Dbc陶瓷基板的成型銑切方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種DBC陶瓷基板的成型銑切方法,包括:對陶瓷基板進(jìn)行圖形制作;其中在單元板外周的覆銅邊框上制作銑切定位標(biāo)靶,并且覆銅邊框?qū)?yīng)單元板銑切線位置采用避銅處理,其中單元板銑切線被布置成沿單元板邊緣線以及邊緣的外延線,外延線延長至母板邊界;單元板第一面上布置第一面圖案,第二面上布置第二面圖案,并且,其中第一面圖案和第二面圖案在陶瓷母板的水平方向和豎直方向上均交錯布置;對陶瓷基板進(jìn)行表面處理;沿單元板銑切線對陶瓷基板進(jìn)行成型銑切,并且使得單元板殘留預(yù)定厚度;手動直接扳折以將單元板分離開。
【專利說明】DBC陶瓷基板的成型銑切方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域,更具體地說,本發(fā)明涉及一種DBC (Direct bondCopper,直接鍵合銅)陶瓷基板的成型銑切方法。
【背景技術(shù)】
[0002]DBC陶瓷母板是用DBC技術(shù)將銅箔直接燒結(jié)到Al2O3或AlN陶瓷表面制成的一種復(fù)合覆銅陶瓷板,具有高導(dǎo)熱性、高的電絕緣性、電流容量大、機(jī)械強(qiáng)度高、與硅芯片相匹配的溫度特性等特點(diǎn)。
[0003]從DBC陶瓷母板制造的圖形線路板稱為DBC陶瓷基板,常在電子封裝領(lǐng)域作為功率器件基板。DBC陶瓷母板常用規(guī)格為138mm*190mm,而DBC陶瓷基板設(shè)計的尺寸通常較小,批量制造DBC陶瓷基板時,通常采用多板合拼,以提高母板材料利用率。合拼制造的DBC陶瓷基板在激光成型時,會殘留一定厚度采用直接扳折方法將單元板分離開,以提高銑切效率。
[0004]更具體地,目前銑切DBC陶瓷基板單元板的技術(shù)是,銑切線為單元板邊緣線,激光銑切殘留一定厚度,采用直接扳折方法將單元板分離開,以提高銑切效率。但是,手動扳出單元板時,需要施加一定力度,板角受到應(yīng)力更大,極易發(fā)生邊角開裂、缺角等現(xiàn)象,使陶瓷基板報廢。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷,提供一種能夠大幅度避免成型銑切后取單元板時發(fā)生的邊角開裂、缺角等問題的DBC陶瓷基板的成型銑切方法。
[0006]根據(jù)本發(fā)明,提供了一種DBC陶瓷基板的成型銑切方法,包括:
[0007]第一步驟,用于對陶瓷基板進(jìn)行圖形制作;其中在單元板外周的覆銅邊框上制作銑切定位標(biāo)靶,并且覆銅邊框?qū)?yīng)單元板銑切線位置采用避銅處理,其中單元板銑切線被布置成沿單元板邊緣線以及邊緣的外延線,外延線延長至母板邊界;單元板第一面上布置第一面圖案,第二面上布置第二面圖案,并且,其中第一面圖案和第二面圖案在陶瓷母板的水平方向和豎直方向上均交錯布置;
[0008]第二步驟,用于對陶瓷基板進(jìn)行表面處理;
[0009]第三步驟,用于沿單元板銑切線對陶瓷基板進(jìn)行成型銑切,并且使得單元板殘留預(yù)定厚度;
[0010]第四步驟,用于手動直接扳折以將單元板分離開。
[0011]優(yōu)選地,在第三步驟中單元板殘留1/2?1/3的厚度。
[0012]優(yōu)選地,DBC陶瓷基板的材料類型為脆性陶瓷材料。
[0013]優(yōu)選地,在第一步驟中,在覆銅邊框的四個角上分別布置一個銑切定位標(biāo)靶,并在銑切線位置采取避銅處理。
[0014]優(yōu)選地,覆銅邊框的寬度介于10~30mm。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015]結(jié)合附圖,并通過參考下面的詳細(xì)描述,將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征,其中:
[0016]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的DBC陶瓷基板的成型銑切方法的流程圖。
[0017]圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的DBC陶瓷基板的成型銑切方法的示意圖。
[0018]
[0019]
[0020]需要說明的是,附圖用于說明本發(fā)明,而非限制本發(fā)明。注意,表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且,附圖中,相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。
【具體實施方式】
[0021]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂,下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0022]本發(fā)明在陶瓷基板合拼制造時,陶瓷母板外圍會留有一定寬度(例如10~30mm寬)的覆銅邊框,用來排布銑切定位標(biāo)靶以及其他制造輔助圖形。覆銅外邊框在各單元板輪廓的外延線位置采用避銅設(shè)計,單元板銑切線沿單元板外邊緣外延至母板邊界。
[0023]DBC陶瓷基板單元板采用鴛鴦拼板方式,即兩面圖形(分別記為單元板第一面和單元板第二面)交錯排列,以減小陶瓷板加工過程中的內(nèi)應(yīng)力,從而降低板翹出現(xiàn)的可能性。
[0024]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的DBC陶瓷基板的成型銑切方法的流程圖。其中,DBC陶瓷基板的材料類型包括A1203、AlN以及其它脆性陶瓷材料。
