīng)的液晶層厚度。[0092]這樣，由于整個(gè)液晶顯示面板的液晶層厚度相等，便可以有效的簡化制備工藝，并降低工藝難度。
[0093]需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，以所述反射區(qū)IOa的液晶層厚度和所述透射區(qū)IOb的液晶層厚度相等為例進(jìn)行說明的，但本發(fā)明不限于此；也就是說，所述反射區(qū)IOa的液晶層厚度和所述透射區(qū)IOb的液晶層厚度可以不等。在此情況下，只需根據(jù)多種介質(zhì)條件下電壓與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系進(jìn)行設(shè)定即可。
[0094]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板10的制備方法，參考圖1至圖4所示，包括形成陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括反射區(qū)IOa和透射區(qū)IOb ;針對(duì)任一個(gè)像素單元，所述方法包括:在襯底基板101上形成薄膜晶體管102、相互電連接的反射電極103和第一透明電極104、以及位于所述反射電極103和所述第一透明電極104之間的第一有機(jī)透明絕緣層105 ;其中，所述反射電極103位于所述第一有機(jī)透明絕緣層105的下方，所述第一透明電極104位于所述第一有機(jī)透明絕緣層105的上方；所述反射電極103形成在所述反射區(qū)10a，所述第一透明電極104形成在所述透射區(qū)10b。
[0095]需要說明的是，這里所述的上方和下方是相對(duì)于制備工藝的順序而言的；在所述陣列基板10的制備過程中，先形成的稱為下方，后形成的稱為上方。
[0096]在此基礎(chǔ)上，考慮到所述液晶顯示面板的開口率問題，所述反射區(qū)IOa優(yōu)選形成在與所述薄膜晶體管102相對(duì)應(yīng)的位置。
[0097]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一透明電極104可以通過形成在所述第一有機(jī)透明絕緣層105中的過孔與所述反射電極103接觸，從而實(shí)現(xiàn)二者的電連接關(guān)系。
[0098]基于此，在形成相互電連接的反射電極103和第一透明電極104、以及位于所述反射電極103和所述第一透明電極104之間的第一有機(jī)透明絕緣層105時(shí)，具體可以包括:在形成有所述薄膜晶體管102的基板上沉積一層金屬層，并通過一次構(gòu)圖工藝在所述反射區(qū)IOa形成金屬電極，該金屬電極即為所述反射電極103 ;在形成有所述反射電極103的基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成包括過孔的所述第一有機(jī)透明絕緣層105 ;在形成有所述第一有機(jī)透明絕緣層105的基板上沉積一層ITO層，并通過一次構(gòu)圖工藝在所述透射區(qū)IOb形成ITO電極，該ITO電極即為所述第一透明電極104 ;其中，所述反射電極103和所述第一透明電極104便可以通過形成在所述第一有機(jī)透明絕緣層105中的過孔相接觸，從而實(shí)現(xiàn)電連接。
[0099]進(jìn)一步的，在形成所述陣列基板10時(shí)，可以使所述反射電極103和所述第一透明電極104與所述薄膜晶體管102的漏極1025電連接；這樣，所述反射電極103和所述第一透明電極104便可以作為所述陣列基板10的像素電極。
[0100]由于所述第一透明電極104通過形成在所述第一有機(jī)透明絕緣層105中的過孔與所述反射電極103接觸以實(shí)現(xiàn)電連接，因此只需使所述反射電極103和所述漏極1025之間接觸，便可以實(shí)現(xiàn)所述反射電極103和所述第一透明電極104與所述薄膜晶體管102的漏極1025電連接。
[0101]其中，所述反射電極103與所述漏極1025之間電連接的方式可以為圖1所示的搭橋連接方式、或者圖2所示的過孔連接方式。
[0102]在此基礎(chǔ)上，考慮到所述反射區(qū)IOa的有效面積，可選的，參考圖2所示，所述方法還可以包括在所述薄膜晶體管102與所述反射電極103之間形成第二有機(jī)透明絕緣層106 ;其中，所述反射電極103通過形成在所述第二有機(jī)透明絕緣層106中的過孔與所述漏極1025接觸。
[0103]這里，所述第二有機(jī)透明絕緣層106具有增加所述陣列基板10的平整度以及減小位于所述陣列基板10上的數(shù)據(jù)線與所述第一透明電極104之間的寄生電容的作用。
[0104]其中，所述第一有機(jī)透明絕緣層105和所述第二有機(jī)透明絕緣層106優(yōu)選為具有高透過率的透明樹脂層。所述透明樹脂層的材料具體可以包括聚酰亞胺類樹脂或丙烯酸類樹脂材料中的一種。
[0105]由于所述第二有機(jī)透明絕緣層106直接形成在所述源極1024和所述漏極1025上方，這樣可能會(huì)產(chǎn)生結(jié)合不良的問題；基于此，參考圖5所示，在所述薄膜晶體管102的源極1024和漏極1025與所述第二有機(jī)透明絕緣層106之間還可以形成粘附層107，從而增加所述第二有機(jī)透明絕緣層106與源漏金屬層的結(jié)合強(qiáng)度。其中，所述粘附層107可以選用氮化硅、氧化硅、以及氮氧化硅等材料中的一種。
[0106]基于上述描述便可以形成TN型陣列基板。但TN型陣列基板的視角范圍較窄，隨著視角范圍的變化可能會(huì)發(fā)生灰階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象；因此進(jìn)一步的，還可以在所述第一透明電極104上方依次形成鈍化層108和第二透明電極109。其中，在所述反射電極103和所述第一透明電極104與所述薄膜晶體管102的漏極1025之間無電連接的情況下，所述第二透明電極109與所述漏極1025電連接。這樣便可以形成高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換型陣列基板，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點(diǎn)。
[0107]這里，所述第二透明電極109可以包括多個(gè)電連接的條狀電極。
[0108]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括反射區(qū)和透射區(qū)；其特征在于， 針對(duì)任一個(gè)像素單元，所述陣列基板包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管、以及相互電連接的反射電極和第一透明電極； 在所述反射電極和所述第一透明電極之間還設(shè)置第一有機(jī)透明絕緣層，且所述反射電極位于所述第一有機(jī)透明絕緣層靠近所述襯底基板的一側(cè)； 其中，所述反射電極位于所述反射區(qū)，所述第一透明電極位于所述透射區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述反射區(qū)與所述薄膜晶體管的位置對(duì)應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極通過設(shè)置在所述第一有機(jī)透明絕緣層中的過孔與所述反射電極接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述反射電極和所述第一透明電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述薄膜晶體管與所述反射電極之間的第二有機(jī)透明絕緣層； 其中，所述反射電 極通過設(shè)置在所述第二有機(jī)透明絕緣層中的過孔與所述漏極接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述第一透明電極上方的鈍化層和第二透明電極； 其中，在所述反射電極和所述第一透明電極與所述薄膜晶體管的漏極之間無電連接的情況下，所述第二透明電極與所述漏極電連接。
7.一種液晶顯示面板，包括對(duì)盒成型的陣列基板和彩膜基板，以及位于兩基板之間的液晶層；其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶顯示面板還包括設(shè)置在所述陣列基板背離所述液晶層一側(cè)的第一偏光片以及設(shè)置在所述彩膜基板背離所述液晶層一側(cè)的第二偏光片，所述第一偏光片和所述第二偏光片的透過軸相互垂直； 其中，所述第一偏光片還包括內(nèi)置的第一 λ/4相位延遲膜；所述第二偏光片還包括內(nèi)置的第二 λ/4相位延遲膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于，與所述陣列基板的透射區(qū)對(duì)應(yīng)的液晶層厚度等于與所述陣列基板的反射區(qū)對(duì)應(yīng)的液晶層厚度。
10.一種陣列基板的制備方法，包括形成陣列排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括反射區(qū)和透射區(qū)；其特征在于， 針對(duì)任一個(gè)像素單元,所述方法包括:在襯底基板上形成薄膜晶體管、相互電連接的反射電極和第一透明電極、以及位于所述反射電極和所述第一透明電極之間的第一有機(jī)透明絕緣層； 其中，所述反射電極位于所述第一有機(jī)透明絕緣層的下方，所述第一透明電極位于所述第一有機(jī)透明絕緣層的上方； 所述反射電極形成在所述反射區(qū)，所述第一透明電極形成在所述透射區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述反射區(qū)與所述薄膜晶體管的位置對(duì)應(yīng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一透明電極通過形成在所述第一有機(jī)透明絕緣層中的過孔與所述反射電極接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述反射電極和所述第一透明電極與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述薄膜晶體管與所述反射電極之間形成第二有機(jī)透明絕緣層； 其中，所述反射電極通過形成在所述第二有機(jī)透明絕緣層中的過孔與所述漏極接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至14任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述第一透明電極上方依次形成鈍化層和第二透明電極； 其中，在所述反射電極和所述第一透明電極與所述薄膜晶體管的漏極之間無電連接的情況下，所述第二透明電極與所述漏極電連接。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103838043SQ201410055293
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2014年2月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月18日
【發(fā)明者】崔賢植, 李會(huì), 方正, 王海燕, 田允允 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司