[0025]具體地說,如圖1所示,根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的DBC陶瓷基板的成型銑切方法包括:
[0026]第一步驟S1:對陶瓷基板進(jìn)行圖形制作;其中在單元板外周的邊框上制作銑切定位標(biāo)靶30,并且邊框覆蓋有避銅200,而且其中單元板銑切線40被布置成沿單元板邊緣線以及邊緣的外延線,外延線延長至母板100邊界;單元板第一面上布置第一面圖案10,第二面上布置第二面圖案20,并且,其中第一面圖案10和第二面圖案20在陶瓷母板的水平方向和豎直方向上均交錯布置;,如圖2所不,其中僅僅不意的表不出第一面圖案10和第二面圖案20的位置關(guān)系。
[0027]這種兩側(cè)的鴛鴦拼板方式減小了板翹。
[0028]優(yōu)選地,在邊框的四個角上分別布置一個銑切定位標(biāo)靶30。
[0029]優(yōu)選地,在邊框的單元板邊緣外延銑切線位置采取避銅處理。
[0030]優(yōu)選地,邊框的寬度介于10~30mm。
[0031]例如,可以采用常規(guī)的酸性蝕刻或堿性蝕刻方法進(jìn)行圖形制作。酸性蝕刻為前處理、貼膜、曝光、顯影、蝕刻、剝膜,曝光數(shù)據(jù)采用負(fù)片數(shù)據(jù)。堿性蝕刻為前處理、貼膜、曝光、顯影、電鍍抗蝕刻層(包括錫、鉛錫)、褪膜、蝕刻、褪抗蝕刻層,曝光數(shù)據(jù)采用正片數(shù)據(jù)。
[0032]第二步驟S2:對陶瓷基板進(jìn)行表面處理;可根據(jù)需求選擇相應(yīng)的表面處理方式,包括 OSP (Organic Solderability Preservative)>HASL (Hot Air Solder Level,噴錫)、化金、電鍍金等。
[0033]第三步驟S3:沿單元板銑切線40對陶瓷基板進(jìn)行成型銑切,并且使得單元板殘留預(yù)定厚度,例如殘留1/2?1/3的厚度??刹捎脝蚊婊蚍婕す忏娗校尚豌娗泻髿埩?/2?1/3厚度。成型銑切時沿單元板銑切線40銑切,即單元板外邊緣及其外延線銑切。單元板銑切線40經(jīng)過外邊框避銅處理的區(qū)域,延伸至母板邊界。
[0034]第四步驟S4:手動直接扳折(即,折疊單元板)以將單元板分離開。
[0035]根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的DBC陶瓷基板的成型銑切方法的DBC陶瓷基板采用兩側(cè)的鴛鴦拼板方式,減小了板翹;而且覆銅外邊框在各單元板輪廓的外延線位置采用避銅設(shè)計,單元板銑切線外延至母板邊界;銑切時銑切單元板,并外延至直到母板邊界,經(jīng)過邊框避銅區(qū);這樣,沿該特殊設(shè)計的銑切線銑切,從而可避免單元板激光成型后取板時,由于板角應(yīng)力大于板邊容易造成的邊角缺陷問題。
[0036]此外,需要說明的是,除非特別指出,否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等,而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0037]可以理解的是,雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上,然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下,都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾,或修改為等同變化的等效實施例。因此,凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種DBC陶瓷基板的成型銑切方法,其特征在于包括: 第一步驟,用于對陶瓷基板進(jìn)行圖形制作;其中在單元板外周的覆銅邊框上制作銑切定位標(biāo)靶,并且覆銅邊框?qū)?yīng)單元板銑切線位置采用避銅處理,其中單元板銑切線被布置成沿單元板邊緣線以及邊緣的外延線,外延線延長至母板邊界;單元板第一面上布置第一面圖案,第二面上布置第二面圖案,并且,其中第一面圖案和第二面圖案在陶瓷母板的水平方向和豎直方向上均交錯布置;; 第二步驟,用于對陶瓷基板進(jìn)行表面處理; 第三步驟,用于沿單元板銑切線對陶瓷基板進(jìn)行成型銑切,并且使得單元板殘留預(yù)定厚度; 第四步驟,用于手動直接扳折以將單元板分離開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DBC陶瓷基板的成型銑切方法,其特征在于,在第三步驟中單元板殘留1/2?1/3的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的DBC陶瓷基板的成型銑切方法,其特征在于,DBC陶瓷基板的材料類型為脆性陶瓷材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的DBC陶瓷基板的成型銑切方法,其特征在于,在第一步驟中,在邊框的四個角上分別布置一個銑切定位標(biāo)靶,邊框?qū)?yīng)銑切線位置采用避銅處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的DBC陶瓷基板的成型銑切方法,其特征在于,覆銅邊框的寬度介于10?30臟。
【文檔編號】H01L21/48GK104051278SQ201410055222
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年2月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月18日
【發(fā)明者】方慶玲, 吳小龍, 吳梅珠, 徐杰棟, 劉秋華, 胡廣群, 梁少文 申請人:無錫江南計算技術(shù)研究所